專利名稱：可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管及其制作方法，特別是涉及一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管及其制作方法。
發(fā)光二極管(LED；Light-Emitting Diode)由于具備有壽命長、體積小、發(fā)熱量低、耗電量小、反應(yīng)速度快及單色光發(fā)光的特性及優(yōu)點，所以自1960年起發(fā)展至今，不管在電腦外設(shè)、時鐘顯示器、儀器儀表上、或在通訊業(yè)、資訊業(yè)及消費類電子產(chǎn)品上被大量使用。尤其是近幾年來，由于高亮度發(fā)光二極管技術(shù)的開發(fā)，LED的應(yīng)用已從室內(nèi)走向戶外，如戶外廣告顯示板、交通信號燈、道路信息顯示幕(VMS)等都得以應(yīng)用。但LED應(yīng)用在戶外時，必須具有高亮度。對此世界各國都在LED材料上研究，尋找高亮度發(fā)光二極管的新材料，如臺灣專利公告第291610號“高亮度發(fā)光二極管及其制作方法”、第232753號“高亮度發(fā)光二極管的制作”、第275970號“增進亮度、方向性的發(fā)光二極管”等。
發(fā)光二極管(LED)，尤其是可見光發(fā)光二極管，其結(jié)構(gòu)型態(tài)可因其選用材質(zhì)能帶間隙及欲發(fā)射可見光顏色的不同，而有基本不同材質(zhì)的基板，如

圖1及圖2所示。其中圖1中常用在LED磊晶層14，為直接能帶間隙型態(tài)的合金三五化合物(direct-bandgap LEDs；GaAs1-yPy；0＜y＜0．45；以發(fā)射紅光為主)，其構(gòu)造主要是在一非透明的砷化鎵基板(GaAs)12上形成一具有一PN結(jié)的LED磊晶層14，并在LED磊晶層14與砷化鎵基板12的兩對側(cè)濺鍍或蒸鍍有一背面電極16或正面電極18，而兩電極16、18在通電后即可讓LED磊晶層14上的PN結(jié)自然向四面八方發(fā)射光源(如虛線箭頭所示的側(cè)面光r1及正面光L1)。這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管因砷化鎵基板12會大量吸收射向其位置的入射光線(a1)，會將造成較高的LED發(fā)射光線的亮度損耗(據(jù)研究指出，該種亮度損耗將占據(jù)其總發(fā)射能量的一半)。雖然，目前業(yè)界亦有為降低基板的吸光作用而在其基板上添加一些雜質(zhì)的作法，如添加鋁材質(zhì)的DBR等結(jié)構(gòu)，希望可增加砷化鎵基板的反射率及降低其光源吸收量，但實際上其所能改善及增加的亮度并不明顯，效果非常有限。
如圖2所示，常用在LED磊晶層24為間接能帶間隙型態(tài)的合金三五化合物(indirect-bandgap LEDs；GaAs1-yPy；0．45＜y；以發(fā)射黃光、橙光、綠光為主)，其構(gòu)造主要是在一半透明的磷化鎵基板(GaP)22上形成一具有一PN結(jié)的LED磊晶層24，并在LED磊晶層24與磷化鎵基板22的兩對側(cè)濺鍍或蒸鍍有一背面電極26或正面電極28，同樣可在兩電極26、28在通電后而自然向四面八方發(fā)射光線(如虛線箭頭所示的r2，其正面光將被正面電極28所阻隔)。此以磷化鎵為基板的LED構(gòu)造與砷化鎵為基板的不同處在于其磷化鎵為一半透明材質(zhì)，吸收入射光線(a2)的情形已相對大幅降低，再由其背面電極26的反射作用，可將入射光源反射至LED透明磊晶層24中發(fā)射出去，故可相對提高其LED發(fā)射亮度。但此種LED構(gòu)造由于只適用于間接能帶間隙型態(tài)的半導(dǎo)體元件，在制作程序上較為麻煩，必須摻雜一些雜質(zhì)以混入再結(jié)合中心，以方便其由晶格作用或其它散色中心來轉(zhuǎn)換能量，不僅煩瑣，且造成成本提高。另外由于每個LED設(shè)計發(fā)射的波長或顏色不同，故雖然此結(jié)構(gòu)可提供較高亮度的LED發(fā)光二極管，但并無法推廣至所有LED晶體上使用。
因此，需設(shè)計出一種可適用在直接能帶間隙型態(tài)LED磊晶層上使用的基板，其不僅不會吸收LED所發(fā)射出的光線亮度，又可將此光線再反射回去來加強其整體的發(fā)光亮度。
