板W上的涂布。
[0203] 控制部9以如下方式進(jìn)行控制：在使噴嘴部21上升規(guī)定的高度后，如圖12(f)所 示，使噴嘴部21從與卡盤部20相對(duì)的位置退避到待機(jī)位置（噴嘴退避工序S7)。噴嘴部 21從卡盤部20上退避時(shí)，卡盤部20以2000rpm的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。需要說明的是，第1 噴嘴23和第2噴嘴26收容于在待機(jī)位置中蓋部24a與主體部24b抵接而構(gòu)成的收容部24 內(nèi)（參照?qǐng)D10)。
[0204] 本實(shí)施方式中，卡盤部20例如優(yōu)選從800rpm的轉(zhuǎn)速在I. 0秒以內(nèi)加速到2000rpm 的轉(zhuǎn)速、并且在停止旋轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)從2000rpm的轉(zhuǎn)速在0. 5秒以內(nèi)減速到轉(zhuǎn)速Orpm。由此，能 夠從整體上將擴(kuò)散材料200在基板W上的涂布處理所需要的生產(chǎn)節(jié)拍抑制到15秒?18秒 左右。
[0205]另外，能夠使形成在基板W上的擴(kuò)散劑的涂膜處于半干燥狀態(tài)。
[0206] 本實(shí)施方式的裝置中，在卡盤部20進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行從背面清洗噴嘴22a向基 板W的背面噴射作為清洗液的醇的、背面沖洗處理。清洗液的噴射從開始旋轉(zhuǎn)卡盤部20起 的3秒以內(nèi)開始。
[0207] 根據(jù)本實(shí)施方式的裝置，背面清洗噴嘴22a如參照?qǐng)D9所說明的那樣配置于距離 基板W的外緣端IOmm以內(nèi)，因此能夠使供給到基板W的背面的清洗液良好地?cái)U(kuò)展至基板W 的外緣端。因此，可防止擴(kuò)散材料200繞到基板W的背面，從而無需在涂布工序之后另外進(jìn) 行背面沖洗處理。因此，能夠大幅縮短涂布工序的生產(chǎn)節(jié)拍。
[0208] 旋轉(zhuǎn)動(dòng)作結(jié)束后，卡盤部20通過上升而從杯部22內(nèi)退避。接著，控制部9驅(qū)動(dòng)第 1搬送裝置6的基板支承構(gòu)件62,從卡盤部20接收基板W，并將其搬送到干燥裝置3內(nèi)。然 后，使基板W上的擴(kuò)散材料200進(jìn)行干燥。
[0209] 本實(shí)施方式中，將涂布擴(kuò)散材料200后的基板W從卡盤部20搬出后，控制部9將 另一基板W從搬入部1遞送到涂布裝置10。此時(shí)，控制部9使用第1搬送裝置6的另一基 板支承構(gòu)件62將基板W載置到卡盤部20。然后，在將涂布擴(kuò)散材料200后的基板W搬入到 干燥裝置3內(nèi)的過程中，在涂布裝置10內(nèi)，同樣地對(duì)基板W進(jìn)行擴(kuò)散材料200的涂布。
[0210] 接著，控制部9將基板W搬入到干燥裝置3內(nèi)。干燥裝置3中，對(duì)于一片基板W，使 用熱板3a、3b、3c在150°C下分別進(jìn)行10秒干燥處理?；谶@樣的構(gòu)成，基板處理裝置100 能夠每10秒將基板W搬入到干燥裝置3內(nèi)，通過將從涂布裝置10搬出的基板W依次搬送 到干燥裝置3內(nèi)，能夠大幅提高處理速度。
[0211] 具體而言，基板處理裝置100首先將涂布擴(kuò)散材料200后的基板W載置到位于最 上游的熱板3a。熱板3a將基板W在150°C下干燥10秒。然后，控制部9壓縮柱體單元54， 使基板支承構(gòu)件52的上端從熱板3a的上面下降從而將基板W轉(zhuǎn)移到下游的熱板3b。熱 板3b將基板W在150°C下干燥10秒。然后，控制部9壓縮柱體單元54,使基板支承構(gòu)件52 的上端從熱板3b的上面下降，從而將利用熱板3b干燥后的基板W轉(zhuǎn)移到下游的熱板3c。 熱板3c將基板W在150°C下干燥10秒。由此，能夠?qū)錡在150°C下實(shí)施30秒的干燥 處理。
