陣列基板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]AMOLED(Active Matrix Driving Organic Light Emitting D1de，有源矩陣驅動有機發(fā)光二極管)顯示面板的像素驅動電路一般包含至少兩個TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶體管)和一個存儲電容，其中一個為開關TFT (Switching TFT)，另一個為驅動TFT (Driving TFT)。如圖1所示，為包含像素驅動電路的AMOLED陣列基板在一個像素處的結構示意圖，該陣列基板包括基底1、形成在基底I上的柵極圖形，該柵極圖形由圖中的柵極2a (開關TFT的柵極)和柵極2b (驅動TFT的柵極)組成，在柵極圖形的上方形成有柵絕緣層3，在柵極2a上方的區(qū)域內，在柵絕緣層3的上方形成有有源層圖形4，在柵極2b上方的區(qū)域內，在柵極絕緣層3的上方不具有有源層圖形4，在有源層圖形4和柵絕緣層3之上形成有刻蝕阻擋層5，在刻蝕阻擋層5的上方形成有源漏電極圖形，漏電極圖形包括開關TFT的源漏電極6a和驅動TFT的源漏電極6b。開關TFT的源漏電極6a的通過刻蝕阻擋層5上的源極過孔All和漏極過孔A12與有源層圖形4連接，漏極通過刻蝕阻擋層5上的過孔A12與有源層圖形4連接，驅動TFT的源漏電極6b通過柵絕緣層3和刻蝕阻擋層5上的過孔BI與柵極2b連接。在源漏電極圖形之上還形成有樹脂層7，以及形成在樹脂層7之上的像素電極圖形8，該樹脂層7上在對應于源漏電極6a的源極和漏極位置處對應設置有過孔A21和A22 (圖1中未示出)，在對應于源漏電極6b位置設置有過孔B2 (圖1中未示出)，像素電極圖形8通過過孔A22和過孔B2將源漏電極6a的漏極和源漏電極6b中連接，過孔A21用于連接數據線。在掃描線開啟時，開關TFT的柵極2a上施加一定電壓，電流從開關TFT的源極流向漏極，并通過像素電極圖形8傳輸到驅動TFT，使驅動TFT導通，電流從源極流向漏極，驅動TFT與存儲電容(圖中未示出)連接，從而為電容充電，當掃描線關閉時，存儲于電容中的電壓仍能保持驅動TFT在導通狀態(tài)，故能在一個畫面內維持OLED的固定電流。
[0003]現有技術中，制作上述的過孔All、A12和BI的方式主要有兩種，一種是在沉積柵絕緣層3、形成有源層圖形4、沉積刻蝕阻擋層5之后，在刻蝕阻擋層5上涂覆光刻膠，并采用一次圖案化工藝在過孔A11、A12和BI的上方形成光刻膠去除區(qū)域，之后采用干刻工藝進行刻蝕，直至BI區(qū)域內的柵絕緣層和刻蝕阻擋層被完全刻蝕。這種方式雖然節(jié)省了一道圖案化工藝，但是由于對BI區(qū)域需要刻蝕的厚度大于All和A12區(qū)域需要刻蝕的厚度，這樣在同等刻蝕條件下，會導致All和A12區(qū)域的刻蝕阻擋層5材料被完全時，BI區(qū)域內的柵絕緣層3未被完全刻蝕，在對BI區(qū)域內的柵絕緣層3繼續(xù)刻蝕時，All和A12區(qū)域上方的有源層圖形4遭到損壞。另一種方式是，首先在形成柵絕緣層3之后，通過一次圖案化工藝形成BI區(qū)域柵絕緣層3中的過孔，之后在形成刻蝕阻擋層5之后，通過另一次圖案化工藝形成All、A12和BI區(qū)域的刻蝕阻擋層5中的過孔，這樣能夠有效避免有源層圖形4被破壞，但是由于多了一次圖案化工藝，增加了陣列基板的制作難度。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的一個目的在于通過一次圖案化工藝形成開關TFT的過孔和驅動TFT的過孔，并降低開關TFT的過孔區(qū)域的溝道被損壞的程度。
[0005]本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0006]在基底上形成柵極圖形、柵絕緣層、有源層圖形和刻蝕阻擋層；
[0007]在所述刻蝕阻擋層上形成光刻膠層；
[0008]對所述光刻膠層進行一次圖案化工藝，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域；所述光刻膠半保留區(qū)域位于開關晶體管的過孔區(qū)域上方，所述光刻膠去除區(qū)域位于驅動晶體管的過孔區(qū)域上方；
[0009]采用干刻工藝刻蝕掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層和刻蝕阻擋層，并在同一干刻工藝中刻蝕掉所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層。
[0010]進一步的，所述對所述光刻膠層進行一次圖案化工藝，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，包括:
[0011]采用同一掩膜板對開關晶體管的過孔區(qū)域上方的光刻膠層進行半曝光形成光刻膠半保留區(qū)域，對驅動晶體管的過孔區(qū)域上方的光刻膠層進行完全曝光形成光刻膠去除區(qū)域。
[0012]進一步的，所述采用同一掩膜板對開關晶體管的過孔區(qū)域上方的光刻膠層進行半曝光形成光刻膠半保留區(qū)域，對驅動晶體管的過孔區(qū)域上方的光刻膠層進行完全曝光形成光刻膠去除區(qū)域包括:
