專利名稱：：具有一個(gè)有特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不透明襯底的光電器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在用于太陽(yáng)能電池和用于在各種電設(shè)備中的電源的光電器件中的改進(jìn)。特別是，本發(fā)明涉及一種具有一個(gè)有特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不透明襯底的光電器件(或一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件)，該不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)增加了在光電轉(zhuǎn)換區(qū)域(或光電半導(dǎo)體區(qū)域)中入射光的利用效率并提供了改進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換效率。為了獲得一種具有一個(gè)改進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換效率的光電器件，已知一種在與光電轉(zhuǎn)換層的光入射側(cè)相反的側(cè)上設(shè)置一個(gè)金屬反射層(所謂的金屬背反射層)。此外，已知在一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層和一個(gè)金屬背反射層之間設(shè)置一個(gè)透明導(dǎo)電層的情況下，能夠獲得具有下列優(yōu)點(diǎn)的光電器件防止金屬背反射層被擴(kuò)散到光電轉(zhuǎn)換層中，防止過(guò)電流流動(dòng)，和光電轉(zhuǎn)換層具有一個(gè)改進(jìn)的粘合力(參見(jiàn)，日本專利公開(kāi)號(hào).43101/1984，41878/1985，和84888/1985)。此外，已知一種包括一個(gè)透明導(dǎo)電層的光電器件，該透明導(dǎo)電層由設(shè)置在一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層和一個(gè)金屬背反射層之間的TiO2構(gòu)成(參見(jiàn)Y.Hmakawaetal.，Appl.Phys.Lett.，43，p.644(1983))。另一方面，已知一種包括一個(gè)透明導(dǎo)電層的光電器件，該透明導(dǎo)電層具有一種網(wǎng)紋表面結(jié)構(gòu)，該網(wǎng)紋表面結(jié)構(gòu)設(shè)置有許多與一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層接觸的微小不規(guī)則處，在光電轉(zhuǎn)換層中光被擴(kuò)散在透明導(dǎo)電層與光電轉(zhuǎn)換層之間的界面上，由此改進(jìn)了在光電轉(zhuǎn)換層中入射光的利用率(參見(jiàn)，H.Deckmanetal.Proo.，16thIEEEPhotovoltaioSpeoialistConf.p.1425(1982))。然而，在通過(guò)采用包含具有網(wǎng)紋表面結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層的一個(gè)電極(或一個(gè)背電極)結(jié)構(gòu)來(lái)產(chǎn)生一種光電器件的情況下，有時(shí)存在與靈活性和耐久性相關(guān)的問(wèn)題，如將在下面描述的。在此，已經(jīng)基本考慮到在一個(gè)光電器件的情況下常規(guī)的所謂網(wǎng)紋表面結(jié)構(gòu)是典型的這樣具有許多錐狀不規(guī)則處的一種結(jié)構(gòu)，如在T.Tiedjeetal.Proo.16thIEEEPhotovoltaioSpeoialistConf.p.1423(1982))中所述的并且它提供了一個(gè)非常好的光限制效果。然而，在通過(guò)提供一個(gè)具有設(shè)置有許多錐狀不規(guī)則處的一個(gè)不均勻表面的襯底(此后該不均勻表面將被稱為錐狀不規(guī)則表面)和在所述襯底的錐狀不規(guī)則表面上形成一個(gè)小電極和一個(gè)作為光電轉(zhuǎn)換層的光電半導(dǎo)體層來(lái)制造一個(gè)光電器件的情況下，容易產(chǎn)生的問(wèn)題是所產(chǎn)生的光電器件有時(shí)使由于在光電半導(dǎo)體層中存在的一個(gè)缺陷或類似情況引起的漏電流增加，因此獲得一個(gè)高效率是困難的。除此之外，在這種情況下，容易產(chǎn)生的另一個(gè)問(wèn)題是由于在襯底的錐狀不規(guī)則表面上形成的光電轉(zhuǎn)換層的有效厚度比在一個(gè)襯底的拋光表面上形成的光電轉(zhuǎn)換層的厚度更薄，所以特別是它構(gòu)成的攙雜層區(qū)域(在一個(gè)相當(dāng)薄的厚度上形成的)進(jìn)一步變薄，結(jié)果所產(chǎn)生的光電器件最終在Voc(開(kāi)路電壓)和F.F.(占空因數(shù))方面比在襯底的拋光表面上形成的光電器件更差。另外地，在光電器件具有一個(gè)由銀(Ag)和銅(Cu)組成的金屬背反射層的情況下，當(dāng)在高濕度環(huán)境條件下提供一個(gè)正偏壓給金屬背反射層時(shí)，容易產(chǎn)生的問(wèn)題是作為金屬背反射層的組成部分的Ag和Cu被遷移與位于光入射側(cè)上的電極(上電極)電接觸，在那里光電器件遭受一個(gè)旁路(或一個(gè)短路)。在金屬背反射層具有一個(gè)尺寸與入射光的波長(zhǎng)類似的不規(guī)則表面(或一個(gè)網(wǎng)紋表面結(jié)構(gòu))的情況下這種現(xiàn)象是明顯的。對(duì)于具有一個(gè)由鋁(Al)組成的金屬背反射層的光電器件，雖然在利用由銀(Ag)或銅(Cu)組成的金屬背反射層的情況下產(chǎn)生的這種遷移不存在，但是當(dāng)具有一個(gè)由鋁(Al)組成的金屬背反射層被制造成具有一個(gè)網(wǎng)紋表面時(shí)，具有一種減小反射率的趨勢(shì)。此外，在透明導(dǎo)電層被疊加在Al背反射層的網(wǎng)紋表面上的情況下，具有明顯地減小反射率的趨勢(shì)。隨便說(shuō)說(shuō)，對(duì)于被利用在一個(gè)光電器件中的襯底，已知該襯底的表面狀態(tài)與在其上形成的一個(gè)半導(dǎo)體膜的光電特性緊密相關(guān)，和當(dāng)襯底表面的粗糙度增加時(shí)，半導(dǎo)體膜的特性下降(參見(jiàn)，JapaneseJournalofAppliedPhysios，Vol，21(1982)Supplement21-2，PP.287-290)。因此，為了以高效率產(chǎn)生一個(gè)具有所希望的光電特性的光電器件，已知認(rèn)識(shí)到希望利用一個(gè)具有盡可能小的表面粗糙度的襯底以致于它與一個(gè)拋光表面(鏡面)類似。然而，在每個(gè)襯底和背反射層的表面被制造成不是不均勻表面而是一個(gè)拋光表面的情況下，容易產(chǎn)生的問(wèn)題是在背側(cè)中的光反射是相當(dāng)?shù)男?，由于這個(gè)原因，在光電半導(dǎo)體層中入射光的利用率不充分的，并且根據(jù)構(gòu)成襯底的材料和構(gòu)成背反射層的材料的一種組合物，襯底與背反射層的粘合力變?yōu)椴怀浞?，使在一個(gè)光電器件的制造期間在襯底和背反射層之間的界面上產(chǎn)生層分離。另外，為了得到一個(gè)拋光表面而對(duì)被利用在一個(gè)光電器件中的襯底進(jìn)行處理使襯底的生產(chǎn)費(fèi)用提高了，它導(dǎo)致了使所產(chǎn)生的光電器件的費(fèi)用提高。在采用這樣的一個(gè)光電器件產(chǎn)生過(guò)程的情況下，即在實(shí)際中通過(guò)利用一個(gè)由樹(shù)脂膜、不銹鋼部件或類似物組成的一個(gè)低價(jià)格的襯底或通過(guò)利用提高一個(gè)光電半導(dǎo)體層的形成速度來(lái)提高光電器件產(chǎn)生速度的方法使光電器件產(chǎn)生過(guò)程的費(fèi)用更低的情況下肯定能夠產(chǎn)生上述問(wèn)題，其中特別是一個(gè)光電器件的效率被降低了。為了使在一個(gè)光電器件中利用的透明導(dǎo)電層具有加在上面所述的不規(guī)則表面，已知一種制造具有一個(gè)不規(guī)則表面的襯底(在該襯底上形成有所述的透明導(dǎo)電層)的方法。特別是在這方面，日本未審查的專利公開(kāi)號(hào).205879/1991公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池(屬于光電器件)，在該太陽(yáng)能電池中利用了一個(gè)具有不規(guī)則表面的玻璃襯底。然而，該方法的問(wèn)題是在玻璃襯底上的所述不規(guī)則表面是一個(gè)具有任意粗糙度的錐狀不規(guī)則表面，由于這個(gè)原因，上面所述的問(wèn)題容易發(fā)生。日本未審查的專利公開(kāi)號(hào).147783/1987公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池(屬于光電器件)，它包括一個(gè)淀積在一個(gè)金屬襯底上的非晶硅(a-Si)光電半導(dǎo)體層，該金屬襯底的表面具有一個(gè)能夠引入射光繞射的特殊的規(guī)則表面。然而，在這種情況下利用特殊的則蝕過(guò)程進(jìn)行在金屬襯底上所述特殊的規(guī)則表面的形成，由于這個(gè)原因，太陽(yáng)能電池是高費(fèi)用的。因此，增加了對(duì)制造高可靠光電器件的需要，在該光電器件中入射光的利用率和光電轉(zhuǎn)率進(jìn)一步被改進(jìn)，它擅長(zhǎng)于實(shí)用性并且能夠以一種合理的生產(chǎn)費(fèi)用被有效地產(chǎn)生。本發(fā)明的一個(gè)目的是消除上述在現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題和滿足上述的要求本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種高可靠的光電器件，它沒(méi)有關(guān)于上述在現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的實(shí)用性、可靠性和產(chǎn)生費(fèi)用的問(wèn)題，并且在該光電器件中由光電半導(dǎo)體層吸收的入射光(或入射光的利用率)被大大地改進(jìn)了，以及它擅長(zhǎng)于實(shí)用性和可靠性。為了獲得上述目的，本發(fā)明是以本發(fā)明人通過(guò)試驗(yàn)研究獲得的一種發(fā)現(xiàn)為基礎(chǔ)的，即利用具有一個(gè)由許多線性不規(guī)則處或凹槽構(gòu)成的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不透明襯底能夠獲得一個(gè)高可靠性的光電器件，該光電器件沒(méi)有涉及在現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的實(shí)用性、可靠性和產(chǎn)生費(fèi)用的問(wèn)題，并且在該光電器件中由光電轉(zhuǎn)換層吸收的入射光(或入射光的利用率)被大大地改進(jìn)了，它擅長(zhǎng)于實(shí)用性并且能夠以一種合理的生產(chǎn)費(fèi)用被有效地產(chǎn)生。一種根據(jù)本發(fā)明的光電器件，其特征是具有一個(gè)由許多直線不規(guī)則處或凹槽構(gòu)成的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不透明襯底，該線性不規(guī)則處或凹槽能夠使光電轉(zhuǎn)換層更有效地利用入射光(或更有效地吸收入射光)，由此在光電轉(zhuǎn)換率方面提供一種改進(jìn)。在本發(fā)明中不透明襯底上的不規(guī)則結(jié)構(gòu)中的直線不規(guī)則處或凹槽可以采用一種以直線形式設(shè)置線性不規(guī)則處或凹槽的直線型圖形，一種波狀形式設(shè)置線性不規(guī)則處或凹槽的波狀型圖形，和一種以螺旋形式設(shè)置線性不規(guī)則處或凹槽的螺旋型圖形。特別是在一個(gè)長(zhǎng)襯底薄板被用在一個(gè)所謂的滾筒對(duì)滾筒膜形成過(guò)程中的情況下，本發(fā)明具有的明顯優(yōu)點(diǎn)是在用于產(chǎn)生所述襯底模板的一個(gè)滾壓的過(guò)程中，在該襯底薄板上能夠有效地形成上述不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)，由于這個(gè)原因，所以能夠獲得一個(gè)經(jīng)過(guò)加工的具有上述不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的襯底薄板。對(duì)于以線性形式設(shè)置線性不規(guī)則處或凹槽的線狀型圖形，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)線性不規(guī)則處或凹槽最好位于一個(gè)特殊的數(shù)值范圍之內(nèi)。特別是，當(dāng)在與線性不規(guī)則處或凹槽平行的方向上進(jìn)行掃描時(shí)獲得的一個(gè)中線平均粗糙度被作為是Ra(X)和在與線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向上進(jìn)行掃描時(shí)獲得的一個(gè)中線平均粗糙度被作為是Ra(Y)時(shí)，Ra(X)是在從15nm到300nm的范圍之內(nèi)，Ra(Y)是在從20nm到600nm的范圍之內(nèi)，Ra(X)/Ra(Y)是0.8或更小。在此，中線平均粗糙度Ra由下面的等式(I)來(lái)限定。Ra-1/L&times;&Integral;0L,|f(x)|dx.........(I)]]>在等式(I)中，L是在一個(gè)給定方向上的一個(gè)測(cè)量長(zhǎng)度，和f(x)對(duì)應(yīng)于一個(gè)高度，該高度是以在襯底的表面中的一個(gè)給定的位置上的不規(guī)則處的中線為基礎(chǔ)的。對(duì)于用于限定表面粗糙度的參數(shù)，能夠利用一個(gè)最大高度值Rmax來(lái)表示。但是，由本發(fā)明人得到的試驗(yàn)結(jié)果顯示利用中線平均粗糙度Ra是最適合的，因?yàn)樗c一個(gè)光電器件的效率和特性密切相關(guān)?？紤]這個(gè)原因的理由是當(dāng)僅有一個(gè)大尺寸的不規(guī)則處存在時(shí)，Rmax相應(yīng)地變大，另一方面，對(duì)于在本發(fā)明中的線性不規(guī)則處或凹槽的表面，Ra提供了更平均的評(píng)價(jià)。在此，對(duì)于由許多簡(jiǎn)單的三角形不規(guī)則處組成的不規(guī)則表面，認(rèn)為Rmax大約是Ra的4四倍。另一方面，對(duì)于由在本發(fā)明中的線性不規(guī)則處或凹槽組成的不規(guī)則表面，由本發(fā)明人的試驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)在最大在情況下Rmax大約是Ra的5倍。下面將描述在一個(gè)光電器件中利用具有根據(jù)本發(fā)明的上述特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的襯底具有的各種優(yōu)點(diǎn)。在光電器件的產(chǎn)生中與利用一個(gè)具有均勻(鏡面)表面的襯底的情況相比，在襯底和在其上淀積的一個(gè)膜之間的粘合力被顯著地改進(jìn)了。由于這個(gè)原因，在一個(gè)光電器件的產(chǎn)生中的可控性和靈活性被擴(kuò)大了，以便能夠有效地產(chǎn)生所希望的高效的光電器件。所獲得的光電器件擅長(zhǎng)于耐氣候和耐久性。并且該光電器件具有好的光電特性。