一種顯示面板及其制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，有機電致發(fā)光器件（organic electroluminescent device，簡稱OLED)作 為一種新型的平板顯示器件逐漸受到更多的關(guān)注。由于其具有主動發(fā)光、發(fā)光亮度高、分辨 率高、寬視角、響應(yīng)速度快、低能耗以及可柔性化等特點，成為可能代替液晶顯示的下一代 顯示技術(shù)。但是，在0LED器件中存在對于水汽和氧氣極為敏感的有機層材料，會使0LED顯 示器件的壽命大大降低。目前，為了解決這個問題，多采用利用各種材料將有機器件與外界 空間隔離的方法。但是這種解決方法所要達到的密閉性空間具體需達到的水汽和氧氣的條 件比較高。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中采用的封裝方法中，frit玻璃封裝廣泛的應(yīng)用在中小尺寸0LED器件 封裝中，與其他方法相比具有其顯著的優(yōu)勢。在這種方法中，首先將玻璃漿料分散在封裝基 板上，進一步通過高溫?zé)Y(jié)的方法將漿料中的有機溶劑和粘合劑燒結(jié)完全，一般此燒結(jié)溫 度在400°C到500°C之間。燒結(jié)完成后利用激光束移動加熱玻璃料熔化，熔化的玻璃料在上 下兩基板玻璃間形成密閉的封裝連接，從而提供氣密式密封。在已有的技術(shù)方案中，frit玻 璃的熔化都是依靠激光束的照射實現(xiàn)的，而且只有特定的frit玻璃材料才具有對激光吸 收的作用。因此，現(xiàn)有技術(shù)中的這種方案需要采用對激光具體吸收作用的特定波長的frit 玻璃材料，極大的限制了玻璃封接技術(shù)的應(yīng)用范圍和應(yīng)用材料。同時，采用激光實現(xiàn)封裝的 方法的成本較高，時間也比較長，導(dǎo)致最終的生產(chǎn)效率也較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的實施例提供一種顯示面板及其制作方法和顯示裝置，解決了只能用特定 的玻璃原料和特定的方法實現(xiàn)顯示面板的封裝基板和陣列基板的封裝的問題，降低了生產(chǎn) 成本，減少了生產(chǎn)時間，從而提高了生產(chǎn)效率。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0006] 第一方面，提供一種顯不面板，所述顯不面板包括：第一基板和與所述第一基板相 對貼合設(shè)置的第二基板，所述第一基板和第二基板之間設(shè)置有密封膠層，所述密封膠層用 于將所述第一基板和所述第二基板粘結(jié)形成密閉結(jié)構(gòu)，所述顯示面板還包括：融合層，其 中：
[0007] 所述融合層設(shè)置在所述密封膠層與所述第一基板之間，且與所述密封膠層對應(yīng)的 位置；
[0008] 所述融合層的材料為金屬材料。
[0009] 可選的，所述顯示面板還包括保護層，其中：
[0010] 所述保護層設(shè)置在所述融合層的外圍，且與所述第一基板靠近所述第二基板的一 面接觸；所述保護層覆蓋所述融合層的外側(cè)。
[0011] 可選的，所述保護層與所述融合層同層設(shè)置。
[0012] 可選的，所述第一基板上設(shè)置有OLED顯示結(jié)構(gòu)，其中：
[0013] 所述OLED顯示結(jié)構(gòu)包括：依次形成于基板上的第一電極、有機材料功能層以及第 二電極；所述有機材料功能層包括：空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層以 及電子注入層。
[0014] 可選的，所述金屬材料包括：鐵、鎳、銅或鉻。
[0015] 可選的，所述融合層的厚度為3 000?5000人。
[0016] 可選的，所述保護層覆蓋區(qū)域的寬度為50?100um。
[0017] 可選的，所述保護層的厚度為3000?5000人。
[0018] 可選的，所述密封膠層的厚度為3?10um〇
[0019] 第二方面，提供一種顯示面板的制作方法，所述方法包括：
[0020] 提供一第一基板和第二基板；
[0021] 在所述第二基板上形成密封膠層；其中，所述密封膠層用于將所述第一基板和所 述第二基板粘結(jié)形成密閉結(jié)構(gòu)；
[0022] 采用金屬材料在所述密封膠層與所述第一基板之間，且與所述密封膠層對應(yīng)的位 置形成融合層；
[0023] 將所述第一基板與所述第二基板對位壓合，使得所述第一基板和所述第二基板粘 結(jié)形成密閉結(jié)構(gòu)。