[0212] 另外，也可以使熱板3a、3b、3c的加熱溫度不同。例如，可以為：熱板3a將基板W 在60°C下加熱10秒、熱板3b將基板W在120°C下加熱10秒、熱板3c將基板W在150°C下 加熱10秒，從而使基板W干燥。
[0213] 本實(shí)施方式中，在將基板W從熱板3a移動(dòng)到熱板3b的同時(shí)，第1搬送裝置6的基 板支承構(gòu)件62將從涂布裝置10搬出的基板W載置到熱板3a。另外，在將一個(gè)基板W從熱 板3b移動(dòng)熱板3c的同時(shí)，未圖示的搬出用臂從熱板3c將另一基板W從基板處理裝置100 內(nèi)搬出。
[0214] 這樣一來，本實(shí)施方式中，通過依次在熱板3a、3b、3c間搬送各基板W，由此進(jìn)行擴(kuò) 散材料200的干燥處理。由此，能夠在基板W的表面形成擴(kuò)散膜。
[0215] 當(dāng)通過上述這樣的涂布裝置10實(shí)施本實(shí)施方式的太陽能電池的制造方法時(shí)，涂 布裝置10中的噴嘴部21具備能夠從相對(duì)于基板W的中央部WC的斜上方向基板W的中央 部WC滴下預(yù)濕用組合物210的第2噴嘴26,因此使噴嘴部21移動(dòng)到基板W上后，能夠在 不移動(dòng)第1噴嘴23和第2噴嘴26的位置的情況下在基板W上滴下預(yù)濕用組合物210和擴(kuò) 散材料200。因此，能夠消除將各材料200、210滴下到基板W時(shí)的各噴嘴23、26的移動(dòng)時(shí) 間，因此能夠縮短擴(kuò)散材料200對(duì)基板W的涂布處理所需要的生產(chǎn)節(jié)拍。
[0216] 另外，噴嘴下降工序S3中，由于形成如下的構(gòu)成，S卩，將載置有基板W的卡盤部20 從基板載置位置移動(dòng)到在杯部22內(nèi)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)動(dòng)作的旋轉(zhuǎn)位置的同時(shí)使噴嘴部21下降，因 此，能夠在到達(dá)旋轉(zhuǎn)位置的時(shí)刻開始預(yù)濕用組合物210的滴下，從而能夠縮短涂布處理中 的生產(chǎn)節(jié)拍。另外，由于形成如下的構(gòu)成，即，在卡盤部20的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作結(jié)束之前進(jìn)行噴嘴上 升工序S6,因此在卡盤部20的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作結(jié)束時(shí)，在卡盤部20的上方?jīng)]有配置噴嘴部21，從 而可以使卡盤部20的上升速度加快來縮短涂布處理中的生產(chǎn)節(jié)拍。另外，通過對(duì)預(yù)濕用組 合物滴下工序S4和擴(kuò)散材料滴下工序S5的時(shí)刻進(jìn)行控制，作為涂布裝置10,能夠采用與以 往的旋涂機(jī)同樣的構(gòu)成。由此，能夠抑制基板處理裝置100的成本。
[0217] 另外，本實(shí)施方式的太陽能電池的制造方法并不限于上述裝置構(gòu)成，也能夠用其 他裝置進(jìn)行實(shí)施。
[0218]例如，上述實(shí)施方式中，舉出了第2噴嘴26以通過開口部26a的中心的軸線相對(duì) 于鉛直方向（Z軸方向）傾斜的狀態(tài)的方式保持于蓋部24a的例子，但只要能夠?qū)U(kuò)散材料 200良好地滴下到基板W的中央部WC，則也可以以傾斜第1噴嘴23的狀態(tài)將其保持于蓋部 24a?；蛘?，以分別傾斜第1噴嘴23和第2噴嘴26的狀態(tài)將它們保持于蓋部24a。