本發(fā)明的目的在于提供一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管及其制作方法，它可有效提高其發(fā)射光線亮度。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，包含有一具有一PN結(jié)的發(fā)光二極管磊晶層；一粘合反射層，連設(shè)在該發(fā)光二極管磊晶層的底層，可將來自發(fā)光二極管磊晶層的入射光進行反射作用再透射出該發(fā)光二極管磊晶層；一具高導(dǎo)電性質(zhì)的導(dǎo)電基板，形成在該粘合反射層底層；一形成在該導(dǎo)電基板底層的背面電極；及一形成在該發(fā)光二極管磊晶層頂層的正面電極，可與該背面電極間產(chǎn)生電流通路。
本發(fā)明的目的還可通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該發(fā)光二極管磊晶層可為一直接能帶間隙型態(tài)的合金三五化合物。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該正面電極可以是由一透明材質(zhì)制成的透明電極，可使來自發(fā)光二極管磊晶層的發(fā)射光線透射出去。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該正面電極可以是由一透明材質(zhì)制成的透明電極，可使來自發(fā)光二極管磊晶層的發(fā)射光線透射出去，并且其中該透明電極可選擇氧化鋅、氧化銦、氧化錫、及氧化銦錫的其中之一制成。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該發(fā)光二極管磊晶層及正面電極之間可還存在有一砷化鎵基板。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該發(fā)光二極管磊晶層及正面電極之間可還存在有一砷化鎵基板，并且其中該砷化鎵基板及正面電極的面積小于該發(fā)光二極管磊晶層。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該粘合反射層包括有一粘合層及一反射層，通過晶片粘合方式致使兩者相互貼合。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該粘合反射層包括有一粘合層及一反射層，通過晶片粘合方式致使兩者相互貼合，并且其中該粘合層與反射層為具導(dǎo)電特性的不同材質(zhì)制成。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該粘合反射層包括有一粘合層及一反射層，通過晶片粘合方式致使兩者相互貼合，并且其中該粘合層與反射層為具導(dǎo)電特性的相同材質(zhì)制成。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其中該導(dǎo)電基板亦可與該背面電極合而為一。
一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管的制作方法，包括有下列步驟(1)在一砷化鎵基板上形成一具有一PN結(jié)的發(fā)光二極管磊晶層；(2)在發(fā)光二極管磊晶層未與該砷化鎵基板連接界面的頂層形成一具導(dǎo)電性的反射層；(3)在一導(dǎo)電基板上形成一具導(dǎo)電性的粘合層，且置放該粘合層與發(fā)光二極管磊晶層上的反射層隔空相對；(4)利用晶片粘合技術(shù)致使發(fā)光二極管磊晶層上的反射層及導(dǎo)電基板上的粘合層相互貼合；(5)選擇移除大部分的砷化鎵基板；及(6)在導(dǎo)電基板的底層及所剩余的砷化鎵基板上分別鍍上一電極。
本發(fā)明的目的還可通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中形成的發(fā)光二極管磊晶層為一直接能帶間隙型態(tài)的合金三五化合物。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中選擇移除砷化鎵基板的步驟以化學蝕刻方式進行。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中選擇移除砷化鎵基板的步驟以機械拋光方式進行。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中第(6)步驟中亦可只在砷化鎵基板上鍍上一電極，而導(dǎo)電電極充當另一電極。
