使第一芯片13置放于凹穴221中，且中介層11’側(cè)向延伸于凹穴221外。導(dǎo)熱材料191提供第一芯片13與第一散熱座22間的機(jī)械性接合及熱性連接，并且黏著劑193提供第一芯片13與第一散熱座22間、以及中介層11’與第一散熱座22間的機(jī)械性接合。第一散熱座22罩蓋第一芯片13于其凹穴221中，并且側(cè)向延伸至該元件的外圍邊緣。定位件31自第一散熱座22朝向下方向延伸，并且延伸超過(guò)中介層11’的第一表面111，且靠近中介層11’的外圍邊緣，以控制中介層11’置放的準(zhǔn)確度。通過(guò)覆晶工藝，將第二芯片14電性耦接至中介層11’的第二接觸墊114，因此第二芯片14可通過(guò)中介層11’的貫孔116以電性連接至第一芯片13。平衡層12側(cè)向覆蓋中介層11’的側(cè)壁且側(cè)向延伸至該元件的外圍邊緣，并且平衡層12的第二表面123實(shí)際上與中介層11’的第二表面113共平面。通過(guò)焊球51，將互連基板40電性耦接至中介層11’的第二接觸墊114，以提供第二級(jí)路由。使用導(dǎo)熱材料196，將第二散熱座23貼附至第二芯片14上，以散逸第二芯片14的熱。
[0125][實(shí)施例3]
[0126]圖42-49為本發(fā)明再一實(shí)施方面的再一半導(dǎo)體元件制法示意圖，其中第二芯片被罩蓋于第二散熱座的凹穴中，且該第二散熱座側(cè)向延伸至該元件的外圍邊緣。
[0127]為了達(dá)到簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的，上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的敘述皆并于此，且無(wú)需再重復(fù)相同敘述。
[0128]圖42為芯片-中介層堆疊次組件10通過(guò)導(dǎo)熱材料191貼附至圖24中第一散熱座22的剖視圖。中介層11’及第一芯片13貼附至第一散熱座22，且第一芯片13插入凹穴221中，而定位件31則側(cè)向?qū)?zhǔn)且靠近中介層11’的外圍邊緣。導(dǎo)熱材料191接觸凹穴底部及第一芯片13，藉以提供第一芯片13及第一散熱座22間的機(jī)械性接合及熱性連接。定位件31朝向下方向延伸超過(guò)中介層11’的第一表面111，并靠近中介層11’的外圍邊緣，以控制中介層11’置放的準(zhǔn)確度。
[0129]圖43為黏著劑193填充至中介層11’與第一散熱座22之間并進(jìn)一步延伸進(jìn)入凹穴221中的剖視圖。黏著劑193通常為電性絕緣的底部填充材料，其涂布于中介層11’與第一散熱座22之間，且填入凹穴221的剩余空間中。
[0130]圖44為平衡層12層壓/涂布于第一散熱座22及定位件31上方的剖視圖。平衡層12接觸第一散熱座22及定位件31，且自第一散熱座22及定位件31朝向下方向延伸，并且側(cè)向覆蓋、圍繞及共形涂布中介層11’的側(cè)壁，同時(shí)自中介層11’側(cè)向延伸至結(jié)構(gòu)的外圍邊緣。因此，平衡層12具有與第一散熱座22接觸的第一表面121，以及與中介層11’的第二表面113齊平的第二表面123。
[0131]圖45為第二芯片14設(shè)置于中介層11’的第二表面113上的剖視圖。第二芯片14通過(guò)凸塊16電性耦接至中介層11’的第二接觸墊114。此外，可選擇性地進(jìn)一步提供底部填充材料18以填充中介層11’與第二芯片14間的間隙。
[0132]圖46為第二散熱座23由下方覆蓋第二芯片14、中介層11’、以及平衡層12的剖視圖，其中第二散熱座23包含凹穴231。通過(guò)涂布導(dǎo)熱材料196于第二散熱座23的凹穴底部上，然后將第二芯片14插入凹穴231中，以將第二散熱座23貼附至中介層11’的第二表面113以及平衡層12的第二表面123。凹穴231中的導(dǎo)熱材料196 (通常為導(dǎo)熱但不導(dǎo)電的黏著劑)受到第二芯片14擠壓，進(jìn)而往上流入第二芯片14與凹穴側(cè)壁間的間隙，并且溢流至中介層11’及平衡層12上。因此，導(dǎo)熱材料196圍繞嵌埋的第二芯片14，且擠出的部分接觸中介層11’的第二表面113、第二散熱座23、以及平衡層12的第二表面123，并夾置于中介層11’的第二表面113與第二散熱座23間、以及平衡層12的第二表面123與第二散熱座23間。
