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電阻器及其制造方法

文檔序號:6823134閱讀:180來源:國知局
專利名稱:電阻器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及高密度布線電路中使用的電阻器及其制造方法。
現(xiàn)有的此種電阻器,公知的有特開平4-102302號公報中公開的電阻器。
下面,參考附圖對現(xiàn)有的電阻器及其制造方法進行說明。
圖8為現(xiàn)有電阻器的剖面圖。
在圖8中,1是絕緣基板;2是在絕緣基板1的上表面的左右兩端設(shè)置的第一上面電極層;3是與第一上面電極層2部分重疊地設(shè)置的電阻層;4是以覆蓋整個電阻層3的方式設(shè)置的第一保護層;5是用來修正電阻值的在電阻層3和第一保護層4上設(shè)置的微調(diào)(triming)溝;6是在第一保護層4的上面設(shè)置的第二保護層;7是在第一上面電極層2的上面設(shè)置的延伸到絕緣基板上的整個寬度上的第二上面電極層;8是在絕緣基板1的側(cè)面設(shè)置的側(cè)面電極層;9、10是在第二上面電極層7和側(cè)面電極層8的表面上設(shè)置的鍍鎳層和焊料鍍層。
下面,參照附圖描述具有如上結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有電阻器的制造方法。
圖9是示出現(xiàn)有電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖9(a)所示,在絕緣基板1的上表面的左右兩端上涂敷形成第一上面電極層2。
然后,如圖9(b)所示,在絕緣基板1的上表面上與第一上面電極層2部分重疊地涂敷形成電阻層3。
然后,如圖9(c)所示,以覆蓋整個電阻層3的方式涂敷形成第一保護層4,之后在電阻層3和第一保護層4上用激光等形成微調(diào)溝5,微調(diào)溝5用來把電阻層3的整個電阻值設(shè)置在預(yù)定的電阻值范圍內(nèi)。
然后,如圖9(d)所示,在第一保護層4的上表面上涂敷形成第二保護層6。
然后,如圖9(e)所示,在第一上面電極層2的上面以延伸到整個絕緣基板寬度之上的方式涂敷形成第二上面電極層7。
然后,如圖9(f)所示,在第一上面電極層2和絕緣基板1的左右兩端的側(cè)面上涂敷形成與第一、第二上面電極層2、7電氣連接的側(cè)面電極層8。
最后,在第二上面電極層7和側(cè)面電極層8的表面上鍍鎳,之后再進行鍍焊料,由此形成鍍鎳層9和焊料鍍層10。現(xiàn)有電阻器的制作就完成了。
但是,具有上述結(jié)構(gòu)的和用上述制造方法制作的電阻器,由于為了提高電阻值精度,而在電阻層3和第一保護層4上形成微調(diào)溝5,存在電阻器的電流噪聲大的問題。
下面參照


其機制。
圖10(a)示出具有現(xiàn)有結(jié)構(gòu)并用現(xiàn)有方法制造的1005型10kΩ電阻器的電阻值修正倍數(shù)和電流噪聲的關(guān)系。可以看出,電阻值修正倍數(shù)越大,電流噪聲就越大?;旧鲜沁@樣的,電阻值修正倍數(shù)越大,電阻層的有效電阻面積越少,從而電流噪聲惡化,更何況在實際中微調(diào)溝周圍部分的電阻層在電阻值修正時會因產(chǎn)生熱量或微裂紋而劣化,電流噪聲更加劣化。圖10(a)中,電阻值修正后的電流噪聲有一個范圍是由于該電阻層的劣化程度有差別造成的。
