專利名稱：復合元件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及各種電子器件和通信設備使用的一種復合元件。本發(fā)明還涉及制造復合元件的方法。
背景技術：
各種電子器件和通信設備廣泛地使用包括線圈、電容器、電阻器等元件的復合元件。近年來，對小型化和薄型復合元件的需求日益增加。此外，復合元件的噪聲減低功能一直被看作是一個重要功能，因為在許多電子設備中的電路趨向于在更高的頻率下工作以及以數字形式工作。
作為具有噪聲降低功能的現有小尺寸復合元件的一些例子，諸如日本專利審查公報S59-24534和S62-28891中所揭示的，L/C復合元件是通過將疊層線圈和疊層陶瓷電容器疊合起來而構成的。此外，在日本專利審查公報S62-28891和日本專利公開公報H01-192107等中已經揭示了L/C復合元件的各種不同結構，每一份文獻說明了線圈和電容器的三維排列上的變化。
通常，具有噪聲降低功能的復合元件包括L型、T型和π型等濾波器電路，它們包括多個線圈和多個電容器的組合。然而，現有的疊層L/C復合元件的結構一直是這樣的，即它們能夠組成一個僅為一種上述電路類型的濾波器電路。例如，日本專利審查公報No.S62-28891中所揭示的L/C復合元件具有僅能組成T型濾波器的這樣結構。
此外，傳統(tǒng)的復合元件存在諸如線圈之間干擾以及在燒結過程中線圈材料與電容器材料之間兼容性差的問題。即，在為增強線圈特性所使用的磁性材料與構成電容器的介質材料之間在熱膨脹系數、燒結特性等物理特性上存在差別。結果，在對疊層復合元件的燒結過程中常常出現諸如脫層、翹曲等缺陷。
由于通常已經把保證磁性材料與介質材料之間的兼容性以避免上述缺陷放在首位，兩種材料中的任何一種材料都不能夠有效地在它們性能的最大范圍上工作。此外，由于L/C復合元件是由層疊的線圈和層疊的陶瓷電容器通過將它們一層層疊合而組成的，在傳統(tǒng)L/C復合元件的小型化中一直存在限制。
另一方面，已經提出了其它結構的L/C復合元件，其中將涂敷銅的導線繞層疊的芯片電容器纏繞。然而，這種結構存在著降低復合元件生產成品率的問題，因為它導致線圈特性的較大分散。此外，這樣結構在線圈銅導線末端與層疊芯片電容器的端子之間的連接上存在困難，因此難以使L/C復合元件實現小型化或者把L/C復合元件形成到芯片元件中。
本發(fā)明的一個目的是提供一種具有新穎結構的復合元件，它能夠消除傳統(tǒng)復合元件的上述缺點，以及一種制造該復合元件的方法。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種具有這樣結構的復合元件以及制造該復合元件的方法，它是這樣設計的，具有增大的成品率以及無需對制造條件作實質性改變便能夠方便和有效地制造含有多種不同類型濾波器電路的復合元件。
發(fā)明概要本發(fā)明的復合元件包括(1)由至少一個絕緣層和至少兩個電極層構成的電容器；(2)緊貼在所述電容器的外周表面或一部分不用作電容器的所述絕緣層外周表面上形成的一個螺旋導體條和多個端子，這里，電極層和螺旋導體條與多個端子電連接。
本發(fā)明的另一種復合元件包括(1)緊貼著絕緣體或磁性體上形成的螺旋導體條；(2)由至少一個絕緣層和至少兩個電極層組成的電容器，這里，螺旋導體條和電容器是通過將一另絕緣層置于二者之間而相互層疊，螺旋導體條的螺旋軸平行于組成電容器的電極層的平面，電極層和螺旋導體條至少在一點上是電連接的。