[0219] 另外，上述實(shí)施方式中，舉出了如下的例子，S卩，蓋部24a構(gòu)成以使預(yù)濕用組合物 210的液滴滴下到基板W的中央部WC的方式限制液滴的滴落位置的限制單元，但并不限定 于此。
[0220] 例如，如圖13所示，也可以構(gòu)成如下的限制單元：利用通過賦予物理性外力對(duì)所 述液滴的軌道進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整裝置150,以使預(yù)濕用組合物的液滴滴下到基板W的中央部 的方式限制液滴的滴落位置。作為這樣的調(diào)整裝置150,例如可由空氣噴出裝置、磁發(fā)生裝 置等構(gòu)成。對(duì)于由空氣噴出裝置構(gòu)成的調(diào)整裝置150而言，通過對(duì)空氣的噴出量進(jìn)行調(diào)整， 而能夠?qū)τ傻?噴嘴23和第2噴嘴26滴下的各材料200、210中的至少一者的液滴的軌道 進(jìn)行調(diào)整，使液滴滴落于基板W的中央部WC。另外，對(duì)于由磁發(fā)生裝置構(gòu)成的調(diào)整裝置150 而言，通過調(diào)整磁發(fā)生量，能夠利用磁力對(duì)由第1噴嘴23和第2噴嘴26滴下的各材料200、 210中的至少一者的液滴的軌道進(jìn)行調(diào)整，使液滴滴落于基板W的中央部WC。
[0221] 根據(jù)以上的太陽能電池的制造方法，能夠在抑制擴(kuò)散劑的使用量、并且縮短生產(chǎn) 節(jié)拍時(shí)間的同時(shí)，抑制擴(kuò)散劑的涂膜的形成不良。
[0222] 需要說明的是，本實(shí)施方式中，雖然在基板W的一面Wa形成凹凸形狀，但是并不限 定于此。即使在一面Wa沒有凹凸形狀，也能夠利用預(yù)濕用組合物210進(jìn)行預(yù)濕，由此來抑 制擴(kuò)散劑的涂膜的形成不良。
[0223] 另外，本實(shí)施方式中，對(duì)在基板W的一面Wa形成凹凸形狀、并使用一面Wa作為受 光面的單面發(fā)電型太陽能電池的制造方法進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的預(yù)濕用組合物也能夠應(yīng) 用于制造將基板的兩面作為受光面使用的兩面發(fā)電型太陽能電池的方法。兩面發(fā)電型太陽 能電池的情況下，優(yōu)選除基板W的一面Wa外，使另一面也形成凹凸形狀。通過使另一面也 形成凹凸形狀，入射到另一面的太陽光的利用效率高，從而得到能夠高效地發(fā)電的太陽能 電池。
[0224] 以上參照附圖對(duì)本發(fā)明所涉及的優(yōu)選的實(shí)施方式例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明當(dāng)然不 受所述例子的限定。上述的例中示出的各構(gòu)成構(gòu)件的各形狀、組合等為一例，在不脫離本發(fā) 明的主旨的范圍內(nèi)，能夠基于設(shè)計(jì)要求等進(jìn)行各種變更。
[0225] 例如，上述實(shí)施方式中，對(duì)使用n型基板的太陽能電池的制造方法進(jìn)行了說明，因 此使用13族元素硼化合物作為擴(kuò)散劑，但本發(fā)明也能夠應(yīng)用于使用p型基板的太陽能電池 的制造方法。此時(shí)，準(zhǔn)備使用含有上述的15族元素的化合物作為擴(kuò)散劑的擴(kuò)散材料，將基 板的表面預(yù)濕后，旋涂擴(kuò)散材料，由此能夠適宜地形成擴(kuò)散劑的涂膜。另外，也能夠應(yīng)用于 在P型基板中在與涂布了包含15族元素的化合物的面（一面）相反的面（另一面）涂布 硼系擴(kuò)散材料的情況。
[0226] 需要說明的是，作為p型基板，除通過使用上述的CZ法（切克勞斯基法）、FZ法 (懸浮區(qū)熔法）等制造的單晶硅外，也可以使用多晶硅。
