專利名稱：太陽能電池裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可獲得清潔的絕緣基板表面及透明氧化物電極表面、且能將所希望的光透射量供給半導(dǎo)體層的太陽能電池裝置的制造方法。
背景技術(shù)：


圖10是表示現(xiàn)有太陽能電池裝置102的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
太陽能電池裝置102是這樣形成的在作為透明玻璃基板的絕緣基板10的表面上形成透明氧化物電極12，并在該透明氧化物電極12的表面上依次重疊p型半導(dǎo)體層18、緩沖層20、本征半導(dǎo)體層22、n型半導(dǎo)體層24、金屬電極26，形成重疊結(jié)構(gòu)。
絕緣基板10把從不形成透明氧化物電極12的另一側(cè)表面(圖中的下側(cè))入射的光傳遞給透明氧化物電極12。
透明氧化物電極12是為了把通過絕緣基板10入射的光(主要是太陽光)，通過p型半導(dǎo)體層18及緩沖層20傳導(dǎo)到本征半導(dǎo)體層22上，同時保持與p型半導(dǎo)體層18的歐姆性接觸而形成的。
p型半導(dǎo)體層18是為了把由入射光在本征半導(dǎo)體層22上生成的電荷載體(載流子)引導(dǎo)到透明氧化物電極12上而設(shè)置的由p型半導(dǎo)體構(gòu)成的層。緩沖層20具有這樣的功能防止p型半導(dǎo)體層18中含有的p型雜質(zhì)(硼)混入本征半導(dǎo)體層22中而使其禁帶寬度變窄。本征半導(dǎo)體層22是由用來吸收入射光后生成電荷載體的本征半導(dǎo)體形成的層。n型半導(dǎo)體層24是為了將在本征半導(dǎo)體層22中生成的電荷載體引導(dǎo)到金屬電極26上而設(shè)置的由n型半導(dǎo)體構(gòu)成的層。在金屬電極26上連接用來取出電力的布線。
其次，用圖11至圖15說明上述現(xiàn)有太陽能電池裝置的制造方法。
首先，在絕緣基板10上為了形成透明氧化物電極12而形成氧化錫膜，然后在其整個表面上涂敷感光樹脂13。然后用規(guī)定的掩模，對該感光樹脂13進(jìn)行曝光及顯影處理，在成為太陽能電池裝置102的區(qū)域保留感光樹脂13。
接著，如圖11所示，將該感光樹脂13作為刻蝕掩模，用碘化氫(HI)及氬(Ar)作為原料氣，用反應(yīng)離子刻蝕裝置對透明氧化物電極12進(jìn)行刻蝕。然后，將感光樹脂13除去，如圖12所示，在絕緣基板10的表面上呈設(shè)置了透明氧化物電極12的狀態(tài)。
接著，如圖13所示，利用等離子體CVD(化學(xué)汽相淀積)法，在絕緣基板10的整個表面上形成p型半導(dǎo)體層18，以便覆蓋透明氧化物電極12。這時，原料氣采用硅烷(SiH4)及乙硼烷(B2H6)。另外，同時導(dǎo)入甲烷氣(CH4)，將p型半導(dǎo)體層18變成碳化硅，防止禁帶寬度變窄，同時防止光變換效率降低。接著在p型半導(dǎo)體層18的整個表面上重疊地形成緩沖層20。這是采用等離子體CVD法，用硅烷(SiH4)及甲烷氣(CH4)進(jìn)行的。其次，在緩沖層20的整個表面上形成本征半導(dǎo)體層22。這也是采用等離子體CVD法，使用硅烷(SiH4)作為原料氣進(jìn)行的。
另外，如圖14所示，在本征半導(dǎo)體層22的整個表面上形成n型半導(dǎo)體層24。這是采用等離子體CVD法，用硅烷(SiH4)及磷化氫(PH3)進(jìn)行的。此后，采用濺射法在n型半導(dǎo)體層24的整個表面上形成作為金屬電極26用的金屬膜25，然后在其整個表面上涂敷感光樹脂15。
然后，如圖15所示，用規(guī)定的掩模對感光樹脂15進(jìn)行曝光及顯影處理，只在成為太陽能電池裝置102的區(qū)域保留感光樹脂15。其次，將該感光樹脂15作為刻蝕掩模，采用反應(yīng)離子刻蝕法，將金屬膜25及重疊在其下側(cè)的各層刻蝕除去，再將該刻蝕掩模中使用的感光樹脂15除去。