特別是，由于襯底的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)，在光電器件的背部區(qū)域中光的不規(guī)則反射被明顯地改進(jìn)了，以致于沒(méi)有被光電半導(dǎo)體層吸收而保留下來(lái)的長(zhǎng)波長(zhǎng)的光被有效地?cái)U(kuò)散到光電半導(dǎo)體層中，以便使在光電半導(dǎo)休層中的光徑長(zhǎng)度延長(zhǎng)，其中串聯(lián)電阻被很大地減小和在短路電流(Jsc)和占空因數(shù)(F.E.)方面得到了明顯的改進(jìn)。到目前為止，光電器件呈現(xiàn)出了一個(gè)改進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換效率。在光電器件的產(chǎn)生中與利用一個(gè)具有設(shè)置許多錐狀型不規(guī)則處的一個(gè)不均勻表面的襯底的情況相比，利用具有根據(jù)本發(fā)明的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)能夠有效地產(chǎn)生一個(gè)所希望的光電器件，該光電器件擅長(zhǎng)于耐氣候和耐久性并且以較高的效率改進(jìn)了光電特性。該光電器件在包括開(kāi)路電壓(Voc)和占空因數(shù)(F.F.)的光電特性方面具有明顯的改進(jìn)，同時(shí)把短路電流(Jsc)維持在一個(gè)高電平。并且該光電器件呈現(xiàn)出了一個(gè)改進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換效率。對(duì)于利用具有根據(jù)本發(fā)明的特定不規(guī)則表面的襯底提供這些明顯的優(yōu)點(diǎn)的機(jī)械原因，到目前為止還不十分清楚。但是它被認(rèn)為是下列原因。在利用具有一個(gè)設(shè)置許多錐狀型不規(guī)則處的不均勻表面的襯底的情況下，當(dāng)為了獲得在光擴(kuò)散效果方法的改進(jìn)使錐狀型不規(guī)則處的尺寸增加時(shí)，在這個(gè)不規(guī)則襯底表面上形成的一個(gè)半導(dǎo)體層具有一個(gè)在錐狀型不規(guī)則處的頂部上產(chǎn)生缺陷部分的趨勢(shì)。另一方面，在利用具有根據(jù)本發(fā)明的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的襯底的情況下，不存在這樣的問(wèn)題。特別是，根據(jù)本發(fā)明的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)沒(méi)有這樣的錐狀的頂部而被形成有波峰，由于這個(gè)原因，電場(chǎng)被集中在這種缺陷半導(dǎo)休層部分幾乎不存在的波峰上是很困難的。此外，對(duì)于在錐狀型不規(guī)則處結(jié)構(gòu)上形成的一個(gè)半導(dǎo)休層，它的有效厚度比在一個(gè)拋光的襯底表面(鏡面)上的一個(gè)半導(dǎo)體層的厚度更薄。在該半導(dǎo)體層是一個(gè)攙雜層或類似物(它通常被設(shè)計(jì)具有一個(gè)薄的厚度)的情況下，它的有效厚度被過(guò)分地變薄了。在開(kāi)路電壓(Voc)和占空因數(shù)(F.F.)方面，一個(gè)具有這種過(guò)分薄的攙雜層的光電器件次于在拋光的襯底表面上形成的一個(gè)光電器件。在產(chǎn)生一個(gè)的利用具有根據(jù)本發(fā)明的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的襯底的光電器件在情況下，由于根據(jù)本發(fā)明的襯底的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的表面區(qū)域比錐狀型襯底結(jié)構(gòu)的表面區(qū)域更小，所以形成特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層(包括一個(gè)攙雜層)被變?yōu)椴幌Ｍ谋∈抢щy的，如與在利用錐狀不規(guī)則襯底表面的情況中的半導(dǎo)體層相比，其中在開(kāi)路電壓(Voc)和占空因數(shù)(F.F.)方面，所獲得的光電器件優(yōu)于在錐狀不規(guī)則襯底表面形成的光電器件，同時(shí)能夠把短路電流(Jsc)維持在一個(gè)高電平。圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的光電器件的一個(gè)例子的層結(jié)構(gòu)的視圖。圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的光電器件的另一個(gè)例子的層結(jié)構(gòu)的視圖。圖3(a)是說(shuō)明設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)不透明襯底上的一個(gè)不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的視圖，該結(jié)構(gòu)包括許多以一種縱向形式布置的線性不規(guī)則處或凹槽。圖3(b)是說(shuō)明設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)不透明襯底上的一個(gè)不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的視圖，該結(jié)構(gòu)包括許多以一種波狀形式布置的線性不規(guī)則處或凹槽。圖3(c)是說(shuō)明設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)不透明襯底上的一個(gè)不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的又一個(gè)例子的視圖，該結(jié)構(gòu)包括許多以一種螺旋形式布置的線性不規(guī)則處或凹槽。圖3(d)是說(shuō)明設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)不透明襯底上的一個(gè)不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的又一個(gè)例子的視圖，該結(jié)構(gòu)包括許多以一種縱向形式布置的第一線性不規(guī)則處或凹槽和許多在與所述第一線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向上布置的第二線性不規(guī)則處或凹槽。圖4是說(shuō)明使用在根據(jù)本發(fā)明的光電器件中的一個(gè)集電極圖形的例子的平面圖。圖5是說(shuō)明一種濺射裝置的一個(gè)例子的視圖，該濺射裝置用于制造一個(gè)具有被使用在根據(jù)本發(fā)明的光電器件中的前述特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的襯底。圖6是說(shuō)明用于制造一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的光電器件的制造裝置的一個(gè)例子的視圖。圖7(a)和(b)是說(shuō)明用于制造一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的光電器件的一個(gè)滾筒對(duì)滾筒型制造裝置的一個(gè)例子的視圖。圖8(a)是表示關(guān)于對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的光電器件和將在后面描述的例2中的常規(guī)光電器件的效率的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖表。圖8(b)是表示關(guān)于在耐久實(shí)驗(yàn)之后對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的光電器件和將在后面描述的例2中的常規(guī)光電器件的特性的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖表。圖9(a)是表示對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的光電器件和將在后面描述的例3中的常規(guī)光電器件的效率的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖表。圖9(b)是表示關(guān)于在耐久實(shí)驗(yàn)之后對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的光電器件和將在后面描述的例3中的常規(guī)光電器件的特性的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖表。下面將參照附圖來(lái)描述本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明的光電器件可以是一種單元件型或像雙元件型、三元件型或類似型這樣的多元件型。圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的光電器件的一個(gè)單元件型的例子的層結(jié)構(gòu)的視圖。圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的光電器件的一個(gè)多元型的例子的層結(jié)構(gòu)的視圖。在圖1中所示的單元件型光電器件包括一個(gè)單pin結(jié)器件。特別是在圖1中所示的光電器件包括一個(gè)金屬背反射層102、一個(gè)透明導(dǎo)電層103、一個(gè)n型半導(dǎo)體層104(即，一個(gè)n型攙雜半導(dǎo)體層)、一個(gè)i型半導(dǎo)體層105(即，一個(gè)i型非攙雜半導(dǎo)體層)、一個(gè)p型半導(dǎo)體層106(即，一個(gè)p型攙雜半導(dǎo)體層)、一個(gè)透明電極層107，該透明電極層107具有一個(gè)設(shè)置有許多第一線性不規(guī)則處109的不規(guī)則表面，第一線性不規(guī)則處109設(shè)置有許多在與第一線性不規(guī)則處垂直的方向上布置的微小線性不規(guī)則處110、和一個(gè)集電極108，它倦一個(gè)不透明襯底101特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)上以指定的順序被疊加起來(lái)。在圖1所示的光電器件中，n型半導(dǎo)體層104、i型半導(dǎo)體層105和p型半導(dǎo)體層106構(gòu)成一pin結(jié)器件。在圖1所示的光電器件中，光通過(guò)透明電極層107側(cè)面被射入。在圖1所示的光電器件可以還包括一個(gè)被插入在不透明襯底101和金屬背反射層102之間的接觸層(沒(méi)有示出)，以便改進(jìn)金屬背反射層102與不透明襯底101的粘合力。在圖1所示的光電器件中，不僅攙雜半導(dǎo)體層的位置而且電極的位置根據(jù)光入射的方向可以被改變。在圖2中所示的多元件型光電器件是一個(gè)由三pin結(jié)器件疊加成的三元型的光電器件。特別地，在圖2中所示的三元件型光電器件包括一個(gè)不透明襯底202、一個(gè)透明導(dǎo)電層203、一個(gè)第一pin結(jié)器件217、一個(gè)第二pin結(jié)器件216、一個(gè)第三pin結(jié)器件215、一個(gè)透明電極213，該透明電極層具有一個(gè)設(shè)置有許多第一線性不規(guī)則處218的不規(guī)則表面，第一線性不規(guī)則處218設(shè)置有許多在與第一線性不規(guī)則處垂直的方向上布置的微小線性不規(guī)則處219、和一個(gè)集電極214，它們?cè)谝粋€(gè)不透明襯底201特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)上以指定的順序被疊加起來(lái)。在這個(gè)光電器件中，第一pin結(jié)器件217包括一個(gè)n型半導(dǎo)體層204、一個(gè)i型半導(dǎo)體層205和一個(gè)p型半導(dǎo)體層206，它們從不透明襯底201側(cè)開(kāi)始以指定的順序被疊加起來(lái)，第二pin結(jié)器件216包括一個(gè)n型半導(dǎo)休層207、一個(gè)i型半導(dǎo)體層208和一個(gè)p型半導(dǎo)體層209，它們從不透明襯底201側(cè)開(kāi)始以指定的順序被疊加起來(lái)，和第三pin結(jié)器件215包括一個(gè)n型半導(dǎo)體層210、一個(gè)i型半導(dǎo)體層211和一個(gè)p型半導(dǎo)體層212，它們從不透明襯底201側(cè)開(kāi)始以指定的順序被疊加起來(lái)。在圖2中所示的多元件型光電器件中，光通過(guò)第三pin結(jié)器件215的側(cè)面被射入。在圖2中所示的光電器件可以還包括一個(gè)被插入在不透明襯底201和金屬背反射層202之間的接觸層(沒(méi)有示出)，以便改進(jìn)金屬背反射層202與不透明襯底201的粘合力。在圖2所示的光電器件中，不僅攙雜半導(dǎo)體層的位置而且電極的位置根據(jù)光入射的方向可以被改變。下面將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的光電器件的每個(gè)組成部分進(jìn)行描述。襯底本發(fā)明的基本特征在于利用具有一種特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)(或圖形)的不透明襯底作為襯底(101，201)。設(shè)置在該襯底上的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)包括一種在圖3(a)中所示的不規(guī)則表面圖形，該圖形包括許多以一種縱向形式布置的線性不規(guī)則處或凹槽；一種在圖3(b)中所示的不規(guī)則表面圖形，該圖形包括許多以一種波狀形式布置的線性不規(guī)則處或凹槽；一種在圖3(c)中所示的不規(guī)則表面圖形，該圖形包括許多以一種螺旋形式布置的線性不規(guī)則處或凹槽；或一種在圖3(d)中所示的不規(guī)則表面圖形，該圖形包括許多以一種縱向形式布置的第一線性不規(guī)則處或凹槽和許多在與所述第一線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向上布置的微小不規(guī)則處或凹槽。這是以通過(guò)本發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)研究所獲得的發(fā)現(xiàn)為基礎(chǔ)的，因?yàn)槔镁哂性趫D3(a)到3(d)中所示的任何一種不規(guī)則表面圖形的不透明襯底能夠得到一種高可靠性的光電器件，該光電器件沒(méi)有前面所述的涉及在現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的可加工性、可靠性和生產(chǎn)費(fèi)用的問(wèn)題，在該光電器件中由光敏半導(dǎo)體層(或光電轉(zhuǎn)換層)吸收的入射光(或利用入射光的效率)被大大地改進(jìn)，并且擅長(zhǎng)于可加工性和能夠以合理的生產(chǎn)費(fèi)用被有效地制造。具休地說(shuō)，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)利用具有在圖3(a)、3(b)或3(c)中所示的一種不規(guī)則表面圖形的不透明襯底能夠得到以高效率產(chǎn)生的一種高可靠性的光電器件，該光電器件在防止漏電流產(chǎn)生方面被改進(jìn)了，并且在該光電器件中，在襯底區(qū)域中光的不規(guī)則反射被改進(jìn)了，以便延長(zhǎng)在光敏半導(dǎo)休層(或光電轉(zhuǎn)換層)中的光通路長(zhǎng)度，因此由光敏半導(dǎo)休層吸收的光被增加，導(dǎo)致了在短路電流(Jsc)中的增加。