一種可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，包括有下列步驟(1)在一砷化鎵基板上形成一具有一PN結(jié)的發(fā)光二極管磊晶層；(2)在發(fā)光二極管磊晶層未與該砷化鎵基板連接界面的頂層形成一具導(dǎo)電性的反射層；(3)在一導(dǎo)電基板上形成一具導(dǎo)電性的粘合層，且置放該粘合層與發(fā)光二極管磊晶層上的反射層隔空相對；(4)利用晶月粘合技術(shù)致使發(fā)光二極管磊晶層上的反射層及導(dǎo)電基板上的粘合層相互貼合；(5)移除剝離該砷化鎵基板；及(6)在導(dǎo)電基板的底層及發(fā)光二極管磊晶層上分別鍍上一電極。
本發(fā)明的目的還可通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中形成的發(fā)光二極管磊晶層為一直接能帶間隙型態(tài)的合金三五化合物。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中移除剝離砷化鎵基板的步驟以化學蝕刻方式進行。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中移除剝離砷化鎵基板的步驟以機械拋光方式進行。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中鍍在發(fā)光二極管磊晶層上的電極可為一透明電極。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中該透明電極可利用蒸鍍或濺鍍方式進行。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中該透明電極可選擇氧化鋅、氧化銦、氧化錫、及氧化銦錫的其中之一制成。
本發(fā)明的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其中第(6)步驟中亦可只在砷化鎵基板上鍍上一電極，面導(dǎo)電電極充當另一電極。
本發(fā)明由于利用晶片(芯片)粘合技術(shù)及化學蝕刻或機械拋光方式剝離移除砷化鎵基板，并以一反射率良好的導(dǎo)電基板來取代砷化鎵基板，如此即可將其LED磊晶層發(fā)射的光線反射再發(fā)射出去，以有效提高其發(fā)射光線亮度。
由于可利用一導(dǎo)電基板以取代原先砷化鎵基板的作用，因此能適應(yīng)市場需求而選擇適當?shù)牟馁|(zhì)為導(dǎo)電基板，提高其市場競爭力。
由于可利用一導(dǎo)電基板以取代原先砷化鎵基板的作用，不管是為散熱作用、導(dǎo)電作用、或反射作用皆可選擇相較砷化鎵基板或磷化鎵基板性能更好的材質(zhì)制作。
下面結(jié)合附圖及較佳實施例，詳細說明依據(jù)本發(fā)明提出的一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管及其制作方法的具體結(jié)構(gòu)和步驟。
圖1是現(xiàn)有的以GaAs為基板的LED構(gòu)造剖視圖；圖2是現(xiàn)有的以GaP為基板的LED構(gòu)造剖視圖；圖3是本發(fā)明一較佳實施例的制程步驟構(gòu)造剖視圖一；圖4是本發(fā)明一較佳實施例的制程步驟構(gòu)造剖視圖二；圖5是本發(fā)明一較佳實施例的制程步驟構(gòu)造剖視圖三；圖6是本發(fā)明一較佳實施例的制程步驟構(gòu)造剖視圖四；圖7是本發(fā)明一較佳實施例的制程步驟構(gòu)造剖視圖五；圖8是本發(fā)明一較佳實施例的制程步驟構(gòu)造剖視圖六；圖9是本發(fā)明發(fā)光二極管一較佳實施例的構(gòu)造剖視圖及其發(fā)光路徑示意圖；圖10是本發(fā)明發(fā)光二極管另一實施例的構(gòu)造剖視圖及其發(fā)光路徑示意圖。
本發(fā)明是一種適用在以砷化鎵為基板的直接能帶間隙型態(tài)合金三五化合物的發(fā)光二極管，其主要利用一適當導(dǎo)電基板來取代先前的砷化鎵基板，由此可降低發(fā)光二極管因砷化鎵基板吸收的大量發(fā)射光源，并大幅提高發(fā)光二極管所發(fā)射出的光源亮度。