于是，如圖10所示，能在透明氧化物電極12上從p型半導(dǎo)體層18開始，依次重疊緩沖層20、本征半導(dǎo)體層22、n型半導(dǎo)體層24及金屬電極26而構(gòu)成太陽能電池裝置102。
雖然用以上制造方法能制造太陽能電池裝置102，但該太陽能電池裝置102由于采用氧化錫作為透明氧化物電極12的材料，所以存在以下問題。在刻蝕氧化錫時，能將碘化氫(HI)、溴化氫(HBr)、氯化氫(HCl)等作為原料氣，用反應(yīng)離子刻蝕裝置進(jìn)行。特別是碘化氫的刻蝕特性好，能獲得較高的刻蝕速率?？墒?，如果使用碘化氫，則通過刻蝕，會產(chǎn)生碘化錫系列化合物11，該碘化錫系列化合物11附著在反應(yīng)離子刻蝕裝置的反應(yīng)室內(nèi)，或如圖10至圖15所示，附著在絕緣基板10或透明氧化物電極12上，引起污染，所以存在太陽能電池裝置的成品率下降的問題。另外，如果引起絕緣基板10或透明氧化物電極12污染，則光的透過量減少，取出的電力降低，所以從提高太陽能電池的輸出特性來看，解決這些污染是極其重要的問題。
本發(fā)明的目的在于在太陽能電池裝置的制造方法中，通過解決這些問題，獲得清潔的絕緣基板表面和透明氧化物電極表面，制造能將所希望的光透過量供給半導(dǎo)體層的太陽能電池裝置。
發(fā)明的公開為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的太陽能電池裝置的制造方法的特征在于包括下列工序刻蝕在絕緣基板上形成的金屬膜而形成透明氧化物電極的工序；利用比形成透明氧化物電極的工序中的刻蝕氣體的飽和蒸汽壓高的鹵素氣體，清洗絕緣基板表面和透明氧化物電極表面的工序；在透明氧化物電極表面上依次形成p型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層及n型半導(dǎo)體層的工序；以及在n型半導(dǎo)體層上形成金屬電極的工序。
如果利用該制造方法制造太陽能電池裝置，則絕緣基板表面和透明氧化物電極表面變得干凈，透明性高。因此，能獲得所希望的光透過量。
另外，作為太陽能電池裝置的制造方法也可以包括下列工序刻蝕在絕緣基板上形成的金屬膜而形成透明氧化物電極的工序；用純水清洗絕緣基板表面和透明氧化物電極表面的工序；在透明氧化物電極表面上依次形成p型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層及n型半導(dǎo)體層的工序；以及在該n型半導(dǎo)體層上形成金屬電極的工序。
另外，最好采用這樣的太陽能電池裝置的制造方法，即在清洗絕緣基板表面和透明氧化物電極表面的工序之前或之后，還有用純水清洗絕緣基板表面和透明氧化物電極表面的工序。
而且，用純水清洗絕緣基板表面和透明氧化物電極表面的工序可以是在施加超聲波的水槽內(nèi)搖動地清洗絕緣基板和透明氧化物電極的工序。
附圖的簡單說明圖1是表示用本發(fā)明的最佳實施方案的制造方法獲得的太陽能電池裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2是表示圖1所示的太陽能電池裝置的工作狀態(tài)的剖面圖。
圖3至圖9是表示本發(fā)明的最佳實施方案的太陽能電池裝置的制造方法的各工序的剖面圖。
圖10是表示現(xiàn)有的太陽能電池裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖11至圖15是表示現(xiàn)有的太陽能電池裝置的制造方法的各工序的剖面圖。
實施發(fā)明用的最佳方案以下，用附圖詳細(xì)說明用來實施本發(fā)明的太陽能電池裝置的制造方法的最佳方案。
首先，用圖1說明按照本發(fā)明制造的太陽能電池裝置。另外，與圖10所示的現(xiàn)有太陽能電池裝置的結(jié)構(gòu)相同的部分標(biāo)以與其相同的符號。圖1是表示按照本發(fā)明制造的太陽能電池裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