本發(fā)明的一種制造復合元件的方法，包括步驟(1)形成由至少一個絕緣層和至少兩個電極層構成的電容器；(2)在絕緣層和電容器的外周表面上形成一附加絕緣層；以及(3)在被電容器和所述附加絕緣層覆蓋的外周上形成一螺旋導體條和一個端子。
本發(fā)明的另一種制造復合元件的方法，包括步驟(1)形成由至少一個絕緣層和設置在一部分絕緣層上的至少兩個電極層構成的電容器；(2)在電容器和絕緣層的外周表面上形成另一層絕緣層；以及(3)在另一絕緣層的外周上形成一螺旋導體條和一個端子。
本發(fā)明的再一種制造復合元件的方法，包括步驟(1)形成由至少一個絕緣層和至少兩個電極層構成的電容器；(2)緊貼在絕緣體或磁性體的外周形成一螺旋導體條；以及(3)將電容器和絕緣體或磁性體層疊起來，經過置于其間的另一絕緣層，將螺旋導體條緊貼地形成在其上。
附圖簡述

圖1是說明本發(fā)明第一示例實施例的復合元件的典型的外部透視圖。
圖2是說明本發(fā)明第一示例實施例的復合元件的概念結構的示意圖。
圖3是說明本發(fā)明第一示例實施例的另一復合元件的典型外部透視圖。
圖4A和4B是說明本發(fā)明第一示例實施例的電容器的其它電極圖案的概念平面圖。
圖5A和5B是說明本發(fā)明第一示例實施例的電容器的又一其它電極圖案的概念平面圖。
圖6是說明本發(fā)明第一示例實施例的又一復合元件的典型外部透視圖。
圖7是說明本發(fā)明第二示例實施例的復合元件的概念結構的示意圖。
圖8是說明本發(fā)明第二示例實施例的復合元件的典型外部透視圖。
圖9是說明本發(fā)明第二示例實施例的另一復合元件的概念結構的示意圖。
圖10是說明本發(fā)明第二示例實施例的又一復合元件的概念結構的示意圖。
圖11是說明本發(fā)明第三示例實施例的復合元件的概念結構的示意圖。
圖12是說明本發(fā)明第三示例實施例的復合元件的典型的外部透視圖。
圖13是說明本發(fā)明第三示例實施例的另一復合元件的概念結構的示意圖。
圖14是說明本發(fā)明第三示例實施例的又一復合元件的概念結構的示意圖。
圖15是說明本發(fā)明第三示例實施例的再一復合元件的概念結構的示意圖。
實現本發(fā)明的最佳方式下面將參考附圖描述本發(fā)明的示例實施例。
第一示例實施例圖1示出本發(fā)明第一示例實施例的復合元件的外觀示意圖的例子。具體地說，圖1所示的復合元件包括由緊緊粘合在復合元件1上的螺旋導體2構成的線圈。
本發(fā)明復合元件與由纏繞在芯片電容器上的涂覆銅導線構成的現有復合元件的最大區(qū)別在于，螺旋導體2緊密粘合在基板上，因為它是在制造復合元件的過程中形成的。
此外，本發(fā)明復合元件與由層疊線圈和層疊電容器構成的現有復合元件的另一個最大區(qū)別在于，螺旋導體2的螺旋軸平行于電容器的電極平面或電極的平表面排列，只要線圈的軸垂直于包含電極的平表面。這種結構給構成本發(fā)明復合元件的線圈提供了特別優(yōu)越的特性。
此外，復合元件在其側面上設置一對端子3和3’，它們與螺旋導體2同時形成并連接至螺旋導體2。此外，復合元件內部包含由至少兩個電極層和至少一個介質層構成的電容器。復用元件在需要時可以包括形成在電容器上、下表面上的絕緣層。
換句話說，圖1示出帶有濾波器電路的復合元件，其中線圈和電容器并聯連接。
