專利名稱：雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管的制造方法。屬于半導(dǎo)體元件的技術(shù)領(lǐng)域。
現(xiàn)有的雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管(BSIT)都取表面柵結(jié)構(gòu)，其制造方法先在硅外延片取N-/N+型，其外延層N-區(qū)(1)和外延片襯底N+區(qū)(2)，在硅外延片襯底(1)上用光刻方法刻透氧化層(3)，刻出多條擴(kuò)硼區(qū)，經(jīng)過擴(kuò)硼就形成柵P+區(qū)(4)，一般硼結(jié)深度為7-9微米，接著又用另一次光刻方法刻出擴(kuò)磷區(qū)，磷擴(kuò)散以后形成源N+區(qū)(5)，最后分別從源N+區(qū)(5)，柵P+區(qū)(4)和硅外延片襯底(2)作為漏區(qū)引出源極(6)，柵極(7)漏極(8)，由此形成雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管(BSIT)。
這種制造方法存在著一些缺點(diǎn)，由于采用兩次光刻方法互相間有套刻間距和套偏問題，由于柵區(qū)的硼是從表面往下，同時也往側(cè)向作深結(jié)擴(kuò)散，因此占用面積較大，單元重復(fù)間距一般為18-20微米。
本發(fā)明的目的是要提供一種雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管的制造方法，它可以克服上述的缺點(diǎn)。主要采用一次光刻方法使N+區(qū)和柵P+區(qū)分離，且自動對準(zhǔn)，提高其成品率。另外用挖槽方法，使單元重復(fù)間距用得較小，縮短其關(guān)斷時間。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的。


圖1A原有雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管光刻過程示意1B原有雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管擴(kuò)硼過程示意圖。
圖1C原有雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管擴(kuò)磷過程示意圖。
圖1D原有雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管漏區(qū)引極過程示意圖。
圖2A雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管擴(kuò)磷示意2B雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管光刻示意2C雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管擴(kuò)硼示意2D雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管漏區(qū)引極示意圖茲結(jié)合附圖對雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管，結(jié)構(gòu)和制造方法詳細(xì)敘述由圖2A,2B,2C,2D。
A．?dāng)U磷，在硅外延層(1)上大面積擴(kuò)磷形成N+區(qū)(5)(圖1A)。
B．光刻(圖2B)，用光刻方法在N+區(qū)(5)光刻多條槽，該槽既穿透氧化層(3)又穿透N+區(qū)(5)。
C．?dāng)U硼，在槽(9)內(nèi)擴(kuò)硼，形成柵P+區(qū)(4)(圖2C)。
D．源區(qū)引極未被光刻的N+區(qū)(5)作為源區(qū)，最后分別從源N+區(qū)(5)、柵P+區(qū)(4)和外延片襯底(2)作為的漏區(qū)引出源極(6)，柵極(7)和漏極(8)(圖2D)，由此制成雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管(BSIT)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管的制造方法具有下列優(yōu)點(diǎn)1．本制造方法只需進(jìn)行一次光刻可把源N+區(qū)(5)與柵P+區(qū)(4)分離，使源N+區(qū)(5)與柵P+區(qū)(4)完全自對準(zhǔn)，因而提高了BSIT的成品率。
2．采用挖槽方法，槽的深度為1.5-4.0微米，使硼結(jié)只需1-3微米，由于硼的橫向擴(kuò)散與縱向擴(kuò)散等比例縮小，所以單元重復(fù)間距可以作得較小，一般只有5-10微米。
3．單元圖形的密集使平均電流密度增加。
4．由于相鄰兩個柵條的距離比較近，關(guān)斷時易于抽取電流，使關(guān)斷時間縮短，加快了開關(guān)速度。
權(quán)利要求
1．一種雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于(1)擴(kuò)磷在硅外延層(1)上大面積擴(kuò)磷形成N+區(qū)(5)(2)光刻槽用光刻方法在N+區(qū)(5)內(nèi)光刻多條槽(9)，該槽既穿透氧化層(3)又穿透N+區(qū)(5)(3)擴(kuò)硼在槽(9)內(nèi)擴(kuò)硼，形成柵P+區(qū)(4)(4)引極在未被光刻的N+區(qū)(5),P+區(qū)(4)和外延片襯底(2)引出源極(6)，柵極(7)和漏極(8)，由此制成雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于柵槽(9)深度為1.5-4.0微米
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于硼結(jié)深度為1.0-3.0微米
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于單元重復(fù)間距為5-10微米
全文摘要
一種雙極型靜態(tài)感應(yīng)晶體管的制造方法。它是在外延層上大面積擴(kuò)磷形成N
文檔編號H01L29/66GK1209647SQ9711625
公開日1999年3月3日 申請日期1997年8月27日 優(yōu)先權(quán)日1997年8月27日
發(fā)明者張愛珍 申請人:張愛珍