首先，請參閱圖3至圖8，其為本發(fā)明一較佳實施例的各制程步驟構(gòu)造剖視圖；本發(fā)明由于主要是適用在一種直接能帶間隙型態(tài)LED磊晶層的合金三五化合物(direct-bandgap LEDs；GaAs1-yPy；0＜y＜0．45；以發(fā)射紅光為主)，故其基板是以一砷化鎵基板(GaAs)為主，而主要步驟包括有步驟1在一砷化鎵基板(GaAs)32上形成一具有一PN結(jié)(或NP結(jié)，如圖中括號所示)的LED磊晶層34，如圖3所示；步驟2在LED磊晶層34未與砷化鎵基板32連接界面的頂層利用光學鍍膜或金屬鍍膜等方式形成一具導(dǎo)電性的反射層36，如圖4所示；步驟3另在一具有高導(dǎo)電性質(zhì)的導(dǎo)電基板42上形成一具有導(dǎo)電性的粘合層44，且將步驟2形成的LED磊晶層34等元件整個構(gòu)造予以180度翻轉(zhuǎn)，而形成導(dǎo)電基板42的粘合層44與LED磊晶層34上的反射層36隔空相對，如圖5所示；步驟4利用晶片粘合技術(shù)致使LED磊晶層34上的反射層36及導(dǎo)電基板42上的粘合層44相互貼合，如圖6所示；步驟5以化學蝕刻或機械拋光方式選擇磨光或移除大部分的砷化鎵基板32體積，而預(yù)留的剩余部分主要是為了可作為一歐姆接觸層，以方便下一步驟的電極連接，故其剩余部分大小幾乎與預(yù)做電極的大小相當，如圖7所示；及步驟6在導(dǎo)電基板42的底層及所剩余的砷化鎵基板32上分別以濺鍍或蒸鍍方式鍍上一相對應(yīng)的背面電極46、正面電極48，如圖8所示。
當然，由于砷化鎵基板32為一非透明材質(zhì)，故其正面電極48亦可選擇非透明的材質(zhì)制成，即使為非透明的電極亦不會對事后的光源發(fā)射亮度有所影響。又，就導(dǎo)電基板42上的粘合層44或LED磊晶層34上的反射層36而言，由于皆是選擇具導(dǎo)電性的材質(zhì)制成，故其材質(zhì)上可選擇為同一或不同，若為同一材質(zhì)則可在粘合后形成一粘合反射層40，若為不同材質(zhì)制成，則反射層36還需考慮到其反射光源的好壞特性。
再者，請參閱圖9，其為本發(fā)明以上述制作方法所制成的發(fā)光二極管構(gòu)造剖視圖及其發(fā)光路徑示意圖；如圖所示，本發(fā)明發(fā)光二極管的主要結(jié)構(gòu)包括一具有一PN結(jié)(或NP結(jié))的發(fā)光二極管(LED)磊晶層34，并在其底層粘合有一由粘合層及反射層組合而成的粘合反射層40及導(dǎo)電基板42，以有利于對LED磊晶層34PN結(jié)發(fā)射的光源(如虛線箭頭所示；a4)進行反射，再透射出該LED磊晶層34。在導(dǎo)電基板42底層設(shè)有一背面電極46，且在LED磊晶層34頂層上依序設(shè)有一砷化鎵基板32及正面電極48，砷化鎵基板32及正面電極48為了讓正面光(L4)可順利透光以增加其發(fā)光亮度，故其面積小于該LED磊晶層34較佳，防止對發(fā)射光源的遮擋；但是有時為制造上方便的考慮，也可選擇將正面電極48與LED磊晶層34作用面積相同，此時只利用其大部分的側(cè)面光(r4)及反射光(a4)。而在此架構(gòu)下，由LED磊晶層34PN結(jié)向四面八方發(fā)射的發(fā)射光源(如虛線箭頭所示)若射向其粘合反射層40(a4)，將受到粘合反射層40的反射作用再反射至LED透明磊晶層34中透射出去，故可相對提高LED發(fā)射亮度，如同以磷化鎵為基板的構(gòu)造一樣，但卻可發(fā)射出紅光光源。
圖10為本發(fā)明發(fā)光二極管另一實施例的構(gòu)造剖視圖及其發(fā)光路徑示意圖；為了讓本發(fā)明發(fā)光二極管的透光亮度更高，在上述制作方法的步驟5中可利用化學蝕刻或機械拋光方式將整個砷化鎵基板32剝離移除，之后再在LED磊晶層34上濺鍍或蒸鍍一可選擇自氧化鋅、氧化銦、氧化錫或氧化銦錫的透明電極50，如此即使射向透明電極50的發(fā)射正面光(L5)及側(cè)面光(r5)皆可輕易透射出去，再加上反射光源(a5)的反射作用，無形之中又提高該發(fā)光二極管的光源亮度，當然有時為了其它因素，還是適用在非透明的電極。另外，由于導(dǎo)電基板42本身即為一導(dǎo)電材質(zhì)制成，所以其亦可充當一背面電極46使用。另外，由于可選擇不同材質(zhì)的導(dǎo)電基板以取代原先砷化鎵基板，不管是對于散熱作用、導(dǎo)電作用或反射作用，皆可更具有彈性及效果，如此以增加其市場競爭力。
綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)在一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管及其制作方法，尤指一種適用在以砷化鎵為基板的直接能帶間隙型態(tài)合金三五化合物的發(fā)光二極管，利用一適當導(dǎo)電基板來取代先前的砷化鎵基板，由此可降低發(fā)光二極管因砷化鎵基板吸收的發(fā)射光源量，并大幅提高發(fā)光二極管發(fā)射出的光源亮度。
本發(fā)明所公開的所有特征及／或所公開的任何方法或過程的所有步驟均可以任何方式組合，只要至少某些特征和／或步驟能夠相互包容即可。
以上所述，僅為本發(fā)明的一較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，例如可在磊晶層與粘合反射層之間添加一些雜質(zhì)層，如磷銦鋁鎵層等，或在其它薄膜層上增加其它如SiC AIN SiO2、InGaN、SnO2、AlInGaP層等。
權(quán)利要求
1.一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于包含有一具有一PN結(jié)的發(fā)光二極管磊晶層；一粘合反射層，連設(shè)在該發(fā)光二極管磊晶層的底層，可將來自發(fā)光二板管磊晶層的入射光進行反射作用再透射出該發(fā)光二極管磊晶層；一具高導(dǎo)電性質(zhì)的導(dǎo)電基板，形成在該粘合反射層底層；一形成在該導(dǎo)電基板底層的背面電極；及一形成在該發(fā)光二極管磊晶層頂層的正面電極，可與該背面電極間產(chǎn)生電流通路。
2.如權(quán)利要求1所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該發(fā)光二極管磊晶層為一直接能帶間隙型態(tài)的合金三五化合物。
3.如權(quán)利要求1所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該正面電極是由一透明材質(zhì)制成的透明電極，可使來自發(fā)光二極管磊晶層的發(fā)射光線透射出去。
4.如權(quán)利要求3所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該透明電極可選擇氧化鋅、氧化銦、氧化錫、及氧化銦錫的其中之一制成。
5.如權(quán)利要求1所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該發(fā)光二極管磊晶層及正面電極之間還存在有一砷化鎵基板。
6.如權(quán)利要求5所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該砷化鎵基板及正面電極的面積小于該發(fā)光二極管磊晶層。
7.如權(quán)利要求1所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該粘合反射層包括有一粘合層及一反射層，通過晶片粘合方式致使兩者相互貼合。
8.如權(quán)利要求7所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該粘合層與反射層為具導(dǎo)電特性的不同材質(zhì)制成。
9.如權(quán)利要求7所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該粘合層與反射層為具導(dǎo)電特性的相同材質(zhì)制成。
10.如權(quán)利要求1所述的可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管，其特征在于其中該導(dǎo)電基板亦可與該背面電極合而為一。
11.一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于包括有下列步驟(1)在一砷化鎵基板上形成一具有一PN結(jié)的發(fā)光二極管磊晶層；(2)在發(fā)光二極管磊晶層未與該砷化鎵基板連接界面的頂層形成一具導(dǎo)電性的反射層；(3)在一導(dǎo)電基板上形成一具導(dǎo)電性的粘合層，且置放該粘合層與發(fā)光二極管磊晶層上的反射層隔空相對；(4)利用晶片粘合技術(shù)致使發(fā)光二極管磊晶層上的反射層及導(dǎo)電基板上的粘合層相互貼合；(5)選擇移除大部分的砷化鎵基板；及(6)在導(dǎo)電基板的底層及所剩余的砷化鎵基板上分別鍍上一電極。