圖2示出圖1所示復合元件的內部結構。復合元件1由層疊結構構成，包括由一層介質層4和一對電極層5和5’組成的電容器和形成在電容器外側的和用作線圈基底的絕緣層6。電極層5和5’包括它們各自的電極部分，它們暴露在復合元件的兩個相對的表面上。偶然地，盡管圖2示出多個絕緣層6，但是，不是總是需要多層。然而，絕緣層中至少有一層需要作為最外層，以保證電極層5和5’與組成線圈的導體2之間的隔離。
除了保證線圈與電容器的電極層5和5’之間的隔離外，為了改變構造在復合元件1外表面上的線圈的特性或者改善其性能，提供多個絕緣層6通常是有用的。換句話說，利用磁性材料和/或非磁性材料作為絕緣層6能夠改變線圈的特性，例如增大其阻抗。
構成電容器的介質層4可以由根據復合元件所需性能選自絕緣材料和介質材料的任何材料制成。此外，如果絕緣層6由與介質層4所用材料相同的材料形成，復合元件1的整體可以由一種材料制成。這使得制造復合元件1變得更容易，因為它消除了復合元件在燒結期間的脫層、翹曲等。
于是，本發(fā)明的上述結構提供了制造超高特性的薄復合元件。
圖3示出圖1所示復合元件的外部形狀，其中，除了被端子3和3’占據的部分以外的表面被外部絕緣層7所覆蓋。外部絕緣層7并不是總是需要的，這取決于復合元件的使用情況。然而，為了保證線圈足夠絕緣，或者在希望線圈的特性變化時，外部絕緣層7是需要的。例如，如果將磁性物質混合到外部絕緣層7的材料中，外部絕緣層7降低線圈的漏泄磁通和調節(jié)線圈的電特性。
除此之外，通過將陶瓷材料混合到外部絕緣層7中能夠改善復合元件的強度，從而保護復合元件在由自動安裝機器將其安裝到電路板上期間免于受損或產生缺陷。或者，如果在用另一種絕緣材料對線圈部分進行絕緣后用導電外層7而不是絕緣材料覆蓋它的話，可以對復合元件進行電屏蔽。
在前面的段落中已經描述的是帶有濾波器電路的復合元件的結構，其中線圈和電容器并聯連接。接下去描述的是具有其它類型濾波器電路的復合元件，它也是采用本示例實施例的方法制造的。
圖4A和4B示出形成在介質層4上的電極層的示意圖案。圖2所示的電極層5被劃分為兩個電極層5和5”，這些電極層被連接至其各自的端子3和3’，如圖4A所示。這一示例實施例的結構能夠提供具有π型濾波器電路的復合元件，其中電極層5被劃分為兩個分別的層5和5”并分別連接至端子3和3’。
在正交于復合元件的端子3和3’的每一側上通過暴露電極層5和5’的引線導體部分，將導體2的中點連接到電極層5的引線導體上，以及提供一個連接電極層5’引線導體的端子3”，能夠構造T型濾波器電路，如圖5A、5B和6所不。
下面將參考圖2描述制造本示例實施例的復合元件的方法和所使用的材料。
制造本示例實施例的復合元件的方法包括形成電容器的第一步驟、在電容器的上、下表面上形成絕緣層的第二步驟、在其整個表面上用導電層覆蓋復合元件的第三步驟、以及在第三步驟中形成的導電層之外加工幾個端子和一個線圈的第四步驟。
首先，為了制備圖2所示的介質層4和絕緣層6，制造一層介質材料片和一層絕緣材料片。從介質材料片和絕緣材料片上切割出多個具有預定尺寸的介質片和絕緣片，在介質片和絕緣片上形成預定圖案的電極層5和5’。
然后，通過依次地將(a)一絕緣層，(b)形成在電極層5’上的另一絕緣層或介質層，(c)形成在電極5上另一介質層，和(d)又一絕緣層層疊起來而制造出單片結構的電容器元件。
接著，在電容器元件的整個表面上形成導電層，通過在導電層上形成圖案構成端子3和3’和線圈2。
