專(zhuān)利名稱(chēng)：封裝集成電路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的封裝。具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及封裝具有固定到半導(dǎo)體襯底上的焊料凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。
半導(dǎo)體技術(shù)的當(dāng)前應(yīng)用顯示出，下述的凸起焊料互連結(jié)構(gòu)對(duì)于連接到陶瓷網(wǎng)格焊球陣列(BGA)的使用，例如控制熔塌芯片連接(ControlledCollapse Chip Connection)(C4)技術(shù)和蒸發(fā)延伸共熔體(EvaporatedExtended Eutectic)(E3)。作為一種有效的用于封裝具有數(shù)目很多的諸如輸入和輸出的外部互連的半導(dǎo)體器件的裝置，在工業(yè)中已知有陶瓷BGA(CBGA)。

圖1說(shuō)明了CBGA的組件。如圖1中所示出的，通過(guò)將陶瓷襯底120和具有焊料互連結(jié)構(gòu)144、162的半導(dǎo)體器件112合在一起來(lái)形成CBGA。如圖1中所說(shuō)明的，該陶瓷襯底120包括芯片焊接區(qū)122和BGA焊接區(qū)124，芯片焊接區(qū)122將陶瓷襯底120連接到半導(dǎo)體器件/焊料結(jié)構(gòu)110，BGA焊接區(qū)124將陶瓷襯底120連接到BGA球體152。
一般來(lái)說(shuō)，該芯片焊接區(qū)122和BGA焊接區(qū)124是金屬的，并通過(guò)經(jīng)由陶瓷部分121的互連通孔(未示出)進(jìn)行電連接。半導(dǎo)體器件110包括半導(dǎo)體襯底112和凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)114。該凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)114可有幾種不同的結(jié)構(gòu)形式。一種這樣的結(jié)構(gòu)形式可以是在半導(dǎo)體工業(yè)中已知的控制熔塌芯片連接技術(shù)(C4)的凸點(diǎn)。已知C4凸點(diǎn)具有高溫熔融性質(zhì)。例如，這種結(jié)構(gòu)通常具有90％或更多重量比的鉛含量，剩下的10％或更少重量比的物質(zhì)是錫。在這樣一種組成中，在制造工藝期間所需的熔融點(diǎn)大于300攝氏度。參照?qǐng)D2說(shuō)明用于形成帶有固定于其上的半導(dǎo)體器件的BGA的實(shí)際工藝，并連同圖1的說(shuō)明一起對(duì)其進(jìn)行討論。
圖2以流程圖的形式示出按照現(xiàn)有技術(shù)的CBGA組裝工藝。圖2的現(xiàn)有工藝200將半導(dǎo)體器件110連接到陶瓷襯底120。其次，工藝210將工藝200所得到的器件連接到BGA球體。工藝200包括放置半導(dǎo)體器件使其與半導(dǎo)體襯底接觸的步驟201。如圖1所說(shuō)明的，放置半導(dǎo)體器件110使其與陶瓷襯底120接觸，使凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)114與芯片焊接區(qū)122對(duì)準(zhǔn)并與焊劑118接觸。利用通常在襯底112的頂部上的小的正力將半導(dǎo)體器件固定就位，該力在圖1中未示出。另外，被涂敷在陶瓷襯底120的芯片焊接區(qū)122上的焊劑118提供一定程度的粘接性。該焊劑的目的，如在本技術(shù)中已眾所周知的那樣，是減少氧化物和增強(qiáng)凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)114到芯片焊接區(qū)122的“潤(rùn)濕性”。但是，在使用C4工藝的情況下，焊劑118必須具有能在高溫環(huán)境下使用的性質(zhì)。
其次，在步驟202中，將半導(dǎo)體器件110和陶瓷襯底120的集合體應(yīng)用于回流步驟202。在回流步驟202期間，使半導(dǎo)體器件110和陶瓷襯底120處于高溫爐中，使凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)114回流到芯片焊接區(qū)122，以便形成具有在凸點(diǎn)114和焊接區(qū)122之間的物理和電連接的半導(dǎo)體器件140。進(jìn)行該回流工藝的溫度約為360攝氏度，以保證凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)114的合適的熔融和回流。
其次，在步驟204中進(jìn)行批清洗工藝。該批清洗工藝需要將來(lái)自步驟202的器件從它們的載體移出，并放置在適合于批清洗工藝的載體中。在批清洗工藝204期間，除去從回流工藝202留下的殘余的焊劑118。該清洗步驟204不僅除去可能留下的污染物，而且為其后的底層填料步驟準(zhǔn)備凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)，以保證可靠性。由于安全和環(huán)境需要及規(guī)定，在清洗工藝中使用的化學(xué)物和溶劑經(jīng)常是低水平的焊劑溶解劑或反應(yīng)劑，它們緩慢地發(fā)生反應(yīng)以除去從步驟202留下的殘余物。結(jié)果，進(jìn)行結(jié)構(gòu)140的有效的清洗所需的總的時(shí)間被增加到這樣一種程度，以致該時(shí)間是半導(dǎo)體器件140的工藝中的一個(gè)重要的時(shí)間因素。
