專利名稱：采用帶電粒子束的圖形繪制方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用帶電粒子在半導(dǎo)體基體上形成精細(xì)圖形的圖形繪制方法，尤其涉及通過將需要繪制的圖形分為中心部分和圍繞該中心部分的外緣部分，并對這些部分分別照射帶電粒子束用帶電粒子束形成精細(xì)圖形的圖形繪制方法，及用于該方法的裝置。
隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，用于為半導(dǎo)體器件提供精細(xì)圖形的方法也得到急速發(fā)展。為了生產(chǎn)目前所需要的0.25μm或更小圖形間距的半導(dǎo)體器件，使用帶電粒子束的圖形繪制方法是一種有效的方法。

圖1示出要繪制的一圖形的示意圖。兩個長方形的預(yù)定區(qū)域21短邊長為20μm，長邊長為100μm，且它們的長邊是相互并列設(shè)置的，該兩個區(qū)域之間具有0.2μm的間距。用電子束將要繪制的圖形安排在這些圖形預(yù)定區(qū)域21中。換句話說，在圖形預(yù)定區(qū)域21之間提供了一個不安排圖形的間隔區(qū)域33。
然而，這里存在著一個問題是，當(dāng)相同曝射強(qiáng)度的電子束均勻地加于這些圖形預(yù)定區(qū)域21時(shí)，該間隔區(qū)域33被圖形所掩埋。這是由于在抗蝕膜內(nèi)和基片表面上電子束彌散所產(chǎn)生一種現(xiàn)象，此稱鄰近效應(yīng)。當(dāng)所要繪制的圖形變得更小時(shí)，這一問題就變得更為嚴(yán)重。
在上述的那種情況下，提出了一種將各圖形預(yù)定區(qū)域21分為用于形成這個區(qū)域的外緣的外緣部分和被外緣部分包圍的一中心部分，并且規(guī)定外緣部分的曝射強(qiáng)度要高于中心部分的方法。圖2示出將所要繪制的圖形分為外緣部分和中心部分的示意圖。如圖2所示，圖1中所示兩個圖預(yù)定區(qū)域21各被分為在外周邊區(qū)域?qū)挾扔?.2μm的外緣部分23和被該外緣部分23包圍的中心部分22。在外緣部分23的電子束曝射強(qiáng)度定為比中心部分22高，且對這些區(qū)域分別施加電子束以在各個區(qū)域內(nèi)形成圖形。
然而這種方法也有一個問題，即間隔區(qū)域33沿長度方向遠(yuǎn)離其中心位置時(shí)，間隔區(qū)域33的寬度增大。圖3示出了通過在硅基片上覆蓋一層0.5μm厚的負(fù)膠，并以上面所述方式形成圖形時(shí)間隔區(qū)域33的寬度變化。圖3是根據(jù)已有技術(shù)的示例，以水平軸表示沿間隔區(qū)域的長度方向由端部到中心部分的距離并以垂直軸表示間隔區(qū)域的寬度，示出兩者間的關(guān)系曲線圖。如圖3所示，在一項(xiàng)曝射條件下在中心部分的間隔區(qū)域?qū)挾葹?.2μm的設(shè)計(jì)尺寸，而自距間隔區(qū)域端部10μm左右的端部位置起，間隔區(qū)域的寬度增大。于是，間隔區(qū)域33端部的寬度大于其中心部分的寬度約0.3μm或更多一些。當(dāng)產(chǎn)生這樣一種尺寸變化時(shí)，產(chǎn)生了使半導(dǎo)體器件特性改變的非常嚴(yán)重的問題。
另外還有一種用于在兩個圖形預(yù)定區(qū)域相互接觸時(shí)防止接觸部分曝射過量的圖形繪制裝置(未經(jīng)審查的日本專利公開No.平5-217869)。根據(jù)這項(xiàng)已有技術(shù)，當(dāng)兩個圖預(yù)定區(qū)域相互接觸時(shí)，對形成接觸部分的這些區(qū)域的邊長進(jìn)行比較，相應(yīng)于具有較短長度邊的外緣部分的電子束曝射被省略掉。根據(jù)這種設(shè)計(jì)，與電子束加到各區(qū)域的所有外緣部分相比，可以防止由于過量曝射產(chǎn)生的繪制精度下降。
還有一種用于根據(jù)圖形預(yù)定區(qū)域調(diào)整外緣部分寬度的圖形繪制方法(未經(jīng)審查的日本專利公開No.昭59-167018)。在這項(xiàng)已有技中，通過按照圖形預(yù)定區(qū)域的尺寸調(diào)整外緣部分的寬度，防止電子束積蓄能量向圖形預(yù)定區(qū)域以外泄放。按照這種設(shè)計(jì)，可以提高繪制圖形的精度。
