交界面，又包含沿所述測(cè)試有源區(qū)列方向的交界面，可以模擬到晶圓中沿這兩個(gè)方向的容易產(chǎn)生淺溝槽隔離缺角缺陷的交界面，從而更好地實(shí)現(xiàn)對(duì)淺溝槽缺角缺陷造成柵極橋接問(wèn)題的監(jiān)控，提高測(cè)量精度。
[0059]進(jìn)一步的，所述多條第一測(cè)試柵包括多條交替間隔排布的奇數(shù)第一測(cè)試柵和偶數(shù)第一測(cè)試柵，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括第一連接?xùn)艠O、第二連接?xùn)艠O，所述第一連接?xùn)艠O將所述多條奇數(shù)第一測(cè)試柵實(shí)現(xiàn)電連接，所述第二連接?xùn)艠O將所述多條偶數(shù)第一測(cè)試柵實(shí)現(xiàn)電連接。在進(jìn)行測(cè)試時(shí)只需對(duì)所述第一連接?xùn)艠O、第二連接?xùn)艠O施加電壓，就實(shí)現(xiàn)了對(duì)每?jī)蓷l相鄰第一測(cè)試柵施加電壓的目的，測(cè)試第一連接?xùn)艠O、第二連接?xùn)艠O之間的電流值，得出測(cè)試結(jié)果，簡(jiǎn)化了測(cè)試方法，提高了測(cè)試效率。
【附圖說(shuō)明】
[0060]圖1是現(xiàn)有一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0061]圖2是本發(fā)明測(cè)試結(jié)構(gòu)一實(shí)施例在晶圓上的位置示意圖；
[0062]圖3是圖2所示測(cè)試結(jié)構(gòu)中第一測(cè)試鍵的俯視示意圖；
[0063]圖4是圖2所示測(cè)試結(jié)構(gòu)中第一測(cè)試鍵的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖5是圖2所示測(cè)試結(jié)構(gòu)中第二測(cè)試鍵的俯視示意圖；
[0065]圖6是本發(fā)明測(cè)試結(jié)構(gòu)另一實(shí)施例中第一測(cè)試鍵的俯視示意圖；
[0066]圖7是本發(fā)明測(cè)試結(jié)構(gòu)另一實(shí)施例中第二測(cè)試鍵的俯視示意圖；
[0067]圖8是本發(fā)明測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法一實(shí)施例的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0068]在目前的集成電路工藝中，柵極多晶硅橋接是經(jīng)常發(fā)生的缺陷，版圖上一般設(shè)置有專(zhuān)門(mén)的測(cè)試鍵用于測(cè)試柵極多晶硅的橋接，這種測(cè)試鍵能判斷兩條柵極多晶硅之間發(fā)生了橋接。隨著淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在集成電路中的應(yīng)用，因?yàn)樵趯?shí)際工藝流程中，由淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)邊緣的缺角缺陷造成的相鄰兩條柵極多晶硅橋接頻繁發(fā)生，現(xiàn)有的測(cè)試鍵不能模擬淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)邊緣的缺角缺陷，發(fā)生柵極多晶硅橋接時(shí)也不能判斷是何原因造成。
[0069]為此，本發(fā)明提出一種測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法、測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)中設(shè)置有第一測(cè)試鍵和第二測(cè)試鍵，在第一測(cè)試鍵中設(shè)置了多個(gè)測(cè)試有源區(qū)和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)構(gòu)成的交界面、交界點(diǎn)，所述交界面、交界點(diǎn)為缺角容易發(fā)生的位置，第一測(cè)試鍵的基底上還形成有多個(gè)露出所述交界點(diǎn)的多條第一測(cè)試柵；在第二測(cè)試鍵中設(shè)置第二隔離結(jié)構(gòu)以及位于所述第二隔離結(jié)構(gòu)上的多條第二測(cè)試柵，位于所述第二測(cè)試柵之間的只有第二隔離結(jié)構(gòu)，不會(huì)出現(xiàn)缺角的缺陷，若測(cè)得所述第一測(cè)試柵之間發(fā)生橋接，而所述第二測(cè)試柵之間沒(méi)有發(fā)生橋接，則橋接為缺角造成的；若測(cè)得所述第一測(cè)試柵之間沒(méi)有發(fā)生橋接，而測(cè)得所述第二測(cè)試柵之間發(fā)生橋接，則橋接不是由缺角造成的，從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)橋接是否為缺角造成的判斷和分析，提高了晶圓測(cè)試的準(zhǔn)確度。