12.如權(quán)利要求11所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中形成的發(fā)光二極管磊晶層為一直接能帶間隙型態(tài)的合金三五化合物。
13.如權(quán)利要求11所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中選擇移除砷化鎵基板的步驟以化學蝕刻方式進行。
14.如權(quán)利要求11所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中選擇移除砷化鎵基板的步驟以機械拋光方式進行。
15.如權(quán)利要求11所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中第(6)步驟中亦可只在砷化鎵基板上鍍上一電極，而導(dǎo)電電極充當另一電極。
16.一種可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于包括有下列步驟(1)在一砷化鎵基板上形成一具有一PN結(jié)的發(fā)光二極管磊晶層；(2)在發(fā)光二極管磊晶層未與該砷化鎵基板連接界面的頂層形成一具導(dǎo)電性的反射層；(3)在一導(dǎo)電基板上形成一具導(dǎo)電性的粘合層，且置放該粘合層與發(fā)光二極管磊晶層上的反射層隔空相對；(4)利用晶月粘合技術(shù)致使發(fā)光二極管磊晶層上的反射層及導(dǎo)電基板上的粘合層相互貼合；(5)移除剝離該砷化鎵基板；及(6)在導(dǎo)電基板的底層及發(fā)光二極管磊晶層上分別鍍上一電極。
17.如權(quán)利要求16所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中形成的發(fā)光二極管磊晶層為一直接能帶間隙型態(tài)的合金三五化合物。
18.如權(quán)利要求16所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中移除剝離砷化鎵基板的步驟以化學蝕刻方式進行。
19.如權(quán)利要求16所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中移除剝離砷化鎵基板的步驟以機械拋光方式進行。
20.如權(quán)利要求16所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中鍍在發(fā)光二極管磊晶層上的電極可為一透明電極。
21.如權(quán)利要求16所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中該透明電極可利用蒸鍍或濺鍍方式進行。
22.如權(quán)利要求16所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中該透明電極可選擇氧化鋅、氧化銦、氧化錫、及氧化銦錫的其中之一制成。
23.如權(quán)利要求16所述的可提高發(fā)光亮度發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于其中第(6)步驟中亦可只在砷化鎵基板上鍍上一電極，面導(dǎo)電電極充當另一電極。
全文摘要
公開了一種可提高發(fā)光亮度的發(fā)光二極管及其制作方法,尤指一種適用在以砷化鎵為基板的直接能帶間隙型態(tài)合金三五化合物的LED,其主要是利用晶片粘合技術(shù)及化學蝕刻或機械拋光方式在完成LED磊晶層粘合于一導(dǎo)電基板后,即可剝離移除砷化鎵基板,并以此導(dǎo)電基板來取代砷化鎵基板的功能,如此當發(fā)光二極管的PN結(jié)四方發(fā)射光源時,其射向?qū)щ娀宓墓庠磳⑼ㄟ^一粘合反射層的反射作用而可再發(fā)射至發(fā)光二極管磊晶層其它區(qū)域以透射出去。
文檔編號H01L33/00GK1281263SQ9910977
公開日2001年1月24日 申請日期1999年7月14日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月14日
發(fā)明者莊豐如 申請人:光磊科技股份有限公司