專利名稱:一種晶片排阻端面電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是有關(guān)一種晶片排阻端面電極的制作方法,特別是指一種利用鉆石刀片切割機(jī)(Dicing Saw)將晶片排阻器的端面部份的連續(xù)電極依正背面電極所需的位置、寬度及間距切割,以有效控制排阻器的間距尺寸,提高產(chǎn)品品質(zhì)及精度、密度的制作方法。
1206尺寸的8電阻素子晶片排阻器由于其微小的間距(pitch)問題而使凹形電極或端面電極的形成方法困難于傳統(tǒng)單一電阻素子的晶片電阻器或裝有金屬片接腳的各式產(chǎn)品;鑒于日趨微小化、精密化的產(chǎn)品需求而發(fā)展出小型多連的晶片排阻器(0.635mm pitch,8素子)。
目前多數(shù)制造晶片排阻器的競(jìng)爭(zhēng)者大部份仍以貫孔方式形成凹形電極,此種形式在制造過程中雖然為一種較簡(jiǎn)易的制程方式,但伴隨之卻產(chǎn)生其他制程的精度及合格率提高困難,且在使用上由于焊錫后不易檢驗(yàn),重工的困難而衍生許多問題。
傳統(tǒng)晶片排阻制程方法1·于貫孔基板進(jìn)行印刷(如
圖1所示);2·條狀剝離(如圖2所示);3·粒狀剝離(如圖3所示)。
一般的晶片排阻器為貫孔或作金屬接腳形式;就晶片排阻而言,貫孔印刷為主要的制程方法以形成端面電極。
特點(diǎn)在印刷的過程中同時(shí)形成端面電極而連接正反面的電極;此一制程的特點(diǎn)在節(jié)省形成端面電極的制程,且容易制造無需另加特殊設(shè)備就可以形成端面電極。
缺失此種貫孔技術(shù)的缺失大致分為兩部份1、制造限制由于貫孔印刷必需在印刷基板上預(yù)先留有孔洞,目前市而上所見大都為0.3×0.6mm,最小可至0.2mm直徑的圓孔,而利用印刷正反面導(dǎo)體膠的時(shí)機(jī),將導(dǎo)體材料吸入孔中則需要大于貫孔的印刷面積,以目前各廠家一般的印刷精度,此一覆蓋貫孔的印刷面積最小需(0.2mm+0.1mm+0.1mm)=0.4mm;在一個(gè)0.635mm間距(pitch)的制品中除去0.4mm的印刷面積只剩0.235mm的間隙,若再將基板本身的誤差(最大為±0.1mm)考慮進(jìn)去,則以貫孔方式制作0.635mm間距(pitch)的晶片排阻或更小的間距(pitch)將有很大的困難。
2、客戶使用由貫孔技術(shù)所形成的產(chǎn)品在客戶使用上稱為凹電極產(chǎn)品,其在PC板上的焊錫狀態(tài)及焊錫狀態(tài)的檢驗(yàn)皆不甚良好、容易,且當(dāng)需要重工時(shí)困難度高。
有鑒于已知制作方法有上述缺失,本發(fā)明人即針對(duì)該等缺失進(jìn)行研究改良,經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間研究終有本發(fā)明產(chǎn)生。
因此,本發(fā)明的目的即旨在提供一種晶片排阻端面電極的制作方法,依本發(fā)明的此種晶片排阻端面電極制作方法,是提供一種非貫孔印刷的端面電極形成法,可解決貫孔技術(shù)在制造上的限制及客戶使用上的不便,而有效控制排阻器的間距尺寸,提高產(chǎn)品品質(zhì)及精度、密度,并可使同一制程的產(chǎn)品數(shù)增加及提高合格率。
為實(shí)現(xiàn)上述的目的,本發(fā)明所采取的技術(shù)方案為一種晶片排阻端面電極的制作方法,其特征在于該方法的步驟為對(duì)基板正面單元電阻器及背面電極完成印刷;鐳射切割;條狀剝離;端面著膜;端面切割是通過鉆石刀片對(duì)端面部份就連續(xù)電極依正背面電極位置、寬度以及間距切割,以制得排阻器端面電極;粒狀剝離;電鍍;檢驗(yàn);藉此,可有效控制排阻器的間距及尺寸,以提高產(chǎn)品品質(zhì)及精度。