根據(jù)在圖3(a)到3(c)中所示的不規(guī)則表面圖形，本發(fā)明人通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究獲得了下面的發(fā)現(xiàn)。當(dāng)在與線性不規(guī)則處或凹槽平行的方向上進(jìn)行掃描時(shí)獲得的一個(gè)中線平均粗糙度被作為是Ra(X)和在與線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向上進(jìn)行掃描時(shí)獲得的一個(gè)中線平均粗糙度被作為是Ra(Y)時(shí)，希望Ra(X)最好是在從15nm到300nm的范圍之內(nèi)，更好是在從20nm到200nm的范圍之內(nèi)，最佳是在從25nm到150nm的范圍之內(nèi)。希望Ra(Y)最好是在從20nm到600nm的范圍之內(nèi)，更好是在從20nm到400nm的范圍之內(nèi)，最佳是在從60nm到300nm的范圍之內(nèi)，和希望Ra(X)/Ra(Y)最好是0.8或更小，更好是0.6或更小，最佳是0.4或更小。另外，希望線性不規(guī)則處或凹槽具有一個(gè)間距(也就是，在相鄰的不規(guī)則處或凹槽之間的間隔)，該間距最好是在0.5μm到20μm的范圍之內(nèi)，更好是在從1μm到15μm的范圍之內(nèi)，最佳是在從2μm到10μm的范圍之內(nèi)。在線性不規(guī)則處或凹槽之間的這些間距不需要是均勻，只要它們?cè)谒龇秶畠?nèi)就可以。在圖3(d)中所示的不規(guī)則表面圖形是在圖3(a)中所示的不規(guī)則表面圖形的一種變型，以致于許多長(zhǎng)度為20μm或更小的第二微小線性不規(guī)則處或凹槽在與縱向地設(shè)置在圖3(a)中的線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向上被附加地設(shè)置。具體地說(shuō)，在圖3(d)中所示的不規(guī)則表面圖形中，許多第一直線不規(guī)則處或凹槽以一種縱向布置形式隔開(kāi)地被設(shè)置，如在圖(a)中所示，和許多長(zhǎng)度為20μm或更小的第二微小線性不規(guī)則處或凹槽在與第一線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向上隔開(kāi)地被設(shè)置。由本發(fā)明人研究的實(shí)驗(yàn)結(jié)果所得到的結(jié)果揭示了在圖3(d)中所示的線性不規(guī)則處或凹槽具有明顯的優(yōu)點(diǎn)。特殊地，利用具有在圖3(d)中所示的線性不規(guī)則處或凹槽的一個(gè)不透明襯底能夠高效率地獲得非常可靠的光電器件，該光電器件在防止漏電流產(chǎn)生方面被改進(jìn)了，并且在該光電器件中，在襯底區(qū)域中光的不規(guī)則反射被改進(jìn)了，以便延長(zhǎng)在光敏半導(dǎo)休層(或光電轉(zhuǎn)換層)中的光通路長(zhǎng)度，由此由光敏半導(dǎo)體層吸收的光被增加，導(dǎo)致了在短路電流(Jsc)中的增加。對(duì)于第二微小線性不規(guī)則處或凹槽，希望它們的長(zhǎng)度是如上所述的20μm或更小。最好是15μm或更小，最佳是10μm或更小。襯底(101、201)可以由一個(gè)單晶材料或一個(gè)非單晶材料構(gòu)成，這種材料可以是導(dǎo)電的或是電絕緣的。總之，希望襯底是由一種適合的材料構(gòu)成，該材料不容易被損壞和被變形并且具有一個(gè)足夠的物理強(qiáng)度。特別地襯底可以從下列金屬組成的組中選擇一種金屬Fe、Ni、Cr、Al、Mo、Au、Nb、Ta、V、Ti、Pt和Pb；從由例如黃銅和不銹鋼這樣的這些金屬的合金組成的組中選擇一種合金；或從由這些合金的組合構(gòu)成的組中選擇一種結(jié)構(gòu)要素。此外，襯底可以包括一個(gè)膜或一個(gè)耐熱合成樹(shù)脂的薄片，例如聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯纖維、乙酸纖維素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、酰胺、聚酰亞胺、或環(huán)氧樹(shù)脂；或從由這些膜或具有玻璃纖維、碳纖維、硼纖維或金屬纖維的薄片的合成物組成的組中選擇一種結(jié)構(gòu)要素。除了這些元素之外，構(gòu)成襯底的材料能夠包括由上述金屬、合成樹(shù)脂薄片或陶瓷制品構(gòu)成的薄板，上述金屬具有一個(gè)利用濺射、真空淀積和電鍍方法涂有一層由不同金屬構(gòu)成的金屬薄膜或/和一層由SiO2、Si3N4、Al2O或AlN構(gòu)成的電絕緣薄膜的表面；上述合成樹(shù)脂薄片具有一個(gè)利用濺射、真空淀積和電鍍方法涂有一層由不同金屬構(gòu)成的金屬薄膜或/和一層由SiO2、Si2N4、Al2O3或AlN構(gòu)成的電絕緣薄膜的表面。根據(jù)上述作為襯底的組成部分的材料，不銹鋼是最適合的，因?yàn)樗鼈兩瞄L(zhǎng)于可加工性、耐久性和適宜性，此外它們擅長(zhǎng)于在形成上述不規(guī)則表面圖形中的適用性。在襯底由一種導(dǎo)電材料構(gòu)成的情況下，它可以這樣地被設(shè)計(jì)以致于它也作為一個(gè)電流輸出電極。在襯底由一種電絕緣材料構(gòu)成的情況下，希望通過(guò)電鍍、真空淀積和濺射方向在其上形成有一層淀積膜的表面上利用像Al、Ag、Pt、Au、Ni、Ti、Mo、W、Fc、V、Cr或Cu這樣的金屬；像不銹鋼、黃銅或鎳絡(luò)合金這樣的合金；或像SnO2、In2O3、ZnO或ITO這樣的透明和導(dǎo)電氧化物材料實(shí)施導(dǎo)電表面處理，以便建立一個(gè)電流輸出端。即使在襯底由一種包括一種金屬材料的導(dǎo)電材料構(gòu)成的情況下，希望由一種與襯底的組成金屬材料不同的金屬組成的金屬層被淀積在該襯底的一個(gè)表面上，在該襯底上待形成一層淀積膜以便改進(jìn)在該襯底的表面上長(zhǎng)波長(zhǎng)光的反射和防止該襯底的組成部分和淀積膜的組成部分相互擴(kuò)散。襯底可以是像板狀的、帶狀的或圓筒型這樣的任何一種結(jié)構(gòu)，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用能夠適當(dāng)?shù)卮_定它們的結(jié)構(gòu)。在襯底被用在滾筒對(duì)滾筒膜形成過(guò)程中的情況下，該過(guò)程包括一個(gè)用于產(chǎn)生一個(gè)具有上述不規(guī)則表面圖形的軋制步驟和一個(gè)用于在襯底上形成一個(gè)淀積膜的膜形成步驟，希望它是包括一個(gè)長(zhǎng)邊薄板條襯底的帶狀形狀。在這種情況下，在使襯底經(jīng)過(guò)在膜形成步驟中的膜形成之前的軋制步驟中，不規(guī)則表面圖形能夠在長(zhǎng)邊薄板條襯底上被連續(xù)地形成，該長(zhǎng)邊薄板條襯底朝著膜形成步驟被移動(dòng)。到這時(shí)，一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的光電器件能夠以一個(gè)高的產(chǎn)生率和一個(gè)合理產(chǎn)生費(fèi)用被連續(xù)地被制造。對(duì)于襯底的厚度，它能夠被適當(dāng)?shù)乇淮_定以致于能夠獲得一個(gè)所希望的光電器件。在對(duì)光電器件需要適應(yīng)性的情況下，在能夠充分地提供作為襯底的功能的范圍之內(nèi)盡可能地使襯底的厚度更薄。然而，考慮到制造和加工或襯底的機(jī)械強(qiáng)度，厚度通常大于10μm。下面將描述在襯底上形成上述不規(guī)則表面圖形。根據(jù)襯底的組成材料的種類，利用一個(gè)適當(dāng)?shù)姆椒▉?lái)進(jìn)行在襯底上形成不規(guī)則表面圖形。然而，能夠利用像將在下面描述的方法一樣的方法。為了形成一種包括許多在襯底的一個(gè)表面上的給定方向上間隔設(shè)置的線性不規(guī)則處或凹槽的不規(guī)則表面圖形，能夠利用一種滾壓方法、拋光方法、模壓方法或刻蝕方法。在這些方法中，能夠附加地利用熱處理。滾壓方法適合于在襯底由一種金屬材料構(gòu)成的情況。它特別適合在形成圖3(a)中所示的不規(guī)則表面圖形的情況。滾壓能夠包括冷軋和熱軋。借助于一種反向型四滾筒滾壓機(jī)、森氏極薄鋼板20滾筒滾壓機(jī)和一種表皮光軋機(jī)可以進(jìn)行冷軋。在利用冷軋的情況下，例如，當(dāng)襯底是由一種奧氏體不銹鋼、鐵素體不銹鋼或一種馬氏體不銹鋼構(gòu)成時(shí)，利用2D精軋的方法，2B精軋的方法或BA精軋的方法，能夠形成一種所希望的包括許多在襯底的一個(gè)表面上的給定方向上間隔設(shè)置的線性不規(guī)則處或凹槽的不規(guī)則表面圖形。下面將描述利用滾壓的方法在一個(gè)不銹鋼板的一個(gè)表面上形成一個(gè)包括許多根據(jù)本發(fā)明的線性不規(guī)則處或凹槽的不規(guī)則表面圖形的方法。用于產(chǎn)生一個(gè)不銹鋼板的過(guò)程總地包括一個(gè)冶煉過(guò)程、一個(gè)熱軋過(guò)程、一個(gè)冷軋過(guò)程和一個(gè)精加工處理。在這些過(guò)程中，對(duì)于形成根據(jù)本發(fā)明的不規(guī)則表面圖形來(lái)說(shuō)精加工處理是最重要的。通過(guò)選擇用于由最后滾壓、最后拋光和類似方法進(jìn)行的最后表面處理的最佳條件，在一個(gè)希望的狀態(tài)下，在不銹鋼的表面上能夠形成根據(jù)本發(fā)明的不規(guī)則表面圖形。在冶煉過(guò)程中，一種原材料利用一個(gè)電弧爐熔煉和精煉，接著利用一個(gè)L.D.變換器使其脫碳。隨后，對(duì)于生成物借助于一個(gè)真空脫氣容器適當(dāng)?shù)卣{(diào)單pin結(jié)不銹鋼成分和溫度，接著，利用一個(gè)連續(xù)的鑄造機(jī)形成平板。在熱軋過(guò)程中，利用一個(gè)表面拋光機(jī)把平板磨光，然后利用一個(gè)爐使平板再加熱到一個(gè)所謂的熱線圈狀態(tài)，隨后通過(guò)一個(gè)粗軋機(jī)對(duì)其進(jìn)行處理，隨后利用一個(gè)熱軋機(jī)對(duì)其進(jìn)行處理，由此厚度大于100mm的平板被熱軋成一個(gè)具有厚度為2到3mm的平板。在冷軋過(guò)程中，在鐵素休不銹鋼或一種馬氏休不銹鋼的情況下，在利用一個(gè)浮筒式退火爐進(jìn)行暫時(shí)退火處理之后，在奧氏休不銹鋼的情況下，不進(jìn)行暫時(shí)的退火處理，利用一個(gè)連續(xù)的退火和酸洗線進(jìn)行退火處理和酸洗，以便除去在不銹鋼表面上存在的氧化物(稱為“銹氧化皮”)使其成為一種能夠容易地被冷軋的狀態(tài)。利用森氏極薄鋼板20滾筒滾壓機(jī)或一個(gè)串級(jí)式森氏極薄鋼板滾筒滾壓機(jī)對(duì)所產(chǎn)生的結(jié)果進(jìn)行冷軋?zhí)幚?，由此它被加工和被變硬成厚度小?mm的一個(gè)板。在冷軋?zhí)幚碇?，D當(dāng)2D或2B精加工正在進(jìn)行時(shí)，為了用于不銹鋼的再熔煉、軟化和碳溶液，利用一個(gè)連續(xù)的退火和酸洗線對(duì)冷軋的帶進(jìn)行退火處理和酸洗。在進(jìn)行BA精加工的情況下，利用一個(gè)連續(xù)的光亮退火線在一個(gè)惰性氣體中進(jìn)行熱處理。在這種情況中，由于沒(méi)有像氧化皮存在并且能夠獲得很強(qiáng)的光澤，所以不需要進(jìn)行酸洗。在精加工處理中，利用具有一個(gè)工作滾筒的精加工滾壓機(jī)的精加工滾壓或利用具有一個(gè)接觸滾筒的精加工拋光機(jī)的精加工拋光被進(jìn)行，以便獲得具有一個(gè)希望的厚度和具有包括根據(jù)本發(fā)明的許多線性不規(guī)則處或凹槽的不規(guī)則表面圖形的一個(gè)表面的不銹鋼板，該不銹鋼板完全適合用于制造根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)光電器件。對(duì)于不銹鋼板的厚度，它最好是在從0.05mm到1mm的范圍之內(nèi)，更好的是在從0.1mm到0.5mm的范圍之內(nèi)。作為上述的精加工滾壓機(jī)，能夠利用一個(gè)4滾筒冷軋，12滾筒冷軋或一個(gè)表皮光軋機(jī)。作為精加工滾壓機(jī)的工作滾筒或作為精加工拋光機(jī)的接觸滾筒，利用具有一個(gè)表面平整度分別為下列值的一個(gè)工作滾筒或接觸滾筒能夠分別地形成包括根據(jù)本發(fā)明的許多線性不規(guī)則處或凹槽的不規(guī)則表面圖形，如所希望的不規(guī)則表面圖形。也就是，對(duì)于工作滾筒或接觸滾筒的表面平整度，當(dāng)在滾筒(圓柱形的形狀)的圓周方向上進(jìn)行掃描時(shí)獲得的一個(gè)中線平均粗糙度被作為是Ra(L)和在滾筒的母線方向上進(jìn)行掃描時(shí)獲得的一個(gè)中線平均粗糙度被作為是Ra(H)時(shí)，希望Ra(H)最好是在從5nm到500nm的范圍之內(nèi)，或更好是在從10nm到300nm的范圍之內(nèi)，和希望Ra(H)最好是在從10nm到1000nm的范圍之內(nèi)，或更好是在從20nm到600nm的范圍之內(nèi)。在利用一個(gè)精加工滾壓或精加工拋光處理不能形成一個(gè)所希望的包括根據(jù)本發(fā)明的許多線性不規(guī)則處或凹槽的不規(guī)則表面圖形的情況下，利用附加地進(jìn)行適當(dāng)?shù)膾伖馓幚砘蚩涛g處理能夠把所產(chǎn)生的不規(guī)則表面圖形修整到一個(gè)所希望的狀態(tài)。例如，在通過(guò)進(jìn)行BA精加工獲得的并且具有一個(gè)不充足的Ra(X)和Ra(Y)值的不規(guī)則表面圖形的不銹鋼板的情況下，通過(guò)利用將在下面描述的刻蝕方法輕微地刻蝕不銹鋼板的表面，能夠獲得一個(gè)所希望的不規(guī)則表面圖形的形成，該不規(guī)則表面圖形在Ra(X)和Ra(Y)值上是足夠的。在通過(guò)進(jìn)行2D或2B精加工獲得的并且具有一個(gè)過(guò)火的Ra(X)值和過(guò)大Ra(Y)值的不規(guī)則表面圖形的不銹鋼板的情況下，通過(guò)重復(fù)幾次精加工滾壓處理或精加工拋光處理，能夠獲得一個(gè)所希望的不規(guī)則表面圖形的形成，該不規(guī)則表面圖形在Ra(X)和Ra(Y)值上是足夠的。在精加工處理中，可以附加地進(jìn)行精加工熱處理或用于校正不銹鋼板的翹曲的處理，例如滾壓或拉伸。利用一種適當(dāng)拋光方法而不進(jìn)行滾壓處理能夠形成根據(jù)本發(fā)明的在圖3(a)、3(b)和3(c)中所示的不規(guī)則表面圖形。在非金屬襯底的情況下可以利用該拋光方法。利用帶拋光、磨輪拋光、刷子拋光或研磨拋光可以實(shí)現(xiàn)其中的拋光方法。此外，通過(guò)利用一個(gè)滾子的表面處理可以實(shí)現(xiàn)該拋光方法。在這種情況下，利用一個(gè)具有上述Ra(L)和Ra(H)值的不規(guī)則表面的滾子，能夠獲得一個(gè)所希望的不規(guī)則表面圖形的形成，該不規(guī)則表面圖形在根據(jù)本發(fā)明的Ra(X)和Ra(Y)值上是足夠的。該拋光方法可以是一種利用磨粒的拋光方法。希望被使用的磨粒具有一個(gè)平均的粒徑，該粒徑最好是在從0.1μm到100μm的范圍之內(nèi)，更好是在從0.2μm到50μm的范圍之內(nèi)。能夠利用磨屑或上述多個(gè)拋光方法的組合來(lái)進(jìn)行拋光處理。通過(guò)利用模壓的方法可以形成根據(jù)本發(fā)明的在圖3(a)、3(b)和3(c)中所示的任一不規(guī)則表面圖形，其中具有一個(gè)設(shè)置有與在圖3(a)、3(b)和3(c)中所示的任一不規(guī)則表面圖形對(duì)應(yīng)圖形的一個(gè)表面的模具與襯底的表面模壓接觸。在其表面上具有這樣表面圖形的模具可以利用像拋光、刻蝕或構(gòu)圖這樣的方法來(lái)制造。在上述中，在利用滾壓或拋光的表面處理之前或之后，對(duì)于襯底的表面能夠進(jìn)行刻蝕或退火處理。