圖10(b)(c)分別是各工序后電阻層的電流噪聲的變化示圖。圖10(b)是第二保護層是樹脂的場合,圖10(c)是第二保護層是玻璃的場合。此時,與前述相同,微調(diào)工序中電流噪聲惡化。但在第二保護層是樹脂的場合,已惡化的電流噪聲直到成品基本保持不變。在第二保護層是玻璃的場合,由于在燒制第二保護層時為了電阻恢復加了大量的熱量,此時電阻層被已燒成的第一保護層覆蓋,玻璃成分不會向在微調(diào)工序中形成的微裂紋擴散,不能使已劣化的電阻層的恢復改善,即電流噪聲仍然幾乎不能恢復。
另外,若在使電阻層的玻璃成分軟化,微裂紋等被修復的高溫燒制溫度下,電流噪聲恢復,微調(diào)工序之后的電阻值精度則不能保持到成品。
如上所述,具有現(xiàn)有結(jié)構(gòu)并由現(xiàn)有方法制作的具有預(yù)定電阻的電阻器,由于在將電阻值修正到預(yù)定電阻值時在微調(diào)溝周圍產(chǎn)生的熱和微裂紋等的影響造成的電阻層劣化,存在著電阻器的電流噪聲大的問題。
本發(fā)明正是為解決上述問題而提出的,其目的在于提供一種電流噪聲和電阻值精度等優(yōu)良的電阻器及其制造方法。
為了解決上述問題而提出的本發(fā)明的電阻器,包括基板;在該基板上表面的側(cè)邊部分設(shè)置的一對上面電極層;以與上述上面電極層電氣連接的方式設(shè)置的電阻層;通過切削上述電阻層而設(shè)置的第一微調(diào)溝;以至少覆蓋上述第一微調(diào)溝的方式設(shè)置的電阻恢復層;通過切削上述電阻層和電阻恢復層而設(shè)置的第二微調(diào)溝;以及以至少覆蓋上述電阻層和第二微調(diào)溝的方式設(shè)置的保護層。
根據(jù)上述電阻器,由于設(shè)置的電阻恢復層把切削電阻層設(shè)置的微調(diào)溝覆蓋,在該電阻恢復層燒制時軟化和熔融的電阻恢復層中的玻璃成分浸入因第一微調(diào)工序而在電阻層中形成的微裂紋中,從而將劣化的電阻層修復,由此可使形成電阻恢復層后的電流噪聲比第一微調(diào)工序后的電流噪聲顯著減少。另外,由于切削上述電阻層和電阻恢復層而設(shè)置的第二微調(diào)溝,可以通過第二微調(diào)工序?qū)π纬缮鲜鲭娮杌謴蛯訒r的若干惡化的電阻值分布進行向預(yù)定電阻值繼續(xù)調(diào)整的微修正。結(jié)果,該電阻器可以進行將電流噪聲的優(yōu)良狀態(tài)一直保持到成品的電阻值修正,所以可以獲得電流噪聲和電阻值精度優(yōu)良的電阻器。
圖1(a)是本發(fā)明實施例1中的電阻器的剖面圖;圖1(b)是該電阻器的俯視立體圖;圖2(a)~(d)是示出該電阻器的制造方法的工序圖;圖3(a)~(e)是示出該電阻器的制造方法的工序圖4(a)(b)是該制造方法的各工序后的電阻層電流噪聲與電阻值精度的關(guān)系圖;圖5(a)是本發(fā)明實施例2中的電阻器的剖面圖;圖5(b)是該電阻器的俯視立體圖;圖6(a)~(d)是示出該電阻器的制造方法的工序圖;圖7(a)~(d)是示出該電阻器的制造方法的工序圖;圖8是現(xiàn)有電阻器的剖面圖;圖9(a)~(f)是示出該電阻器的制造方法的工序圖;圖10(a)~(c)是示出該電阻器的制造方法的工序圖。
(實施例1)下面參考附圖描述本發(fā)明實施例1的電阻器及其制造方法。
圖1(a)是本發(fā)明實施例1中的電阻器的剖面圖;圖1(b)是該電阻器的俯視立體圖。
圖1中,21是由氧化鋁等構(gòu)成的基板;22是在基板21的上表面的兩側(cè)設(shè)置的、由銀和玻璃等的混合材料等構(gòu)成的一對上面電極層;23是根據(jù)需要在基板21的下表面的兩側(cè)設(shè)置的、由銀和玻璃等的混合材料等構(gòu)成的一對下面電極層;24是在基板21的上面電極層22上以與其部分重疊并電氣連接的方式設(shè)置的、由氧化釕和玻璃的混合材料或銀和鈀和玻璃的混合材料構(gòu)成的電阻層;25是為了將電阻值修正到預(yù)定的電阻值,而用激光等在電阻層24上設(shè)置的第一微調(diào)溝;26是以至少覆蓋電阻層24的方式設(shè)置的由軟化點為500~600℃的硼硅酸鉛玻璃等構(gòu)成的電阻恢復層;27是為了將電阻值微修正到預(yù)定值而用激光等在電阻層24上設(shè)置的第二微調(diào)溝;28是以至少覆蓋電阻層24的方式設(shè)置的由硼硅酸鉛玻璃等或環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的保護層。