[0070]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0071]本發(fā)明首先提供一種測(cè)試結(jié)構(gòu)。參考圖2，示出了本發(fā)明測(cè)試結(jié)構(gòu)一實(shí)施例在晶圓上的位置示意圖。
[0072]所述晶圓包括測(cè)試區(qū)以及工藝區(qū)域，本發(fā)明測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述測(cè)試區(qū)，所述工藝區(qū)域用于形成包括淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、柵極等的半導(dǎo)體器件。
[0073]所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:第一測(cè)試鍵01和第二測(cè)試鍵02。在本實(shí)施例中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)在晶圓上相鄰排布，但是本發(fā)明對(duì)此不限制，在其他實(shí)施例中，所述第一測(cè)試鍵01和第二測(cè)試鍵02還可以分別位于晶圓上的不同位置。
[0074]結(jié)合參考圖3和圖4，分別示出了圖1所示第一測(cè)試鍵的俯視圖和剖視圖。其中，所述圖4為沿圖3中AA'剖線的剖視圖。具體地，所述第一測(cè)試鍵01包括:
[0075]設(shè)置于基底100中的多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)101，所述第一隔離結(jié)構(gòu)101為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；
[0076]由所述多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)101在所述基底100中圍出的多個(gè)陣列式排布的正方形的測(cè)試有源區(qū)103 ；
[0077]所述多個(gè)正方形的所述測(cè)試有源區(qū)103沿陣列的行、列方向間隔排布，并且沿正方形對(duì)角線方向相鄰接，沿正方形對(duì)角線方向相鄰接的相鄰正方形測(cè)試有源區(qū)103頂點(diǎn)相重合，形成交界點(diǎn)109。
[0078]如圖3所示，圓圈界定的所述交界點(diǎn)109位于兩個(gè)測(cè)試有源區(qū)103與兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)101兩兩相交的交界面上。具體地說(shuō)，所述交界點(diǎn)109位于測(cè)試有源區(qū)B和第一隔離結(jié)構(gòu)C的交界面上，位于第一隔離結(jié)構(gòu)C和測(cè)試有源區(qū)D的交界面上，位于測(cè)試有源區(qū)D和第一隔離結(jié)構(gòu)E的交界面上，還位于第一隔離結(jié)構(gòu)E和測(cè)試有源區(qū)B的交界面上，因此，在交界點(diǎn)109處發(fā)生淺溝槽缺角缺陷的概率很高，在上述交界面處發(fā)生淺溝槽缺角缺陷的概率也比較高。
[0079]所述第一測(cè)試鍵01還包括位于所述基底100上的多條第一測(cè)試柵104，所述多條第一測(cè)試柵104平行設(shè)置，相鄰第一測(cè)試柵104之間的空隙能露出所述交界點(diǎn)109，所述第一測(cè)試柵104用于測(cè)量所述交界點(diǎn)109處及交界面處的缺角造成的橋接。
[0080]由于在交界點(diǎn)109處及交界面發(fā)生淺溝槽缺角缺陷的概率很高，因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在任意兩條相鄰第一測(cè)試柵104之間的空隙容易造成柵極殘留問(wèn)題，從而容易在任意兩條相鄰第一測(cè)試柵104發(fā)生橋接現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)橋接問(wèn)題的測(cè)試。
[0081]本實(shí)施例中，所述多條第一測(cè)試柵104沿正方形對(duì)角線方向平行排列，以圖3中圈出的部分為例，這樣相鄰兩條第一測(cè)試柵104露出的區(qū)域包含測(cè)試有源區(qū)B和第一隔離結(jié)構(gòu)C的交界面，第一隔離結(jié)構(gòu)C和測(cè)試有源區(qū)D的交界面，測(cè)試有源區(qū)D和第一隔離結(jié)構(gòu)E的交界面，第一隔離結(jié)構(gòu)E和測(cè)試有源區(qū)B的交界面，因此，可以同時(shí)模擬到晶圓工藝區(qū)中沿所述測(cè)試有源區(qū)行方向或列方向的交界面的工藝狀況，以便于更好地實(shí)現(xiàn)對(duì)缺角缺陷的監(jiān)控。