然而，即使采用了這些方法，也不能完全防止間隔區(qū)域?qū)挾鹊臄U(kuò)展現(xiàn)象。
本發(fā)明的目的是提供一種能夠使用帶電粒子束以高精度的圖形區(qū)域形成一相夾區(qū)域的圖形繪制方法及其裝置。
本發(fā)明所涉及的使用帶電粒子束的圖形繪制方法具有將要形成圖形的區(qū)域分為中心部分和外緣部分的步驟，該外緣部分被劃分為圍繞中心部分的多個輪廓部分，向這些輪廓部分的每一個上照射帶電電子束的步驟是按這樣一種方式進(jìn)行的，即沿外緣部分離一特定輪廓部分較遠(yuǎn)的輪廓部分所受的照射能量強(qiáng)度高于與該特定輪廓部分更接近的輪廓部分。
本發(fā)明涉及的另一種使用帶電粒子束的圖形繪制方法包括將要形成圖形的兩個區(qū)域中的每一個分為一中心部分和一外緣部分的步驟，該外緣部分被分為圍繞中心部分的多個輪廓部分，包括計(jì)算這些圖形區(qū)域之間距離的步驟，以及向每一個這些輪廓部分進(jìn)行照射帶電電子束的步驟，當(dāng)與一特定輪廓的距離等于或小于一預(yù)定值時(shí)。這種電子束的照射方式是在沿外緣部分距一特定輪廓部分較遠(yuǎn)的輪廓部分所用的照射能量強(qiáng)度高于與該特定輪廓部分較近的輪廓部分。
根據(jù)本發(fā)明，由于在沿著外緣部分距一特定輪廓部分較遠(yuǎn)的輪廓部分所照射的帶電粒子束的能量強(qiáng)度高于離該特定輪廓部分較近的輪廓部分，所以能夠減少兩個圖形區(qū)域之間相夾區(qū)域的寬度的變化，從而形成所需的高精度圖形。
本發(fā)明采用帶電粒子束的圖形繪制裝置具有一產(chǎn)生帶電電子束的產(chǎn)生源，一個用于劃分要形成圖形的區(qū)域的劃分單元和一個用于控制帶電電子束曝射的控制單元。用劃分單元將要形成圖形的區(qū)域劃分為中心部分和外緣部分，該外緣部分則被劃分成圍繞此中心部分的多個輪廓部分。帶電電子束是受控制單元的控制向這些輪廓部分中的每一個上面照射，它所遵循的照射方式是沿著外緣部分距一特定輪廓部分較遠(yuǎn)的輪廓部分所照射的能量強(qiáng)度高于離該特定輪廓部分較近的輪廓部分。
按照本發(fā)明，當(dāng)有兩個圖區(qū)要繪制時(shí)，由于圖形繪制裝置具有設(shè)置向輪廓部分照射帶電粒子束的能量強(qiáng)度的控制單元，它沿外緣部分距特定輪廓部分較遠(yuǎn)的輪廓部分設(shè)定的照射能量強(qiáng)度高于離該特定輪廓部分較近的輪廓部分，所以能夠減小在這兩個圖形區(qū)域之間相夾區(qū)域的寬度變化，因此能以高精度形成所需的圖形。
圖1所示為要繪制的一圖形的示意圖。
圖2所示為將要繪制的圖形劃分為一外緣部分和一中心部分的示意圖。
圖3所示為按照已有技術(shù)的間隔區(qū)域?qū)挾茸兓那€表示圖。
圖4A是本發(fā)明的一個實(shí)施例圖形繪制裝置的示意圖，圖4B示出通過孔徑的一束電子束的示意圖。
圖5為表示要繪制的一圖形的示意圖。
圖6為表示本發(fā)明第一實(shí)施例的圖形繪制方法的流程圖。
圖7為表示本發(fā)明第一實(shí)施例中對要繪制的一圖形進(jìn)行劃分處理的示意圖。
圖8為表示第一實(shí)施例中間隔區(qū)域?qū)挾茸兓那€圖。
圖9為表示第二實(shí)施例中對要繪制的一圖形進(jìn)行劃分處理的示意圖。
圖10為表示第二實(shí)施例中間隔區(qū)域?qū)挾茸兓那€圖。
下面將參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例加以描述。圖4A為本發(fā)明一個實(shí)施例的圖形繪制裝置的示意圖，圖4B示出通過孔徑的一束電子束的示意圖。在本實(shí)施例的圖形繪制裝置中，設(shè)有用于在其上固定半導(dǎo)體基片11的一樣片臺12，以及一個產(chǎn)生電子束50向放置在樣片臺12上的半導(dǎo)體基片11照射的電子槍1。