本發(fā)明中對(duì)基板正面單元電阻器及背面電極的形成是以薄膜制程制作;或者,對(duì)基板正面單元電阻器是以薄膜制程完成,而背面電極是以印刷方式完成。
本發(fā)明的此種晶片排阻端面電極制作方法,是提供一種非貫孔印刷的端面電極形成法,可解決貫孔技術(shù)在制造上的限制及客戶使用上的不便,而有效控制排阻器的間距尺寸,提高產(chǎn)品品質(zhì)及精度、密度。
同時(shí)由于本發(fā)明的方法是使用非貫孔基板,基板尺寸的變異消失而可使用大型的基板使同一制程的產(chǎn)品數(shù)增加及因減少材料不確定度而增加制程能力、合格率。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明如下圖1為常見晶片排阻器貫孔基板印刷完成正面示意圖。
圖2為常見晶片排阻器條狀剝離示圖。
圖3為常見晶片排阻器粒狀剝離示圖。
圖4為本發(fā)明的制作流程圖。
圖5為本發(fā)明的基板印刷完成正面示意圖。
圖6為本發(fā)明的條狀剝離示意圖。
圖7為本發(fā)明條狀半制品的端面連續(xù)膜著膜示意圖。
圖8為本發(fā)明端面連續(xù)膜切割分開工程,切割時(shí)的狀態(tài)示意圖。
圖9為本發(fā)明的條狀半制品經(jīng)過鉆石切割后的示意圖。
圖10為本發(fā)明端面連續(xù)膜切割條狀半制品分開后的正面示意圖。
圖11為本發(fā)明粒狀剝離工程后的單一晶片排阻。
請(qǐng)參照?qǐng)D4,本發(fā)明的此種晶片排阻端面電極制作方法,步驟為1.對(duì)基板正面單元電阻器及背面電極完成印刷(如圖5所示);2.鐳射切割(如圖6所示);3.條狀剝離;4.端面著膜(如圖7所示);5.端面切割(如圖8、9所示);6.粒狀剝離(如圖11所示);7.電鍍;8.檢驗(yàn)。
本發(fā)明為利用切割的手段以達(dá)成形成端面電極的目的。將印刷完成的陶瓷基板經(jīng)鐳射切割并剝成條狀,而得到晶片排阻器,此時(shí)端面部份為陶瓷基板的斷面,未與正背面電極連接;將此條狀的半制品置入一“冂”形冶具中加以整列,并使端面部份露出于冶具的兩側(cè),以Sputter(噴鍍)方法在端面進(jìn)行著膜1;著膜后的端面為連續(xù)的導(dǎo)體,而正背面電極2是由印刷、燒結(jié)而形成,故其尺寸、間隙皆可由設(shè)計(jì)而更改,使印刷制程能力最小可達(dá)寬度0.1mm的線條,較之貫孔所需的最小尺寸(0.4mm)僅為其1/4而已,亦即在0.635mm間距(pitch)或更小的電極間距(0.5mm)皆無先天的尺寸限制。
為使端面部份的連續(xù)導(dǎo)體如同正背面電極一樣分開,以達(dá)各電阻素子的功能,本發(fā)明利用鉆石刀片切割機(jī)(Dicing Saw),藉由鉆石刀片3對(duì)晶片的端面部份進(jìn)行切割,只要決定鉆石刀片3的厚度,即可使晶片端面部份的連續(xù)電極4依正背面電極2所需的位置、寬度、間距得以切割,從而得到預(yù)定尺寸的排阻器端面電極。
使用本發(fā)明的制造程序有以下的功能1、每單位基板上晶片排阻數(shù)增加一般貫孔基板由于以此法制作晶片排阻的基板在成形時(shí)即需以模具沖孔,模具費(fèi)高昂,且因陶瓷基板的燒結(jié)收縮不易控制,一般貫孔基板的制造尺寸為60mm×45mm,故單位基板上最多約可排列晶片排阻684顆。一般空白無加工基板由于無貫孔的影響,基板的尺寸可放大至基板廠商制程能力所及的尺寸;以本發(fā)明的實(shí)施例所用的基板80mm×84mm,其基板上最多可排及的晶片排阻數(shù)有1173顆,為一般貫孔基板的1.7倍多。以相同的基板制造流程,利用本發(fā)明的方法將可多獲得近一倍的晶片排阻。