[0013]使用狹縫掩膜板對所述光刻膠層進行曝光，所述狹縫掩膜板在對應于開關晶體管的過孔區(qū)域的區(qū)域具有狹縫，在對應于驅動晶體管的過孔區(qū)域的區(qū)域具有開口。
[0014]進一步的，所述采用同一掩膜板對開關晶體管的過孔區(qū)域上方的光刻膠層進行半曝光形成光刻膠半保留區(qū)域，對驅動晶體管的過孔區(qū)域上方的光刻膠層進行完全曝光形成光刻膠去除區(qū)域，包括:
[0015]采用灰色調掩膜板或者半色調掩膜板對光刻膠層進行曝光，所述灰色調掩膜板或者半色調掩膜板在對應于開關晶體管的過孔區(qū)域的區(qū)域半透明，在對應于驅動晶體管的過孔區(qū)域的區(qū)域完全透明。
[0016]進一步的，所述在刻蝕阻擋層上形成光刻膠層，包括:
[0017]在所述刻蝕阻擋層上形成具有第一厚度的光刻膠層，所述第一厚度能夠使得所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠的厚度不小于第二厚度；
[0018]所述第二厚度能夠使得所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層和刻蝕阻擋層被完全刻蝕時，所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層未被完全刻蝕。
[0019]進一步的，所述采用干刻工藝刻蝕掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層和刻蝕阻擋層，并在同一干刻工藝中刻蝕掉所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層，包括:
[0020]在所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層刻蝕了第三厚度之后，對所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層進行灰化處理，去除所述光刻膠半保留區(qū)域剩余的光刻膠層；繼續(xù)刻蝕至所述光刻膠半保留區(qū)域的刻蝕阻擋層以及所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層被完全刻蝕。
[0021]進一步的，所述對所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層進行灰化處理，包括:
[0022]使用氧等離子氣體對所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層進行灰化。
[0023]進一步的，所述柵絕緣層和所述刻蝕阻擋層采用相同的材料制作。
[0024]進一步的，所述在光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層刻蝕了第三厚度之后，對光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層進行灰化處理，去除光刻膠區(qū)域剩余的光刻膠包括:
[0025]在所述光刻膠去除區(qū)域剩余的需要被刻蝕材料的厚度與所述刻蝕阻擋層的原始厚度相同時，對所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層進行灰化處理，去除所述光刻膠區(qū)域剩余的光刻膠層。
[0026]進一步的，所述柵絕緣層和所述刻蝕阻擋層采用S1x制作，所述X為正整數。
[0027]進一步的，采用干刻工藝刻蝕掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠層和刻蝕阻擋層，并在同一干刻工藝中刻蝕掉所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層和柵絕緣層之后，所述方法還包括:
[0028]在所述刻蝕阻擋層上形成源漏電極圖形以及在所述源漏電極圖形的上方形成像素電極圖形；所述像素電極圖形連接所述開關晶體管的漏極和所述驅動晶體管的柵極。
[0029]本發(fā)明還提供了一種利用上述任一項所述的陣列基板制作方法制作的陣列基板。
[0030]本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，由于在開關晶體管的過孔區(qū)域的上方保留有光刻膠層，增大了開關晶體管的有源層上方需要刻蝕的材料的厚度，從而避免了有源層被刻蝕的時間，降低了有源層被損害的程度。另外，在刻蝕開關晶體管的過孔和驅動晶體管的過孔的過程中，僅使用一次圖案化工藝，簡化了制作工藝。
【附圖說明】
[0031]圖1為AMOLED陣列基板在一個像素處的結構示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0033]圖3為經步驟S12之后得到的基板在一個像素處的結構示意圖；
[0034]圖4為經步驟S13之后得到的基板在一個像素處的結構示意圖；
[0035]圖5為經步驟S14之后得到的基板在一個像素處