專利名稱：場(chǎng)致發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)致發(fā)光裝置，尤其涉及一種使用有機(jī)材料發(fā)光的并具有用于開關(guān)電路的薄膜晶體管的場(chǎng)致發(fā)光裝置。
在PCT／WO90／13148中披露了一種類型的場(chǎng)致發(fā)光裝置，該專利的內(nèi)容在此列為參考。這類裝置的基本結(jié)構(gòu)是一種被夾在兩個(gè)電極之間的發(fā)光聚合物膜(例如聚(p-亞苯基亞乙烯基)-“PPV”)，其中的一個(gè)電極注入電子，另一個(gè)電極注入空穴。電子和空穴激發(fā)聚合物膜，從而發(fā)出光子。這些裝置可以作為平板顯示器。
另一種類型的有機(jī)發(fā)光裝置是小分子器件，在US 4539507中給出了其詳細(xì)內(nèi)容。該專利的內(nèi)容在此列為參考。這些器件具有一個(gè)發(fā)光層，其包括至少一種小分子材料例如被夾在兩個(gè)電極之間的3(8-羥基喹啉)鋁(“Alq3”)。
在有機(jī)發(fā)光裝置中，有機(jī)發(fā)光層一般被分成各個(gè)像素，通過改變?cè)谄渲辛鲃?dòng)的電流可以使所述像素在發(fā)光狀態(tài)和不發(fā)光狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。所述像素一般以正交的行和列設(shè)置。一般使用兩種不同的方案控制像素?zé)o源陣列和有源陣列。在無源陣列裝置中，一個(gè)電極形成行，另一個(gè)電極形成列。通過在行電極和列電極之間施加合適的電壓，便可以使在其交點(diǎn)的像素發(fā)光。在有源陣列顯示器中，這樣提供一種電路，使得當(dāng)另一個(gè)像素被尋址時(shí)，每個(gè)像素可以保持發(fā)光狀態(tài)。
圖1表示在薄膜晶體管(“TFT”)有源陣列顯示器中用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)像素的電路。該電路包括用二極管1表示的像素本身，其被連接在電極2和電極3之間。電極2和3和裝置的所有像素相連，并且在電極2、3之間施加足以使像素發(fā)光的電壓。在電極3和像素1之間具有開關(guān)電路4的至少一部分，其實(shí)際上利用薄膜晶體管實(shí)現(xiàn)。開關(guān)電路借助于行電極、列電極5，6控制。為了使像素1發(fā)光，一個(gè)電壓被加于電極6上，從而使開關(guān)晶體管7導(dǎo)通，同時(shí)電壓被加到電極5上，以便使存儲(chǔ)電容器8充電。然后電極6被截止。因?yàn)殡娙萜?被充電，所以電流晶體管9被導(dǎo)通，因而在電極3上施加的電壓被加到像素上，從而使像素發(fā)光。這種結(jié)構(gòu)雖然比無源陣列裝置要求更復(fù)雜的電路，但是其具有這樣的優(yōu)點(diǎn)，即借助于電容器8可以使像素保持在發(fā)光狀態(tài)，同時(shí)在不同行和列上的其它像素通過其行電極和列電極尋址。在透明的和反射的LCD顯示器中，使用全部的背面面積用于薄膜晶體管和金屬線是熟知的。
為了能夠顯示較清楚的圖象，重要的是能夠分別控制每個(gè)像素的亮度，從而提供灰度等級(jí)。在圖1的有源陣列裝置的情況下，這借助于選擇加于電極5上的電壓和加于電極6的脈沖的持續(xù)時(shí)間從而固定對(duì)電容器8提供的電荷來實(shí)現(xiàn)。電容器8上的電荷決定晶體管9的狀態(tài)，因而決定從電極3流向像素的電流。通過像素的電流決定像素的發(fā)光亮度。圖2表示通過晶體管9的電流(I)對(duì)晶體管9的控制電壓(V)的曲線。具有一個(gè)扁平的截止區(qū)100，其中電流和電壓低因而像素1不發(fā)光，具有一個(gè)傾斜的過渡區(qū)110，其提供像素1的亮度的中間值，還具有一個(gè)扁平的導(dǎo)通區(qū)120，此時(shí)晶體管處于全導(dǎo)通狀態(tài)。通過固定電容器8上的電荷，使得晶體管9處于過渡區(qū)的所需的點(diǎn)上，可以獲得所需的像素的亮度的中間值。