在電子槍1和樣片臺12之間，自頂部起順序設(shè)有控制向半導(dǎo)體基片11照射電子束通/斷的消隱電極2、具有一正方形孔3a用于將電子束50變?yōu)榫哂幸环叫谓孛娴碾娮邮?0a的第一孔徑3，一個對通過第一孔徑3的電子束50a限制其擴(kuò)展的形成透鏡4，用于偏轉(zhuǎn)電子束50a的一成形偏轉(zhuǎn)器5，具有一正方形孔6a用于將電子束50a變?yōu)楦〗孛娴碾娮邮?0b的第二孔徑b，一個用于限制通過第二孔徑b的電子束50b擴(kuò)展的壓縮透鏡7，分別用于偏轉(zhuǎn)電子束50b的一個主偏轉(zhuǎn)器8和一個副偏轉(zhuǎn)器9，以及一個用于控制電子束50b聚焦的投影透鏡10。消隱電極2、成形偏轉(zhuǎn)器5、主偏轉(zhuǎn)器8和副偏轉(zhuǎn)器9分別與用于操縱這些單元運(yùn)行的一操縱部件16連接。此外，還有分別與操縱部件16相連接的用于存儲要繪制的圖形的繪圖數(shù)據(jù)的一存儲裝置15、用于要形成圖形的一區(qū)域劃分為輪廓部分和中心部分的一劃分單元14a、用于根據(jù)繪圖數(shù)據(jù)控制電子束的曝射強(qiáng)度的一控制單元14b和用于存儲繪圖數(shù)據(jù)的繪圖數(shù)據(jù)存儲器17。
下面將描述采用具有上面所述結(jié)構(gòu)的圖形繪制裝置的一種圖形繪制方法。圖5示出要繪制的一個圖形的示意圖。圖5所示的圖形與圖1所示圖形相同，因此省略掉它們的詳細(xì)說明。圖6是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的一種圖形繪制方法的流程。首先，將已被存儲在存儲裝置15內(nèi)的要繪制的圖形的繪圖數(shù)據(jù)存儲在繪圖數(shù)據(jù)存儲器17中，然后，計(jì)算間隔區(qū)域的寬度S(步驟S10)。在本實(shí)施例中，寬度S恒定為0.2μm。
接下來，在間隔區(qū)域33中，檢測寬度S等于或小于第一基準(zhǔn)值sth的一位置(步驟S20)。例如，第一基準(zhǔn)值sth2是0.2μm。在本實(shí)施例中，在所有位置上寬度S等于或小于第一基準(zhǔn)值。
然后，計(jì)算與間隔區(qū)域33接觸的圖形預(yù)定區(qū)域21的邊長W1和W2及與這些邊垂直的邊長h1和h2(步驟S30)。在本實(shí)施例中，W1和W2的長度分別為100μm，h1和h2的長度分別為20μm。
接下來，作出長度W1和W2是否等于或超過第二基準(zhǔn)值wt和長度h1和h2是否等于或超過第三基準(zhǔn)值hth的判斷(步驟S40)。例如，第二基準(zhǔn)值Wth是30μm，第三基準(zhǔn)值是10μm。
如果長度W1和W2等于或超過第二基準(zhǔn)值Wth且長度h1和h2等于或超過第三基準(zhǔn)值hth，則由劃分單元14a進(jìn)行圖形預(yù)定區(qū)域21的劃分處理(步驟S50)。圖7是表示第一實(shí)施例中對要繪制的圖形進(jìn)行劃分處理的示意圖。在本實(shí)施例中，每個圖形預(yù)定區(qū)域21被劃分為設(shè)在外緣具有0.2μm寬度的外緣部分和被外緣部分圍繞的中心部分22。此外，與間隔區(qū)域33接觸的外緣部分的接觸部分自該接觸部分的兩端位置起以每5μm依次劃分為輪廓部分27、26和25，而在輪廓25之間夾住的接觸部分的位置則設(shè)為輪廓部分24。與此類似，與接觸間隔區(qū)域33的接觸部分相平行的部分自其兩端起以每5μm依次劃分成輪廓部分31、30和29，在輪廓部分29之間設(shè)一輪廓部分28。此外，在與接觸部分垂直的每個外緣部分設(shè)一輪廓部分32。
接下來，根據(jù)電子束密度由控制單元14b控制對所劃分的各輪廓部分進(jìn)行合適曝光量(步驟S60)。在與間隔區(qū)域33接觸的外緣部分的接觸部分和與該接觸部分平行的部分，在分別遠(yuǎn)離輪廓部分24和28的輪廓部分的電子束曝射強(qiáng)度漸次設(shè)定為大于較接近輪廓部分24和28的曝射強(qiáng)度，致使在分別遠(yuǎn)離中心位置輪廓部分24和28的輪廓部分的電子束照射能量值大于與輪廓部分24和28較近的輪廓部分。在如下表1中示出本實(shí)施例中各個位置曝射強(qiáng)度設(shè)定值。
表1
在圖形預(yù)定區(qū)域21的繪圖數(shù)據(jù)和各輪廓部分的曝射強(qiáng)度被作為新的繪圖數(shù)據(jù)存入存儲器17之后，就將它們傳送到操縱部件16。