在半導(dǎo)體器件140的回流和清洗之后，如步驟206中所示，在半導(dǎo)體襯底112和陶瓷部分121之間散布底層填料。其次，在步驟208中，對(duì)底層填料進(jìn)行固化，以提供附加的支撐和可靠性。該固化工藝一般通過(guò)溫度循環(huán)工藝來(lái)完成。該散布的底層填料圍繞由此得到的固定了的凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)144和它們的與芯片焊接區(qū)122相關(guān)的互連。該被散布的底層填料的作用是通過(guò)消除對(duì)互連的環(huán)境影響和提供對(duì)于互連的機(jī)械支撐來(lái)提供增強(qiáng)的可靠性。但是，盡管提供了附加的機(jī)械支撐，但底層填料在其使用低溫焊料凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)114時(shí)有一個(gè)限制。
當(dāng)?shù)蜏睾噶贤裹c(diǎn)結(jié)構(gòu)114被使用時(shí)，該被散布的底層填料將阻止在下一步的處理步驟期間焊料凸點(diǎn)的進(jìn)一步的膨脹。低溫結(jié)構(gòu)114的膨脹作用比高溫結(jié)構(gòu)的膨脹作用更顯著。已顯示出，焊料膨脹作為在底層填料和半導(dǎo)體襯底112界面之間，或陶瓷部分121和底層填料界面之間的焊料材料的流體靜力的結(jié)果會(huì)引起可靠性的問(wèn)題。
完成前面討論過(guò)的形成工藝200的步驟201至208，以便將半導(dǎo)體器件110固定到陶瓷襯底120上，并需要使用焊料凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)114的高溫回流。另外，在使用低溫共熔材料的情況下，例如利用電鍍或絲網(wǎng)工藝，則應(yīng)用類(lèi)似于200的流程。不管是使用焊料凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)114的高溫形態(tài)或使用焊料凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)114的低溫形態(tài)，圖1的工藝基本上是相同的，并需要相同的清洗工藝。
為了完成BGA封裝，需要將BGA球體152固定到陶瓷結(jié)構(gòu)焊接區(qū)124的下側(cè)。在步驟211中，進(jìn)行球體裝載工藝。在球體裝載期間，將該BGA球體152放置在舟150內(nèi)。該舟150起到將BGA球體保持在與BGA焊接區(qū)124對(duì)準(zhǔn)的精確位置的支持器的作用。其次，在步驟212中進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。在絲網(wǎng)印刷期間，將焊料糊劑或粘接材料154涂敷在BGA球體152上。該焊料糊劑一般包括焊料、焊劑和其他要素的組合體，以形成便于使用的混合物。其次，在步驟214中放置半導(dǎo)體器件140，使其與舟150、球體152和糊劑154組合體接觸。再次將正壓力加到半導(dǎo)體器件140上，以保持與舟152和BGA球體組合體的適當(dāng)?shù)慕佑|。其次，進(jìn)行球體固定低溫回流工藝。對(duì)被放置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行回流，導(dǎo)致形成半導(dǎo)體器件160。已將焊料糊劑154選擇為低溫焊料，以便將球體152連接到焊接區(qū)124。低溫回流工藝的使用可保持球體的完整性。保證球體的完整性可在整個(gè)BGA上保持均勻的高度，這樣就能在以后的工序中被放置在印刷電路板上。其次，在步驟218中對(duì)球體152進(jìn)行清洗，以保證以后的連接的完整性。
如以上所討論的那樣，為了保證半導(dǎo)體器件110、陶瓷襯底120和由此得到的半導(dǎo)體器件140的至BGA球體152的固定連接的完整性，需要進(jìn)行兩個(gè)工藝(200和210)。兩者需要重復(fù)的定位裝置、回流裝置、焊劑清洗和底層填料散布機(jī)構(gòu)。除了這些裝置外，還存在與操作和要考慮的設(shè)施有關(guān)的費(fèi)用。因而，希望能有制造成本較低的CBGA工藝。
本發(fā)明的特征在下附的權(quán)利要求中提出。但是通過(guò)在閱讀附圖時(shí)參照下述的一個(gè)說(shuō)明性的實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明、一個(gè)優(yōu)選的使用模式及其進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)將會(huì)得到最好的理解。這些附圖中圖1說(shuō)明了按照現(xiàn)有技術(shù)的CBGA的組件。
圖2以流程圖形式示出按照現(xiàn)有技術(shù)的CBGA組裝工藝。
圖3說(shuō)明了按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的CBGA的組件。
圖4以流程圖形式示出按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的CBGA組裝工藝。
圖5描述用于實(shí)現(xiàn)按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的CBGA工藝的方法的流程圖。