圖2中曲線的形狀由電路元件的特性特別是電流晶體管9的特性決定。必須對(duì)顯示器的每個(gè)像素提供開關(guān)電路4。為了實(shí)現(xiàn)所需的小型化和低成本，所述電路和顯示器集成在一起。不過，這種結(jié)構(gòu)通常導(dǎo)致顯示器的每個(gè)像素的電流晶體管的性能的大的差異。雖然在截止和導(dǎo)通區(qū)的電流在晶體管之間是相當(dāng)一致的(因?yàn)榻刂闺娏鲙缀跏?，導(dǎo)通電流很大程度上由二極管1的電阻決定)，但是電流晶體管的門限電壓可以具有大的差別。當(dāng)顯示器的發(fā)光材料是有機(jī)發(fā)光材料時(shí)，這問題尤其嚴(yán)重，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光像素發(fā)出的光的數(shù)量對(duì)通過裝置的電流是敏感的。因此，對(duì)于同樣的輸入線路電流，不同的有機(jī)發(fā)光像素可以產(chǎn)生十分不同的中間亮度。這限制了這個(gè)驅(qū)動(dòng)方案用于具有灰度等級(jí)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
按照本發(fā)明的第一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，其具有包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光象素的有機(jī)發(fā)光區(qū)；開關(guān)裝置，其每個(gè)和各個(gè)像素相連用于向所述像素傳遞功率；以及驅(qū)動(dòng)裝置，用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)開關(guān)裝置在低功率方式的第一方式和高功率方式的第二方式之間循環(huán)，其頻率足以使得從相關(guān)像素發(fā)出的光看起來基本上是連續(xù)的，高功率方式相對(duì)于低功率方式的持續(xù)時(shí)間可被改變，從而改變像素的平均亮度。
每個(gè)開關(guān)裝置合適地包括至少一個(gè)晶體管。所述晶體管最好由控制極電壓控制，從而把功率通過晶體管傳遞，并被傳遞到像素。在第一方式中，晶體管阻最好斷流向相關(guān)像素的電流，使得像素基本上不發(fā)光。在第二方式中，晶體管最好允許電流流過相關(guān)像素，從而所述像素基本上充分發(fā)光。在第二方式中，晶體管最好處于其全導(dǎo)通狀態(tài)。在第一方式中，晶體管最好處于全截止?fàn)顟B(tài)。
在第一方式和第二方式的一個(gè)或者兩個(gè)中，像素的亮度最好基本上對(duì)于晶體管的特性例如控制極電壓是不敏感的，這使得控制極電壓的小的改變基本上不影響通過像素的電流。所述晶體管最好是薄膜晶體管。
開關(guān)裝置最好包括電荷存儲(chǔ)裝置(例如電容器)，其適合于和上述的晶體管的控制極相連，用于把晶體管保持在第一方式或第二方式。電荷存儲(chǔ)裝置適合于借助于第二晶體管最好是薄膜晶體管充電。開關(guān)裝置最好是薄膜晶體管開關(guān)裝置。
顯示器是有源陣列顯示器，最好是TFT有源陣列顯示器。
在第一方式和第二方式之間轉(zhuǎn)換的合適的頻率大于30Hz，較好的是大于50Hz，最好大約為60Hz或更高。
驅(qū)動(dòng)裝置最好是可控制的，以便改變高功率方式相對(duì)于低功率方式的持續(xù)時(shí)間。驅(qū)動(dòng)方法的占空比(以第二方式的持續(xù)時(shí)間作為總的周期時(shí)間的比例進(jìn)行測(cè)量)可以從0(當(dāng)像素截止時(shí))到100％(最大亮度)改變。
在每個(gè)周期中，高功率方式可以作為一個(gè)或一個(gè)以上的離散的高功率脈沖被提供。
每個(gè)像素可以合適地包括至少兩個(gè)獨(dú)立的發(fā)光區(qū)，使開關(guān)裝置和每一個(gè)發(fā)光區(qū)相連，以便在驅(qū)動(dòng)裝置的控制下獨(dú)立地向所述發(fā)光區(qū)傳遞功率。