然后，由作為產(chǎn)生源的電子槍1發(fā)射電子束50，并由操縱部件16對每次發(fā)射控制消隱電極2、成形偏轉(zhuǎn)器5和主偏轉(zhuǎn)器8及副偏轉(zhuǎn)器9，使得能按照為各個輪廓部分所設(shè)置的曝射強(qiáng)度發(fā)射電子束50b。通過重復(fù)這一操作一個潛象的圖形被繪制在敷有一層抗蝕膠的半導(dǎo)體晶片11的表面上。
圖8示出了當(dāng)通過在硅晶片上敷涂0.5μm厚的一層負(fù)抗觸膠時(shí)，以上面所述方式繪制圖形時(shí)的間隔區(qū)域33寬度變化。圖8示出在第一實(shí)施例中以水平軸代表沿長度方向自間隔區(qū)域的端部到中心部的距離和以豎軸代表的間隔區(qū)域?qū)挾戎g關(guān)系的曲線圖。按照本實(shí)施例，在間隔區(qū)域33的端部寬度和在間隔區(qū)域33中心部分的寬度之間的差僅有0.1μm，如圖8所示。由于在如圖3所示的常規(guī)圖形繪制方法的情況下在間隔區(qū)域33的端部的寬度此在中心部的寬度大0.3μm或更多，因此就有可能通過本實(shí)施例將間隔區(qū)域?qū)挾茸兓拗频揭环浅Ｐ〉某潭取?br> 在步驟20中，在寬度S大于第一基準(zhǔn)值Sth的位置處不作上述的劃分處理，且電子束是以與中心部分22相同的方式發(fā)射的。當(dāng)在步驟S40中，不管長度W1或W2小于第二基準(zhǔn)值Wth或是長度h1或h2小于第三基準(zhǔn)值hth寸，都不作劃分處理。
下面將描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖5所示圖形也將繪在本實(shí)施例中。在本實(shí)施例中，以與第一實(shí)施例相同的方式繪制一潛象圖形，只是對整個圖形的曝射強(qiáng)度設(shè)定為一常數(shù)值，而且按照設(shè)定的曝射強(qiáng)度對要繪制的圖形區(qū)域進(jìn)行劃分的方法也不同于第一實(shí)施例。圖9所示為表示對第二實(shí)施例中要繪制的圖案進(jìn)行劃分處理的示意圖。在本實(shí)施例中，電子束是按設(shè)定的曝射強(qiáng)度以一常數(shù)值22.4微庫侖/cm2發(fā)射的。為了這個目的，在與間隔區(qū)域33接觸的外緣部分的接觸部分和在與該接觸部分平行的部分，遠(yuǎn)離輪廓部分24和28的輪廓部分的寬度分別設(shè)定為漸次大于較接近輪廓部分24和28的輪廓部分的寬度，使得遠(yuǎn)離中心位置周緣部分24和28的輪廓部分所受電子束的曝射能量值分別大于更接近輪廓部分24和28的輪廓部分。因此，中心部分22a的形狀不同于中心部分22的形狀。在本實(shí)施例中每個輪廓部分的寬度如下面的表2所示。
表2
圖10示出了通過在一硅基片上涂敷一層0.5μm厚的負(fù)抗蝕膠，以上面所述方式繪制一圖形時(shí)的間隔區(qū)域33寬度的變化。圖10是表示在第二實(shí)施例中，由水平軸代表的沿長度方向由間隔區(qū)域33的端部到中心部的距離和由豎軸代表的間隔區(qū)域的寬度之間關(guān)系的曲線圖。如圖10所示，根據(jù)本實(shí)施例，在間隔區(qū)域33的端部的寬度和間隔區(qū)域33中心部的寬度之間的差僅為0.1μm左右。由于在圖3所示的常規(guī)圖形繪制方法的情況中，在間隔區(qū)域端部的寬度比中心部的寬度大0.3μm或更多，因此以與第一實(shí)施例相似的方式，采用本實(shí)施例，就可能將間隔區(qū)域?qū)挾鹊淖兓拗频揭蛔钚〉某潭取?br> 在第一和第二實(shí)施例中，雖然與間隔區(qū)域接觸的外緣部分是以每5μm劃分的，且電子束的曝射強(qiáng)度或輪廓部分的寬度是以四級變化的，但本發(fā)明并不只限于此。劃分的寬度和劃分的數(shù)量也是可以根據(jù)要繪制的圖形和間隔區(qū)域的尺寸改變的。
此外，向圖形預(yù)定區(qū)域發(fā)射的電子束能量強(qiáng)度還可以通過組合第一實(shí)施例和第二實(shí)施例進(jìn)行控制。
權(quán)利要求