如果需要的話，當在未被復合元件的端子3和3’占據的表面區(qū)上形成外部絕緣層7時便完成本發(fā)明的復合元件。
以下將描述上述過程所采用的材料。
絕緣層6的材料可以是非磁性材料或磁性材料。用于絕緣層6的一些非磁性材料包括諸如環(huán)氧樹脂和玻璃纖維復合體、聚酰亞胺樹脂等有機絕緣材料、玻璃材料、玻璃和陶瓷復合材料以及各種陶瓷。任何材料都能夠用作絕緣層6，只要它具有電絕緣特性。采用非磁性材料作為絕緣層6增大線圈的自諧振頻率。
用于絕緣層的磁性材料的一些例子包括Ni-Zn鐵氧體、Ni-Zn-Cu鐵氧體等，通常已知它們具有大的導磁率。采用諸如這些物質的具有大導磁率的磁性材料作為絕緣層6能夠增大線圈的電感。
導體2和電極層5和5’的材料可以為任何材料，只要該材料是良好的電導體。然而，考慮到成本等因素，銅、銀、銀鈀合金等材料通常是需要的。
形成導體2和端子3和3’的方法基本上為兩種。一種方法是在形成一層由復合元件(由層疊的電容器和絕緣層制成)整個表面上絕緣材料和一層諸如銅的導電材料構成的接地層后，通過進行圖案化形成導體2和端子3和3’。進行圖案處理的手段包括利用激光器使不必要部分蒸發(fā)的方法、機械切割的方法以及在部分需要的導電層上施加抗蝕刻劑的蝕刻方法。
在整個表面上形成導電層的一些方法包括各種無電極電鍍方法、浸漬到導電樹脂中的方法以及諸如濺射或各種CVD方法的真空蒸鍍方法。在上述方法中，濺射和電蒸鍍的組合是形成導電層的最有效的方法。
形成導體2和端子3和3’的其它方法是這樣的，僅僅在一部分導體2上和復合元件表面上露出電極層5和5’的部分上有選擇地形成導電層。
形成導電層的手段包括涂覆導電層和激光CVD方法，僅僅在部分導體2和端子3和3’上淀積導電層。
此外，在復合元件表面上的不需要部分涂覆抗蝕劑后，利用諸如濺射和CVD的真空蒸鍍方法和濕電鍍方法在復合元件表面上也可以形成預定圖案的導體。
端子3和3’原則上是由與導體2相同的材料制備的。然而，與導體2不同，如果它們用作復合元件的端子，需要利用不同于導體2的材料構造多層的端子。具體地，本發(fā)明復合元件的端子的所需結構將由銅、銀、銀鈀合金等材料制成的接地層、由通過鍍鎳形成的中間層以及由錫或其合金制成的外層組成。然而，這一組分僅僅是一個例子，其它的金屬或有機材料，如導電樹脂等可以被選作組成端子3和3’材料的一部分。
如果端子3和3’是用導電樹脂形成的，那么，為了保證可焊性，需要采用電鍍等手段給它們另外覆蓋一層諸如前面段落中所描述的這些金屬物質。然而，存在這樣的情況，即復合元件與導電樹脂安裝在一起，以便于無鉛制造。如果本發(fā)明的復合元件用在這種情況中，上述的金屬蒸鍍是不必要的。
作為利用本發(fā)明復合元件的另一個例子，還存在這樣一種情況，即復合元件安裝在諸如氧化鋁或鐵氧體的陶瓷基板上，其上利用高溫燒結糊事先形成引線圖案。如果是這種情況，端子3和3’的材料需要具有耐熱性，以承受燒結溫度。
對于介質層4可以采用由眾所周知的有機或無機材料組成的介質材料。利用具有大介電常數的材料作為介質層4能夠增大電容器的電容，這是自然結果。此外，即使采用相同的介質材料，改變電極層5和5’的面積或者介質層4的厚度能夠改變電容器的電容，電容器由電極層和介質層二者構成。