有機(jī)發(fā)光裝置可以包括具有多個(gè)有機(jī)發(fā)光象素的有機(jī)發(fā)光區(qū)，每個(gè)像素包括至少兩個(gè)獨(dú)立的發(fā)光區(qū)；開關(guān)結(jié)構(gòu)，其和每個(gè)像素相連，并且包括和所述像素的各個(gè)發(fā)光區(qū)相連的各個(gè)開關(guān)裝置，用于向所述發(fā)光區(qū)傳遞功率；以及控制裝置，用于利用其相關(guān)的開關(guān)結(jié)構(gòu)尋址每個(gè)像素并用于通過選擇地驅(qū)動(dòng)一個(gè)或幾個(gè)相應(yīng)的開關(guān)裝置，使所選擇的所述像素的一些發(fā)光區(qū)發(fā)光從而控制每個(gè)像素的亮度。
其中每個(gè)像素被劃分成獨(dú)立的發(fā)光區(qū)，每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)適合于具有不同的尺寸，最好是不同的面積。最好是，在每個(gè)像素中，每個(gè)發(fā)光區(qū)(除去最小的之外)的尺寸是該像素的下一個(gè)最大發(fā)光區(qū)的尺寸的兩倍。
驅(qū)動(dòng)裝置最好能夠驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素或每個(gè)發(fā)光區(qū)，以便以一個(gè)中間電壓非瞬時(shí)地操作，從而能夠進(jìn)一步控制像素的總體亮度。因此，驅(qū)動(dòng)裝置適合于能夠驅(qū)動(dòng)開關(guān)裝置成為非瞬時(shí)局部導(dǎo)通狀態(tài)。局部導(dǎo)通狀態(tài)可以是第三個(gè)中間功率方式。也可以提供其它的中間功率方式。
像素與／或發(fā)光區(qū)的優(yōu)選的厚度范圍為20到200nm，最好大約是100nm。
有機(jī)發(fā)光象素與／或發(fā)光區(qū)適合于由發(fā)光聚合物材料制成，最好由共軛材料制成。一種合適的材料是半導(dǎo)體共軛聚合物，例如PPV或其衍生物。制造像素與／或發(fā)光區(qū)的合適的發(fā)光材料是或者包括PPV，聚(2-甲氧基-5(2’-乙基)己基羥基亞苯基-亞乙烯基)(“MEH-PPV”)，PPV衍生物(例如二烷氧基或二烷基衍生物)，聚芴與／或包括聚芴段的共聚物，PPV與／或相關(guān)的共聚物?？梢酝ㄟ^旋轉(zhuǎn)涂敷、浸漬涂敷、漿片涂敷、彎月面涂敷、自組合等等進(jìn)行淀積。發(fā)光區(qū)與／或其前體的成分可以是水基的，例如基于PPV的前體。另一種材料是有機(jī)分子發(fā)光材料，例如Alq3，或任何其它的由現(xiàn)有技術(shù)得知的小的升華分子或共軛聚合物電致發(fā)光材料。
有機(jī)發(fā)光象素與／或發(fā)光區(qū)適合于利用噴墨印刷淀積。
為了改善裝置的性能，可以在發(fā)光區(qū)附近提供導(dǎo)電的聚合物層。導(dǎo)電的聚合物層最好包括聚乙烯二羥基噻吩(“PEDT”)，聚苯乙烯酸性硫酸基的酸摻雜的聚乙烯二羥基噻吩(“PEDT-PSS”)、摻雜的聚苯胺、摻雜的酒精噻吩與／或摻雜的聚吡咯。層的厚度適合地小于200nm，最好小于100nm，尤其最好小于或接近于50nm。合適的層的片電阻大于106或107Ω／方，較好的是大于108Ω／方，最好是大于或大約為1010Ω／方。
下面以舉例的方式參照


本發(fā)明，其中圖3表示和有機(jī)發(fā)光裝置的像素有關(guān)的開關(guān)電路的平面圖；圖4表示在圖3的線a-a’上取的電路的截面圖；圖5表示圖3和圖4的裝置的電路圖；圖6表示多像素裝置及其控制裝置的示意圖；以及圖7和圖8表示通過像素的電流對(duì)時(shí)間的曲線。
圖3到圖5表示和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素16相關(guān)的TFT電路。像素的發(fā)光材料被分為4個(gè)發(fā)光區(qū)19a-d。TFT電路包括公共線12(其相應(yīng)于圖1的電極3)和掃描線10(其相應(yīng)于電極6)，它們由發(fā)光區(qū)19a-d共用，并且還包括分別為每個(gè)區(qū)提供的其它電路。每個(gè)發(fā)光區(qū)具有信號(hào)線11a-d(相應(yīng)于圖1的電極5)，開關(guān)晶體管13a-d(相應(yīng)于圖1的晶體管7)，存儲(chǔ)電容器14a-d(相應(yīng)于圖1的電容器8)和電流晶體管15a-d(相應(yīng)于圖1的晶體管9)。