在這種情況下的刻蝕處理能夠包括汽相刻蝕處理和液相刻蝕處理。汽相刻蝕處理能夠包括氣體刻蝕處理、等離子體刻蝕處理和離子刻蝕處理。氣體刻蝕處理可以利用下列一種適當(dāng)?shù)目涛g氣體來(lái)進(jìn)行，例如CF4、C2F6、C3F8、C4F10、CHF3、CH2F2、Cl2、ClF3、CCl4、CCl2F2、CClF3、CHClF2、C2Cl2F4、BCl3、PCl3、CBrF3、SF6、SiF4、SiCl4、HF、O2、N2、H2、He、Ne、Ar、或Xe。這些氣體的兩個(gè)或多個(gè)氣體的混合氣體也可以被用作為刻蝕氣體。等離子體刻蝕處理可以利用由從上述這些氣體中選擇的一種或多種氣體所產(chǎn)生的一種等離子體來(lái)進(jìn)行，其中所述等離子體是在1×10-3到1Torr的氣壓下通過(guò)施加一個(gè)D.C/或A.C.電源、一個(gè)具有振蕩頻率為1到100MHz的RF電源，或像具有振蕩頻率為0.1到10GHz的微波電源這樣的其它高頻電源來(lái)產(chǎn)生的。對(duì)于產(chǎn)生等離子體的一個(gè)最好的能量范圍，在利用一個(gè)D.C.電源的情況下是在從100到2000V的范圍之內(nèi)。在利用A.C.或RF電源的情況下，它是在從0.001到5W/cm3的范圍之內(nèi)。在利用微波電源的情況下，它是在從0.01到1W/cm3的范圍之內(nèi)。對(duì)于在進(jìn)行刻蝕處理時(shí)的襯底溫度，它最好是在從10到400℃的范圍之內(nèi)，更好是在從20到300℃的范圍之內(nèi)。對(duì)于在進(jìn)行刻蝕處理期間的時(shí)間周期，它最好是在從0.5到100分鐘范圍之內(nèi)，更好是在從2到60分鐘范圍之內(nèi)。利用一種適當(dāng)?shù)貏⑽g液體可以進(jìn)行液相刻蝕處理。在這種情況下的刻蝕液體能夠包括酸類系列刻蝕液體和堿類系列刻蝕液體。酸類系列刻蝕液體的具休例子是包括下列酸類的刻蝕液體硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸、氫氟酸、鉻酸、氨基磺酸、草酸、酒石酸、檸檬酸、甲酸、乳酸、乙醇酸、乙酸、葡糖酸、馬來(lái)酸、蘋果酸、這些化合物的水稀釋、或這些化合物的混合物。堿類系列刻蝕液體的具體例子是包括下列堿類系列刻蝕液體氫氧化鈉、氫氧化銨、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、倍半碳酸鈉、硫酸二氫鈉、硫酸氫二鈉、硫酸鈉、焦磷酸鈉、三聚磷酸鈉、四聚磷酸鈉、三偏硫酸鈉、四偏磷酸鈉、六偏磷酸鈉、原硅酸鈉、偏硅酸鈉、這些化合物的水稀釋、或這些化合物的混合物。在液相刻蝕處理的情況下，能夠加熱刻蝕液體或給刻蝕液體一個(gè)超聲波的能量。在酸系列或堿系列刻蝕液體被水稀釋的情況下，希望酸或堿的濃度最好是在從1到80容量％的范圍之內(nèi)，更好是在從5到50容量％。對(duì)于在進(jìn)行刻蝕時(shí)酸系列或堿系列刻蝕液體的溫度，它最好是在從10到80℃的范圍之內(nèi)，更好是在從20到60℃的范圍之內(nèi)。對(duì)于在進(jìn)行刻蝕處理期間的時(shí)間周期，它最好是在從5秒到30分鐘范圍之內(nèi)，更好是在從10秒到10分鐘范圍之內(nèi)。在利用退火處理的情況下，退火處理可以在包括下列氣體的氣體氣氛中進(jìn)行，例如空氣、水蒸氣、氮?dú)?、氫氣、氧氣、隋性氣休、或在一個(gè)適當(dāng)?shù)耐嘶鹛幚頊囟壬虾陀糜诟鶕?jù)襯底的組成類型所選擇的適合退火處理的時(shí)間周期的其它適合的氣體。對(duì)于退火溫度，通常希望它最好是在從200到800℃的范圍之內(nèi)，更好是在從400到700℃的范圍之內(nèi)。對(duì)于退火的時(shí)間周期，通常希望它最好是在從1到100分鐘范圍之內(nèi)，更好是在從2秒到60分鐘范圍之內(nèi)?，F(xiàn)在，通過(guò)進(jìn)行上述精加工處理，同時(shí)或是利用一個(gè)精加工滾壓機(jī)或是利用一個(gè)精加工拋光機(jī)可以形成在圖3(d)中所示的不規(guī)則表面圖形，其中在不規(guī)則表面圖形中許多第一線性不規(guī)則處或凹槽以一種縱向布置形式(此后它將被稱為第一不規(guī)則圖形)被設(shè)置和許多長(zhǎng)度為20μm或更小的第二微小不規(guī)則處或凹槽(此后它將被稱為第二不規(guī)則圖形)以與第一線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向被設(shè)置，所述精加工滾壓機(jī)具有一個(gè)工作滾筒，該滾筒具有包括在工作滾筒的母線方向上許多長(zhǎng)度為20μm或更小，高度為0.5μm或更小和寬度為0.5μm或更小的不規(guī)則表面圖形，所述精加工拋光機(jī)具有一個(gè)接觸滾筒，該滾筒具有包括在接觸滾筒的母線方向上許多長(zhǎng)度為20μm或更小，高度為0.5μm或更小和寬度為0.5μm或更小的不規(guī)則表面圖形。此外，通過(guò)進(jìn)行上述精加工處理，同時(shí)或是利用一個(gè)精加工滾壓機(jī)或是利用一個(gè)精加工拋光機(jī)可以形成在圖3(d)中所示的不規(guī)則表面圖形，其中所述精加工滾壓機(jī)具有一個(gè)工作滾筒，該滾筒具有上述不規(guī)則表面圖形，該不規(guī)則表面圖形具有在工作滾筒的母線方向上平均間距為20μm或更小的不規(guī)則處和附加淀積的液體，所述精加工拋光機(jī)具有一個(gè)接觸滾筒，該滾筒具有上述不規(guī)則表面圖形，該不規(guī)則表面圖形具有在接觸滾筒的母線方向平均間距為20μm或更小的不規(guī)則處和附加淀積的液休。通過(guò)獨(dú)立地利用一個(gè)適當(dāng)?shù)膾伖夥椒ㄐ纬稍谙鹊牟灰?guī)則圖形和利用一個(gè)滾壓或拋光方法在與在先的不規(guī)則圖形垂直的方向上形成后面的不規(guī)則圖形的方法可以形成在圖3(d)中所示的不規(guī)則表面圖形，其中在不規(guī)則表面圖形中許多第一線性不規(guī)則處或凹槽以一種縱向布置形式(此后它將被稱為第一不規(guī)則圖形)被設(shè)置和許多長(zhǎng)度為20μm或更小的第二微小線性不規(guī)則處或凹槽(此后它將被稱為第二不規(guī)則圖形)以與第一線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向被設(shè)置。在這個(gè)方法中，由后形成的不規(guī)則表面圖形把在先形成的不規(guī)則表面圖形的一部分截?cái)嗔?，使剩余部分作為第二不?guī)則圖形，其中后形成的不規(guī)則圖形變?yōu)榈谝徊灰?guī)則圖形。此外，通過(guò)產(chǎn)生后形成的圖形以致于對(duì)于線性不規(guī)則處或凹槽它具有一個(gè)20μm或更小的平均間距(d)，第二不規(guī)則圖形能夠如所希望的被形成。除此之外，通過(guò)一個(gè)利用適當(dāng)?shù)臐L壓或拋光方法形成第一不規(guī)則圖形和利用一個(gè)在與第一不規(guī)則圖形的線性不規(guī)則處或凹槽垂直的方向上具有許多長(zhǎng)薄開(kāi)口的掩膜使第一不規(guī)則圖形的表面經(jīng)過(guò)刻蝕處理來(lái)形成第二不規(guī)則圖形的方法可以形成在圖3(d)中所示的不規(guī)則表面圖形。背反射層在襯底(101、201)上設(shè)置的上述規(guī)定的不均勻表面結(jié)構(gòu)的表面上形成背反射層(102、202)。背反射層用于把由光電轉(zhuǎn)換層沒(méi)有吸收的并且達(dá)到襯底的光反射到光電轉(zhuǎn)換層中以致于光在光電轉(zhuǎn)換層中被再利用。背反射層也用作為一個(gè)背電極(或一個(gè)下電極)。背反射層包括一個(gè)由像一個(gè)金屬或合金這樣適當(dāng)?shù)慕饘俨牧蠘?gòu)成的金屬層所述金屬的具體例子是Au、Ag、Cu、Al、Mg、Ni、Fe、Mo、W、Ti、Co、Ta、Nb和Zr。所述合金的具體例子是所述金屬的合金，例如不銹鋼、和由所述金屬和包含作為一個(gè)添加劑的硅(Si)組成的合金。相對(duì)于可見(jiàn)光到紅外線光具有一個(gè)高光反射率的金屬Al、Mg、Cu、Ag和Au和主要由兩個(gè)或多個(gè)這些金屬和加有硅(Si)組成的合金是最適合的。利用像電子束反射、濺射、CVD、電鍍或網(wǎng)板印刷這樣的常規(guī)方法可以形成由上述任一金屬材料構(gòu)成的背反射層。背反射層可以是一個(gè)單層結(jié)構(gòu)或一個(gè)多層結(jié)構(gòu)。在襯底是由導(dǎo)電材料構(gòu)成的情況下，不總是需要設(shè)置背反射層。背反射層可以被設(shè)計(jì)具有一個(gè)均勻表面或一個(gè)不均勻表面。在背反射層具有一個(gè)不均勻表面的情況下，其優(yōu)點(diǎn)是反射到光敏半導(dǎo)體層中的光的光徑長(zhǎng)度被伸長(zhǎng)以便提供在短路電流中的增加。如前面所述，在襯底上設(shè)置的上述規(guī)定的不均勻表面結(jié)構(gòu)的表面上形成了背反射層。因此，背反射層是在隨著襯底的不均勻表面結(jié)構(gòu)的狀態(tài)中被形成。由于這個(gè)原因，背反射層具有一個(gè)與襯底結(jié)合的改進(jìn)的粘合力。這種情況提供的明顯優(yōu)點(diǎn)是在光電器件的生產(chǎn)中的靈活性和可控性被增加了，一個(gè)光電器件的效率被改進(jìn)了，并且所獲得的光電器件在耐氣候性和壽命方面是足夠的。此外，在背反射層主要由相對(duì)于可見(jiàn)光到紅外線光具有一個(gè)高光反射率的金屬Al、Mg、Cu、Ag和Au構(gòu)成的情況下，能夠獲得一個(gè)希望光電器件，在該光電器件中襯底區(qū)域的反射率被明顯地改進(jìn)，以便使由光敏半導(dǎo)體層吸收的光量明顯地增加，由此提供了明顯改進(jìn)的短路電流(Jsc)。順便說(shuō)說(shuō)，在一種光電器件設(shè)置有一個(gè)由上述在一個(gè)襯底的網(wǎng)紋結(jié)構(gòu)表面(具有許多錐狀形不規(guī)則處)上具有高光反射率的金屬材料組成的背反射層或一個(gè)具有一個(gè)網(wǎng)紋結(jié)構(gòu)表面(具有許多錐狀形不規(guī)則處)的背反射層(由上述具有一個(gè)高光反射率的金屬材料組成)的情況下，構(gòu)成背反射層的金屬材料趨向于通過(guò)一個(gè)旁路擴(kuò)散或遷延到光敏半導(dǎo)體層中。然而，在本發(fā)明中不存在這樣的問(wèn)題。特別是，在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置有由在襯底的特定不規(guī)則表面圖形上形成的具有高光反射率的金屬材料組成的背反射層一個(gè)光電器件中，構(gòu)成背反射層的金屬材料幾乎不被擴(kuò)散或遷延到光敏半導(dǎo)體層中和能夠獲得一個(gè)高不規(guī)則光反射和一個(gè)高的短路電流(Jsc)。此外，漏電流被明顯地減小和在開(kāi)路電壓(Voc)和占空因數(shù)(F.F)方面提供了明顯的改進(jìn)。并且具有這些優(yōu)點(diǎn)的光電器件能夠被以高效率地生產(chǎn)。利用Al作為背反射層的主要成分是最合適的，因?yàn)樗哂邢鄬?duì)低的費(fèi)用和與利用Ag或Cu相比更不容易地被遷延。然而，在一種光電器件設(shè)置有一個(gè)由在一個(gè)襯底的網(wǎng)紋結(jié)構(gòu)表面(具有許多錐狀形不規(guī)則處)上形成的Al組成的背反射層或一個(gè)具有一個(gè)網(wǎng)紋結(jié)構(gòu)表面(具有許多錐狀形不規(guī)則處)的背反射層(由Al組成)的情況下，背反射層的表面上總的光反射率通常是不希望有的低。并且在像Al背反射層上形成一個(gè)透明導(dǎo)電層的情況下，背反射層的表面上總的以射率易于進(jìn)一步減小。此外，在一個(gè)光電器件設(shè)置有在一個(gè)拋光的襯底表面上形成的Al組成的背反射層的情況下，其存在一個(gè)拋光的襯底表面上形成的Al組成的背反射層的情況下，其存在的問(wèn)題是在Al背反射層和光電轉(zhuǎn)換層之間的界面上光不充分地被漫射并且在Al背反射層和光電轉(zhuǎn)換層之間的界面上層脫皮容易產(chǎn)生。然而，在本發(fā)明中不存在這些問(wèn)題。特別是，在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置有由在襯底的特定不規(guī)則表面圖形上形成的Al組成的背反射層一個(gè)光電器件中，光在光電器件的背部區(qū)域中有效地被漫射而在Al背反射層的表面上總的光反射率中沒(méi)有減小，其中由光敏半導(dǎo)體層吸收的光量被增加以便提供一個(gè)改進(jìn)短路電流(Jsc)。此外，在襯底和Al背反射層之間的粘合力被希望地改進(jìn)了。此外，該光電器件擅長(zhǎng)于耐氣候性和耐用性。更進(jìn)一步的是，在光電器件的生產(chǎn)中的靈活性和可控性被擴(kuò)大以便有效地產(chǎn)生一個(gè)具有上述優(yōu)點(diǎn)的光電器件。到目前為止，在本發(fā)明中，對(duì)于在背反射層上形成的透明導(dǎo)電層所具有的優(yōu)點(diǎn)是透明導(dǎo)電層變?yōu)榫哂幸粋€(gè)改進(jìn)的方向性，并且在由一個(gè)多晶物質(zhì)構(gòu)成的透明導(dǎo)電層的情況下，作為透明導(dǎo)電層的組成的多晶物質(zhì)變成具有一個(gè)大的平均晶徑和少量的晶徑變化。這種情況能夠產(chǎn)生一種希望的光電器件，該光電器件具有相當(dāng)小的串聯(lián)電阻和改進(jìn)的占空因數(shù)(F.F)，并且在該光電器件中光被有效地漫射在透明導(dǎo)電層與光電轉(zhuǎn)換層之間的界面上以便提供一個(gè)改進(jìn)的短路電流(Jsc)。對(duì)于在襯底的不均勻表面結(jié)構(gòu)上形成的背反射層的表面狀態(tài)，它根據(jù)背反射層的厚度的大小是不同的。當(dāng)背反射層被設(shè)計(jì)成具有一個(gè)相對(duì)薄的厚度，例如為0.1μm或更小時(shí)，背反射層具有一個(gè)隨著利底的不均勻表面結(jié)構(gòu)變化的不均勻表面。另一方面，當(dāng)背反射層被設(shè)計(jì)成具有具有一個(gè)相對(duì)薄的厚度，例如為超過(guò)1μM的厚度時(shí)，背反射層趨向于具有一個(gè)實(shí)際上均勻的表面。在背反射層的表面是均勻的情況下，它能夠使該表面經(jīng)過(guò)拋光或則蝕，由此使該表面成為具有設(shè)置有許多線性不規(guī)則處或凹槽的不規(guī)則表面。透明導(dǎo)電層透明導(dǎo)電層(103，203)用于不僅增加入射光而且增加反射光的不規(guī)則反射，由此延長(zhǎng)在光敏半導(dǎo)體層光徑的長(zhǎng)度，導(dǎo)致了在由光電器件提供的短路電流(Jsc)中的增加。此外，透明導(dǎo)電層用于防止作為背反射層的金屬層的組成擴(kuò)散或遷延到光敏半導(dǎo)體層中，由此產(chǎn)生光電器件被旁路。此外，通過(guò)制造具有一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娮璧耐该鲗?dǎo)電層，背反射層(102，202)和透明電極層(107，213)能夠被有效地防止由像在光敏半導(dǎo)體層中存在的一個(gè)針孔這樣的缺陷引起的短路。對(duì)于具有能夠由光敏半導(dǎo)休層吸收的一個(gè)波長(zhǎng)的光來(lái)說(shuō)，希望透明導(dǎo)電層具有一個(gè)足夠的透光度，并且希望具有這樣一個(gè)適合的電阻。對(duì)于具有一個(gè)波長(zhǎng)為650nm或更大的光來(lái)說(shuō)，透光度最好是80％或更大，更好是85％，最佳是90％。電阻最好是在從1×10-4到1×106Ωcm的范圍之內(nèi)，更好是在從1×10-2到5×104Ωcm的范圍之內(nèi)。