偶然地，圖2所示的結構代表本發(fā)明復合元件所需的最少的結構。換句話說，通過增加電容器的層疊結構可以增大電容器的電容，每個電容器結構包括介質層4和電極層5和5’的組合。在制造這種結構的情況中，將電極5、5’、5”、5......交替地引出到兩側，它們分別連接至端子3和3’。此外，如上所述，可以將由磁性材料構成的絕緣層層疊在電容器的上、下側面上，以便改善線圈的電特性。
低噪聲L/C復合元件，尤其是T-型和π-型濾波器的一個重要電學特性是截止頻率。截止頻率定義為獲得固定衰減值的頻率，由線圈的電感和電容器的電容確定。對于本發(fā)明的復合元件，正如以上顯然看到的，線圈的電感和電容器的電容很容易改變。于是，本發(fā)明提供一種制造寬截止頻率范圍的濾波器的方法。
此外，在制造帶有濾波器電路(它需要多個電容器)的復合元件時，本發(fā)明的復合元件很容易提供形成在單層表面上的多個電容器元件，如圖4所示。因此，與傳統(tǒng)的層疊復合元件不同，本發(fā)明的復合元件的優(yōu)點在于它易于制造，為了制造多種不同的L/C濾波器，它僅需要作較少的變化，如印刷圖案上的變化。
盡管已經描述的是具有表面安裝元件結構的復合元件，其中端子直接形成在側表面上，但是，能夠把針形端子做在復合元件中或者制造帶有引出線的引線型元件，而不是上述的端子。
當電容器由陶瓷材料構成時，除了層疊過程外還需要燒結過程。以下將描述制造由陶瓷材料構成的電容器的復合元件的方法。
通過諸如半成品片形成、印刷、浸漬、粉末形成、自旋涂敷等方法可以形成絕緣層6和介質層4。電極層5和5’通常是由印刷方法形成的。
按照需要，將具有合適特性的粉末、燒結輔助劑、無機粘合劑或粘合樹脂以及增塑劑、分散劑等混合和分散到溶劑中，可產生在形成上述每一層中使用的糊或漿。
電容器的燒結溫度在800℃至1300℃的范圍內。燒結溫度決定了能夠用作導體的材料。例如，如果銀能夠用作導體材料，復合元件的燒結溫度由約900℃的上限溫度限制。另一方面，如果采用銀鈀合金作為導體，可以在950℃下對復合元件進行燒結。如果需要在更高的溫度下對復合元件進行燒結，那么，必須采用鎳、鈀等材料的導體材料。以下的例子將更精確地描述示例實施例。
第一示例實施例例1首先，將100克氧化鈦粉末、8克丁醛樹脂、4克鄰苯二甲酸丁酯芐酯、24克丁酮和24克乙酸丁酯在一個球形磨中混合和分散，制成介質漿。
接著，利用刀片涂布機將介質漿涂敷在PET薄膜上，接著干燥，產生厚度0.2mm的介質半成品片。
在介質半成品片上絲網印刷商售的銀糊，產生電極層5和5’。
將其上形成有電極層5和5’的介質半成品片4和6與其它的沒有電極層的介質半成品片層疊在一起，作為絕緣層6的替代物，如圖2所示，在100℃和500Kg/cm2的條件下通過熱壓將它們形成一個單片體。
在900℃溫度下對介質半成品片的單片體燒結2小時后，形成一個電容器元件。然后采用無電極電鍍和圓筒電鍍給電容器元件鍍銅，在電容器元件的整個表面上形成一銅膜。
通過將激光束輻照在形成在電容器元件表面上的銅膜上，形成如圖1所示的螺旋導體2，構成與端子相集成的線圈。形成這一線圈時便完成本發(fā)明的復合元件。
按照上述過程制備的復合元件在經受阻抗分析儀和網絡分析儀的各種電特性測量時顯示了超高的電特性。
例2采用與第一實施例中所描述的相同過程制備另一個復合元件，不同之處在于采用鐵氧體半成品片作為絕緣層6而不是未形成有電極層的介質半成品片。
鐵氧體半成品片是通過以下描述的過程制備的。
首先，將100克Ni-Zn-Cu氧化鈦粉末、8克丁醛樹脂、4克鄰苯二甲酸丁酯芐酯、24克丁酮和24克乙酸丁酯在一個球形磨中混合和分散，制成鐵氧體漿。