本發(fā)明包括放置具有焊料凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底使其與具有芯片焊接區(qū)的陶瓷襯底接觸，和放置該結(jié)構(gòu)使其與網(wǎng)格焊球陣列球體接觸，以便在單一流程工藝中將確定的結(jié)構(gòu)序列形成于CBGA中。
圖3和4合在一起示出用于建立陶瓷網(wǎng)格焊球陣列BGA器件的按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的工藝。圖3說(shuō)明了按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的CBGA組件。圖4以流程圖形式示出按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的CBGA組裝工藝。參照?qǐng)D3和4，在步驟400中球體裝載器將球體352裝載于舟350上。該舟350將球體保持在與BGA焊接區(qū)334進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的方向上。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，焊接區(qū)334是鎳-金合金。其次，在步驟402中，將諸如共熔糊劑的導(dǎo)電粘接材料(糊劑)354經(jīng)由絲網(wǎng)印刷器涂敷在網(wǎng)格焊球陣列球體352的頂部。在另一個(gè)實(shí)施例中，也可將糊劑放置在焊接區(qū)上。該糊劑354用于減少氧化和增加球體到網(wǎng)格焊球陣列焊接區(qū)的潤(rùn)濕性。一般來(lái)說(shuō)，諸如凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)314和BGA球體352的互連結(jié)構(gòu)不限于特定的形狀和材料。例如，該互連結(jié)構(gòu)的形狀可以是圓柱形或錐形，以及任何其他特定的形狀；同樣，互連結(jié)構(gòu)的材料可包括錫-鉛焊料，或其他類(lèi)型的導(dǎo)電材料。在優(yōu)選實(shí)施例中，焊料結(jié)構(gòu)314將是錐形的。
其次，在步驟404中將管心和襯底放置在舟和球體結(jié)構(gòu)的頂部。在優(yōu)選實(shí)施例中，放置具有網(wǎng)格焊球陣列焊接區(qū)334和芯片焊接區(qū)322的陶瓷襯底320，使其與共熔糊劑354接觸。將非清洗的焊劑318放置在陶瓷襯底芯片焊接區(qū)322的頂部。在優(yōu)選實(shí)施例中，該芯片焊接區(qū)322是鎳-金合金。使用非清洗焊劑這一點(diǎn)與現(xiàn)有技術(shù)是不同的，現(xiàn)有技術(shù)需要使用傳統(tǒng)的焊劑，該焊劑留下很多的殘余物，這些殘余物需要進(jìn)一步的清洗步驟以便除去污染物和準(zhǔn)備與下一步的處理步驟有關(guān)的表面。具體地說(shuō)，該非清洗焊劑具有下述的性質(zhì)在使用低溫回流的優(yōu)選實(shí)施例中，它使任何從非清洗焊劑留下的殘余物減少到這樣一種最小的程度，以致對(duì)于接著進(jìn)行的底層填料工藝不產(chǎn)生可靠性方面的問(wèn)題。然后，在步驟404中放置具有凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)314的半導(dǎo)體襯底312，使其與非清洗焊劑和芯片焊接區(qū)322接觸。以這種方式使BGA球體、陶瓷襯底和半導(dǎo)體襯底相對(duì)于所需的最終封裝結(jié)構(gòu)位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
用回流工藝406對(duì)管心和球體組合體進(jìn)行回流。在優(yōu)選實(shí)施例中，該回流是低溫回流工藝。在步驟406的回流工藝期間，使用約220℃的溫度以便對(duì)凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)314的至少一部分進(jìn)行回流，使其固定到芯片焊接區(qū)322上，同時(shí)對(duì)糊劑354和球體352的一部分進(jìn)行回流，使它們固定到BGA焊接區(qū)334。在優(yōu)選實(shí)施例中，回流工藝將是低溫工藝，其中同時(shí)對(duì)焊料進(jìn)行回流的步驟使半導(dǎo)體器件和互連結(jié)構(gòu)只處于低于250℃的溫度。在優(yōu)選實(shí)施例中，凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)314將是E3類(lèi)型的結(jié)構(gòu)，例如在標(biāo)題為“用于半導(dǎo)體器件的形成硬化凸點(diǎn)的方法和由此制成的器件”的美國(guó)專(zhuān)利系列號(hào)08/673/539中所描述的，該專(zhuān)利在7/1/96提交，在這里作為參考而引入。E3類(lèi)型結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是，實(shí)際上只在E3結(jié)構(gòu)的冠部與焊接區(qū)322形成共熔結(jié)合，使得凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)器件這樣來(lái)形成，它將對(duì)于在處理期間的進(jìn)一步的溫度的膨脹具有最小的靈敏度。在另一個(gè)實(shí)施例中，在使用共熔凸點(diǎn)314的情況下，在低溫回流期間也形成連接，但在下述方面不象E3凸點(diǎn)那樣有利純粹的共熔凸點(diǎn)在進(jìn)一步的處理步驟中對(duì)由膨脹引起的可靠性方面的問(wèn)題更為敏感。