透明導(dǎo)電層是由從下列無(wú)機(jī)氧化物組成的組和這些無(wú)機(jī)氧化物的混合物中選擇的一種導(dǎo)電材料構(gòu)成的，例如In2O3、SnO2、ITO(In2O3-SnO2)、ZnO、CdO、Cd2SnO4、TiO2、Ta2O5、Bi2O3、MoO3和NaxWO3。這些導(dǎo)電材料的任一材料可以包含一種控制導(dǎo)電率的攙雜物。例如，在透明導(dǎo)電層是由ZnO組成的情況下，作為這種攙雜物，能夠利用Al、In、B、Ga、F和Si。在透明導(dǎo)電層是由In2O3組成的情況下，能夠利用Sn、F、Te、Ti、Sb和Pb作為攙雜物。在透明導(dǎo)電層是由SnO2組成的情況下，能夠利用F、Sb、P、As、In、Tl、Te、W、Cl、Br和I作為攙雜物。由上述提及的材料中的任一種材料構(gòu)成的透明導(dǎo)電層可以利用像電子束發(fā)射、濺射、CVD、噴涂、旋涂或浸涂這樣的一種常規(guī)方法來(lái)形成。透明導(dǎo)電層可以被設(shè)計(jì)成具有一個(gè)均勻表面或一個(gè)不均勻的表面。在透明導(dǎo)電層被制造成具有一個(gè)不均勻表面的情況下，該不均勻表面可以是一種不規(guī)則表面，該不規(guī)則表面根據(jù)襯底的不均勻表面結(jié)構(gòu)設(shè)置有許多線性不規(guī)則處或凹槽。透明導(dǎo)電層的組成物可以是單晶休。在這種情況下，有一種誘因單晶休組成物被生長(zhǎng)以便提供一種設(shè)置有以生長(zhǎng)的單晶休組成物為基礎(chǔ)的許多不規(guī)則處的不均勻表面。此外，在透明導(dǎo)電層的組成物是單晶體的情況下，單晶體組成物變?yōu)槭窃诰哂幸粋€(gè)大的平均晶徑和由于襯底的不均勻表面結(jié)構(gòu)引起的少量的晶徑變化的一種狀態(tài)中。這種情況能夠產(chǎn)生一種希望的光電器件，在該光電器件中光被有效地漫射在透明導(dǎo)電層與光電轉(zhuǎn)換層之間的界面上以便提供一個(gè)改進(jìn)的短路電流(Jsc)。光電轉(zhuǎn)換層光電轉(zhuǎn)換層意味著一種起著進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換作用的半導(dǎo)休層。在圖1和2中的單pin結(jié)器件對(duì)應(yīng)于該光電轉(zhuǎn)換層。光電轉(zhuǎn)換層可以包括一種像非晶半導(dǎo)休材料、微晶半導(dǎo)休材料或多晶硅半導(dǎo)體材料這樣的非單晶半導(dǎo)體材料。另一方面，它可以包括一種非單晶復(fù)合半導(dǎo)體材料。這樣的非單晶半導(dǎo)體材料能夠包括例如，屬于像Si、C、Ge、或類似物這樣的周期表中第IV族的一個(gè)元素(此后該元素將稱為第IV族元素)的非單晶半導(dǎo)體材料和像SiGe、SiC、SiSn、或類似物這樣的周期表中第IV族合金元素的非單晶半導(dǎo)體材料。這些非單晶半導(dǎo)體材料中的任一材料可以包含例如原子量為0.1到40％的氫原子(H，D)或/和鹵素原子(X)。此外，這些非單晶半導(dǎo)體材料中的任一材料可以包含例如原子量為0.1到40％的氧原子(O)或/和氮原子(N)。作為這些非單晶半導(dǎo)體材料的特別優(yōu)選的例子，能夠利用非晶、多晶或微晶Si∶H、Si∶F、Si∶H∶F、SiGcH、SiGe∶F、SiGe∶H∶F、SiC∶H、SiC∶F、和SiC∶H∶F。非單晶復(fù)合半導(dǎo)體材料能夠包括例如像CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、和類似物這樣的包含II-VI族元素的復(fù)合半導(dǎo)體材料和像CuInSe2、Cu(InGa)Se2、CulnS2、Culn(Se，S)2、CuInGaSeTe和類似物這樣的包含I-III-VI族元素的復(fù)合半導(dǎo)體材料。總之，由上述非單晶半導(dǎo)體材料中的任一材料組成的光電轉(zhuǎn)換層可以是一個(gè)具有多層單pin結(jié)(對(duì)應(yīng)于圖1和2中單pin結(jié)器件)的疊層結(jié)構(gòu)，該多層單pin結(jié)包括一個(gè)n型半導(dǎo)體層、一個(gè)i型半導(dǎo)體層和一個(gè)p型半導(dǎo)體層，或是具有一個(gè)包括一個(gè)n型半導(dǎo)體層和一個(gè)p型半導(dǎo)體層的多層單pin結(jié)的疊層結(jié)構(gòu)。下面將對(duì)n型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層的每一個(gè)進(jìn)行描述。i型半導(dǎo)體層(或本征層)包括上述非單晶半導(dǎo)體材料中的任一材料并且它相對(duì)于輻射光起著產(chǎn)生一個(gè)載體和傳送該載體的作用。i型半導(dǎo)體層可以是一種稍微p型或n型性質(zhì)的半導(dǎo)體層。i型半導(dǎo)體層可以是一種單層結(jié)構(gòu)或一種可以包括一種所謂緩沖層的多層結(jié)構(gòu)。希望i型半導(dǎo)體層是由上述包含原子量為1到40％的氫原子(H，D)或/和鹵素原子(X)的非單晶半導(dǎo)體材料中的任一材料構(gòu)成的，例如像a-Si∶H、a-Si∶F、a-Si∶H∶F、a-SiGc∶H、a-SiGe∶F或類似物這樣的一種非晶(a-Si)半導(dǎo)體材料或一種非晶硅鍺(a-SiGe)半導(dǎo)體材料。希望氫原子(H，D)或/和鹵素原子(X)被包含在i型半導(dǎo)體層中，以致于它們的濃度分布不僅在i型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層之間的界面的側(cè)面上被增加，而且也在i型半導(dǎo)休層和p型半導(dǎo)體層之間的界面的側(cè)面上被增加。對(duì)于設(shè)置在位于光照射側(cè)附近一個(gè)位置上的單pin結(jié)器件中的i型半導(dǎo)體層，希望它是由具有一個(gè)寬晶帶間隙的非單晶半導(dǎo)體材料構(gòu)成的。對(duì)于設(shè)置在位于遠(yuǎn)離光照射側(cè)的一個(gè)位置上的單pin結(jié)器件中的i型半導(dǎo)體層，希望它是由具有一個(gè)窄晶帶間隙的非單晶半導(dǎo)體材料構(gòu)成的。每一個(gè)n型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層是由上述包含原子量為1到40％的氫原子(H，D)或/和鹵素原子(X)的非單晶半導(dǎo)體材料中的任一材料并且添加有高濃度的n型或p型的價(jià)電子控制劑所構(gòu)成的。n型價(jià)電子控制劑能夠包括例如像P、As、Sb、和Bi這樣的第V族元素。P型價(jià)電子控制劑能夠包括例如像B、Al、Ga、In和Tl這樣的第III族元素。這種添加有n型或p型的價(jià)電子控制劑的非單晶半導(dǎo)體材料最好的例子是像a-Si∶H、a-Si∶HX、a-SiC∶H、a-SiC∶HX、a-SiGe∶H、a-SiGc∶HX、a-SiGcC∶H、a-SiGeC∶HX、a-SiO∶H、a-SiO∶HX、a-SiN∶H、a-SiN∶HX、a-SiON∶H、a-SiON∶HX、a-SiOCN∶H、和a-SiOCN∶HX這樣的并且添加有高度濃度的n型或p型的價(jià)電子控制劑的非晶(a-)含硅半導(dǎo)體材料；像uc-Si∶H、uc-Si∶HX、uc-SiC∶H、uc-SiC∶HX、uc-SiGe∶H、uc-SiGe∶HX、uc-SiGeC∶H、uc-SiGeC∶HX、uc-SiO∶H、uc-SiO∶HX、uc-SiN∶H、uc-SiN∶HX、uc-SiON∶H、uc-SiON∶HX、uc-SiOCN∶H、和uc-SiOCN∶HX這樣的并且添加有高濃度的n型或p型的價(jià)電子控制劑的微晶(uc-)含硅半導(dǎo)體材料；像poly-Si∶H、poly-Si∶HX、poly-SiC∶H、poly-SiC∶HX、poly-SiGe∶H、poly-SiGc∶HX、Poly-SiGeC∶H、poly-SiGeC∶HX、poly-SiO∶H、poly-SiO∶HX、poly-SiN∶H、poly-SiN∶HX、poly-SiON∶H、poly-SiON∶HX、poly-SiOCN∶H、和Poly-SiOCN∶HX這樣的并且添加有高濃度的n型或p型的價(jià)電子控制劑的多晶(poly-)含硅半導(dǎo)體材料。對(duì)于被包含在每個(gè)n型和p型半導(dǎo)體層中的氫原子(H，D)或/和鹵素原子(X)，希望包含它們以致于它們的濃度分布不僅在與i型半導(dǎo)體層的界面的側(cè)面上被增加。對(duì)于設(shè)置在光照射側(cè)面上的n型或p型半導(dǎo)體層，希望它是由具有一個(gè)寬晶帶間隙和不容易吸收光的一種結(jié)晶半導(dǎo)體材料構(gòu)成的。希望每個(gè)n型或P型半導(dǎo)體層具有一個(gè)激活能最好為0.2eV或更小，更好為0.1eV或更小，和一個(gè)電阻率最好為100Ωcm或更小，更好為1Ωcm或更小。光電轉(zhuǎn)換層可以被設(shè)計(jì)成具有一個(gè)均勻表面或一個(gè)不均勻表面。在光電轉(zhuǎn)換層被制成具有一個(gè)不均勻表面的情況下，不均勻表面可以是一種設(shè)置有根據(jù)襯底的不均勻表面結(jié)構(gòu)的許多直線不規(guī)則處或凹槽的不規(guī)則表面。利用一種常規(guī)的微波(uW)等離子體CVD方法或一種常規(guī)的高頻(RF)等離子體CVD方法可以形成所希望的光電轉(zhuǎn)換層。例如，在下列方式中利用一種微波(uW)等離子體CVD裝置可以進(jìn)行利用微波(uW)等離子體CVD方法的光電轉(zhuǎn)換層的形成，該微波(uW)等離子體CVD裝置包括一個(gè)能夠被抽真空和設(shè)置有一個(gè)微波功率引入裝置(包括一個(gè)微波傳送口(由鋁陶瓷或類似物組成的)和一個(gè)傳播微波功率源的波導(dǎo))的淀積室、一個(gè)具有一個(gè)真空泵的抽真空系統(tǒng)、和一個(gè)原料氣體引入裝置。一個(gè)在其上待形成一個(gè)淀積膜的襯底被設(shè)置在淀積室中。利用真空泵暫時(shí)地把淀積室的內(nèi)部抽到一個(gè)所希望的真空度。該襯底保持在一個(gè)所希望的溫度上(例如，100到450℃)。一種給定膜形成原料氣體(在形成一個(gè)n型和p型的攙雜淀積膜的情況下與一個(gè)給定攙雜氣體一起)，如果需要，與一種稀釋氣體一起通過(guò)原料氣體引入裝置被引入到淀積室中。利用一個(gè)真空泵把在淀積室中的氣體壓力控制在一個(gè)希望的值上(例如，0.5到30mTorr)。當(dāng)在淀積室中的氣體壓力在所述值上變?yōu)楹愣〞r(shí)，微波電源被接通以便把具有一個(gè)希望的振蕩頻率(例如，0.1到10GHz)和一個(gè)希望的瓦特(例如，0.01到1W/cm3)的微波功率提供給淀積室，在淀積室中等離子體輝光放電被產(chǎn)生以便分解原料氣體，由此產(chǎn)生一種等離子體，導(dǎo)致在襯底上以一個(gè)希望的淀積率(例如，0.05到20nm/sec.)形成一個(gè)作為一個(gè)半導(dǎo)體層的淀積膜。例如，在下列方式中利用一種RF等離子體CVD裝置可以進(jìn)行利用RF等離子體CVD方法的光電轉(zhuǎn)換層的形成，該RF等離子體CVD裝置包括一個(gè)能夠被抽真空和設(shè)置有一個(gè)具有RF電源的RF功率引入裝置的淀積室、一個(gè)具有一個(gè)真空泵的抽真空系統(tǒng)、和一個(gè)原料氣體引入裝置。一個(gè)在其上形成一個(gè)淀積膜的襯底被設(shè)置在淀積室中。利用真空泵暫時(shí)地把淀積室的內(nèi)部抽到一個(gè)所希望的真空度。該襯底被保持在一個(gè)所希望的溫度上(例如，100到350℃)。一種給定膜形成原料氣體(在形成一個(gè)n型和p型的攙雜淀積膜的情況下與一個(gè)給定的攙雜氣體一起)。如果需要，與一種稀釋氣體一起通過(guò)原料氣體引入裝置被引入到淀積室中。利用一個(gè)真空泵把在淀積室中的氣體壓力控制在一個(gè)希望的值上(例如，0.1到10Torr)。當(dāng)在淀積室中的氣體壓力在所述值上變?yōu)楹愣〞r(shí)，RF電源被接通以便把具有一個(gè)希望的振蕩頻率(例如，0.1到100MHz)和一個(gè)希望的瓦特(例如，0.001到5.0W/cm3)的RF功率提供給淀積室，在淀積室中的等離子體輝光放電被產(chǎn)生以便分解原料氣體，由此產(chǎn)生一種等離子體，導(dǎo)致在襯底上以一個(gè)希望的淀積率(例如，0.01到3nm/sec.形成一個(gè)作為一個(gè)半導(dǎo)體層的淀積膜。透明電極層透明電極層(107，213)作為一個(gè)具有在光入射側(cè)上傳送光的特性的電極。當(dāng)透明電極的厚度被適當(dāng)?shù)卣{(diào)單pin結(jié)時(shí)，它也起著一個(gè)防止反射層的作用。對(duì)于具有能夠由光敏半導(dǎo)體吸收的一個(gè)波長(zhǎng)的光來(lái)說(shuō)，希望透明電極層具有一個(gè)足夠的透光度，并且希望具有一個(gè)足夠低的電阻。對(duì)于具有一個(gè)波長(zhǎng)為550nm或更大的光來(lái)說(shuō)，透光度最好是80％或更大，更好是85％，最佳是90％。電阻最好是5×10-3Ωcm或更小，好是1×10-3Ωcm或更小。透明電極層是由從下列無(wú)機(jī)氧化物組成的組和這些無(wú)機(jī)氧化物的混合物中選擇的一種導(dǎo)電材料構(gòu)成的，例如In2O3、SnO2、ITO(In2O3-SnO2)、ZnO、CdO、Cd2SnO4、TiO2、Ta2O5、Bi2O3、MoO3和NaxWO3。這些導(dǎo)電材料的任一材料可以包含一種控制導(dǎo)電率的攙雜物。例如，在透明電極層是由ZnO組成的情況下，作為這種攙雜物，能夠利用Al、In、B、Ga、F和Si。在透明電極層是由In2O3組成的情況下，能夠利用Sn、F、Te、Ti、Sb和Pb作為攙雜物，在透明電極層是由SnO2組成的情況下，能夠利用F、Sb、P、As、In、Tl、Te、W、Cl、Br和I作為攙雜物。由上述提及的材料中的任一種材料構(gòu)成的透明電極層可以利用像電子束發(fā)射、濺射、CVD、噴涂、旋涂或浸涂這樣的一種常規(guī)方法來(lái)形成。透明電極層可以被設(shè)計(jì)成具有一個(gè)均勻表面或一個(gè)不均勻的表面。在透明電極層被制造成具有一個(gè)不均勻表面的情況下，該不均勻表面可以是一種不規(guī)則表面，該不規(guī)則表面根據(jù)襯底的不均勻表面結(jié)構(gòu)設(shè)置有許多直線不規(guī)則處或凹槽。集電極集電極(108，214)(或柵極)用于有效地收集所產(chǎn)生的電流。集電極不總是需要被使用。當(dāng)透明電極的電阻很困難被充分地降低時(shí)，如果需要，集電極被設(shè)置在透明電極(107，213)的一部分表面上。在這種情況下，集電極起著降低透明電極的電阻的作用。集電極可以由從Au、Ag、Cu、Al、Ni、Fe、Cr、Mo、W、Ti、Co、Ta、Nb、和Zr組成的組中選擇的一種金屬或從像Ti、Cr、Mo、W、Al、Ag、Ni、Cu、Sn這樣的金屬或這些金屬的合金組成的組中選擇的一種合金構(gòu)成。另一方面，集電極可以由一種導(dǎo)電膠形成。該導(dǎo)電膠能夠包括由粉狀A(yù)g、AU、Cu、Ni或在一種適合的粘合劑樹(shù)脂中擴(kuò)散的碳組成的導(dǎo)電膠。集電極可以由從Au、Ag、Cu、Al、Ni、Fe、Cr、Mo、W、Ti、Co、Ta、Nb、和Zr組成的組中選擇的一種金屬或從像Ti、Cr、Mo、W、Al、Ag、Ni、Cu、Sn這樣的金屬或這些金屬的合金組成的組中選擇的一種合金構(gòu)成。另一方面，集電極可以由一種導(dǎo)電膠形成。該導(dǎo)電膠能夠包括由粉狀A(yù)g、AU、Cu、Ni或在一種適合的粘合劑樹(shù)脂中擴(kuò)散的碳組成的導(dǎo)電膠。集電極可以利用蒸發(fā)、濺射或電鍍、或利用一個(gè)掩膜圖形來(lái)形成。通過(guò)使導(dǎo)電膠經(jīng)過(guò)網(wǎng)紋印刷能夠進(jìn)行利用上述導(dǎo)電膠形成集電極。隨便說(shuō)說(shuō)，在利用根據(jù)本發(fā)明的光電器件制造一個(gè)光電池組件或控制板的情況下，例如，利用下面的方法可以進(jìn)行這種產(chǎn)生。