接著，利用刀片涂布機將鐵氧體漿涂敷在PET薄膜上，接著干燥，產生厚度0.2mm的鐵氧體半成品片。
在這一試驗實施例中制備的復合元件并未呈現諸如脫層、開裂、翹曲等的任何缺陷。這里所獲得的復合元件在經受阻抗分析儀和網絡分析儀的各種電特性測量時顯示了超高的電特性。
此外，對復合元件的表面進行涂敷，形成外部絕緣層7，如3所示，使得僅露出端子3和3’。采用兩種材料作為絕緣層7，一種熱固性樹脂和一種熱固性樹脂與鐵氧體粉末的混合物。用兩種材料可獲得具有優(yōu)良絕緣表面的復合元件。
例3在第二實施例的復合元件中，將待形成在介質層4上的電極層分成兩個分別的形式，如圖4A所示，另一個電極層5’在形狀上是不同的，使得它與位于復合元件中心的端子3”相連接，如圖4B所示。本實施例提供具有π型濾波器電路的復合元件。
例4采用與第二實施例中所采用的相同方法制備復合元件，所不同的是將待形成的介質層4上的電極層5和5’分成如圖5A和5B所示的形狀，在復合元件的中心增加一個端子3”，如圖6所示。在本試驗實施例的結構中，導體2與電極5的前沿部分電連接，如圖5A所示，中心端子3”與電極5’的前沿部分電連接，如圖5B所示。這導致具有T型濾波器電路的復合元件。
第二示例實施例接著將參考附圖描述本發(fā)明的第二示例實施例。
圖7是說明本發(fā)明第二示例實施例的復合元件的概念結構的示意圖。圖7所示的復合元件包括線圈8和電容器9，在復合元件的兩側和中心上形成連接至外部端子的引線電極11、11’和11”。線圈8以與第一示例實施例相同的方式緊貼著絕緣層10而形成?？梢砸耘c第一示例實施例情況中相同的方式，在引線電極11’和11”部分以外，用絕緣材料覆蓋線圈8。
此外，電容器9包括絕緣層10和形成其上的電極層5和5’。也可以用與線圈相同的方式用絕緣材料覆蓋電極層5和5’的外表面，被引線電極11和11’占據的部分除外。
構成線圈8的導體2的兩端連接至引線電極11’和11”，電容器9的電極層5和5’同樣連接至引線導體11和11’。
引線電極11、11’和11”分別連接至本示例實施例的復合元件的端子3、3’和3”正如圖8所示。在圖8中，除端子3、3’和3”以外，復合元件的整個表面被外部絕緣層7所覆蓋。本示例實施例所采用的所有材料和處理過程與第一示例實施例的相同。
制造構成線圈8的導體2和端子3、3’和3”的方法相同于第一示例實施例的方法。例如，導體2和端子3、3’和3”可以通過在復合元件的整個表面上形成導電層而構成，其中事先產生內部電容器和引線電極，然后形成導電層圖案。端子3、3’和3”的表面需要另外覆蓋一層鎳中間層和一層錫或其合金的最外層，這兩層都是通過電鍍產生的。
盡管圖7所示的結構構成L型濾波器電路，通過從電極層5引出引線導體12以及將其連接到組成線圈8的導體2的中點，同樣的結構能夠構成T型濾波器電路，如圖9所示。此外，通過從電極層5引出引線導體12并將其連接到引線電極11’以及從電極層5’引出另一個引線電極11”，所述結構還能夠構成π型濾波器電路，如圖10所示。
從以上的示例實施例顯然可見，在印刷電極的圖案中通過略作變化能夠制備多種不同的濾波器電路。在所描述的示例實施例以及圖7、9和10中，盡管圖中示出的電容器和線圈是并排排列的，但是它們可以按照前后取向而排列。
第三示例實施例圖11示出說明本發(fā)明第三示例實施例的復合元件的結構的示意圖。本示例實施例的復合元件具有線圈8和電容器層疊在一起的結構。線圈8包括多個絕緣層6和緊貼在絕緣層6的外圍形成的導體2，電容器9包括介質層4和電極層5和5’。