2、基板的尺寸精度可忽略并增加制程合格率貫孔基板如上述因陶瓷燒結(jié)的收縮,預(yù)先沖好的孔洞其大小位置精度受燒結(jié)的尺寸變化而受影響,目前的精度通常以一個(gè)列(rank)內(nèi)±100μm為其精度,而基板廠商在燒制基板時(shí)通常將完成的基板依尺寸分成數(shù)十個(gè)列(rank),而交貨于使用者通常至少有十?dāng)?shù)個(gè)rank的基板,因此在作基板印刷時(shí)除了需制作等數(shù)量的網(wǎng)版套數(shù)外,由于尺寸的差異可大至1mm(基板外圍尺寸)以上,在后續(xù)的自動(dòng)化的設(shè)置上將產(chǎn)生困擾;最嚴(yán)重的是由于尺寸的不準(zhǔn)使得基板上印刷圖形的設(shè)計(jì)受到很大的限制,使得制程的寬容度、產(chǎn)品性能無法提高。甚至,無法制作更微小化的產(chǎn)品。
一般空白無加工基板使用三點(diǎn)決定一平面的原理作定位在印刷上及條狀粒狀切割上無公差太大的問題,一般的公差在0.02mm左右,使得產(chǎn)品的設(shè)計(jì)寬容度大增,在制作更微小化產(chǎn)品的技術(shù)上也無大的障礙。
以上的功能皆可因使用本發(fā)明的制作方法而舍去以往的貫孔基板,而使用空白基板所得的功效。
綜上所述,本發(fā)明的此種晶片排阻端面電極的制作方法,其先在基板正面單元電阻器完成印刷,再利用鐳射切割的方式作條狀剝離,對(duì)電阻器的端面進(jìn)行端面著膜,再通過鉆石刀片切割機(jī)(Dicing Saw)對(duì)端面部份就連續(xù)電極依正背面電極位置、寬度以及間距切割,從而獲得排阻器端面電極的制作方法,確實(shí)可以使用非貫孔基板,使單位基板的產(chǎn)量增加,并可有效控制排阻器的間距及尺寸,以提高產(chǎn)品品質(zhì)及精度;其可克服常見制作方法的缺失,而其未見諸公開使用,故提出發(fā)明專利申請(qǐng)。
權(quán)利要求
1.一種晶片排阻端面電極的制作方法(二),其特征在于該方法的步驟為對(duì)基板正面單元電阻器及背面電極完成印刷;鐳射切割;條狀剝離;端面著膜;端面切割是通過鉆石刀片對(duì)端面部份就連續(xù)電極依正背面電極位置、寬度以及間距切割,以制得排阻器端面電極;粒狀剝離;電鍍;檢驗(yàn)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片排阻端面電極的制作方法(二),其特征在于對(duì)基板正面單元電阻器及背面電極的形成是以薄膜制程制作。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片排阻端面電極的制作方法(二),其特征在于對(duì)基板正面單元電阻器是以薄膜制程完成,而背面電極是以印刷方式完成。
全文摘要
一種晶片排阻端面電極的制作方法,是先在基板正面單元電阻器完成印刷,再利用鐳射切割的方式作條狀剝離,對(duì)電阻器的端面進(jìn)行端面著膜,再通過鉆石刀片切割機(jī)(DicingSaw)對(duì)端面部分就連續(xù)電極依正背面電極位置、寬度以及間距切割,從而獲得排阻器端面電極;藉此,可有效控制排阻器的間距及尺寸,以提高產(chǎn)品品質(zhì)及精度、密度。
文檔編號(hào)H01L27/01GK1205552SQ97112249
公開日1999年1月20日 申請(qǐng)日期1997年7月10日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月10日
發(fā)明者廖世昌, 林義雄 申請(qǐng)人:乾坤科技股份有限公司