其次，在步驟408中，進(jìn)行球體清洗步驟，以便為其后的使用BGA封裝的工藝步驟準(zhǔn)備好網(wǎng)格焊球陣列封裝。以與放置和回流步驟400至406相一致的方式進(jìn)行球體清洗步驟。這是與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)，即省去了批清洗步驟204。其次，在步驟410中進(jìn)行底層填料工藝，其中將諸如樹(shù)脂的底層填料材料插入半導(dǎo)體襯底312和陶瓷襯底的陶瓷部分320之間。其次，在步驟412中進(jìn)行最終的底層填料固化。這樣就形成具有互連結(jié)構(gòu)344、362的CBGA 360。
通過(guò)利用具有凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件310，和在優(yōu)選實(shí)施例中利用低溫焊料結(jié)構(gòu)，不僅與陶瓷襯底320一起放置，而且與BGA球體352一起放置，這樣就在單一步驟中，具體地說(shuō)在一次通過(guò)的回流步驟406中，進(jìn)行所需的組裝整個(gè)CBGA的回流?，F(xiàn)有技術(shù)需要在分開(kāi)的步驟中在高溫下對(duì)半導(dǎo)體器件和陶瓷襯底進(jìn)行回流，由此需要特殊的處理設(shè)備，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)不同，在一次通過(guò)的回流步驟406中組裝本發(fā)明的CBGA。因而，可看到，由于不需要多個(gè)定位裝置和多個(gè)回流裝置和回流步驟，以及不需要多個(gè)清洗步驟，本發(fā)明將減少成本。例如，現(xiàn)有技術(shù)的批清洗工藝步驟204需要很多時(shí)間來(lái)保證半導(dǎo)體襯底和陶瓷襯底之間的表面的完整性，本發(fā)明作為低溫回流工藝的結(jié)果通過(guò)使用非清洗焊劑完全省去了該步驟。
圖5是用于實(shí)現(xiàn)按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的CBGA工藝的方法的流程圖。圖5說(shuō)明了按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的特定流程500。在步驟501中，提供具有凸點(diǎn)焊料結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。其次，在步驟502中提供包含焊料球體的球體固定舟。其次，在步驟503中，提供具有金屬化焊接區(qū)的陶瓷襯底。其次，在步驟504中，在焊料球體上施加焊料糊劑的絲網(wǎng)印刷。其次，在步驟505中，將陶瓷襯底放置在球體固定舟上。其次，在步驟506中，將焊劑散布在陶瓷襯底的焊接區(qū)上。其次，在步驟507中，將半導(dǎo)體器件放置在陶瓷襯底的焊接區(qū)上。其次，在步驟508中，在一次通過(guò)的流程中對(duì)被組裝的部件進(jìn)行同時(shí)回流。其次，在步驟509中，對(duì)組件進(jìn)行清洗。
盡管已關(guān)于特定的實(shí)施例討論了本發(fā)明，但應(yīng)理解也存在其他特定的實(shí)施例。例如，應(yīng)理解可使用除了網(wǎng)格焊球陣列“球體”以外的其他結(jié)構(gòu)。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，除了這里在本申請(qǐng)中討論的特定的錫-鉛焊料外還有其他類(lèi)型的焊料。具體地說(shuō)，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，糊劑354可以是高溫糊劑或用于將BGA球體連接到BGA焊接區(qū)的焊劑，使一次通過(guò)的高溫回流可與C4類(lèi)型的半導(dǎo)體器件一起使用，以便用單一回流步驟來(lái)組裝本發(fā)明的CBGA。盡管已在優(yōu)選實(shí)施例的范圍內(nèi)描述了本發(fā)明，但對(duì)于本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)人員來(lái)說(shuō)以下所述是很明顯的可在很多方面對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修正并可設(shè)想很多除了以上已具體地提出的和描述的實(shí)施例以外的實(shí)施例。因此，下附的權(quán)利要求書(shū)打算包括落入本發(fā)明的真正的精神和范圍內(nèi)的所有的本發(fā)明的修正。
權(quán)利要求