[0133]圖47為將第一散熱座22選定部分移除后的剖視圖，其是通過(guò)光刻技術(shù)及濕法刻蝕移除第一散熱座22的選定部分，以使第一散熱座22剩余部分與結(jié)構(gòu)的外圍邊緣彼此保持距離。第一散熱座22剩余部分是由上方覆蓋且罩蓋第一芯片13于凹穴221中。
[0134]圖48為將顯露的黏著劑193移除后的剖視圖，其中顯露的黏著劑193位于第一散熱座22剩余部分的外圍邊緣外，且于中介層11’第一接觸墊112上方。移除中介層11’第一接觸墊112上的黏著劑193，以從上方顯露中介層11’第一表面111上的第一接觸墊112。
[0135]圖49為互連基板40電性耦接至中介層11’的剖視圖。第一散熱座22剩余部分插入互連基板40的穿孔401中，并且互連基板40通過(guò)焊球51以電性耦接至中介層11’，其中焊球51接觸中介層11’的第一接觸墊112以及互連基板40的底部增層電路45。
[0136]據(jù)此，如圖49所示，完成的半導(dǎo)體元件300包括中介層11’、第一芯片13、第二芯片14、平衡層12、第一散熱座22、第二散熱座23、定位件31、以及互連基板40。通過(guò)覆晶工藝，將第一芯片13電性耦接至預(yù)制的中介層11’的第一接觸墊112，以形成芯片-中介層堆疊次組件10。使用導(dǎo)熱材料191及黏著劑193，將芯片-中介層堆疊次組件10貼附至第一散熱座22，并使第一芯片13置放于凹穴221中，且中介層11’側(cè)向延伸于凹穴221外。導(dǎo)熱材料191提供第一芯片13與第一散熱座22間的機(jī)械性接合及熱性連接，并且黏著劑193提供第一芯片13與第一散熱座22間、以及中介層11’與第一散熱座22間的機(jī)械性接合。第一散熱座22罩蓋第一芯片13于其凹穴221中，并且與該元件的外圍邊緣彼此保持距離。定位件31于向上方向?qū)嶋H上與平衡層12的第一表面121共平面，并且朝向下方向延伸超過(guò)中介層11’的第一表面111，且靠近中介層11’的外圍邊緣，以控制中介層11’置放的準(zhǔn)確度。通過(guò)覆晶工藝，將第二芯片14電性耦接至中介層11’的第二接觸墊114，并且第二芯片14進(jìn)一步通過(guò)中介層11’的貫孔116以電性連接至第一芯片13。平衡層12側(cè)向覆蓋中介層11’的側(cè)壁，且側(cè)向延伸至該元件的外圍邊緣，并且于向上方向與定位件31實(shí)際上共平面，同時(shí)于向下方向與中介層11’實(shí)際上共平面。第二散熱座23側(cè)向延伸至該元件的外圍邊緣，并且通過(guò)導(dǎo)熱材料196貼附至第二芯片14、中介層11’、以及平衡層12，同時(shí)第二芯片14置放于第二散熱座23的凹穴231中。導(dǎo)熱材料196提供第二芯片14與第二散熱座23間、中介層11’與第二散熱座23間、以及平衡層12與第二散熱座23間的機(jī)械性接合及熱性連接。通過(guò)焊球51將互連基板40電性耦接至中介層11’的第一接觸墊112，以提供第二級(jí)路由。
[0137][實(shí)施例4]
[0138]圖50-53為本發(fā)明再一實(shí)施方面的再一半導(dǎo)體元件制法示意圖，其中第二散熱座的凹穴罩蓋第二芯片，且該第二散熱座與該元件的外圍邊緣彼此保持距離。
[0139]為達(dá)簡(jiǎn)要說(shuō)明的目的，上述實(shí)施例中任何可作相同應(yīng)用的敘述皆并于此，無(wú)需再重復(fù)相同敘述。
[0140]圖50為完成圖42-46所示步驟后的剖視圖。