29是根據(jù)需要在基板21的側(cè)面上,以與上面電極層22和下面電極層23電氣連接的方式設(shè)置的由銀和玻璃的混合材料等構(gòu)成的側(cè)面電極層;30是根據(jù)需要以覆蓋側(cè)面電極層29、上面電極層22的露出部分和下面電極層23的露出部分的方式設(shè)置的用鍍鎳等形成的第一鍍層;31是根據(jù)需要以覆蓋第一鍍層30的方式設(shè)置的第二鍍層。
下面,參照

具有以上構(gòu)造的電阻器的制造方法。
圖2、圖3是示出本發(fā)明實施例1的電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖2(a)所示,在具有縱向和橫向的分割溝41的氧化鋁等構(gòu)成的薄板42上,以跨過分割溝41的方式絲網(wǎng)印刷銀和玻璃的混合漿料并干燥,然后在帶式連續(xù)焙燒爐中約850℃的溫度下焙燒預(yù)制約45分鐘,形成上面電極層43。另外,根據(jù)需要,也可以在薄板42下表面的與上面電極層43相對的位置上絲網(wǎng)印刷銀和玻璃等的混合漿料并干燥,在形成上面電極層的同時形成下面電極層(圖中未示出)。
然后,如圖2(b)所示,為了實現(xiàn)上面電極層43之間的電連接,在薄板42的上表面上以與上面電極層43的一部分重疊的方式絲網(wǎng)印刷氧化釕和玻璃的混合漿料并干燥,用帶式連續(xù)焙燒爐在850℃下預(yù)制約45分鐘,形成電阻層44。
然后,如圖2(c)所示,為了修正電阻層44的電阻值,用激光等形成第一微調(diào)溝45,考慮到成品之前的工程變化,將其值微調(diào)到成品電阻值的85%。
然后,如圖2(d)所示,以覆蓋電阻層44的上表面的方式,絲網(wǎng)印刷硼硅酸鉛玻璃的漿料并干燥,用帶式連續(xù)焙燒爐在620℃下預(yù)制約45分鐘,形成電阻恢復層46。
然后,如圖3(a)所示,為了微修正電阻層44(圖中未示出)的電阻值,用激光等形成第二微調(diào)溝47。
然后,如圖3(b)所示,以至少覆蓋電阻層44(圖中未示出)的上表面的方式,絲網(wǎng)印刷硼硅酸鉛玻璃的漿料并干燥,用帶式連續(xù)焙燒爐在620℃下預(yù)制約45分鐘,形成保護層48。
然后,如圖3(c)所示,以使上面電極層43露出的方式從基板側(cè)面沿分割溝41進行切割,形成長方形的基板49。
然后,根據(jù)需要,如圖3(d)所示,以與上面電極層43部分重疊的方式在長方形基板49的側(cè)面上,形成側(cè)面電極層50。
然后,如圖3(e)所示,將長方形基板49逐片分割,得到單片的基板51。
最后,根據(jù)需要,以覆蓋上面電極層43和下面電極層的露出部分和側(cè)面電極層50的方式,用鍍鎳等形成第一鍍層(圖中未示出),并以覆蓋該第一鍍層的方式用鍍錫和鉛的合金等的方式形成第二鍍層(圖中未示出)。由此完成了電阻器。
另外,作為本發(fā)明實施例1中的保護層的材料,說明了用銀和玻璃的混合材料的情形,但如果用環(huán)氧樹脂或氟樹脂等樹脂材料也是可以的。
另外,作為本發(fā)明實施例1中的側(cè)面電極層50的材料,說明了用銀和玻璃的混合材料的情形,但如果用環(huán)氧樹脂或氟樹脂等樹脂材料也是可以的。
下面結(jié)合

如上所述構(gòu)成和制造的電阻器的作用。