[0082]需要說(shuō)明的是，所述第一測(cè)試柵104數(shù)量越多，測(cè)量到的橋接現(xiàn)象的幾率越大，相應(yīng)地，第一測(cè)試鍵對(duì)晶圓內(nèi)部淺溝槽缺角缺陷的模擬更加準(zhǔn)確。因此，在第一測(cè)試鍵的面積一定的情況下，為了提高所述第一測(cè)試柵104的數(shù)量，需要減小第一測(cè)試柵104的寬度，可選的，所述第一測(cè)試柵104的寬度為第一特征尺寸。此處所述第一特征尺寸為第一測(cè)試柵104的制作工藝可形成的第一測(cè)試柵104的最小尺寸。
[0083]如果第一測(cè)試柵104之間的間距過(guò)大，即使交界點(diǎn)109處容易發(fā)生缺角缺陷，也不容易因柵極殘留而造成柵極橋接現(xiàn)象的發(fā)生。具體地，第一測(cè)試柵104之間間距與工藝區(qū)域的柵極間距的規(guī)格值相關(guān)，第一測(cè)試柵104之間的間距需小于或等于所述柵極間距的規(guī)格值，用于更準(zhǔn)確地模擬工藝區(qū)域柵極之間發(fā)生的橋接現(xiàn)象、更及時(shí)地測(cè)試工藝區(qū)域柵極之間發(fā)生的橋接問(wèn)題。
[0084]需要說(shuō)明的是，為了使矩形測(cè)試有源區(qū)103與外部襯底隔離效果更好，在所述的矩形測(cè)試有源區(qū)103以及隔離結(jié)構(gòu)101周?chē)€設(shè)置有一圈外圍隔離結(jié)構(gòu)102，所述外圍隔離結(jié)構(gòu)102與第一測(cè)試鍵邊緣區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)101 —體成型，但是，本發(fā)明是否具有所述外圍隔離結(jié)構(gòu)102以及外圍隔離結(jié)構(gòu)102的形狀和形成方式均不作限制。
[0085]參考圖5，示出了圖2中測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二測(cè)試鍵的俯視圖。所述第二測(cè)試鍵包括:
[0086]位于基底上的第二隔離結(jié)構(gòu)111，本實(shí)施例中，所述第二隔離結(jié)構(gòu)111為一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)111覆蓋第二測(cè)試鍵所在整個(gè)基底；
[0087]位于所述第二隔離結(jié)構(gòu)111上的多條平行排列的第二測(cè)試柵112，用于進(jìn)行橋接的測(cè)試。相鄰第二測(cè)試柵112之間露出的區(qū)域只有第二隔離結(jié)構(gòu)111，并不具有第二隔離結(jié)構(gòu)111與基底的交界處，因此，若相鄰第二測(cè)試柵112發(fā)生橋接，造成第二測(cè)試柵112橋接的原因一定不是淺溝槽隔離缺角缺陷。
[0088]本實(shí)施例中多條第二測(cè)試柵112的間距相等，這樣規(guī)則的設(shè)計(jì)便于測(cè)試，但是本發(fā)明對(duì)此不作限制，在其他實(shí)施例中，第二測(cè)試柵112之間的間距還可以不相等。
[0089]本實(shí)施例中第一測(cè)試柵104之間的間距相等且小于或等于所述工藝區(qū)域的柵極間距的規(guī)格值，第二測(cè)試柵112之間的間距與第一測(cè)試柵112之間的間距相同，這樣的設(shè)計(jì)可以更好的模擬工藝區(qū)域的情況，而且第一測(cè)試柵104之間與第二測(cè)試柵112之間因?yàn)槌郎\溝槽缺角缺陷外的其他問(wèn)題造成橋接的概率相等，可以提高測(cè)試的準(zhǔn)確度，但是本發(fā)明對(duì)此不作限制，在其他實(shí)施例中，第二測(cè)試柵112之間的間距與第一測(cè)試柵104之間的間距還可以不相等。
[0090]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，為了更好地進(jìn)行對(duì)比，提高測(cè)試準(zhǔn)確度，第一測(cè)試柵104的數(shù)量與第二測(cè)試柵112的數(shù)量相同，但本發(fā)明對(duì)第一測(cè)試柵104的數(shù)量與第二測(cè)試柵112的數(shù)量是否相同不作限制。由于不同的工廠對(duì)于測(cè)試鍵尺寸的要求不同，曝光與刻蝕精度也不同，所以沒(méi)有對(duì)所述測(cè)試有源區(qū)和所述第一測(cè)試柵104、第二測(cè)試柵112的具體數(shù)量進(jìn)行限定，為了使圖3、圖5標(biāo)示清楚，所以?xún)H分別畫(huà)出了 3條第一測(cè)試柵104以及4條第二測(cè)試柵112進(jìn)行示意。