設(shè)置許多具有上述組成部分的光電器件，它們根椐一個(gè)所希望的輸出電壓或輸出電流被串聯(lián)連接或并聯(lián)連接集成在一起。在所獲得的集成件的每個(gè)表面和背面上設(shè)置有一個(gè)保護(hù)件并且一對(duì)功率輸出端被固定到生成物上。對(duì)于串聯(lián)連接的集成件，在其中可以安置一個(gè)適當(dāng)?shù)姆聪螂娏鞅Ｗo(hù)二極管。下面將結(jié)合例子來(lái)詳細(xì)地描述本發(fā)明。應(yīng)該理解的是本發(fā)明不限于這些例子。例1在這個(gè)例子中，通過(guò)下面的方法利用一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的具有一個(gè)特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的襯底來(lái)制造一個(gè)在圖1中所示結(jié)構(gòu)的光電器件。(1)襯底的制造提供一個(gè)利用上述冶煉、熱軋、冷軋和精加工處理方法獲得的不銹鋼板。使該不銹鋼板經(jīng)過(guò)光亮退火，隨后利用一個(gè)表皮光軋機(jī)使其經(jīng)受表面精加工，由此獲得一個(gè)大小為50mm×50mm，厚度為0.15μm的不銹鋼板(對(duì)應(yīng)于在JIS標(biāo)準(zhǔn)中描述的一個(gè)SUS430BA板)。然后利用一個(gè)氟硝酸化合物(包括在摩爾比為1∶3∶15的HF、HNO3和H2O)使不銹鋼板在施加如在表1-1中所示的超聲波振蕩的條件下經(jīng)過(guò)表面刻蝕處理30秒。到此，獲得了一個(gè)作為襯底101的具有一種不規(guī)則表面的不銹鋼襯底，該不規(guī)則表面具有一種特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)。利用這種方法制造出許多具有一種特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不銹鋼襯底。這些不銹鋼襯底中的一個(gè)襯底保留作為用于評(píng)價(jià)的試樣(襯底試樣Ex.1-1)，它將降在后面被描述。其余的不銹鋼襯底要經(jīng)受膜形成。(2)背反射層和透明導(dǎo)電層的形成對(duì)于每個(gè)其余的不銹鋼襯底，在它的不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的表面上按順序地形成一個(gè)厚度為0.05μm的Al膜作為背反射層和一個(gè)厚度為1.0μm的ZnO膜作為透明導(dǎo)電層。通過(guò)下面的方法，在表1-1中所示的條件下，利用在圖5中所示的一個(gè)DC磁控管濺射裝置來(lái)進(jìn)行Al背反射層的形成。不銹鋼襯底被引入到DC磁控管濺射裝置的一個(gè)淀積室501中，和不銹鋼襯底(在圖5中為502)被設(shè)置在具有一個(gè)在其中安裝有電加熱器的組裝臺(tái)503上。在淀積室501的內(nèi)部通過(guò)一個(gè)利用導(dǎo)通閥513與一個(gè)油擴(kuò)散泵(沒(méi)有示出)連接的抽氣口被抽到真空度為1×10-6Torr的真空。當(dāng)?shù)矸e室501中的內(nèi)部壓力在所述真空度上被保持恒定時(shí)，一個(gè)閥514被打開(kāi)以便把從一個(gè)蓄氣筒(沒(méi)有示出)來(lái)的Ar氣以50sccm的流速引入到淀積室501中，同時(shí)調(diào)單pin結(jié)一個(gè)流量控制器516。調(diào)單pin結(jié)導(dǎo)通閥513以便把淀積室501內(nèi)部的壓力調(diào)單pin結(jié)到7mTorr上。一個(gè)靶擋板507被打開(kāi)。從一個(gè)環(huán)形線圈506來(lái)的-380V的D.C.電源被施加到一個(gè)Al-靶504上以便Ar產(chǎn)生等離子體。到此為止，在襯底101的不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的表面上形成了一個(gè)厚度為0.05μm的Al膜作為背反射層102。在背反射層102形成之后，靶擋板507被關(guān)閉，并且施加的D.C.電源和引入的Ar氣體被終止。在表1-1中所示的條件下，通過(guò)利用在圖5中所示磁控管濺射裝置重復(fù)地進(jìn)行上述膜形成過(guò)程在形成作為背反射層102的Al膜上形成一個(gè)ZnO膜作為透明導(dǎo)電層103。在ZnO膜的形成中，Ar氣以40sccm的流速被引入到淀積室501中，在膜形成時(shí)的襯底溫度被控制到200℃，在膜形成時(shí)的內(nèi)部壓力被控制到5mTorr。從一個(gè)D.C電源510來(lái)的-500V的D.C.功率被施加到一個(gè)ZnO-靶508上以便產(chǎn)生Ar等離子體，并且一個(gè)靶擋板511被打開(kāi)。到此為止，在作為背反射層102的Al膜上形成一個(gè)厚度為1.0μm的ZnO膜作為透明導(dǎo)電層103。在透明導(dǎo)以103形成之后，靶擋板511被關(guān)閉，并且施加的D.C.電源和引入的Ar氣體被終止。利用這種方法，制造了許多由在襯底101上按規(guī)定順序疊加的背反射層102和透明導(dǎo)電層103組成的襯底產(chǎn)品。這些襯底產(chǎn)品中的一個(gè)產(chǎn)品被保留作為一個(gè)用于評(píng)價(jià)的試樣(襯底產(chǎn)品試樣Ex.1-2)，它將在后面被描述。其余的襯底產(chǎn)品要經(jīng)受半導(dǎo)體層形成。(3)半導(dǎo)體層的形成對(duì)于每個(gè)其余的襯底產(chǎn)品，在表1-1中所示的條件下，利用一個(gè)在圖6中所示的多室的膜形成裝置在它的ZnO膜(作為透明導(dǎo)電層103)上形成一個(gè)三層半導(dǎo)體層(包括一個(gè)由a-Si材料構(gòu)成的n型層104、一個(gè)由a-Si材料構(gòu)成的i型層105和一個(gè)由多晶Si材料(一個(gè)uc-Si材料)構(gòu)成的p型層106，它們從襯底側(cè)開(kāi)始規(guī)定的順序被疊加在一起)。利用一種RF等離子體CVD方法來(lái)形成n型和p型層。利用一種RF等離子體CVD方法和一種微波等離子體CVD方法來(lái)形成i型層。在此，i型層具有一個(gè)三層結(jié)構(gòu)，該三層結(jié)構(gòu)包括一個(gè)由RF等離子體CVD方法形成的i型層(該i型層在此后將稱為第一RFi型層)、一個(gè)由微波等離子體CVD方法來(lái)形成i型層，(該i型層在此后將稱為MWi型層)和一個(gè)由RF等離子體CVD方法形成的第二RFi型層)。利用下面的方法來(lái)形成具有一個(gè)pin結(jié)的三層半導(dǎo)體層。首先，在圖6所示裝置的所有傳送系統(tǒng)和淀積室被柚真空到大約為10-6Torr的真空度。襯底產(chǎn)品(在上述步驟(2)中得到的)被固定一個(gè)襯底保持器690的背面，隨后把它引入到一個(gè)負(fù)載搖動(dòng)室601中，在那襯底保持器690被定位在一個(gè)輸送軌道613上。利用一個(gè)由一個(gè)機(jī)械升壓泵和一個(gè)旋轉(zhuǎn)泵(沒(méi)有示出)構(gòu)成的抽真空裝置把負(fù)載搖動(dòng)室601的內(nèi)部抽真空到大約為10-3Torr的真空度，隨后利用一個(gè)渦輪分子泵(沒(méi)有示出)抽真空到大約為10-6Torr的真空度。n型層的形成然后，一個(gè)關(guān)閉控制閥606被打開(kāi)，和襯底保持器690被移動(dòng)到一個(gè)n型層輸送室602中，該輸送室602包括一個(gè)對(duì)于形成一個(gè)n型層的淀積室617。關(guān)閉控制閥606被關(guān)閉。然后，襯底保持器690被移動(dòng)到淀積室617的一個(gè)襯底溫度控制裝置610的下面，在那里氫氣被流出以便產(chǎn)生n型層輸送室602的內(nèi)部壓力，以致于它實(shí)際上與在進(jìn)行n型層的膜形成時(shí)的過(guò)程是相同的。然后，襯底溫度控制裝置610被下降以便利用該襯底溫度控制裝置把襯底產(chǎn)品加熱到330℃并且維持在330℃上。通過(guò)一個(gè)由流量控制器636-639和停止閥630-634和641-644組成的原料氣體供應(yīng)系統(tǒng)，在表1-1中所示的用于形成n型層的原料氣體被引入到淀積室617中。利用一個(gè)抽真空泵(沒(méi)有示出)把淀積室617的內(nèi)部壓力控制到1.2Torr并且維持在這個(gè)值上。然后，一個(gè)RF電源622被接通以便把一個(gè)2W的RF功率通過(guò)一個(gè)RF功率引入槽620提供給淀積室617，在那里輝光放電被產(chǎn)生以便在作為透明導(dǎo)電層的ZnO膜上形成一個(gè)作為n型層的厚度為20nm的n型a-Si半導(dǎo)體膜。在這之后，RF功率的供應(yīng)和原料氣體的引入被終止。然后，利用一個(gè)渦輪分子泵(沒(méi)有示出)把淀積室602的內(nèi)部抽真空到大約為10-6Torr的一個(gè)真空度。襯底溫度控制裝置610被上升，關(guān)閉控制閥607被打開(kāi)，襯底保持器690被移動(dòng)到一個(gè)i型層輸送室603中，該輸送室603包括一個(gè)用于形成一個(gè)i型層的淀積室618。關(guān)閉控制閥607被關(guān)閉。第一RFi型層的形成然后，襯底保持器690被移動(dòng)到淀積室618的一個(gè)襯底溫度控制裝置611的下面，在那里氫氣被流出以便產(chǎn)生輸送室603的內(nèi)部壓力，以致于它實(shí)際上與在進(jìn)行第一RFi型層的膜形成時(shí)的過(guò)程是相同的。然后，襯底溫度控制裝置611被下降以便利用該襯底溫度控制裝置把襯底溫度控制到300℃并且維持在300℃上。通過(guò)一個(gè)由氣體引入管649、流量控制器656-660和停止閥650-655和661-665組成的原料氣體供應(yīng)系統(tǒng)，在表1-1中所示的條件下，在表1-1中所示的用于形成第一RFi型層的原料氣體被引入到淀積室618中。利用一個(gè)抽真空泵(沒(méi)有示出)把淀積室618的內(nèi)部壓力控制到0.5Torr并且維持在這個(gè)值上。在把淀積室618的擋板695維持在一個(gè)關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，一個(gè)RF電源624被接通以便把一個(gè)1.7W的RF功率通過(guò)一個(gè)RF偏移功率引入電極6280提供給淀積室618以便產(chǎn)生輝光放電，由此在淀積室618中產(chǎn)生一種等離子體。當(dāng)該等離子體變?yōu)榉€(wěn)定時(shí)，擋板650被打開(kāi)以便在n型層上形成一個(gè)作為第一RFi型層的厚度為10nm的i型a-Si半導(dǎo)體膜。在這之后，擋板695被關(guān)閉，并且RF功率的供應(yīng)和原料氣體的引入被終止。然后，利用一個(gè)渦輪分子泵(沒(méi)有示出)把淀積室603的內(nèi)部抽真空到大約為10-6Torr的一個(gè)真空度。MWi型層的形成然后，氫氣被流出以便產(chǎn)生輸送室603的內(nèi)部壓力，以致于它實(shí)際上與在進(jìn)行MWi型層的膜形成時(shí)的過(guò)程是相同的。此后，利用襯底溫度控制裝置611把襯底溫度控制到380℃并且維持在380℃上。通過(guò)上述的原料氣體供應(yīng)系統(tǒng)，在表1-1中所示的條件下，在表1-1中所示的用于形成MWi型層的原料氣體被引入到淀積室618中。利用一個(gè)柚真空泵(沒(méi)有示出)然后，微波功率源(未示出)被接通，以便提供200W的微波功率，通過(guò)波導(dǎo)626和微波引入窗625被加于淀積室618，與此同時(shí)，一自RF偏置功率源(未示出)的700W的RF偏置功率通過(guò)電極628被加入淀積室618，在電極628上產(chǎn)生輝光放電，從而在淀積室618中產(chǎn)生等離子體。當(dāng)?shù)入x子體變得穩(wěn)定時(shí)，擋板695被打開(kāi)，從而在第一RFi型層上形成70nm厚的i型Si半導(dǎo)體膜作為MWi型層。此后，擋板695被關(guān)閉，并終止MW功率和RF偏置功率的施加和原料氣體的引入。然后，淀積室602的內(nèi)部用渦輪分子泵(未示出)抽空到大約10-6托的真空度。第二RFi型層的形成重復(fù)上述形成第一RFi型層的步驟，以便在MWi型層上形成20nm厚的i型Si半導(dǎo)體膜作為第二RFi型層。此后，終止RF功率的施加和原料氣體的引入。然后，用渦輪分子泵(未示出)把輸送室603的內(nèi)部抽成大約10-6托的真空度。升高襯底溫度控制裝置611，打開(kāi)控制閥608，并把襯底保持器690移進(jìn)包括用來(lái)形成p型層的淀積室619的P型層輸送室604，關(guān)斷控制閥608。氫氣等離子體處理然后，襯底保持器690被移向淀積室619的襯底溫度控制裝置612下方的位置，在那里通過(guò)包括停止閥670-674和681-684的原料氣體供應(yīng)系統(tǒng)和流量控制器676-679，把氫氣(H2氣體)引入淀積室619，使得輸送室604的內(nèi)部壓力基本和對(duì)第二RFi型層的表面進(jìn)行氫氣等離子體處理時(shí)的壓力(2.0托)相同。然后，使襯底溫度控制裝置612下降，通過(guò)襯底溫度控制裝置把襯底溫度控制并維持在200℃(見(jiàn)表1-1)。當(dāng)氫氣的流量變?yōu)楹愣ǖ?0sccm的流量時(shí)，接通RF功率源623，通過(guò)RF功率引入杯621向淀積室619送入30W的RF功率，借以在氫氣中產(chǎn)生輝光放電，形成氫氣等離子體，用它對(duì)第二RFi型層的表面處理30秒鐘。這一氫氣等離子體處理的條件示于表1-1。p型層的形成除去表1-1所示的用于形成p型層的原料氣體在表1-1所示的條件下通過(guò)以上原料氣體供應(yīng)系統(tǒng)引入淀積室619之外，重復(fù)上述氫等離子體處理的步驟，借以在第二RFi型層的氫等離子體處理的表面上形成20nm厚的p型uc-Si半導(dǎo)體膜作為p型層。此后，終止RF功率的施加和原料氣體的引入。升高襯底溫度控制裝置612。然后使氫氣流入p型層輸送室5分鐘。以后，終止氫氣的引入。然后，把輸送室604的內(nèi)部用渦輪分子泵(未示出)抽空到大約10-6托的真空度。關(guān)閉控制閥609，把襯底保持器690移入卸載室605，在那里使產(chǎn)品冷卻。然后把它從膜形成裝置中取出。在產(chǎn)品的p型層上，用電阻加熱真空淀積處理形成70nm厚的In2O3膜作為透明電極層107。最后，在透明電極層107上，通過(guò)真空蒸發(fā)處理形成包括Cr(100nm)/Ag(1μm)/Cr(100nm)的梳狀集電極(具有圖4所示的結(jié)構(gòu))。這樣，便形成了如圖1所示結(jié)構(gòu)的光電池器件。用這種方式，制備了5個(gè)光電池器件試件，作為用于評(píng)價(jià)的元件抽樣實(shí)驗(yàn)1-1，如后所述。對(duì)照例1-1除去在例1的SUS板的表面處理中附加地進(jìn)行研磨拋光和軟皮拋光之外，重復(fù)例1的步驟，借以獲得作為用于評(píng)價(jià)的襯底試件對(duì)照1-1的襯底試樣，作為用于評(píng)價(jià)的襯底產(chǎn)品試件對(duì)照1-4的襯底產(chǎn)品，和作為用于評(píng)價(jià)的元件試樣對(duì)照1-1的5個(gè)光電元件試樣。對(duì)照例1-2除去在例1的SUS板的表面處理中附加地進(jìn)行軟皮拋光電解拋光和研磨拋光之外，重復(fù)例1的步驟，借以獲得用于評(píng)價(jià)的作為襯底試樣對(duì)照例1-2的襯底試樣，用于評(píng)價(jià)的作為襯底產(chǎn)品試樣對(duì)照例1-5的襯底產(chǎn)品和用于評(píng)價(jià)的作為元件試樣對(duì)照例1-2的5個(gè)光電池器件試樣。