[0141]圖51為將第二散熱座23選定部分移除后的剖視圖，其是通過(guò)光刻技術(shù)及濕法刻蝕移除第二散熱座23的選定部分，以使第二散熱座23剩余部分與結(jié)構(gòu)的外圍邊緣彼此保持距離。第二散熱座23剩余部分是由下方覆蓋且罩蓋第二芯片14于凹穴231中。
[0142]圖52為將顯露的導(dǎo)熱材料196移除后的剖視圖，其中顯露的導(dǎo)熱材料96位于第二散熱座23剩余部分的外圍邊緣外，且于中介層11’第二接觸墊114下方。移除中介層11’的第二接觸墊114上的導(dǎo)熱材料196，以從下方顯露中介層11’第二表面113上的第一接觸墊114。
[0143]圖53為互連基板40電性耦接至中介層11’的剖視圖。第二散熱座23剩余部分插入互連基板40的穿孔401中，并且互連基板40是通過(guò)焊球51以電性耦接至中介層11’，其中焊球51接觸中介層11’的第二接觸墊114以及互連基板40的頂部增層電路43。
[0144]據(jù)此，如圖53所示，完成的半導(dǎo)體元件400包括中介層11’、第一芯片13、第二芯片14、平衡層12、第一散熱座22、第二散熱座23、定位件31、以及互連基板40。通過(guò)覆晶工藝，將第一芯片13電性耦接至預(yù)制的中介層11’的第一接觸墊112，以形成芯片-中介層堆疊次組件10。使用導(dǎo)熱材料191及黏著劑193，將芯片-中介層堆疊次組件10貼附至第一散熱座22，并使第一芯片13置放于凹穴221中，且中介層11’側(cè)向延伸于凹穴221外。導(dǎo)熱材料191提供第一芯片13與第一散熱座22間的機(jī)械性接合及熱性連接，并且黏著劑193提供第一芯片13與第一散熱座22間、以及中介層11’與第一散熱座22間的機(jī)械性接合。第一散熱座22罩蓋第一芯片13于其凹穴221中，并且側(cè)向延伸至該元件的外圍邊緣。定位件31于向上方向?qū)嶋H上與平衡層12的第一表面121共平面，并且朝向下方向延伸超過(guò)中介層11’的第一表面111，且靠近中介層11’的外圍邊緣，以控制中介層11’置放的準(zhǔn)確度。通過(guò)覆晶工藝，將第二芯片14電性耦接至中介層11’的第二接觸墊114，并且第二芯片14進(jìn)一步通過(guò)中介層11’的貫孔116以電性連接至第一芯片13。平衡層12側(cè)向覆蓋中介層11’的側(cè)壁，且側(cè)向延伸至該元件的外圍邊緣，并且于向上方向與定位件31實(shí)際上共平面，同時(shí)于向下方向與中介層11’實(shí)際上共平面。第二散熱座23與該元件的外圍邊緣彼此保持距離，并且通過(guò)導(dǎo)熱材料196罩蓋第二芯片14于其凹穴231中，其中導(dǎo)熱材料196提供第二芯片14及第二散熱座23間的機(jī)械性接合及熱性連接。通過(guò)焊球51將互連基板40電性耦接至中介層11’的第二接觸墊114，以提供第二級(jí)路由。
[0145]上述的半導(dǎo)體元件僅為說(shuō)明范例，本發(fā)明尚可通過(guò)其他多種實(shí)施例實(shí)現(xiàn)。此外，上述實(shí)施例可基于設(shè)計(jì)及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其他實(shí)施例混合搭配使用。一芯片可獨(dú)自使用一凹穴，或與其他芯片共享一凹穴。舉例來(lái)說(shuō)，一凹穴可容納單一芯片，且散熱座可包括排列成陣列形狀的多個(gè)凹穴以容納多個(gè)芯片?；蛘?，單一凹穴內(nèi)能放置數(shù)個(gè)芯片。同樣地，一芯片可獨(dú)自使用一中介層，或與其他芯片共享一中介層。舉例來(lái)說(shuō)，單一芯片可電性耦接至一中介層?；蛘?，數(shù)個(gè)芯片可耦接至一中介層。舉例來(lái)說(shuō)，可將四枚排列成2X2陣列的小型芯片耦接至一中介層，并且該中介層可包括額外的接觸墊，以接收額外芯片墊，并提供額外芯片墊的路由。
[0146]如上述實(shí)施方面所示，本