圖4(a)(b)是本發(fā)明實施例1的制造方法的各工序后的電阻層電流噪聲與電阻值精度的關(guān)系圖;圖4(a)是作為本發(fā)明實施例1中的主要部分的保護層是玻璃時的情況;而圖4(b)是作為本發(fā)明實施例1中的主要部分的保護層是樹脂時的情況。從圖可以看出,與第一微調(diào)工序之后的電流噪聲相比,電阻恢復層形成之后的電流噪聲大大減小。這是因為,燒制電阻恢復層時軟化和熔融的電阻恢復層中的玻璃成分浸入第一微調(diào)工序中形成的微裂紋中,修復了劣化的電阻層。
而且,第二微調(diào)工程是為了把在電阻恢復層形成工序時的某些惡化的電阻值分布進一步向預(yù)定值調(diào)整的提高精度的微修正工序,第一微調(diào)工序的修正電阻值為預(yù)定電阻值的80%以上,第二微調(diào)工序的電阻值修正倍數(shù)可以是第二微調(diào)工序之前的電阻值的1.3倍以下,所以可以抑制電流噪聲的惡化。相反地,如果施加1.3倍以上倍數(shù)的微調(diào),電流噪聲就會和現(xiàn)有電阻器同樣地,非常惡化。
由于上述作用,本發(fā)明實施例1中的電阻器直到成品都可以保持電流噪聲的優(yōu)良狀態(tài),可以得到電阻值可修正且電流噪聲滿意的電阻器。
另外,對于電阻值精度,在保護層是玻璃的情況下,因在其燒制時易產(chǎn)生工程變化,與第二微調(diào)工序之后相比,電阻值偏差增大?,F(xiàn)有電阻器中也有同樣的現(xiàn)象,與現(xiàn)有電阻器相比,本發(fā)明實施例1中的電阻器由于在保護層燒制前電阻層劣化程度小,工程變化的偏差也小,所以可以獲得電阻值精度更高的電阻器。而在保護層是樹脂的情況下,由于保護層形成工序與其以后的工序中的工序變化幾乎沒有偏差,第二微調(diào)工序后的精度就是成品的電阻值精度。因此,與保護層是玻璃的場合相比,可獲得電阻值精度更高的電阻器。
另外,對于該電阻值精度,決定最終電阻值的第二微調(diào)工序的微調(diào)精度是重要的,而對于第一微調(diào)精度不要求象第二微調(diào)精度那樣高。因此,從生產(chǎn)率上考慮,在第一微調(diào)工序中,每一激光脈沖的電阻層切削量,即所謂進刀量可以比第二微調(diào)工序中的進刀量大。
由于上述各作用,可以獲得電流噪聲和電阻值精度優(yōu)良的電阻器。
另外,由于根據(jù)需要設(shè)置了下面電極層和側(cè)面電極層,不管把本發(fā)明實施例1的電阻器的正面和背面的任何一面安裝在安裝基板上,都可使安裝穩(wěn)定。
下面,說明本發(fā)明實施例1的電阻器的電流噪聲和電阻值精度與現(xiàn)有電阻器比較的結(jié)果。(實驗方法)分別測量了1005型的成品電阻值為10kΩ的現(xiàn)有電阻器、和本發(fā)明實施例1的保護層分別是玻璃和樹脂的電阻器的電流噪聲和電阻值分布。其中采用Quan-tech公司制造的1315C型設(shè)備測量電流噪聲。(實驗結(jié)果)表1示出現(xiàn)有電阻器和本發(fā)明實施例1的電阻器的電流噪聲和微調(diào)精度分布。表1
電阻值精度=3×標準偏差/平均值×100%從表1可看出,本發(fā)明實施例1的電阻器的電流噪聲和電阻值精度比現(xiàn)有電阻器的小。(實施例2)下面參考附圖描述本發(fā)明實施例2的電阻器及其制造方法。
圖5(a)是本發(fā)明實施例2中的電阻器的剖面圖;圖5(b)是該電阻器的俯視立體圖。