1.一種采用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于，它包括將要形成圖形的一區(qū)域分成一中心部分和圍繞所述中心部分的一外緣部分，所述的外緣部分被分為多個輪廓部分；以及向每個所述輪廓部分照射帶電電子束的方式，是在沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的一輪廓部分受到的照射能量強(qiáng)度高于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于所述的要形成一圖形的區(qū)域至少有一個邊，以及所述特定輪廓部分實(shí)際上位于所述邊的中心部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于照射所述帶電電子束的步驟具有以一種方式向各所述輪廓部分照射所述帶電粒子束的步驟，所述一種方式是在沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分受到照射的曝射強(qiáng)度高于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于劃分所述要形成一圖形區(qū)域的步驟具有以一種方式設(shè)定每一所述輪廓部分尺寸的步驟，所述一種方式是在沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分所設(shè)定的尺寸大于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于照射所述帶電電子束的步驟具有對各所述輪廓部分以一種方式照射所述帶電電子束的步驟，所述一種方式是在沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分受到照射的曝射強(qiáng)度高于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分，以及劃分所述要形成一圖形區(qū)域的步驟具有以一種方式設(shè)定每一所述輪廓部分尺寸的步驟，所述一種方式是在沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分所設(shè)定的尺寸大于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于所述的帶電粒子束是電子束。
7.一種使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于，它包括的步驟為將要形成一圖形的兩個區(qū)域各分為一中心部分和圍繞所述中心部分的一外緣部分，所述外緣部分被分為多個輪廓部分；計(jì)算所述圖形預(yù)定區(qū)域之間的距離；以及對每個所述輪廓部分以一種方式照射帶電電子束，所述一種方式是，當(dāng)沿著外緣部分所述輪廓部分與一特定輪廓部分相隔的距離等于或小于一預(yù)定值時(shí)，所述相隔距離較遠(yuǎn)的輪廓部分受到照射的能量強(qiáng)度高于所述相隔距離較近的輪廓部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于所述要形成圖形的區(qū)域至少具有一個邊，以及所述的特定輪廓部分實(shí)質(zhì)上位于所述邊的中心部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于，所述特定的輪廓部分相互面對著。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方式，其特征在于照射所述帶電粒子束的步驟具有以一種方式對各所述輪廓部分照射所述帶電電子束的步驟，所述一種方式是在沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分受到照射的曝射強(qiáng)度高于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方式，其特征在于劃分所述要形成一圖形區(qū)域的步驟具有以一種方式設(shè)定每個所述輪廓部分尺寸的步驟，所述一種方式是在沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