圖4所示的SiO2的絕緣區(qū)把電路的元件部分分開，并把電路淀積在玻璃基片17上。在晶體管15a-d的輸出端具有由透明的錫銦氧化物(“ITO”)制成的電極焊盤18a-d(見圖4的18a)，用于形成發(fā)光裝置的陽(yáng)極。像素的有機(jī)發(fā)光材料被淀積在4個(gè)單獨(dú)的部分(見圖4的19a-d)中的焊盤上，公共電極20(相應(yīng)于圖1的電極2)被淀積在這些部分的頂上。從像素朝向讀者發(fā)出的光基本上沿著圖3中進(jìn)入紙面的方向，如圖4的箭頭B所示。
掃描、信號(hào)和公共線由控制裝置31，34控制(圖5)。在另一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)發(fā)光區(qū)19a-d可以配備一個(gè)相當(dāng)于公共線12的線，每個(gè)單獨(dú)的線被控制裝置獨(dú)立地控制。
圖3到圖5的像素形成較大的發(fā)光裝置的一部分，在所述發(fā)光裝置中，數(shù)千個(gè)這種像素被排列在正交的行和列中。例如，一種典型的尺寸是800列乘600行，共有480000個(gè)像素。這種裝置甚至可以是具有相等數(shù)量的紅綠藍(lán)像素的彩色顯示裝置。在圖5的附加的裝置50用于控制另一個(gè)像素。
為了制造所述的裝置，首先以常規(guī)方式在玻璃基片17上淀積TFT電路。然后，在ITO焊盤18d等上面淀積有機(jī)發(fā)光材料。在本例中的有機(jī)發(fā)光材料是PPV。PPV可以作為一層被淀積在整個(gè)裝置上(例如通過旋轉(zhuǎn)涂敷一種前體聚合物)，然后進(jìn)行成形，從而形成各個(gè)像素或像素區(qū)域，或者所述像素／區(qū)域可以被單獨(dú)地淀積(例如通過噴墨印刷)，特別是當(dāng)形成具有發(fā)出不同顏色的光的像素的多色(例如紅綠藍(lán))裝置時(shí)。所得的像素的厚度大約為1000埃。
為了利用噴墨印刷淀積發(fā)光材料，所述的材料通過噴墨打印機(jī)噴頭噴灑。合適的噴灑周期是每秒14400滴，每滴的容積為30pl。
圖6示意地表示一個(gè)完整的裝置21的例子的實(shí)現(xiàn)，其中具有被排列在行和列中的大量像素22，23等等，每個(gè)像素被劃分成若干個(gè)可被獨(dú)立控制的發(fā)光區(qū)，如圖3到5所示?？刂茊卧?4和掃描線25、信號(hào)線26相連，并且能夠控制每個(gè)電壓。控制單元在27接收顯示信號(hào)(例如從個(gè)人計(jì)算機(jī))，并且包括處理裝置28，用于把這些信號(hào)解碼成為用于顯示器的每個(gè)像素的實(shí)時(shí)亮度信息。處理器28在線29上輸出用于識(shí)別每個(gè)像素的地址信息，接著在線30上輸出用于那個(gè)像素的亮度信息。亮度信息一般可以是從0例如到16或64的數(shù)字，用于給出像素所需的亮度?？刂茊卧ǖ刂忿D(zhuǎn)換單元31，其在32接收用于識(shí)別像素的地址信息，并在33接收亮度信息，通過選擇像素所在的交點(diǎn)的掃描線和信號(hào)線尋址被識(shí)別的像素，并對(duì)掃描線和信號(hào)線的每一個(gè)施加合適的電壓，以便在那個(gè)像素的存儲(chǔ)電容器上存儲(chǔ)用于使像素按照線33上指示的所需的亮度導(dǎo)通而需要的電荷?？刂茊卧蛘呖刂茊卧娜魏尾糠挚梢员恍纬稍陲@示器本身的背面。
在圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的裝置中，其中像素在其電流晶體管的過渡區(qū)內(nèi)被驅(qū)動(dòng)，尋址開關(guān)31可以直接從處理器28接收地址和亮度信息。然而，在本發(fā)明的這個(gè)示例的實(shí)施例中，在處理器28和開關(guān)單元31之間，具有中間處理器34。中間處理器通過線路29和30從處理器28接收用于每個(gè)像素的亮度信息，并在存儲(chǔ)器35中存儲(chǔ)每個(gè)像素的所需亮度。然后，中間處理器控制尋址開關(guān)單元，以便以一種方式或兩種方式固定亮度。