對(duì)照例1-3除去在例1中的SUS板的表面處理中在光亮退火之后在0.5kgf/cm2氣壓下通過(guò)吹珠(beadsblasting)處理進(jìn)行表面結(jié)構(gòu)處理外，重復(fù)例1的步驟，借以獲得用于評(píng)價(jià)的襯底試樣為襯底試樣對(duì)照例1-3，用于評(píng)價(jià)的作為襯底產(chǎn)品試樣對(duì)照例1-6的襯底產(chǎn)品和用于評(píng)價(jià)的作為元件試樣對(duì)照例1-3的5個(gè)光電器件試樣。評(píng)價(jià)1、對(duì)于每個(gè)襯底試樣實(shí)驗(yàn)1-1，對(duì)照例1-1，對(duì)照例1-2和對(duì)照例1-3，用電子顯微鏡觀察其表面形狀。所得的觀察結(jié)果被集中示于表1-2中。從表1-2所示的結(jié)果中，可以看出試樣實(shí)驗(yàn)1-1具有含有沿給定方向排列的線性不規(guī)則處的不規(guī)則的表面形狀，試樣對(duì)照例1-1具有不含線性不規(guī)則處的基本上平的表面形狀，試樣對(duì)照例1-2具有不含線性不規(guī)則處的比對(duì)照例1-1較平的表面形狀，試樣對(duì)照例1-3具有含有在整個(gè)表面區(qū)域上分布的不規(guī)則的組織結(jié)構(gòu)并不含線性不規(guī)則性的表面形狀。2、對(duì)于每個(gè)襯底產(chǎn)生試樣實(shí)驗(yàn)1-2，對(duì)照例1-4，對(duì)照例1-5以及對(duì)照例1-6，用常規(guī)方式檢查作為背反射層的ZnO膜的平均顆粒尺寸比。此外，對(duì)于每個(gè)襯底產(chǎn)品試樣，使用具有積分球(integratingsphere)的光譜儀檢查總的反射率(規(guī)則的反射率和漫反射率之和)和漫反射率。所得的檢查結(jié)果集中示于表1-3。表1-3中所示的值根據(jù)對(duì)于實(shí)驗(yàn)1-2的襯底產(chǎn)品試樣獲得的值被歸一化。從表1-3所示的結(jié)果可看到如下事實(shí)。襯底產(chǎn)品試樣實(shí)驗(yàn)1-2對(duì)于ZnO膜具有明顯大的平均顆粒尺寸比，并且總反射率和漫反射率良好。每個(gè)襯底產(chǎn)品試樣對(duì)照例1-4和對(duì)照例1-5對(duì)于ZnO膜具有相對(duì)小的平均顆粒比和差的漫散射率。襯底產(chǎn)品試樣對(duì)照例1-6雖然其漫反射率相當(dāng)高，但其總反射率差。3、對(duì)于每個(gè)包括5個(gè)光電器件試樣的元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1、對(duì)照例1-1、對(duì)照例1-2和對(duì)照例1-3中的每一個(gè)，其中每個(gè)元件試樣的5個(gè)光電器件試樣中的每一個(gè)被分為具有相同面積的25個(gè)元件。這樣對(duì)每個(gè)元件試樣區(qū)獲得125個(gè)元件。對(duì)每個(gè)元件試樣使用所得元件對(duì)以下方面進(jìn)行評(píng)價(jià)(1)產(chǎn)量，(2)附著強(qiáng)度，(3)初始光電轉(zhuǎn)換效率，(4)光退化，(5)HHRB試驗(yàn)中的退化以及(6)在按以下方式進(jìn)行的溫度和溫度循環(huán)試驗(yàn)中的退化。所得的評(píng)價(jià)結(jié)果集中示于表1-4。(1)產(chǎn)量的評(píng)價(jià)對(duì)于每個(gè)元件試樣的125個(gè)元件中的每一個(gè)，在把元件保持在黑暗環(huán)境中的同時(shí)加上-1.0V的反向偏壓，測(cè)量旁路電阻。檢查在實(shí)際上可接受的呈現(xiàn)至少為3.0×104Ωcm的電阻的元件的數(shù)量。檢查的數(shù)量作為產(chǎn)量示于表1-4。表1-4中所示的值是相對(duì)值把元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1的產(chǎn)量設(shè)為1。(2)粘附強(qiáng)度的評(píng)價(jià)按下述方式用常規(guī)的粘附強(qiáng)度試驗(yàn)進(jìn)行這一評(píng)價(jià)。從每個(gè)元件試樣的125個(gè)元件中隨機(jī)地選出一個(gè)，在其表面以1mm的間隔交叉地形成10個(gè)切痕，從而形成含有100個(gè)格子的格狀圖案。然后，在格狀圖案上充分地貼上粘合膠帶，然后瞬時(shí)地剝除膠帶，并檢查元件被剝除的面積。把經(jīng)過(guò)這樣檢查得的面積作為粘附強(qiáng)度。所獲得的評(píng)價(jià)結(jié)果被集中地示于表1-4中。表1-4所示的值是相對(duì)于元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1的剝離面積的值，它的值被設(shè)為1。(3)初始光電轉(zhuǎn)換效率的評(píng)價(jià)。按如下方式進(jìn)行這一評(píng)價(jià)。從每個(gè)元件試樣的125個(gè)元件中隨機(jī)地選出一個(gè)，用強(qiáng)度為100mW/cm2的AM1.5的光照射，然后測(cè)量其V-I特性，從而獲得初始的光電轉(zhuǎn)換效率。所獲得的測(cè)量結(jié)果集中示于表1-4中，其中所示的值是相對(duì)于元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1的初始光電轉(zhuǎn)換效率的值，其值被設(shè)為1.0。(4)光老化的評(píng)價(jià)按如下方式進(jìn)行這一評(píng)價(jià)。對(duì)在上述(3)中進(jìn)行過(guò)初始光電轉(zhuǎn)換效率測(cè)量的每個(gè)元件試樣的元件再次用強(qiáng)度為100mW/cm2的AM1.5的光在25℃/50％RH的大氣中照射500小時(shí)，然后，以和上述(3)相同的方式在強(qiáng)度為100mW/cm2的AM1.5的光的照射下測(cè)量其充電轉(zhuǎn)換效率。用初始光電轉(zhuǎn)換效率和耐用性試驗(yàn)之后的光電效率之間的變化率評(píng)價(jià)其老化。所得的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1-4中，其中的值是相對(duì)于元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1的變化率的值，其值被設(shè)為1。(5)HHBR試驗(yàn)中的老化評(píng)價(jià)用下述方式通過(guò)常規(guī)的HHRB(高溫高濕反偏)試驗(yàn)進(jìn)行這一評(píng)價(jià)。從每個(gè)實(shí)驗(yàn)試樣中和剩余元件中隨機(jī)地選出一個(gè)，用和(3)相同的方式測(cè)量其初始光電轉(zhuǎn)換效率。然后，對(duì)元件施加0.8V的偏壓在80℃/80％RH的黑暗環(huán)境中放置100小時(shí)。此后，以和(3)相同的方式在強(qiáng)度為100mW/cm2的AM1.5的光的照射下測(cè)量其光電轉(zhuǎn)換效率。把初始光電轉(zhuǎn)換效率和試驗(yàn)后的光電轉(zhuǎn)換效率之間的變化率(或減少率)作為這一性能的評(píng)價(jià)。所得的評(píng)價(jià)結(jié)果集中示于表1-4中。其中的值是相對(duì)于元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1的變化率的值被設(shè)為1。(6)在溫度和濕度循環(huán)試驗(yàn)中的老化評(píng)價(jià)以下述方式用常規(guī)的溫度和濕度循環(huán)試驗(yàn)進(jìn)行這一評(píng)價(jià)。從每個(gè)元件試樣的剩余元件中隨機(jī)地選出一個(gè)，以和上述(3)相同的方式測(cè)量其初始光電轉(zhuǎn)換效率。然后，把元件置于85℃/85％RH的黑暗環(huán)境中以3小時(shí)為一周期，置于-40℃的環(huán)境中以70分鐘為一周期，并置于85℃/85％RH的環(huán)境中以70分鐘為一周期交替地重復(fù)20次。此后，在強(qiáng)度為100mW/cm2的AM1.5的光的照射下以和(3)相同的方式測(cè)量其光電轉(zhuǎn)換效率。把初始光電轉(zhuǎn)換效率和在試驗(yàn)之后的光電轉(zhuǎn)換效率之間的變化率(或減少率)作為評(píng)價(jià)。所得的評(píng)價(jià)結(jié)果被集中地示于表1-4。其中所示的值是相對(duì)于元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1的變化率的值，其值被設(shè)為1。根據(jù)表1-4所示的結(jié)果可以看出以下事實(shí)。在產(chǎn)量和粘附強(qiáng)度方面，元件試樣對(duì)照例1-1和對(duì)照例1-2明顯比元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1的差。并且，在其它的評(píng)價(jià)項(xiàng)目方面，元件試樣對(duì)照例1-1和對(duì)照例1-2也比元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1的差。元件試樣對(duì)照例1-1和對(duì)照例1-2比元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1如此差的原因，據(jù)認(rèn)為主要是由于因?yàn)檎掣綇?qiáng)度的不充分使串聯(lián)電阻增加而引起的占空因數(shù)(F.F.)減少。在初始光電轉(zhuǎn)換效率和試驗(yàn)之后的光電轉(zhuǎn)換效率方面，元件試樣對(duì)照例1-3明顯地比元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1差。其原因據(jù)認(rèn)為是在元件試樣對(duì)照例1-3中不規(guī)則性的程度過(guò)大，并因而使得在半導(dǎo)體層部分中發(fā)生某種缺陷，引起并聯(lián)電阻減小，從而導(dǎo)致占空因數(shù)(F.F.)的減少和開(kāi)路電壓(VOC)的減少。因而，可以看出，光電器件(元件試樣實(shí)驗(yàn)1-1)在光電特性方面明顯地比任何常規(guī)的光電器件(元件試樣對(duì)照例1-1，對(duì)照例1-2和對(duì)照例1-3)差。例2在本例中，用下述方式制備了多個(gè)其結(jié)構(gòu)如圖1所示的光電器件。(1)襯底的制備提供幾個(gè)通過(guò)前述的冶煉、熱軋、冷軋和精加工處理獲得的不銹鋼板。對(duì)每塊不銹鋼板進(jìn)行表2-1所示的不同方式的表面粗糙處理，具體地說(shuō)，進(jìn)行光亮退火或/與進(jìn)行退火和酸洗組合處理或/與通過(guò)表皮光軋機(jī)進(jìn)行或不進(jìn)行表面拋光，并進(jìn)行機(jī)械拋光(皮帶拋光，軟皮拋光或滾筒拋光)或電解拋光。這樣，獲得了幾塊0.2mm厚5mm×50mm大小的不銹鋼板，每塊具有特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不同的不規(guī)則表面，包括如圖3(a)、(b)、(c)所示的多個(gè)線性不規(guī)則處或槽。用這種方式，對(duì)于每個(gè)具有特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不銹鋼板，制備許多不銹鋼板。在表2-1所示的條件下，用下述方式對(duì)得到的不銹鋼板進(jìn)行處理。不銹鋼板被引入圖5所示的DC磁控管濺射裝置的淀積室501中，將不銹鋼板(圖5的502)置于安裝有電加熱器的安裝臺(tái)503上。不銹鋼板的通過(guò)加熱器被控制并被維持在RT溫度200℃。然后，通過(guò)經(jīng)導(dǎo)通閥513和油擴(kuò)散泵(未示出)相連的排氣口抽到1×10-6托的真空度。當(dāng)?shù)矸e室501的內(nèi)部壓力在所述真空度下成為恒定時(shí)，閥514被打開(kāi)，同時(shí)調(diào)節(jié)流量控制器516在50sccm的流量下向淀積室501從氣源(未示出)引入氣體。調(diào)節(jié)導(dǎo)通閥513，把淀積室501的內(nèi)部壓力調(diào)整到6m托。從濺射功率源506向不銹鋼板提供100至600瓦的RF功率，使得產(chǎn)生輝光放電，借以在淀積室501內(nèi)產(chǎn)生Ar等離子體，輝光放電產(chǎn)生Ar等離子體持續(xù)2至10分鐘，借以使不銹鋼板的表面被Ar等離子體刻蝕。在此之后，終止RF功率的施加和Ar氣的引入。把不銹鋼襯底冷卻到室溫，然后從設(shè)備中取出。這樣，每個(gè)不銹鋼板的不規(guī)則的表面結(jié)構(gòu)的表面被Ar等離子體刻蝕。用這種方式，在每種情況下，獲得一組襯底試樣。對(duì)于在每種情況下這樣獲得的襯底試樣，保留一個(gè)用于評(píng)價(jià)。(2)制備光電器件在每個(gè)剩余的襯底試樣上，在表2-1所示的條件下以和例1相同的方式形成具有pin結(jié)的疊層結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換層，并在表2-1所示條件下，以例1相同的方式在光電轉(zhuǎn)換層上形成包括In2O3的透明電極和集電極。這樣，便得到光電器件。用這種方式，對(duì)每個(gè)不同的襯底試樣，制備一組光電器件試樣。評(píng)價(jià)1、對(duì)于每個(gè)被保留用于評(píng)價(jià)的襯底試樣，使用外形儀(ALPHASTEP商標(biāo)名，由Dencor公司生產(chǎn))檢查不規(guī)則表面的形狀測(cè)量沿平形于線性不規(guī)處的方向的中心線平均粗糙度(Ra(X)，和沿垂直于線性不規(guī)則處的方向的中心線平均粗糙度Ra(Y)，其中對(duì)400μm的長(zhǎng)度L進(jìn)行掃描并對(duì)每個(gè)1μm的長(zhǎng)度測(cè)量5點(diǎn)。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)每個(gè)襯底試樣的RaX處于5至350nm的范圍內(nèi)，Ra(Y)處于8至650nm的范圍內(nèi)。2、對(duì)于按上述獲得的光電器件試樣，以例1相同的方式進(jìn)行關(guān)于(a)產(chǎn)量、(b)粘附強(qiáng)度、(c)HHRB試驗(yàn)老化和(d)溫度與濕度循環(huán)試驗(yàn)老化。2-(1)、關(guān)于產(chǎn)量的評(píng)價(jià)結(jié)果相對(duì)于Ra(X)和Ra(Y)被集中地示于圖8(a)中。在圖8(a)中，發(fā)現(xiàn)其中使用Ra(X)為30nm，Ra(Y)為50nm和0.6Ra(X)/Ra(Y)的襯底產(chǎn)品試樣的光電器件試樣在產(chǎn)量(a)方面是滿意的，并用標(biāo)號(hào)○表示作為標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于在產(chǎn)量方面優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，用符號(hào)◎表示，對(duì)于低于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，用△表示。對(duì)于在產(chǎn)量方面明顯低于標(biāo)準(zhǔn)的器件，用符號(hào)●表示。從圖8(a)所示的結(jié)果中，可以看出如下事實(shí)。在使用Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm和Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的襯底試樣的情況下，所需的光電器件的產(chǎn)量是滿意的。具體地說(shuō)，在使用Ra(X)為25至50nm，Ra(Y)為60至300nm以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的襯底試樣的情況下，所需的光電器件的產(chǎn)量明顯地優(yōu)異。