組成線圈8的導體2的兩端分別連接至引線電極11和11’，組成電容器的兩個電極層5和5’分別連接至引線電極11”和11’。
引線電極11、11’和11”分別連接至本示例實施例的復合元件的端子3、3’和3”，如圖12所示。在圖12中，除端子3、3’和3”以外，復合元件的整個表面可以被外部絕緣層7所覆蓋。
盡管圖11示出多個絕緣層6，但是線圈8可以由單個絕緣層6構成，只要該絕緣層具有足夠的強度，以承受住形成線圈的工藝。本示例實施例所采用的所有材料、工藝過程和外部絕緣層與第一和第二示例實施例所采用的相同。
制備構成線圈的導體2的方法相同于第一示例實施例。即，采用與第一示例實施例相同的方式將由磁性材料或絕緣材料制成的多個絕緣層層疊在一起，在其外圍形成線圈。當線圈疊合在分別制作的電容器9上后完成復合元件的制造。
本示例實施例的復合元件與現有的復合元件的最大區(qū)別在于本示例實施例允許利用相同的設計規(guī)則制作若干種線圈和電容器以及在于它導致高Q值的線圈。換句話說，本示例實施例的線圈在磁通的方向上與現有的印刷和層疊線圈相差90度。為此，同現有的線圈相比，能夠方便地增大線圈所采用的磁性材料的截面面積和長度，由此可獲得高Q值。
雖然圖11所示的結構構成L型濾波器電路，但是圖13還示出另一種T型濾波器電路。此外，通過從電極層5引出引線導體12以及將其連接至導體2的中點能夠制造T型濾波器電路，如圖14所示。
此外，通過將電極層5分成兩個區(qū)以及從電極層5’引出引線電極11”，還能夠制備π型濾波器電路，如圖15所示。
從以上的示例實施例顯然可見，在印刷電極圖案中通過略作變化能夠制備多種不同的濾波器電路。
工業(yè)實用性本發(fā)明提供一種復合元件，它在尺寸上較薄，在性能上較高，以及包含了各種濾波器電路。本發(fā)明還提供一種有效和方便地制造復合元件的方法。于是，本發(fā)明對于相關工業(yè)是很有價值的。
權利要求
1.一種復合元件，所述復合元件包括(1)由至少一個絕緣層和至少兩個電極層構成的電容器；(2)緊貼在所述電容器的外周表面或者包括電容器而其上沒有設置電極的一部分所述絕緣層外周表面上形成的一個螺旋導體條和多個端子，其特征在于所述電極層和所述螺旋導體條與所述多個端子電連接。
2.如權利要求1所述的復合元件，其特征在于所述螺旋導體條由與設置在所述復合元件上的端子元件相同的材料構成。
3.如權利要求1所述的復合元件，其特征在于所述螺旋導體條的螺旋軸在取向上平行于組成電容器的所述電極層平面。
4.如權利要求1所述的復合元件，其特征在于其中包括多個電容器。
5.如權利要求1所述的復合元件，其特征在于所述螺旋導體條在兩端以及其它部分分別與所述多個端子電連接。
6.如權利要求1所述的復合元件，其特征在于所述螺旋導體條和組成所述電容器的所述電極中至少一個電極至少在一個點上被電連接至所述端子之一。
7.如權利要求1所述的復合元件，其特征在于除被所述端子占據的部分以外的整個表面被外部絕緣層所覆蓋。
8.如權利要求7所述的復合元件，其特征在于所述外部絕緣層包括磁性材料粉末和/或陶瓷粉末。
9.如權利要求7所述的復合元件，其特征在于所述外部絕緣層進一步被導電材料所覆蓋。