用于固定亮度的第一種方法是通過以一個(gè)占空因數(shù)快速地使像素導(dǎo)通和截止，使得當(dāng)從整個(gè)時(shí)間(周期的持續(xù)時(shí)間)的平均看來，使每個(gè)像素達(dá)到所需的亮度。例如，如果需要半個(gè)亮度(例如在上述的64灰度方案中為32的亮度)，則像素被這樣轉(zhuǎn)換，使得像素在一半時(shí)間內(nèi)完全導(dǎo)通，一半時(shí)間完全截止。通過快速地使像素在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間轉(zhuǎn)換，可以避免閃爍的印象。使觀眾從顯示裝置得到恒定的光輸出的印象的合適的轉(zhuǎn)換頻率是30到50Hz或更多。由中間處理器34在線33上輸出的亮度值表示完全導(dǎo)通或者完全截止；不使用中間值。因此，該裝置的像素的電流晶體管總是(除去在導(dǎo)通和截止期間的過渡狀態(tài))在可預(yù)測(cè)的圖2所示的扁平的導(dǎo)通和截止區(qū)域中操作，從而使得像素的亮度更容易地保持恒定。
可以使用若干個(gè)復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)方法實(shí)現(xiàn)所需的每個(gè)像素的亮度。例如，像素可以每周期導(dǎo)通一次和截止一次(除去要求其在全亮度或0亮度時(shí))，利用所選擇的在導(dǎo)通與截止轉(zhuǎn)換之間的時(shí)間實(shí)現(xiàn)所需的占空比(見圖7)，或者多于一次(見圖8)。圖8表示對(duì)一個(gè)像素施加的電流對(duì)時(shí)間的曲線。線36劃分驅(qū)動(dòng)方案的周期。在圖8所示的3個(gè)周期期間，像素的亮度從大約10％增加到大約40％。像素的導(dǎo)通時(shí)間作為一系列等長(zhǎng)度tp的脈沖被施加，這些長(zhǎng)度被加到一起時(shí)，便得到為實(shí)現(xiàn)所需占空比所需的每周期總的導(dǎo)通時(shí)間。使每周期的總的導(dǎo)通時(shí)間保持相同，可以改變?cè)趯?dǎo)通時(shí)間和截止時(shí)間之間的電流圖形，以便適合于其它要求，例如減少閃爍或串音。
固定亮度的第二個(gè)方法是利用每個(gè)像素的單獨(dú)的發(fā)光區(qū)可以被分別地控制這個(gè)事實(shí)。像素的亮度可以通過使一個(gè)或幾個(gè)發(fā)光區(qū)導(dǎo)通進(jìn)行控制。如前所述，亮度被控制單元24控制。尋址開關(guān)31也在線32上接收用于識(shí)別每個(gè)像素的地址信息，接著，在線33上接收用于該像素的亮度信息。此時(shí)，亮度信息具有從0到16的值，用于表示所需的亮度。尋址開關(guān)31包括多區(qū)域處理器45，其接收例如圖3到圖5所示的像素的地址信息，識(shí)別為尋址所述像素的各個(gè)發(fā)光區(qū)所需的掃描線和信號(hào)線，并根據(jù)在33接收的亮度值對(duì)這些線提供合適的電壓，以便使像素的0個(gè)，1個(gè)，2個(gè)，3個(gè)或者全部發(fā)光區(qū)全導(dǎo)通，從而達(dá)到所需的亮度。這些選擇的區(qū)域可以保持全導(dǎo)通，直到像素的亮度需要被改變。
每個(gè)像素被劃分成的發(fā)光區(qū)可以具有相同的尺寸或者不同的尺寸。一種通常的分割是，像素要被分成n個(gè)發(fā)光區(qū)，這些區(qū)域的尺寸是像素的總尺寸的1／(2n-1)，2／(2n-1)，4／(2n-1)…(2(n-1))／(2n-1)。這種結(jié)構(gòu)由n個(gè)像素提供2n個(gè)灰度等級(jí)值。例如，在圖3中，發(fā)光區(qū)19d的面積是19c的兩倍，19c是19b的兩倍，19b是19a的兩倍。
發(fā)光區(qū)可以如圖3所示，或者以其它方式被限定為跨過像素延伸的平行帶。