如圖1所示，太陽能電池裝置2是這樣形成的將透明氧化物電極12設(shè)置在作為透明玻璃基板的絕緣基板10的表面上，對該透明氧化物電極12的表面進(jìn)行氧化性等離子體處理后，設(shè)置表面處理層14，并在它上面設(shè)置氮化硅膜16，在該氮化硅膜16上依次重疊p型半導(dǎo)體層18、緩沖層20、本征半導(dǎo)體層22、n型半導(dǎo)體層24、金屬電極26，形成重疊結(jié)構(gòu)。
絕緣基板10呈平板狀，具有適當(dāng)?shù)膶挾群烷L度、以及適當(dāng)?shù)暮穸?，把從不形成透明氧化物電極12的另一側(cè)表面(圖中的下側(cè))入射的光傳遞給透明氧化物電極12。
透明氧化物電極12是為了把通過絕緣基板10入射的光(主要是太陽光)，通過表面處理層14、氮化硅膜16、p型半導(dǎo)體層18及緩沖層20傳導(dǎo)到本征半導(dǎo)體層22上，同時保持與p型半導(dǎo)體層18的歐姆性接觸而形成的，其上連接有把所產(chǎn)生的電力取出到外部的布線。
另外，如圖1所示，使透明氧化物電極12的不設(shè)置p型半導(dǎo)體層18的側(cè)面12a從上端開始朝向絕緣基板10逐漸地向外側(cè)傾斜而呈錐形。由此防止金屬電極26斷線及短路。
在該透明氧化物電極12的表面上實施了氧化性等離子體處理后形成表面處理層14，該表面處理層14具有抑制透明氧化物電極12還原、使表面在化學(xué)上穩(wěn)定、提高太陽能電池裝置2的特性的表面穩(wěn)定層的功能。即，通過實施氧化性等離子體處理，使形成了氧原子等離子體的表面處理層14中含有的氧原子與出現(xiàn)在透明氧化物電極12的表面上的未結(jié)合的錫原子相結(jié)合，抑制p型半導(dǎo)體層18中含有的雜質(zhì)(硼)和該未結(jié)合的錫原子相結(jié)合(抑制還原)。這樣，可以說表面處理層14是能使透明氧化物電極12的表面穩(wěn)定的層。
氮化硅膜16是為了防止透明氧化物電極12和p型半導(dǎo)體層18互相擴(kuò)散、防止入射的太陽光反射而能有效地入射到本征半導(dǎo)體層22上而形成的。
p型半導(dǎo)體層18是由p型半導(dǎo)體構(gòu)成的層，設(shè)置該層的目的在于形成內(nèi)部電場，以便將由入射光在本征半導(dǎo)體層22上生成的電荷載體引導(dǎo)到透明氧化物電極12上。
緩沖層20具有這樣的功能防止p型半導(dǎo)體層18中含有的p型雜質(zhì)(硼)混入本征半導(dǎo)體層22中而使其禁帶寬度變窄，防止光吸收效率下降。本征半導(dǎo)體層22是由本征半導(dǎo)體形成的層，用來生成與吸收的入射光的能量對應(yīng)的電荷載體(電子及空穴對)。n型半導(dǎo)體層24是由n型半導(dǎo)體構(gòu)成的層，用來形成將在本征半導(dǎo)體層22中生成的電荷載體引導(dǎo)到金屬電極26上用的內(nèi)部電場。金屬電極26上連接有用來把所產(chǎn)生的電力取出來的布線。
具有以上結(jié)構(gòu)的太陽能電池裝置2如圖2所示那樣使用。即，通過表面處理層14將導(dǎo)線27連接到透明氧化物電極12的表面上，同時將導(dǎo)線28連接在金屬電極26上，將負(fù)載電阻29連接在導(dǎo)線27和導(dǎo)線28上。
然后，如果使光線30從絕緣基板10的不形成透明氧化物電極12的背面入射，則該入射的光30從透明氧化物電極12經(jīng)過表面處理層14、氮化硅膜16、p型半導(dǎo)體層18、緩沖層20，到達(dá)本征半導(dǎo)體層22。于是，接收到該光30的能量后，在本征半導(dǎo)體層22中生成電子、空穴對。該電子、空穴對被由p型半導(dǎo)體層18和n型半導(dǎo)體層24形成的電場分離，在透明氧化物電極12和金屬電極26上出現(xiàn)電動勢。該電動勢從通過導(dǎo)線27、導(dǎo)線28連接的負(fù)載電阻29取出。就這樣將入射光所具有的能量變換成了電能。
這時，透明氧化物電極12由于在其表面上設(shè)有經(jīng)過氧化性等離子體處理的表面處理層14，所以能抑制其表面的還原而達(dá)到化學(xué)上的穩(wěn)定。因此，其透射率不會下降，非晶體半導(dǎo)體層的質(zhì)量也不會劣化，所以能提高開放端電壓，作為太陽能電池裝置能獲得好的輸出特性。以上，通過設(shè)置氮化硅膜16，能使透明氧化物電極12的質(zhì)量更加穩(wěn)定，所以能進(jìn)一步提高開放端電壓。

