的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖6為經(jīng)步驟S15之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖7為經(jīng)步驟S3之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖8為經(jīng)步驟S4之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖9為經(jīng)步驟S5之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖10為經(jīng)步驟S6之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他的實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0042]本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，如圖2所示，該方法包括:
[0043]步驟SI，在基底上形成柵極圖形、柵絕緣層、有源層圖形和刻蝕阻擋層。
[0044]步驟S2，在所述刻蝕阻擋層上形成光刻膠層。
[0045]步驟S3，對所述光刻膠層進(jìn)行一次圖案化工藝，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域；所述半保留區(qū)域位于開關(guān)晶體管的過孔區(qū)域上方，所述光刻膠去除區(qū)域位于驅(qū)動晶體管的過孔區(qū)域上方。
[0046]步驟S4，采用干刻工藝刻蝕掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層和刻蝕阻擋層，并在同一干刻工藝中刻蝕掉所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層。
[0047]本發(fā)明實(shí)施例中，由于在開關(guān)晶體管的過孔區(qū)域的上方保留有光刻膠層，增大了開關(guān)晶體管的有源層上方需要刻蝕的材料的厚度，從而避免了有源層被刻蝕的時間，降低了有源層被損害的程度。另外，在刻蝕開關(guān)晶體管的過孔和驅(qū)動晶體管的過孔的過程中，僅使用一次圖案化工藝，簡化了制作工藝。
[0048]在具體實(shí)施時，上述的各個步驟可以通過多種方式實(shí)現(xiàn)。比如在一種可能的實(shí)施方式中，上述的步驟SI可以具體包括如下步驟(圖中未示出):
[0049]步驟S11，提供透明基底，并對透明基底進(jìn)行清洗。
[0050]這里的透明基底具體可以為玻璃基底。
[0051]步驟S12，采用濺射工藝或蒸鍍工藝在透明基底上沉積50?400nm的柵極材料層，并進(jìn)行圖案化及刻蝕工藝形成柵極圖形。
[0052]在具體實(shí)施時，這里的柵極材料層可以由金屬材料形成。進(jìn)行圖案化及刻蝕工藝形成柵極圖形可以具體包括:在柵極材料層上覆涂光刻膠，之后采用掩膜板對該光刻膠進(jìn)行曝光顯影，僅保留柵極圖形區(qū)域的光刻膠，之后使用剩余的光刻膠作為保護(hù)層，采用刻蝕液對柵極材料層進(jìn)行刻蝕，形成柵極圖形。
[0053]圖3為經(jīng)步驟S12之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖，包括基底1、形成在基底上的柵極2a和柵極2b。
[0054]步驟S13，利用化學(xué)氣相沉淀的方法制備厚度為100?500nm的S1x作為柵極絕緣層。
[0055]步驟S13的【具體實(shí)施方式】可以參考現(xiàn)有技術(shù)，在此不再詳細(xì)說明。圖4為經(jīng)步驟S13之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖，與圖3不同的是，還包括在柵極2a和柵極2b的上方還包括柵絕緣層3，柵絕緣層3覆蓋該像素內(nèi)的所有區(qū)域。
[0056]步驟S14，采用濺射工藝在柵絕緣層上沉積有源材料層，并進(jìn)行圖案化及刻蝕工藝，得到有源層圖形。
[0057]步驟S14的具體方式可以參考上述步驟S12中形成柵極圖形的過程，在此不再詳細(xì)說明。上述的有源材料層可以采用IGZO(indium gallium zinc oxide，銦鎵鋅氧化物)制作。圖5為經(jīng)步驟S14之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖，與圖4不同的是，還包括在柵絕緣層3之上有源層圖形4、有源層圖形4位于柵極2a的上方。在柵極2b的上方不存在有源層圖形。
[0058]步驟S15，在步驟S14得到的基板上利用化學(xué)氣相沉淀法制備厚度50?500nm的S1x作為刻蝕阻擋層，這里的X為正整數(shù)。
[0059]圖6為經(jīng)步驟S15之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖，與圖5不同的是，在有源層圖形4和柵絕緣層3的上方還形成有刻蝕阻擋層5，刻蝕阻擋層5覆蓋該像素內(nèi)的所有區(qū)域。當(dāng)然在實(shí)際應(yīng)用中，也可以采用SiNx作為刻蝕阻擋層。
[0060]至此，完成了步驟SI。在步驟SI之后的步驟S2中，可以通過涂覆的方式在刻蝕阻擋層之上形成光刻膠層。這里的光刻膠層可以為由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，后續(xù)通過特定的溶液可以將固化的感光樹脂清洗掉。