為了實(shí)現(xiàn)更多的灰度等級(jí)，可以使用組合使用上述的兩種亮度控制方式，使得具有圖3到圖5所示的子分割的像素被參照?qǐng)D7和圖8所述的脈沖驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)。所述每種控制亮度的方法或者所述兩種控制亮度的方法可以和參照?qǐng)D1所述的電壓控制方法組合使用，其中施加到每個(gè)發(fā)光區(qū)的電壓也能夠被改變?yōu)椴皇侨珜?dǎo)通或者全截止的值，從而給出更可靠的灰度等級(jí)。例如，在每個(gè)像素被分成如圖3所示的4個(gè)區(qū)域的裝置中，利用圖7所示的16個(gè)可利用的驅(qū)動(dòng)方案中的一個(gè)驅(qū)動(dòng)，其中峰值電壓從16個(gè)值中選擇一個(gè)，可以得到4096個(gè)灰度值。
脈沖驅(qū)動(dòng)方法可以用于具有一個(gè)整體像素而不是具有如圖3到圖5所示的裝置的子分割像素的裝置。
本發(fā)明可以包括此處所披露的任何特征或特征的組合，這些特征或者是隱含的，或者是明確的，或者是任何普遍化的，而不管其是否和目前要求保護(hù)的本發(fā)明相關(guān)。顯然，按照上述的說明，不脫離本發(fā)明的構(gòu)思，本領(lǐng)域的技術(shù)人員，可以作出各種改變和改型。
權(quán)利要求
1．一種有機(jī)發(fā)光裝置，具有包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光象素的有機(jī)發(fā)光區(qū)；開關(guān)裝置，其每個(gè)和各個(gè)像素相連，用于向所述像素傳遞功率；以及驅(qū)動(dòng)裝置，用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)開關(guān)裝置在低功率方式的第一方式和高功率方式的第二方式之間循環(huán)，所述循環(huán)的頻率足以使得從相關(guān)像素發(fā)出的光看起來基本上是連續(xù)的，高功率方式相對(duì)于低功率方式的持續(xù)時(shí)間可被改變，從而改變像素的平均亮度。
2．如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中在第一方式中像素基本上是不發(fā)光的。
3．如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述開關(guān)裝置包括用于把提供的功率傳遞給像素的晶體管開關(guān)。
4．如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中在第二方式晶體管處于其全導(dǎo)通狀態(tài)。
5．如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，在第二方式晶體管處于其全截止?fàn)顟B(tài)。
6．如權(quán)利要求3到5任何一個(gè)所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中驅(qū)動(dòng)裝置能夠驅(qū)動(dòng)開關(guān)裝置成為非瞬時(shí)局部導(dǎo)通狀態(tài)。
7．如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中開關(guān)裝置包括薄膜晶體管開關(guān)。
8．如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)每個(gè)開關(guān)裝置以至少30Hz的頻率在第一方式和第二方式之間循環(huán)。
9．如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中每個(gè)像素包括至少兩個(gè)獨(dú)立的發(fā)光區(qū)，并且包括和每一個(gè)發(fā)光區(qū)相連開關(guān)裝置，以便在驅(qū)動(dòng)裝置的控制下獨(dú)立地向所述發(fā)光區(qū)傳遞功率。
10．如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)具有不同的面積。
11．如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中有機(jī)發(fā)光象素由發(fā)光的聚合物材料制成。
12．如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中有機(jī)發(fā)光像素由發(fā)光的共軛材料制成。
