一種對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]失效分析是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品良率的一個重要手段，其原理通常為在制造出的芯片出現(xiàn)故障時，通過失效性分析，以定位出失效單元的物理地址，并分析是何種缺陷導(dǎo)致所述失效單兀失效，以便于在后續(xù)的制備過程中進(jìn)行改進(jìn)，提尚良率。
[0003]在本領(lǐng)域生產(chǎn)工藝中，相關(guān)技術(shù)人員為了進(jìn)行對批次芯片的電性失效對分析，或者收集生產(chǎn)線上遭受低良率的晶圓，或者收集客戶退貨的定量樣品(Package)的特性數(shù)據(jù)，往往采用以下兩種方法:
[0004]第一:如果在CP(Chip Probing，芯片測試)測試工藝過程中，有通過測試生成的文件(datalog)記錄各個芯片的特性參數(shù)，那么后期要對失效芯片進(jìn)行電性失效分析時，就去查閱相應(yīng)的失效芯片測試中生成的文件。
[0005]第二:如果在CP測試過程中未通過測試生成的文件記錄各個芯片的特性參數(shù)，那么后期要對失效芯片進(jìn)行電性失效分析時，需要重新測量及整理所有芯片特性的參數(shù)。
[0006]上述第一種方法在后續(xù)分析中，需要去服務(wù)器上查找解壓相應(yīng)失效晶圓上的datalog，但是CP的datalog文件往往是很大，想查找文件中某些失效芯片的所有特性數(shù)據(jù)，非常不方便，往往需要花費大量的時間，或者是請專門的數(shù)據(jù)處理人員幫忙開發(fā)相應(yīng)的代碼，造成額外的開支。
[0007]上述的第二種方法在后續(xù)分析中，需要花費很多時間人力和機(jī)臺時間去重新收集和分析失效芯片的特性參數(shù)，而且一些特性參數(shù)由于芯片本身不處于初始狀態(tài)而無法再收集，比如UV狀態(tài)下的各種特性參數(shù)，還有一些參數(shù)因芯片的后期失效也變得無法收集，從而無法了解到在CP測試中某些特性參數(shù)是否處于邊緣失效(marginal fail)狀態(tài)。
[0008]因此，亟需提供一種新型的有利于電性失效分析的方案，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員致力于研宄的方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]鑒于上述問題，本發(fā)明提供一種對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法，該方法可在CP測試過程中記錄所需的特性參數(shù)，在CP測試最后階段將特性參數(shù)寫入安全寄存器(security register)內(nèi)，并可使其變?yōu)橹蛔x狀態(tài)，以便于在后續(xù)的電性失效分析中，能快速高效得到芯片的參數(shù)數(shù)據(jù)。
[0010]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:
[0011]一種對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法，其中，所述方法包括:
[0012]步驟S1、提供原始芯片，且該原始芯片上設(shè)置有存儲區(qū)；
[0013]步驟S2、對所述原始芯片進(jìn)行芯片測試，以獲取并存儲該原始芯片的特性參數(shù)至所述存儲區(qū)中；
[0014]其中，當(dāng)所述原始芯片失效時，讀取存儲在所述存儲區(qū)中的部分或全部所述特性參數(shù)，并根據(jù)讀取的特性參數(shù)進(jìn)行所述電性失效分析。
[0015]較佳的，上述的方法，其中，所述原始芯片上設(shè)置有存儲陣列區(qū)，所述存儲區(qū)與所述存儲陣列區(qū)獨立設(shè)置。
[0016]較佳的，上述的方法，其中，所述存儲區(qū)為安全寄存器，且包括有第一安全寄存器、第二安全寄存器、第三安全寄存器和第四安全寄存器。
[0017]較佳的，上述的方法，其中，所述步驟S2具體包括:
[0018]對所述原始芯片進(jìn)行芯片測試，獲取該原始芯片的特性參數(shù)；
[0019]將所述特性參數(shù)記錄于一變量中，并將所述變量存儲于所述第一安全寄存器內(nèi)；
[0020]繼續(xù)將所述原始芯片的基本信息依次存儲至所述第一安全寄存器內(nèi)，以將所述變量中的特性參數(shù)按照電壓、電流和時間進(jìn)行分類，并一一對應(yīng)分別存儲至第二安全寄存器、第三安全寄存器和第四安全寄存器中。