圖5中,61是由氧化鋁等構(gòu)成的基板;62是在基板61的上表面的兩側(cè)設(shè)置的、由銀和玻璃等的混合材料等構(gòu)成的一對上面電極層;63是在基板61的上面電極層62上以與其部分重疊并電氣連接的方式設(shè)置的、由氧化釕和玻璃的混合材料或銀和鈀和玻璃的混合材料構(gòu)成的電阻層;64是為了將電阻值修正到預(yù)定的電阻值,而用激光等在電阻層63上設(shè)置的第一微調(diào)溝;65是以至少覆蓋電阻層64的方式設(shè)置的由軟化點為500~600℃的硼硅酸鉛玻璃等構(gòu)成的電阻恢復層;66是為了將電阻值微修正到預(yù)定值而用激光等在電阻層63上設(shè)置的第二微調(diào)溝;67是以至少覆蓋電阻層63的方式設(shè)置的由硼硅酸鉛玻璃等或環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的保護層。68是根據(jù)需要以覆蓋上面電極層62的露出部分的方式設(shè)置的用鍍鎳等形成的第一鍍層;69是根據(jù)需要以覆蓋第一鍍層68的方式設(shè)置的第二鍍層。
下面,參照

具有以上構(gòu)造的電阻器的制造方法。
圖6、圖7是示出本發(fā)明實施例1的電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖6(a)所示,在具有縱向和橫向的分割溝71的氧化鋁等構(gòu)成的薄板72上,以跨過分割溝71的方式絲網(wǎng)印刷銀和玻璃的混合漿料并干燥,然后在帶式連續(xù)焙燒爐中約850℃的溫度下焙燒預(yù)制約75分鐘,形成上面電極層73。
然后,如圖6(b)所示,為了實現(xiàn)上面電極層73之間的電連接,在薄板72的上表面上以與上面電極層73的一部分重疊的方式絲網(wǎng)印刷氧化釕和玻璃的混合漿料并干燥,用帶式連續(xù)焙燒爐在850℃下預(yù)制約45分鐘,形成電阻層74。
然后,如圖6(c)所示,為了修正電阻層74的電阻值,用激光等形成第一微調(diào)溝75。
然后,如圖6(d)所示,以覆蓋電阻層74的上表面的方式,絲網(wǎng)印刷硼硅酸鉛玻璃的漿料并干燥,用帶式連續(xù)焙燒爐在620℃下預(yù)制約45分鐘,形成電阻恢復層76。
然后,如圖7(a)所示,為了微修正電阻層74(圖中未示出)的電阻值,用激光等形成第二微調(diào)溝77。
然后,如圖7(b)所示,以至少覆蓋電阻層74(圖中未示出)的上表面的方式,絲網(wǎng)印刷硼硅酸鉛玻璃的漿料并干燥,用帶式連續(xù)焙燒爐在620℃下預(yù)制約45分鐘,形成保護層78。
然后,如圖7(c)所示,以使上面電極層73露出的方式從基板側(cè)面沿分割溝71進行切割,形成長方形的基板79。
然后,如圖7(d)所示,將長方形基板79逐片分割,得到單片的基板80。
最后,根據(jù)需要,以覆蓋上面電極層73的露出部分的方式,用鍍鎳等形成第一鍍層(圖中未示出),并以覆蓋該第一鍍層的方式用鍍錫和鉛的合金等形成第二鍍層(圖中未示出)。由此完成了電阻器。
另外,作為本發(fā)明實施例2中的保護層的材料,說明了用銀和玻璃的混合材料的情形,但如果用環(huán)氧樹脂或氟樹脂等樹脂材料也是可以的。
具有如上結(jié)構(gòu)并如上制造的電阻器的作用與本發(fā)明實施例1相同,說明從略。下面,說明本發(fā)明實施例1的電阻器的電流噪聲和電阻值精度與現(xiàn)有電阻器比較的結(jié)果。(實驗方法)分別測量了1005型的成品電阻值為10kΩ的現(xiàn)有電阻器、和本發(fā)明實施例2的保護層分別是玻璃和樹脂的電阻器的電流噪聲和電阻值分布。其中采用Quan-tech公司制造的1315C型設(shè)備測量電流噪聲。(實驗結(jié)果)表2示出現(xiàn)有電阻器和本發(fā)明實施例2的電阻器的電流噪聲和微調(diào)精度分布。
表2
電阻值精度=3×標準偏差/平均值×100%從表2可看出,本發(fā)明實施例2的電阻器的電流噪聲和電阻值精度比現(xiàn)有電阻器的小。