[0061]在具體實(shí)施時，上述的步驟S3也可以通過多種方式實(shí)現(xiàn)。其中一種方式可以具體為:采用同一掩膜板對開關(guān)晶體管的過孔區(qū)域上方的光刻膠層進(jìn)行半曝光形成光刻膠半保留區(qū)域，對驅(qū)動晶體管的過孔區(qū)域上方的光刻膠層進(jìn)行完全曝光形成光刻膠去除區(qū)域。相對于完全曝光，這里所指的半曝光是指不完全曝光。具體來說，對一個區(qū)域完全曝光是在該區(qū)域光線完全透過，而對一個區(qū)域完全曝光是指在該區(qū)域光線部分的透過。
[0062]這里的掩膜板可以為狹縫掩膜板，狹縫掩膜板在對應(yīng)于開關(guān)晶體管的過孔區(qū)域的區(qū)域具有狹縫，在對應(yīng)于驅(qū)動晶體管的過孔區(qū)域的區(qū)域具有開口。這里的狹縫是指寬度與所采用的光的波長相當(dāng)?shù)目p隙，光在通過各個狹縫時發(fā)生衍射，在該區(qū)域下方由于干涉作用，對該區(qū)域下方的光刻膠進(jìn)行均勻的半曝光。這里的開口則是指寬度遠(yuǎn)大于光的波長的縫隙，光在通過開口時，衍射現(xiàn)象不明顯，對該開口下方的光刻膠進(jìn)行完全曝光。
[0063]另外，這里的掩膜板可以為灰色調(diào)掩膜板或者半色調(diào)掩膜板對光刻膠層進(jìn)行曝光，所述灰色調(diào)掩膜板或者半色調(diào)掩膜板在對應(yīng)于開關(guān)晶體管的過孔區(qū)域的區(qū)域半透明，在對應(yīng)于驅(qū)動晶體管的過孔區(qū)域的區(qū)域完全透明。
[0064]圖7為經(jīng)步驟S3之后得到的基板在一個像素處的結(jié)構(gòu)示意圖，在刻蝕阻擋層5之上涂覆有光刻膠9，光刻膠中在用于形成All孔的區(qū)域all和用于形成A12孔的區(qū)域al2，光刻膠9部分保留，在對應(yīng)于用于形成BI孔的區(qū)域bl，光刻膠9完全去除，在其他區(qū)域，光刻膠9完全保留。在圖6中，還示出了所采用的狹縫掩膜板10的示意圖，該狹縫掩膜板10在用于形成all區(qū)域和al2區(qū)域的區(qū)域具有多個狹縫，在用于形成bl孔區(qū)域的區(qū)域具有開
□ O
[0065]在實(shí)際應(yīng)用中，在上述的步驟S4中，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠材料的厚度適中的情況下，采用同一干刻工藝將光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層和刻蝕阻擋層刻蝕完畢時，光刻膠完全保留區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層基本也完全被刻蝕，這樣就可以避免過刻蝕對有源層圖形或者區(qū)域的柵極的損壞。
[0066]但是在實(shí)際應(yīng)用中，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠材料的厚度很難嚴(yán)格控制，為了進(jìn)一步降低光刻膠半保留區(qū)域的有源層圖形或者光刻膠去除區(qū)域的柵極被損壞的程度。本發(fā)明實(shí)施例中，可以在步驟S2中，在刻蝕阻擋層上形成具有第一厚度的光刻膠層，所述第一厚度能夠使得所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠的厚度不小于第二厚度；
[0067]所述第二厚度能夠使得所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層和刻蝕阻擋層被完全刻蝕時，所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層未被完全刻蝕；
[0068]此時步驟S4可以包括:
[0069]在光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層刻蝕了第三厚度之后，對光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行灰化處理，去除光刻膠半保留區(qū)域剩余的光刻膠層；繼續(xù)刻蝕至所述光刻膠半保留區(qū)域的刻蝕阻擋層以及所述光刻膠去除區(qū)域的柵絕緣層和刻蝕阻擋層被完全刻蝕。
[0070]比如一般在進(jìn)行曝光顯影時，所涂覆的光刻膠的厚度在1500nm。在本發(fā)明實(shí)施例中，為了使光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠的厚度大于第二厚度，可以涂覆厚度為2000nm以上的光刻膠，使得半保留區(qū)域的光刻膠具有足夠的厚度。
[0071]進(jìn)一步的，如果所述柵絕緣層和所述刻蝕阻擋層采用相同的材料制作，比如均為S1x，則在實(shí)際應(yīng)用中，在上述的步驟S4中，在光刻膠去除區(qū)域剩余的S1x的厚度與刻蝕阻擋層的原始厚度相同時，對所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠進(jìn)行灰化處理，去除所述光刻膠區(qū)域剩余的光刻膠。這樣，在進(jìn)行灰化處理之后，采用相同的干刻工藝可以使得光刻膠半保留區(qū)域的刻蝕阻擋層材料被完全刻蝕時，光刻膠去除區(qū)域的柵絕緣層材料也被完全刻蝕。避免過刻蝕損害有源層圖形或者驅(qū)動TFT的過孔區(qū)域的柵極。