[0021]較佳的，上述的方法，其中，所述原始芯片的基本信息依次為批次、晶圓編號、坐標(biāo)和芯片好壞類別。
[0022]較佳的，上述的方法，其中，所述特性參數(shù)均以浮點型方式進(jìn)行存儲，且各所述特性參數(shù)均占據(jù)4字節(jié)。
[0023]較佳的，上述的方法，其中，所述步驟S2中，當(dāng)原始芯片的特性參數(shù)存儲至所述存儲區(qū)中后，還包括:通過一寫狀態(tài)寄存器對所述第一安全寄存器、所述第二安全寄存器、所述第三安全寄存器和所述第四安全寄存器進(jìn)行處理，以使其均處于只讀狀態(tài)。
[0024]較佳的，上述的方法，其中，所述寫狀態(tài)寄存器中存儲有第一鎖位、第二鎖位、第三鎖位和第四鎖位；
[0025]所述寫狀態(tài)寄存器分別通過第一鎖位、第二鎖位、第三鎖位和第四鎖位一一對應(yīng)的對所述第一安全寄存器、所述第二安全寄存器、所述第三安全寄存器和所述第四安全寄存器進(jìn)行處理。
[0026]較佳的，上述的方法，其中，所述寫狀態(tài)寄存器通過將第一鎖位、第二鎖位、第三鎖位和第四鎖位均變?yōu)橐詫?yīng)的將所述第一安全寄存器、所述第二安全寄存器、所述第三安全寄存器和所述第四安全寄存器變?yōu)橹蛔x狀態(tài)。
[0027]較佳的，上述的方法，其中，當(dāng)所述原始芯片失效時，通過一讀安全寄存器讀取所述第一安全寄存器、所述第二安全寄存器、所述第三安全寄存器和所述第四安全寄存器中的部分或全部所述特性參數(shù)，并根據(jù)讀取的特性參數(shù)進(jìn)行所述電性失效分析。
[0028]上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點或有益效果:
[0029]本發(fā)明公開了一種對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法，一定程度上節(jié)約人力和測試機(jī)臺成本，提高后期對失效的芯片的分析效率，這種方法相當(dāng)于使每個芯片都有了自己出生身體狀況記錄，在后續(xù)對好壞芯片分析時可以追溯到它們CP測試中各個特性參數(shù)的狀態(tài)，從而提供詳實的數(shù)據(jù)依據(jù)。
[0030]具體
【附圖說明】
[0031]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。
[0032]圖1是本發(fā)明中對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0033]為解決現(xiàn)有技術(shù)中對失效芯片的電性失效分析時，獲取某些失效芯片的所有特性數(shù)據(jù)程序較為復(fù)雜，或因無法全面了解失效芯片的特性參數(shù)導(dǎo)致無法判斷芯片失效類型等諸多缺陷，本發(fā)明提供了一種對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法。
[0034]本發(fā)明的核心思想是:在CP測試過程中記錄所需的特性參數(shù)，在CP測試最后將收集到的芯片特性參數(shù)寫入安全寄存器內(nèi)，并使其變?yōu)橹蛔x狀態(tài)，以便于在后續(xù)的電性失效分析中，能快速高效得到初始CP中各個芯片的特性參數(shù)。
[0035]下面結(jié)合附圖和具體的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，但是不作為本發(fā)明的限定。
[0036]如圖1所示，該對失效芯片進(jìn)行電性失效分析的方法的具體步驟為:
[0037]步驟S1、提供原始芯片，該原始芯片中設(shè)置有存儲陣列區(qū)以及存儲區(qū)，該存儲區(qū)與該存儲陣列區(qū)獨立存在，后續(xù)客戶對該存儲陣列區(qū)進(jìn)行任何操作時，不會改變該存儲區(qū)中所存儲的信息。
[0038]步驟S2、對該原始芯片進(jìn)行芯片測試，即CP，以獲取并存儲該原始芯片的特性參數(shù)至存儲區(qū)中。
[0039]因后續(xù)對該原始芯片進(jìn)行電性分析，需要查找該芯片的某些特性參數(shù)，因此首先，我們在利用CP對芯片的所有測試項分析，獲取該些測試項中對應(yīng)的特性參數(shù)，并對其進(jìn)行整理。
[0040]優(yōu)選的，該存儲區(qū)為安全寄存器，基體的該安全寄存器包括如下幾種，即第一安全寄存器、第二安全寄存器、第三安全寄存器和第四安全寄存器。
[0041]具體的，對原始芯片進(jìn)行芯片測試，獲取該原始芯片的特性參數(shù)之后，將整理后的特性參數(shù)記錄于一變量中，并存儲在第一安全寄存器內(nèi)；
[0042]繼續(xù)將該原始芯片的基本信息依次存儲至第一安全寄存器內(nèi)，以將變量中的特性參