其次，用圖3～圖9和圖1詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方案的太陽能電池裝置的制造方法。
首先，如圖3所示，為了形成透明氧化物電極12，在絕緣基板10上形成氧化錫。這時用CVD法形成膜，膜厚為900nm左右。接著，在形成了氧化錫膜的絕緣基板10的整個表面上涂敷厚度為2.3微米左右的感光樹脂13，用規(guī)定的掩模對該感光樹脂13進(jìn)行曝光及顯影處理，在構(gòu)成太陽能電池裝置2的區(qū)域保留感光樹脂13。
接著，如圖4所示，將該感光樹脂13作為刻蝕掩模，在下述條件下對形成了薄膜的氧化錫進(jìn)行刻蝕。使用碘化氫(HI)及氬(Ar)作為刻蝕氣體，按照3∶1的流量比將它們分別導(dǎo)入反應(yīng)性離子刻蝕裝置的反應(yīng)室中。然后，施加頻率為2.45GHz功率為1kw的微波、頻率為13.56MHz功率為300w的高頻波，一邊將絕緣基板10冷卻到15℃，一邊使反應(yīng)室的壓力為10毫乇。在上述條件下對形成了薄膜的氧化錫進(jìn)行刻蝕。形成圖形。這時，雖然使絕緣基板10冷卻，但通過冷卻能提高感光樹脂13的選擇比。
另外，如圖5所示，這樣進(jìn)行刻蝕，即，為了防止金屬電極26斷線及短路，使透明氧化物電極12的不被覆感光樹脂13的側(cè)面12a從上端開始朝向絕緣基板10逐漸地向外側(cè)傾斜而呈錐形。
然后，將感光樹脂13除去，獲得在絕緣基板10上設(shè)置了透明氧化物電極12的狀態(tài)?？墒?，由于在刻蝕氣體中使用碘化氫對氧化錫膜進(jìn)行刻蝕，所以碘化錫系列化合物11會附著在絕緣基板10和透明氧化物電極12上而引起污染。因此，對絕緣基板10和透明氧化物電極12進(jìn)行如下清洗。
即，作為原料氣，將具有本發(fā)明特征的刻蝕氣體，即比碘化氫(HI)的飽和氣壓高的鹵素系列氣體之一氯化氫(HCl)和氬(Ar)按照5∶1的流量比導(dǎo)入反應(yīng)性離子刻蝕裝置的反應(yīng)室中。然后，施加頻率為2.45GHz功率為1kw的微波、頻率為13.56MHz功率為300w的高頻波，使反應(yīng)室的壓力為10毫乇。在該條件下產(chǎn)生等離子體，清洗絕緣基板10和透明氧化物電極12的表面。這樣將附著的碘化錫系列化合物11除去后，能使其表面清潔。另外，作為比碘化氫(HI)的飽和氣壓高的鹵素系列氣體，也可以采用溴化氫(HBr)代替氯化氫(HCl)。
通過以上清洗工序?qū)⒌饣a系列化合物11除去的理由如下。清洗時如果使用氯化氫或溴化氫，例如在使用氯化氫的情況下，構(gòu)成碘化錫系列化合物11的錫(Sn)與構(gòu)成氯化氫的氯化合而變成氯化錫(SnCl)，碘(I)與氫化合而變成碘化氫(HI)。于是，這時生成的氯化錫由于其飽和蒸汽壓比碘化錫的飽和蒸汽壓高，所以與反應(yīng)離子刻蝕裝置的反應(yīng)室中的刻蝕壓力之差變大。因此，在刻蝕中生成的氯化錫和碘化氫不會附著在絕緣基板10和透明氧化物電極12的表面上而殘留下來，而是被排放到反應(yīng)室的外部。這樣，在清洗工序中，碘化錫系列化合物11與氯化氫反應(yīng)，變成氯化錫(SnCl)及碘(I)后被排放出去，絕緣基板10和透明氧化物電極12的表面呈清潔狀態(tài)。
另一方面，碘化錫系列化合物11具有可溶于純水的性質(zhì)。因此，可以采用純水清洗絕緣基板10和透明氧化物電極12的表面的方法來改變上述方法。該清洗方法是在形成透明氧化物電極12后，將絕緣基板10從反應(yīng)室取出，放入施加超聲波的水槽內(nèi)，搖動清洗5分鐘。將該清洗作業(yè)反復(fù)進(jìn)行兩次，從碘化錫系列化合物11附著在絕緣基板10和透明氧化物電極12的表面上的狀態(tài)，獲得將其除去后的清潔表面。