1.一種封裝集成電路的方法，其特征在于包括下述步驟放置(507)連接到集成電路(312)的第1互連結(jié)構(gòu)(314)，使其與連接到襯底的多個(gè)金屬化焊接區(qū)(332，334)的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)接觸；放置(505)第2互連結(jié)構(gòu)(352，354)，使其與多個(gè)金屬化焊接區(qū)的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)接觸；和對(duì)第1互連結(jié)構(gòu)和第2互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行同時(shí)回流(508)，將半導(dǎo)體器件和第2互連結(jié)構(gòu)連接到襯底的多個(gè)金屬化焊接區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第1互連結(jié)構(gòu)包括低溫材料。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第2互連結(jié)構(gòu)在低溫下粘接。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中同時(shí)回流的步驟還包括以電和機(jī)械方式將半導(dǎo)體器件和第2互連結(jié)構(gòu)連接到多個(gè)金屬化焊接區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將第2互連結(jié)構(gòu)配制成高溫焊料。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中多個(gè)金屬化焊接區(qū)由金和鎳組成。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中同時(shí)對(duì)焊料進(jìn)行回流的步驟使半導(dǎo)體器件和至少一個(gè)第2互連結(jié)構(gòu)處于低于約250℃的溫度下。
8.一種組裝陶瓷網(wǎng)格焊球陣列(CBGA)集成電路封裝體的方法，該方法的特征在于包括下述步驟提供(507)具有至少一個(gè)連接到該半導(dǎo)體器件的表面的低溫焊料結(jié)構(gòu)(314)的半導(dǎo)體器件(312)；提供(502)包含至少一個(gè)焊料球體(352)的球體固定舟(350)；提供(503)具有一個(gè)或多個(gè)金屬化焊接區(qū)(322，334)的陶瓷襯底(321)，該一個(gè)或多個(gè)金屬化焊接區(qū)(322，334)對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)低溫焊料球體和至少一個(gè)低溫焊料結(jié)構(gòu)的每一個(gè)；在至少一個(gè)低溫焊料球體的頂部表面上淀積(504)低溫焊料糊劑(354)；放置(505)一個(gè)或多個(gè)金屬化焊接區(qū)，使其與對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)焊料球體進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)接觸；放置(507)半導(dǎo)體器件，使其與對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)低溫焊料結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)金屬化焊接區(qū)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)接觸；和在一次通過(guò)的回流工藝中對(duì)低溫焊料糊劑和至少一個(gè)低溫焊料結(jié)構(gòu)進(jìn)行同時(shí)回流(508)，使半導(dǎo)體器件和至少一個(gè)焊料球體以電和機(jī)械方式連接到陶瓷襯底的一個(gè)或多個(gè)金屬化焊接區(qū)上。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征還在于包括，在對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)低溫焊料結(jié)構(gòu)的金屬化焊接區(qū)上散布(506)非清洗焊劑的步驟。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中同時(shí)對(duì)低溫焊料進(jìn)行回流的步驟使所放置的半導(dǎo)體器件和至少一個(gè)低溫球體只處于低于250℃的溫度下。
全文摘要
集成電路封裝的焊料凸點(diǎn)至襯底的多重連接,包括:提供具有至少一個(gè)連接到半導(dǎo)體器件表面的第1互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,和具有多個(gè)金屬化焊接區(qū)的襯底;放置至少一個(gè)第2互連結(jié)構(gòu)使其與多個(gè)金屬化焊接區(qū)的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)接觸;放置至少一個(gè)第1互連結(jié)構(gòu)使其與多個(gè)金屬化焊接區(qū)(507)的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)接觸;和對(duì)至少一個(gè)第1互連結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第2互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行同時(shí)回流,將半導(dǎo)體器件和至少一個(gè)第2互連結(jié)構(gòu)連接到襯底的金屬化焊接區(qū)。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1187030SQ9712349
公開(kāi)日1998年7月8日 申請(qǐng)日期1997年12月31日 優(yōu)先權(quán)日1997年1月3日
發(fā)明者思徒阿特·E·格里, 戴維·克勒格, 特里·埃德瓦德·博尼特 申請(qǐng)人:摩托羅拉公司