[0227][實(shí)施例]
[0228] 以下通過實(shí)施例進(jìn)一步對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。
[0229][實(shí)施例1] PGME和H2O的雙組分系預(yù)濕用組合物
[0230] 以下述表1所示的共6種質(zhì)量比率（PGME/H20 = 90/10?30/70的范圍）制備由 丙二醇單甲基醚（PGME)(沸點(diǎn)120°C)和H2O的雙組分構(gòu)成的預(yù)濕用組合物。需要說明的 是，以下，H20使用DIW。
[0231]【表1】
[0232]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種預(yù)濕用組合物，其為太陽能電池的制造方法中使用的預(yù)濕用組合物，所述太陽 能電池的制造方法包括： 第1涂布工序，在半導(dǎo)體制造用基板的一面旋涂預(yù)濕用組合物； 第2涂布工序，在旋涂了所述預(yù)濕用組合物的所述一面旋涂包含具有第1雜質(zhì)元素的 擴(kuò)散劑和溶劑的擴(kuò)散材料，形成所述擴(kuò)散劑的涂膜；和 第1雜質(zhì)層形成工序，對(duì)形成了所述涂膜的所述半導(dǎo)體制造用基板進(jìn)行熱處理，形成 使所述擴(kuò)散劑所具有的雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散后的第1雜質(zhì)層， 所述預(yù)濕用組合物含有質(zhì)子性的極性溶劑和水。
2. 如權(quán)利要求1所述的預(yù)濕用組合物，其中， 所述質(zhì)子性的極性溶劑為選自下述成分（a)?（C)中的至少一種： (a)下述式（I)所示的化合物、 化）下述式（II)所示的化合物、 (C)碳原子數(shù)1?4的燒基醇 於-0-(C2H4-0)n-H... (I) 於-0-(C3He-0)"-H…（II) 式中，於表示碳原子數(shù)1?4的直鏈狀或支鏈狀的燒基，n為1或2的整數(shù)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的預(yù)濕用組合物，其中， 所述質(zhì)子性的極性溶劑與所述水的質(zhì)量比W質(zhì)子性極性溶劑/水計(jì)為90/10?30/70。
【專利摘要】一種預(yù)濕用組合物，其為太陽能電池的制造方法中使用的預(yù)濕用組合物，所述預(yù)濕用組合物含有質(zhì)子性的極性溶劑和水，其中所述太陽能電池的制造方法包括：第1涂布工序，在半導(dǎo)體制造用基板的一面旋涂預(yù)濕用組合物；第2涂布工序，在旋涂了所述預(yù)濕用組合物的所述一面旋涂包含具有第1雜質(zhì)元素的擴(kuò)散劑和溶劑的擴(kuò)散材料，形成所述擴(kuò)散劑的涂膜；和第1雜質(zhì)層形成工序，對(duì)形成了所述涂膜的所述半導(dǎo)體制造用基板進(jìn)行熱處理，形成使所述擴(kuò)散劑所具有的雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散后的第1雜質(zhì)層。
【IPC分類】C09D5-00, H01L21-22, H01L31-04, H01L31-18
【公開號(hào)】CN104600151
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410586962
【發(fā)明人】谷津克也, 大石誠士
【申請(qǐng)人】東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社
【公開日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年10月28日