根據(jù)本發(fā)明的電阻器,包括基板;在該基板上表面的側(cè)邊部分設(shè)置的一對上面電極層;以與上述上面電極層電氣連接的方式設(shè)置的電阻層;通過切削上述電阻層而設(shè)置的第一微調(diào)溝;以至少覆蓋上述第一微調(diào)溝的方式設(shè)置的電阻恢復層;通過切削上述電阻層和電阻恢復層而設(shè)置的第二微調(diào)溝;以及以至少覆蓋上述電阻層和第二微調(diào)溝的方式設(shè)置的保護層。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),由于設(shè)置的電阻恢復層把切削電阻層設(shè)置的微調(diào)溝覆蓋,在該電阻恢復層燒制時軟化和熔融的電阻恢復層中的玻璃成分浸入因第一微調(diào)工序而在電阻層中形成的微裂紋中,從而將劣化的電阻層修復,由此可使形成電阻恢復層后的電流噪聲比第一微調(diào)工序后的電流噪聲顯著減少。另外,由于切削上述電阻層和電阻恢復層而設(shè)置的第二微調(diào)溝,可以通過第二微調(diào)工序?qū)π纬缮鲜鲭娮杌謴蛯訒r的若干惡化的電阻值分布進行向預(yù)定電阻值繼續(xù)調(diào)整的微修正。結(jié)果,該電阻器可以進行將電流噪聲的優(yōu)良狀態(tài)一直保持到成品的電阻值修正,所以可以獲得電流噪聲和電阻值精度優(yōu)良的電阻器。
權(quán)利要求
1.一種電阻器,包括基板;在該基板上表面的側(cè)邊部分設(shè)置的一對上面電極層;以與上述上面電極層電氣連接的方式設(shè)置的電阻層;通過切削上述電阻層而設(shè)置的第一微調(diào)溝;以至少覆蓋上述第一微調(diào)溝的方式設(shè)置的電阻恢復層;通過切削上述電阻層和電阻恢復層而設(shè)置的第二微調(diào)溝;以及以至少覆蓋上述電阻層和第二微調(diào)溝的方式設(shè)置的保護層。
2.一種電阻器,包括基板;在該基板上表面的側(cè)邊部分設(shè)置的一對上面電極層;以與上述上面電極層電氣連接的方式設(shè)置的電阻層;通過切削上述電阻層而設(shè)置的第一微調(diào)溝;以至少覆蓋上述第一微調(diào)溝的方式設(shè)置的電阻恢復層;通過切削上述電阻層而設(shè)置的第二微調(diào)溝;以及以至少覆蓋上述電阻層的方式設(shè)置的保護層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電阻器,其中具有在基板下表面的側(cè)邊部分設(shè)置的一對下面電極層;和以與上述上面電極層和下面電極層電氣連接的方式設(shè)置的側(cè)面電極層。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的電阻器,其中第一微調(diào)溝的切削長度設(shè)置為把電阻值修正為目標電阻值的80%以上的長度。
5.如權(quán)利要求1、2或3所述的電阻器,其中第二微調(diào)溝的切削長度設(shè)置為使第二微調(diào)時的電阻值修正倍數(shù)為1.3倍以下,即修正為切削第二微調(diào)溝之前的電阻值的1.3倍以下。
6.如權(quán)利要求1、2或3所述的電阻器,其中電阻恢復層由軟化點為500~600℃的硼硅酸鉛玻璃構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1、2或3所述的電阻器,其中保護層由環(huán)氧系或氟系樹脂材料構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1或2所述的電阻器,其中在基板的側(cè)面設(shè)置一對與上面電極層電氣連接的側(cè)面電極層。