其次，經(jīng)過以上清洗工序后，為了使透明氧化物電極12的表面穩(wěn)定，對清潔的透明氧化物電極12進(jìn)行氧化性等離子體處理，形成表面處理層14。該氧化性等離子體處理是這樣進(jìn)行的使用由流量比為6∶1的氧(O2)和氬(Ar)構(gòu)成的原料氣，在施加了頻率為約13.56MHz功率為300W的高頻波的等離子體氣氛中，使透明氧化物電極12曝光。于是，如圖6所示，不用說清潔的透明氧化物電極12的表面，就連側(cè)面12a也能形成進(jìn)行氧化性等離子體處理而得到的厚度達(dá)數(shù)nm的表面處理層14。
另外，如圖7所示，在絕緣基板10的整個表面上形成用來防止入射的太陽光反射的厚度約為2nm的氮化硅膜16。該處理是這樣進(jìn)行的原料氣中使用硅烷(SiH4)和氮氣(N2)，并采用約13.56MHz的高頻放電的等離子體CVD(化學(xué)氣相淀積)法進(jìn)行。
此后，采用等離子體CVD(化學(xué)氣相淀積)法，在絕緣基板10的整個表面上形成p型半導(dǎo)體層18，以便覆蓋氮化硅膜16。這時，原料氣使用硅烷(SiH4)及乙硼烷(B2H6)，使p型半導(dǎo)體層18的厚度為10nm左右。另外，同時導(dǎo)入甲烷氣(CH4)使p型半導(dǎo)體層18變成碳化硅，防止其禁帶變窄，同時防止光吸收率下降。接著在p型半導(dǎo)體層18的整個表面上層疊形成緩沖層20。這是采用等離子體CVD法，用硅烷(SiH4)、甲烷氣(CH4)和氫(H2)作為原料氣進(jìn)行的，使緩沖層20的厚度為13nm左右。然后，在緩沖層20的整個表面上形成本征半導(dǎo)體層22。這也是采用等離子體CVD法，使用硅烷(SiH4)作為原料氣進(jìn)行的。本征半導(dǎo)體層22的厚度為600nm左右。
然后，如圖8所示，在本征半導(dǎo)體層22的整個表面上形成n型半導(dǎo)體層24。這是采用等離子體CVD法，用硅烷(SiH4)及磷化氫(PH3)作為原料氣進(jìn)行的，使膜厚生長到40nm左右。此后，采用濺射法在n型半導(dǎo)體層24的整個表面上形成作為金屬電極26用的金屬膜25。這時，原料氣使用鈦(Ti)，使金屬膜25的厚度為200nm左右。然后，用旋轉(zhuǎn)涂敷法在金屬膜25的整個表面上涂敷膜厚為1.2微米左右的感光樹脂17。
然后，如圖9所示，用規(guī)定的掩模對感光樹脂17進(jìn)行曝光及顯影處理，只在成為太陽能電池裝置2的區(qū)域保留感光樹脂17。其次，將該感光樹脂17作為刻蝕掩模，首先，用氯(Cl2)和三氯化硼(BCl3)作為刻蝕氣體，利用反應(yīng)離子刻蝕裝置，將金屬膜25刻蝕除去，形成金屬電極26。
其次，同樣將感光樹脂17和金屬電極26作為刻蝕掩模，將六氟化硫(SF6)和四氟化碳(CF4)和氧(O2)作為原料氣，利用反應(yīng)離子刻蝕裝置，自行調(diào)整地對重疊在金屬電極26的下側(cè)的n型半導(dǎo)體層24、本征半導(dǎo)體層22、緩沖層20、p型半導(dǎo)體層18及氮化硅膜16進(jìn)行刻蝕。然后，將該作為刻蝕掩模用的感光樹脂17除去。
于是，如圖1所示，在透明氧化物電極12上形成表面處理層14，同時在表面處理層14上形成氮化硅膜16，而且從p型半導(dǎo)體層18開始依次重疊緩沖層20、本征半導(dǎo)體層22、n型半導(dǎo)體層24及金屬電極26，制成了太陽能電池裝置2。
如上制造的太陽能電池裝置2在形成了透明氧化物電極12時，通過清洗絕緣基板10和透明氧化物電極12的表面，將附著的碘化錫系列化合物除去，獲得了清潔的表面，得到從表面處理層14至金屬電極26依次重疊的多層重疊結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明的太陽能電池裝置2不僅能防止成品率下降，而且能增加從絕緣基板10入射的光的透射量，能獲得所希望的光的透射量，增加取出的功率，能提高輸出特性。
另外，在以上的說明中，作為清洗絕緣基板和透明氧化物電極的表面的方法，舉例說明了通過刻蝕形成透明氧化物電極時采用其飽和蒸汽壓比刻蝕氣體高的鹵素氣體進(jìn)行清洗的方法，或者使用純水的清洗方法，但也可以同時采用兩種方法。