13．如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中有機(jī)發(fā)光象素由聚(p-亞苯基亞乙烯基)(poly(p-phenylenevinylene))或其衍生物制成。
14．如前面任何一個(gè)權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中每個(gè)像素利用噴墨印刷淀積而成。
15．一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光象素的有機(jī)發(fā)光區(qū)，每個(gè)像素包括至少兩個(gè)獨(dú)立的發(fā)光區(qū)；開關(guān)結(jié)構(gòu)，其和每個(gè)像素相連，并且包括和所述像素的各個(gè)發(fā)光區(qū)相連的開關(guān)裝置，用于向所述發(fā)光區(qū)傳遞功率；以及控制裝置，用于利用其相關(guān)的開關(guān)結(jié)構(gòu)尋址每個(gè)像素并用于通過選擇地驅(qū)動(dòng)一個(gè)或幾個(gè)相應(yīng)的開關(guān)裝置，使所選擇的所述像素的一些發(fā)光區(qū)發(fā)光從而控制每個(gè)像素的亮度。
16．如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)具有不同的尺寸。
17．如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)具有不同的面積。
18．如權(quán)利要求15到17任何一個(gè)所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中有機(jī)發(fā)光區(qū)由發(fā)光的聚合物材料制成。
19．如權(quán)利要求15到18任何一個(gè)所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中有機(jī)發(fā)光區(qū)由發(fā)光的共軛材料制成。
20．如權(quán)利要求15到19任何一個(gè)所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中有機(jī)發(fā)光區(qū)由聚(p-亞苯基亞乙烯基)或其衍生物制成。
21．如權(quán)利要求15到20任何一個(gè)所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中每個(gè)像素利用噴墨印刷淀積而成。
22．一種基本上如參照附圖中的圖3到圖8所述的場(chǎng)致發(fā)光裝置。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光裝置,具有:包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光象素的有機(jī)發(fā)光區(qū);開關(guān)裝置,其每個(gè)和各個(gè)像素相連,用于向所述像素傳遞功率;以及驅(qū)動(dòng)裝置,用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)開關(guān)裝置在低功率方式的第一方式和高功率方式的第二方式之間循環(huán),所述循環(huán)的頻率足以使得從相關(guān)像素發(fā)出的光看起來基本上是連續(xù)的,高功率方式相對(duì)于低功率方式的持續(xù)時(shí)間可被改變,從而改變像素的平均亮度。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1291321SQ9980312
公開日2001年4月11日 申請(qǐng)日期1999年2月5日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月18日
發(fā)明者理查德·H·弗里德, 杰里米·H·伯勞弗斯, 木村睦, 斯蒂芬·K·何克斯 申請(qǐng)人:劍橋顯示技術(shù)有限公司, 精工愛普生株式會(huì)社