[0024] 可選的，所述將所述第一基板與所述第二基板對位壓合，使得所述第一基板和所 述第二基板粘結(jié)形成密閉結(jié)構(gòu)之前，還包括：
[0025] 在所述融合層的外圍且與所述第一基板靠近所述第二基板的一面接觸的位置形 成保護層；
[0026] 其中，所述保護層覆蓋所述融合層的外側(cè)。
[0027] 可選的，形成所述融合層包括：
[0028] 采用金屬材料在所述密封膠層與所述第一基板之間，且與所述密封膠層對應(yīng)的位 置形成金屬薄膜；
[0029] 通過構(gòu)圖工藝處理所述金屬薄膜，形成所述融合層。
[0030] 可選的，所述金屬材料包括：鐵、鎳、銅或鉻。
[0031] 可選的，所述第一基板為具有OLED顯示結(jié)構(gòu)的基板，其中：
[0032] 所述OLED顯示結(jié)構(gòu)包括：依次形成于基板上的第一電極、有機材料功能層以及第 二電極；所述有機材料功能層包括：空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層以 及電子注入層。
[0033] 可選的，所述將所述第一基板與所述第二基板對位壓合，使得所述第一基板和所 述第二基板粘結(jié)形成密閉結(jié)構(gòu)，包括：
[0034] 將所述第一基板和所述第二基板壓合；
[0035] 采用高頻交變磁場處理經(jīng)過壓合后的所述顯示面板，促使所述密封膠融合并與所 述融合層粘結(jié)，使得所述第一基板和所述第二基板粘結(jié)后具有密閉結(jié)構(gòu)。
[0036] 第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一方面所述的任一顯示面板。
[0037]本發(fā)明的實施例提供的顯示面板及其制作方法和顯示裝置，通過在包括第一基板 和與第一基板相對貼合設(shè)置的第二基板，第一基板和第二基板之間設(shè)置有密封膠層的顯示 面板中的密封膠層與第一基板之間且與密封膠層對應(yīng)的位置設(shè)置融合層，且融合層的材料 為金屬材料；這樣融合層的材料在加熱過程中可以將密封膠層的材料融化，使得融合層與 密封膠層粘結(jié)在一起，最終采用密封膠層和融合層實現(xiàn)將第一基板和第二基板粘結(jié)形成密 閉結(jié)構(gòu)，解決了只能用特定的玻璃原料和特定的方法實現(xiàn)顯示面板的封裝基板和陣列基板 的封裝的問題，降低了生產(chǎn)成本，減少了生產(chǎn)時間，從而提高了生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0038] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039] 圖1為本發(fā)明的實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040] 圖2為本發(fā)明的實施例提供的另一種顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0041] 圖3為本發(fā)明的實施例提供的一種顯示面板的制作方法的流程示意圖；
[0042] 圖4為本發(fā)明的實施例提供的另一種顯示面板的制作方法的流程示意圖；
[0043] 圖5為本發(fā)明的實施例提供的又一種顯示面板的制作方法的流程示意圖。
[0044] 附圖標(biāo)記：1_第一基板；2-第二基板；3-密封膠層；4-融合層；5-保護層。
【具體實施方式】
[0045] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0046]本發(fā)明的實施例提供一種顯示面板，參照圖1所示，該顯示面板包括：第一基板1和與第一基板1相對貼合設(shè)置的第二基板2,第一基板1和第二基板2之間設(shè)置有密封膠層 3, 密封膠層3用于將第一基板1和第二基板2粘結(jié)形成密閉結(jié)構(gòu)，顯示面板還包括：融合層 4, 其中：
[0047] 融合層4設(shè)置在密封膠層3與第一基板1之間，且與密封膠層3對應(yīng)的位置。
[0048] 融合層4的材料為金屬材料。
[0049] 需要說明的是，第一基板1可以是陣列基板，第二基板2可以是封裝基板。陣列基 板1由多條橫縱交叉的柵線Gate和數(shù)據(jù)線Date界定形成多個亞像素。每個亞像素中設(shè)置 有一個薄膜晶體管（Thin Film Transistor，簡稱TFT)。薄膜晶體管是一種具有開關(guān)特性 的半導(dǎo)體單元，其可以是頂柵型，也可以是底柵型，在此不作限定。