密布的表面形貌，參見圖2-1，以降低表面對(duì)光的反射率。制絨完成后對(duì)所述硅片進(jìn)行化學(xué)清洗。
[0044]S21:進(jìn)彳丁擴(kuò)散工序，在所述娃片正表面形成PN結(jié)。參見圖2_2，米用液態(tài)二氣氧磷進(jìn)行磷源擴(kuò)散，在制絨后的硅片正表面形成PN結(jié)，可在工業(yè)用Tempress管式爐中進(jìn)行，方阻控制在90-100ohm/sq。
[0045]S22:采用濕法刻蝕對(duì)表面形成PN結(jié)的所述硅片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理及去PSG處理。
[0046]S23:采用PECVD法在在所述硅片正表面制備減反射膜，參見圖2_3，膜層厚度為70-90nm。所述減反射膜可以是SiNx膜、T1 2膜或MgF 2膜。
[0047]S24:采用激光在所述硅片上開過孔，參見圖2-4。
[0048]本實(shí)施例中，采用波長(zhǎng)為532nm的AVIA綠光激光器在所述硅片上開過孔，選定激光掃描功率為12W，掃描速度2m/s。在所述硅片上形成孔徑為150-300 μ m的過孔，所述過孔在硅片上均勻分布，過孔的數(shù)目可為4*4，共計(jì)16個(gè)。
[0049]S25:采用常規(guī)晶體硅絲網(wǎng)印刷工藝在所述硅片上分別制備正電極、負(fù)電極及過孔電極的導(dǎo)電金屬，參見圖2-5。具體采用絲網(wǎng)印刷工藝將導(dǎo)電銀漿從硅片背面填滿過孔，以制備形成過孔電極的導(dǎo)電金屬，可通過調(diào)節(jié)所述導(dǎo)電銀漿的各成分配制比例，使其形成的電極的導(dǎo)電金屬在后續(xù)燒結(jié)過程中不會(huì)形成金屬-硅合金，以保證所形成的電極能高效地傳輸載流子。所述正電極位于硅片背面的背電場(chǎng)中，具體通過印刷鋁漿形成正電極的導(dǎo)電金屬。
[0050]本實(shí)施例中，還可采用電鍍或化學(xué)鍍制備形成所述正電極、負(fù)電極及過孔電極的導(dǎo)電金屬。采用電鍍方法制備電極的導(dǎo)電金屬時(shí)，對(duì)電極的控制精度較高，所形成的電極對(duì)載流子的傳輸效率尚，有利于提尚太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，適用于尚效太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)制備。
[0051]S26:將制備形成導(dǎo)電金屬的所述硅片進(jìn)行燒結(jié)，以形成導(dǎo)電金屬與所述硅片的歐姆接觸，完成硅片的電極的制備。具體過程為:先在200°C下烘干，再經(jīng)900°C的高溫?zé)Y(jié)過程。
[0052]本實(shí)施例所述的晶體硅MWT太陽(yáng)能電池的制作方法，相比于現(xiàn)有的MWT太陽(yáng)能電池制作方法，采用激光對(duì)硅片開過孔是在硅片表面制備減反射膜之后，而在制備減反射膜之前，已采用濕法刻蝕對(duì)經(jīng)過制絨及擴(kuò)散形成PN結(jié)的所述硅片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理及去PSG處理。一方面，本實(shí)施例所述的制作方法中去邊緣PN結(jié)處理與去PSG處理是通過濕法刻蝕一步進(jìn)行的，省去了現(xiàn)有的MWT太陽(yáng)能電池的制作流程中單獨(dú)采用激光對(duì)電池片進(jìn)行的去邊緣PN結(jié)處理，這樣簡(jiǎn)化了 MWT太陽(yáng)能電池的制作工序；另一方面，省去單獨(dú)采用激光對(duì)電池片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理，使制作流程中不需要增加激光設(shè)備，可充分利用生產(chǎn)線中的濕刻蝕機(jī)進(jìn)行電池片的去邊緣PN結(jié)處理和去PSG處理，可降低對(duì)工藝設(shè)備的投資成本，從而降低太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本；第三方面，現(xiàn)有的制作方法中采用激光對(duì)電池片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理，過多的激光加工對(duì)電池片的損害較大，所生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池片的碎片率較高，生產(chǎn)效率低，本實(shí)施例所述方法采用濕法刻蝕去邊緣PN結(jié)，不僅可提高電池片的成品率，提高生產(chǎn)效率，并且所生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池具有更優(yōu)異的電性能。
[0053]以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種晶體硅MWT太陽(yáng)能電池的制作方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，對(duì)本發(fā)明所作的若干改進(jìn)和修飾，也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體硅MWT太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 對(duì)硅片表面進(jìn)行制絨； 擴(kuò)散工序，在所述硅片正表面形成PN結(jié)； 采用濕法刻蝕對(duì)所述硅片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理及去PSG處理； 在所述硅片正表面制備減反射膜； 采用激光在所述硅片上開過孔； 制備形成所述硅片的正電極、負(fù)電極及過孔電極。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硅片為P型硅片； 所述擴(kuò)散工序?yàn)榱讛U(kuò)散。
3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述磷擴(kuò)散為采用液態(tài)三氯氧磷擴(kuò)散。
4.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述減反射膜的厚度為70-90nm。
5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述減反射膜包括SiNx膜、T1 2膜或MgF2 膜。
6.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述過孔的孔徑為150-300μ m。
7.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述采用激光在所述硅片上開過孔包括:所述激光的平均功率為8W-20W，波長(zhǎng)為300nm-600nm。
8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制備形成所述硅片的正電極、負(fù)電極及過孔電極包括: 分別制備所述硅片的所述正電極、所述負(fù)電極及所述過孔電極的導(dǎo)電金屬； 燒結(jié)形成所述導(dǎo)電金屬與所述硅片的歐姆接觸。
9.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬的制備方法包括絲網(wǎng)印刷、電鍍或化學(xué)鍍。
10. 如權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述燒結(jié)包括:經(jīng)200°C烘干后進(jìn)行.900 °C高溫?zé)Y(jié)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶體硅MWT太陽(yáng)能電池的制作方法，包括步驟：對(duì)硅片表面進(jìn)行制絨；擴(kuò)散工序，在所述硅片正表面形成PN結(jié)；采用濕法刻蝕對(duì)所述硅片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理及去PSG處理；在所述硅片正表面制備減反射膜；采用激光在所述硅片上開過孔；制備形成所述硅片的正電極、負(fù)電極及過孔電極。所述制作方法，采用激光對(duì)硅片開過孔是在硅片表面制備減反射膜之后，而在制備減反射膜之前已通過濕法刻蝕一步完成對(duì)電池片的去邊緣PN結(jié)處理和去PSG處理。相比于現(xiàn)有的制作方法，省去了單獨(dú)采用激光對(duì)電池片的去邊緣PN結(jié)處理，這不僅使MWT太陽(yáng)能電池的制作工序大大簡(jiǎn)化，且提高了電池片生產(chǎn)的成品率，降低了生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L31-18
【公開號(hào)】CN104538502
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510021726
【發(fā)明人】劉長(zhǎng)明, 蔣方丹, 金浩
【申請(qǐng)人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日