9.一種制造電阻器的方法,包括下列步驟在具有分割溝的薄板基板表面上以跨過這些分割溝的上面的方式設(shè)置上面電極層;以在上述上面電極層之間提供電氣連接的方式設(shè)置電阻層;切削上述電阻層設(shè)置修正電阻值的第一微調(diào)溝;以至少覆蓋上述第一微調(diào)溝的方式設(shè)置電阻恢復層;切削上述電阻層和電阻恢復層形成對電阻值微修正的第二微調(diào)溝;以至少覆蓋上述電阻層和第二微調(diào)溝的上面的方式設(shè)置保護層;將形成有上述保護層并具有分割溝的薄板基板分割成長方形基板;以及將上述長方形基板分割成單片的基板。
10.一種制造電阻器的方法,包括下列步驟在具有分割溝的薄板基板表面上以跨過這些分割溝的上面的方式設(shè)置上面電極層;以在上述上面電極層之間提供電氣連接的方式設(shè)置電阻層;切削上述電阻層設(shè)置修正電阻值的第一微調(diào)溝;以至少覆蓋上述第一微調(diào)溝的方式設(shè)置電阻恢復層;切削上述電阻層形成對電阻值微修正的第二微調(diào)溝;以至少覆蓋上述電阻層的方式設(shè)置保護層;將形成有上述保護層并具有分割溝的薄板基板分割成長方形基板;以及將上述長方形基板分割成單片的基板。
11.如權(quán)利要求9或10所述的制造電阻器的方法,其中還具有在具有分割溝的薄板基板下表面上以跨過基板的這些分割溝并在其下面的方式形成下面電極層的工序,以及在分割成長方形的基板側(cè)面上以與上面電極層和下面電極層電氣連接的方式設(shè)置側(cè)面電極層的工序、
12.如權(quán)利要求9、10或11所述的制造電阻器的方法,其中形成第二微調(diào)溝時的進刀量比形成第一微調(diào)溝時的進刀量小。
13.如權(quán)利要求9、10或11所述的制造電阻器的方法,其中形成電阻恢復層的工序,是絲網(wǎng)印刷軟化點為500~600℃的硼硅酸鉛玻璃,并在比軟化點高30~100℃的溫度下燒制的工序。
14.如權(quán)利要求9、10或11所述的制造電阻器的方法,其中形成保護層的工序,是絲網(wǎng)印刷環(huán)氧系或氟系樹脂材料,并在150~200℃的溫度下硬化的工序。
15.如權(quán)利要求9或10所述的電阻器,其中在將薄板基板分割成長方形的基板后,以與上面電極層電氣連接的方式在基板的側(cè)面設(shè)置一對側(cè)面電極層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于高密度布線的、電流噪聲和電阻值精度優(yōu)良的電阻器及其制造方法。該電阻器包括:基板(21);在該基板(21)上表面的側(cè)邊部分設(shè)置的一對上面電極層(22);以與上述上面電極層(22)電氣連接的方式設(shè)置的電阻層(24);通過切削上述電阻層(24)而設(shè)置的第一微調(diào)溝(25);以至少覆蓋上述第一微調(diào)溝(25)的方式設(shè)置的電阻恢復層(26);通過切削上述電阻層(24)和電阻恢復層(26)而設(shè)置的第二微調(diào)溝(27);以及以至少覆蓋上述電阻層(24)和第二微調(diào)溝(27)的方式設(shè)置的保護層。由于設(shè)置了電阻恢復層(26)和第二微調(diào)溝(27),減小了電流噪聲,并提高了電阻值精度。
文檔編號H01C17/22GK1261978SQ98806790
公開日2000年8月2日 申請日期1998年7月7日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月9日
發(fā)明者中山祥吾 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
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