分所設(shè)定的尺寸大于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于照射所述帶電粒子束的步驟具有以一種方式對各所述輪廓部分照射所述帶電電子束的步驟，所述一方式即，沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分所照射的曝射強(qiáng)度高于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分，以及劃分所述要形成一圖形區(qū)域的步驟具有以一種方式設(shè)定每個所述輪廓部分尺寸的步驟，所述一種方式即，沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分所設(shè)定的尺寸大于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用帶電粒子束的圖形繪制方法，其特征在于，所述的帶電粒子束是電子束。
14.一種使用帶電粒子束的圖形繪制裝置，其特征在于，它包括用于產(chǎn)生帶電粒子束的一產(chǎn)生源；用于將要形成圖形的區(qū)域劃分成一中心部分和一圍繞所述中心部分的外緣部分并將所述外緣部分劃分為多個輪廓部分的劃分單元；以及用于控制所述帶電電子束曝射的控制單元，它使所述帶電電子束以一種方式對所述每個輪廓部分照射，所述一種方式即，沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分受到的照射能量強(qiáng)度高于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的使用帶電粒子束的圖形繪制裝置，其特征在于所述控制單元控制所述帶電電子束向所述的每個輪廓部分照射的方式是，沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分受到照射的曝射強(qiáng)度高于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的使用帶電粒子束的圖形繪制裝置，其特征在于所述控制單元控制沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的所述輪廓部分的尺寸，使它設(shè)定為大于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的使用帶電粒子束的圖形繪制裝置，其特征在于所述控制單元控制所述帶電電子束向所述的每個輪廓部分照射的方式是，沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的輪廓部分受到照射的曝射強(qiáng)度高于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分，并控制沿外緣部分與一特定輪廓部分遠(yuǎn)離的所述輪廓部分的尺寸，使它設(shè)定為大于與所述特定輪廓部分較近的輪廓部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的使用帶電粒子束的圖形繪制裝置，其特征在于所述要形成一圖形的區(qū)域至少有一個邊，以及所述特定輪廓部分實(shí)質(zhì)上部分所述邊的中間部份。
全文摘要
將要形成圖形的兩個圖形預(yù)定區(qū)域各被分成一外緣部和被外緣部圍繞的一中心部。與一間隔區(qū)域接觸的外緣部自其兩端分成5μm間隔的輪廓部。由輪廓部所夾的一部分外緣部形成一輪廓部。與這些輪廓部垂直的外緣區(qū)形成一輪廓部分?？刂茊卧措娮邮芏瓤刂葡蚋鬏喞科厣涞膹?qiáng)度。在與間隔區(qū)域接觸的外緣部分中沿外緣部分,與其中央位置遠(yuǎn)離的輪廓部受到的電子束曝射強(qiáng)度高于較近的輪廓部。
文檔編號H01L21/768GK1182280SQ97120139
公開日1998年5月20日 申請日期1997年11月10日 優(yōu)先權(quán)日1996年11月11日
發(fā)明者田村貴央 申請人:日本電氣株式會社