10.一種復合元件，所述復合元件包括(1)緊貼著絕緣體或磁性體上形成的螺旋導體條；(2)由至少一個絕緣層和至少兩個電極層組成的電容器，其特征在于所述螺旋導體條和所述電容器是在將一絕緣層置于二者之間后相互層疊，所述螺旋導體條的螺旋軸在取向上平行于組成電容器的所述電極層平面，所述電極層和所述螺旋導體條至少在一點上是電連接的。
11.一種制造復合元件的方法，所述方法包括步驟形成由至少一個絕緣層和至少兩個電極層構成的電容器；在所述絕緣層和所述電容器的外周表面上形成一層附加絕緣層；以及在被所述附加絕緣層覆蓋的所述電容器的外周上形成一螺旋導體條和一端子。
12.如權利要求11所述的制造復合元件的方法，其特征在于形成所述導體和所述端子的步驟包括下列步驟在被所述另一絕緣層覆蓋的所述電容器的外周上形成一導電層；以及對所述導電層進行激光加工。
13.如權利要求11所述的制造復合元件的方法，其特征在于形成所述導體和所述端子的步驟包括下列步驟在被所述另一絕緣層覆蓋的所述電容器的外周上形成一導電層；以及對所述導電層進行機械切割。
14.如權利要求11所述的制造復合元件的方法，其特征在于形成所述導體和所述端子的步驟包括下列步驟在被所述附加絕緣層覆蓋的所述電容器的外周上形成一導電層；以及對所述導電層進行濕蝕刻。
15.如權利要求11所述的制造復合元件的方法，其特征在于形成所述導體和所述端子的步驟包括下列步驟用掩膜覆蓋除這樣一些表面區(qū)以外的表面部分，這里所述端子和所述螺旋導體條將形成在被所述另一絕緣層覆蓋的所述電容器的外圍表面上，以及在未被所述掩膜覆蓋的所述表面區(qū)上形成一導體。
16.如權利要求15所述的制造復合元件的方法，其特征在于所述的形成導體的步驟是通過真空蒸鍍和濕蒸鍍的手段進行的。
17.如權利要求11所述的制造復合元件的方法，其特征在于形成所述導體和所述端子的步驟包括下列步驟用導電糊在這樣一些表面區(qū)上形成導體，這里所述端子和所述螺旋導體條將形成在被所述附加絕緣層覆蓋的所述電容器的外圍表面上，以及在由所述導電糊形成的導體上形成一電鍍層。
18.一種制造復合元件的方法，所述方法包括下列步驟形成由至少一個絕緣層和設置在一部分所述絕緣層上的至少兩個電極層構成的電容器；在所述絕緣層和所述電容器的外周表面上形成附加絕緣層；以及在所述附加絕緣層的外周上形成一螺旋導體條和一端子。
19.一種制造復合元件的方法，所述方法包括下列步驟形成由至少一個絕緣層和至少兩個電極層構成的電容器；緊貼在絕緣體或磁性體的外周形成一螺旋導體條；以及將所述電容器和所述絕緣體或所述磁性體層疊起來，經置于其間的附加絕緣層在其上緊貼著形成所述螺旋導體條。
全文摘要
本發(fā)明的復合元件包括緊貼著由絕緣層和電極層構成的電容器的外周形成的一螺旋導體條和多個端子。螺旋導體條由與復合元件端子相同的材料制成。復合元件的特征在于其結構,螺旋導體條的螺旋軸平行于組成電容器的電極層的平面。此外,本發(fā)明的復合元件能夠將多個電容器包含在其中。因此,復合元件展示了現有技術的相似復合元件不能提供的超高的電特性。另外,本發(fā)明的方法能夠制造包含多種不同濾波器電路的復合元件,在制造條件上無需作實質性改變。因此,本發(fā)明的方法適合于制造小批量但是多種類的復合元件。
文檔編號H01G4/40GK1258373SQ99800278
公開日2000年6月28日 申請日期1999年3月11日 優(yōu)先權日1998年3月13日
發(fā)明者井端昭彥, 大庭美智央, 吉澤俊博 申請人:松下電器產業(yè)株式會社