另外，雖然說明了在透明氧化物電極的表面上備有表面處理層和氮化硅膜的結(jié)構(gòu)的太陽能電池裝置的制造方法，但本發(fā)明的制造方法不僅適用于制造上述的結(jié)構(gòu)，而且也能適用于只備有表面處理層而沒有氮化硅膜的結(jié)構(gòu)，以及表面處理層和氮化硅膜都沒有的采用現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)的太陽能電池裝置。
工業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的太陽能電池裝置的制造方法，通過清洗絕緣基板和透明氧化物電極的表面，將形成透明氧化物電極時附著的碘化錫系列化合物除去，獲得具有清潔表面的將半導(dǎo)體層層疊的層疊結(jié)構(gòu)。因此，沒有作為雜質(zhì)的碘化錫系列化合物，由此相應(yīng)地提高了絕緣基板和透明氧化物電極的透明性。因此，不僅能防止太陽能電池裝置的成品率下降，而且能增加從絕緣基板入射的光的透射量，能獲得所希望的光的透射量，增加取出的功率，能謀求提高輸出特性。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序?qū)υ诮^緣基板上形成的金屬膜進(jìn)行刻蝕而形成透明氧化物電極的工序；利用比形成上述透明氧化物電極的工序中的刻蝕氣體的飽和蒸汽壓高的鹵素氣體，清洗上述絕緣基板表面和上述透明氧化物電極表面的工序；在上述透明氧化物電極表面上依次形成p型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層及n型半導(dǎo)體層的工序；以及在上述n型半導(dǎo)體層上形成金屬電極的工序。
2.一種太陽能電池裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序?qū)υ诮^緣基板上形成的金屬膜進(jìn)行刻蝕而形成透明氧化物電極的工序；用純水清洗上述絕緣基板表面和上述透明氧化物電極表面的工序；在上述透明氧化物電極表面上依次形成p型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層及n型半導(dǎo)體層的工序；以及在該n型半導(dǎo)體層上形成金屬電極的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池裝置的制造方法，其特征在于在清洗上述絕緣基板表面和上述透明氧化物電極表面的工序之前或之后，還有用純水清洗上述絕緣基板表面和上述透明氧化物電極表面的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池裝置的制造方法，其特征在于用純水清洗上述絕緣基板表面和上述透明氧化物電極表面的工序是在施加超聲波的水槽內(nèi)搖動地清洗上述絕緣基板和上述透明氧化物電極的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池裝置的制造方法，其特征在于用純水清洗上述絕緣基板表面和上述透明氧化物電極表面的工序是在施加超聲波的水槽內(nèi)搖動地清洗上述絕緣基板和上述透明氧化物電極的工序。
全文摘要
太陽能電池裝置(2)的制造方法,包括下列工序:在絕緣基極(10)的表面上形成透明氧化物電極(12)的工序;利用比設(shè)置該透明氧化物電極(12)時的刻蝕氣體的飽和蒸汽壓高的鹵素氣體,清洗絕緣基極(10)和透明氧化物電極(12)的表面的工序;依次層疊表面處理層(14)、氮化硅膜(16)、p型半導(dǎo)體層(18)、緩沖層(20)、本征半導(dǎo)體層(22)、n型半導(dǎo)體層(24)、金屬電極(26),形成重疊結(jié)構(gòu)的工序。如果采用該制造方法。則由于有清洗絕緣基板(10)和透明氧化物電極(12)的表面的工序,所以其表面清潔,透明性好,能獲得所希望的光透射量。
文檔編號H01L31/18GK1256010SQ99800044
公開日2000年6月7日 申請日期1999年1月22日 優(yōu)先權(quán)日1998年1月28日
發(fā)明者桝町信三, 中山諭 申請人:時至準(zhǔn)鐘表股份有限公司