在另一方面，在使用Ra(X)超過(guò)300nm、Ra(Y)超過(guò)600nm或Ra(Y)小于20nm且Ra(X)/Ra(Y)小于0.8的襯底試樣的情況下，實(shí)際上可以使用的光電器件的產(chǎn)量明顯變差。發(fā)現(xiàn)其原因是由于過(guò)大的線性不規(guī)則處使分流電阻減小所致。此外，在使用Ra(X)為300nm或更小且Ra(Y)小于20nm或Ra(X)小于15nm且Ra(Y)為600nm或更小的襯底試樣的情況下，實(shí)際上能夠使用的光電器件的產(chǎn)量明顯變差。發(fā)現(xiàn)其原因主要是因?yàn)閷觿冸x。2-(2)關(guān)于HHRB試驗(yàn)(c)老化和溫度濕度循環(huán)試驗(yàn)老化(d)的評(píng)價(jià)結(jié)果相對(duì)于Ra(X)和Ra(Y)被集中示于圖8(b)中。在圖8(b)中，使用Ra(X)為30nm，Ra(Y)為50nm且Ra(X)/Ra(Y)為0.6的襯底試樣并發(fā)現(xiàn)在評(píng)價(jià)項(xiàng)(c)和(d)是滿意的光電器件試樣作為標(biāo)準(zhǔn)由○表示。對(duì)于在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，用標(biāo)記◎表示。對(duì)于在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面低于標(biāo)準(zhǔn)光電器件試樣，用標(biāo)號(hào)△表示。對(duì)于在評(píng)價(jià)項(xiàng)目明顯低于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，用●表示。由圖8(b)所示的結(jié)果，可以看到以下事實(shí)。在使用Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm，Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的襯底試樣的情況下，所得的任何光電試樣在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面都是十分滿意的。具體地說(shuō)，在使用Ra(X)為25至150nm，Ra(Y)為60至300nm，Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的襯底試樣的情況下，所得的任何所需的光電器件試樣在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方向是明顯優(yōu)異的。在另一方面，對(duì)于使用Ra(X)超過(guò)300nm的襯底試樣、Ra(Y)超過(guò)600nm的襯底試樣、或Ra(Y)小于20nm且Ra(X)/Ra(Y)超過(guò)0.8的襯底試樣獲得的光電器件，在經(jīng)受評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)或(d)的評(píng)價(jià)試驗(yàn)之后，尤其是開(kāi)路電壓(Voc)明顯減少。因而，其光電特性的任何方面都不好。此外，對(duì)于使用Ra(X)為300nm或更少并且Ra(Y)小于20nm的襯底試樣或Ra(X)小于15nm且Ra(Y)為600nm或更少的襯底試樣獲得的光電器件試樣，發(fā)現(xiàn)全部器件主要由于在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)或(d)的評(píng)價(jià)期間的層剝離而引起串聯(lián)電阻的明顯增加。因而，全部器件的光電特性明顯較差。此外，圖8(a)和8(b)所示的試樣已被使用超細(xì)研磨顆粒沿R(Y)方向進(jìn)行皮帶拋光作為機(jī)械拋光。在表2-2中集中示出了對(duì)這些試樣進(jìn)行皮帶拋光和表面刻蝕處理的條件。根據(jù)上述結(jié)果，可以看到使用具有Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的特定不規(guī)則表面的不規(guī)則表面的襯底能夠高效率地生產(chǎn)高產(chǎn)量的高質(zhì)量的光電特性優(yōu)異的光電器件。例3在本例中，以下述方式制備一組圖1所示結(jié)構(gòu)的光電器件。(1)襯底的制備提供一組通過(guò)前述的冶煉、熱軋、冷軋和精加工處理獲得的不銹鋼板。對(duì)每塊不銹鋼板進(jìn)行表3-1所示的不同方式的表面粗糙處理，具體地說(shuō)，進(jìn)行光亮退火或/與進(jìn)行退火和酸洗組合處理或/與通過(guò)表皮光軋機(jī)進(jìn)行或不進(jìn)行表面拋光，并進(jìn)行機(jī)械拋光(皮帶拋光、軟皮拋光或滾筒拋光)或電解拋光。這樣，便獲得了幾塊0.2mm厚50mm×50mm大小的不銹鋼板，每塊具有特定的不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不同的不規(guī)則表面，包括如圖3(a)、(b)、(c)所示的多個(gè)直線不規(guī)則處或槽。用這種方式，對(duì)于每個(gè)具有特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不銹鋼板，制備許多不銹鋼板。在表3-1所示的條件下，使用象例2中的濺射設(shè)備相同的方式對(duì)所得到的不銹鋼板進(jìn)行表面刻蝕處理。用這種方式，在每種情況下，獲得一組襯底試樣。對(duì)于在每種情況下這樣獲得的襯底試樣，保留一個(gè)用于評(píng)價(jià)。(2)制成背反射層和透明的導(dǎo)電層在表3-1所示條件下以和例1相同的方式在每個(gè)剩余的襯底試樣上，按順序形成100nm厚的AlSi膜作為背反射層和1μm厚的ZnO膜作為透明的導(dǎo)電層，從而獲得襯底產(chǎn)品試樣。用這種方式，對(duì)于每個(gè)不同的不同襯底試樣制備一組襯底產(chǎn)品試樣。對(duì)于在每種情況下這樣獲得的襯底產(chǎn)品試樣，保留一個(gè)用于評(píng)價(jià)。(3)制備光電器件使用在每種情況下剩余的襯底產(chǎn)品試樣，在其上通過(guò)在表3-1所示條件下以例1相同的方式按順序形成具有pin結(jié)的光電轉(zhuǎn)換層、透明電極(包括In2O3)和集電極，從而制備一組光電器件試樣。評(píng)價(jià)1、對(duì)于每個(gè)被留作評(píng)價(jià)用的襯底試樣，以例2相同的方式檢查不規(guī)則的表面形狀。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，每個(gè)襯底試樣的Ra(X)處于5到350nm的范圍內(nèi)，Ra(Y)處于8到650nm的范圍內(nèi)。2、對(duì)于每個(gè)被留作評(píng)價(jià)用的襯底產(chǎn)品試樣，以例1相同的方式檢查作為背反射層的ZnO膜的平均顆粒尺寸和總的反射率以及漫反射率。結(jié)果得到了以下的事實(shí)。當(dāng)Ra(X)為15nm或更多且Ra(Y)為20nm或更多時(shí)，生成ZnO膜的連續(xù)的結(jié)晶物質(zhì)，從而具有所需的大的平均顆粒尺寸。當(dāng)Ra(X)超過(guò)300nm或Ra(X)超過(guò)600nm，或者Ra(Y)超過(guò)20nm且Ra(X)/Ra(Y)為0.8時(shí)，在漫反射率減小的同時(shí)總反射率也減小。尤其是在Ra(X)為300nm或更小與Ra(Y)為200nm或更小的情況下，還有在Ra(X)小于15nm且Ra(Y)為600nm或更小的情況下，雖然總的反射率滿意但漫反射率減小。在另一方面，在Ra(X)處于15至300nm的范圍內(nèi)，Ra(Y)處于20至600nm的范圍內(nèi)以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的情況下，總反射率和漫反射率都是優(yōu)異的。尤其是Ra(X)處于25至150nm的范圍內(nèi)，Ra(Y)處于60至300nm的范圍內(nèi)以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的情況下，總反射率和漫反射率特別優(yōu)異。3、對(duì)于按上述獲得的光電器件試樣，以例1相同的方式對(duì)(a)產(chǎn)量，(b)粘附溫度，(c)HHRB試驗(yàn)中的老化以及(d)在溫度和濕度循環(huán)試驗(yàn)中的老化進(jìn)行評(píng)價(jià)。3-(1)對(duì)于產(chǎn)量(a)的評(píng)價(jià)結(jié)果相對(duì)于Ra(X)和Ra(Y)被集中地示于圖9(a)中。在圖9(a)中，其中使用Ra(X)為30nm，Ra(Y)為50nm且Ra(X)/Ra(Y)為0.6的襯底產(chǎn)品試樣的并被發(fā)現(xiàn)在產(chǎn)量(a)方面是滿意的光電器件試樣由符號(hào)○表示作為標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于在產(chǎn)量方面優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，用符號(hào)◎表示。對(duì)于在產(chǎn)量方面低于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，用符號(hào)△表示。對(duì)于在產(chǎn)量方面明顯低于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，用符號(hào)●表示。由圖9(a)所示的結(jié)果可看出以下事實(shí)。在使用Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm且Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的襯底試樣的情況下，所需的光電器件的產(chǎn)量是滿意的。尤其是在使用Ra(X)為25到150nm，Ra(Y)為60至300nm，且Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的襯底試樣的情況下，所需光電器件的產(chǎn)量特別優(yōu)異。在另一方面，在使用Ra(X)超過(guò)300nm的襯底試樣，Ra(Y)超過(guò)600nm的襯底試樣或Ra(Y)小于20nm且Ra(X)/Ra(Y)小于0.8的襯底產(chǎn)品試樣的情況下，實(shí)際上能用的光電器件的產(chǎn)量明顯較差。據(jù)發(fā)現(xiàn)其原因是因?yàn)榫€性不規(guī)則性的過(guò)大程度而引起的分層電阻的減少。此外，在使用Ra(X)為300nm或更少且Ra(Y)小于20nm的襯底試樣或在使用Ra(X)小于15nm，Ra(Y)為600nm或更小的襯底試樣的情況下，實(shí)際上能用的光電器件的產(chǎn)量明顯變差。其原因發(fā)現(xiàn)主要是由于層剝離。3-(2)。關(guān)于HHRB試驗(yàn)老化(c)和溫度濕度循環(huán)試驗(yàn)老化(d)的評(píng)價(jià)結(jié)果相對(duì)于Ra(X)和Ra(Y)被集中地示于圖9(b)中。在圖9(b)中，其中使用Ra(X)為30nm，Ra(Y)為50nm且Ra(X)/Ra(Y)為0.6的襯底產(chǎn)品試樣的并被發(fā)現(xiàn)在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面滿意的光電器件試樣由符號(hào)○表示，作為標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，由符號(hào)◎表示。對(duì)于在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，用符號(hào)△表示。對(duì)于在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面顯著低于標(biāo)準(zhǔn)的光電器件試樣，由符號(hào)●表示。從圖9(b)可看到如下的事實(shí)。在使用Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm且Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的襯底試樣的情況下，所得的任何光電器件試樣在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面是十分滿意的。在另一方面，對(duì)于使用Ra(X)超過(guò)300nm的襯底試樣、Ra(Y)超過(guò)600nm的襯底試樣或Ra(Y)小于20nm且Ra(X)/Ra(Y)超過(guò)0.8的襯底試樣所得的光電器件試樣，發(fā)現(xiàn)它們?nèi)吭诮?jīng)過(guò)評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)、(d)的試驗(yàn)之后，尤其是其開(kāi)路電壓、(Voc)明顯減小。因而，發(fā)現(xiàn)這些器件的光電特性是差的。此外，對(duì)于使用Ra(X)為300nm或更小且Ra(Y)小于20nm的襯底試樣或使用Ra(X)小于15nm且Ra(Y)為600nm或更小的襯底試樣獲得的光電器件試樣，發(fā)現(xiàn)它們?nèi)坑捎谠谠u(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)或(d)的試驗(yàn)期間的層剝離而導(dǎo)致串聯(lián)電阻明顯增加。因而，發(fā)現(xiàn)它們的光電特性明顯較差。另外，圖9(a)和9(b)所示的試樣已被使用超細(xì)研磨顆粒沿Ra(Y)方向進(jìn)行皮帶拋光作為機(jī)械拋。在表3-2中，集中示出了對(duì)這些試樣進(jìn)行皮帶拋光和表面刻蝕處理的條件。根據(jù)上述結(jié)果，可以看出，使用具有Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的特定的不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不規(guī)則表面的襯底能夠高效率地生產(chǎn)光電特性優(yōu)異的高產(chǎn)量的高質(zhì)量的光電器件。例4在本例中，制備了一組如圖1所示結(jié)構(gòu)的光電器件，其制備方式如下。(1)襯底的制備提供一組通過(guò)前述的冶煉、熱軋、冷軋和精處理獲得的鐵的不銹鋼板。對(duì)每塊不銹鋼板進(jìn)行表4-1所示的不同方式的表面粗糙處理，具體地說(shuō)，進(jìn)行光亮退火或/與進(jìn)行退火和酸洗組合處理或/與通過(guò)表皮光軋機(jī)進(jìn)行或不進(jìn)行表面拋光。這樣，獲得0.20mm厚的50mm×50mm尺寸的不同的鐵的不銹鋼板，每個(gè)具有圖3(a)、(b)或(c)所示的不同的不規(guī)則的表面形狀。用這種方式，對(duì)于每個(gè)具有不同特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的鐵的不銹鋼板，制備多個(gè)鐵的不銹鋼板。把每個(gè)制成的不銹鋼板引入退火設(shè)備(未示出)中，在600℃的溫度下對(duì)其表面進(jìn)行退火處理，然后逐漸冷卻到室溫(見(jiàn)表4-1)。用這種方式，在每種情況下，獲得一組襯底試樣。對(duì)于這樣在每種情況下獲得的襯底試樣，保留一個(gè)用于評(píng)價(jià)。(2)制成背反射層和透明導(dǎo)電層在表4-1所示的條件下，用例1相同的方式，在每個(gè)剩余的襯底試樣上，按順序形成50nm厚的AlTi膜作為背反射層和1μm厚的ZnO膜作為透明導(dǎo)電層，從而獲得襯底產(chǎn)品試樣。用這種方式，對(duì)每個(gè)不同的不同襯底試樣制備一組襯底產(chǎn)品試樣。對(duì)于在每種情況下這樣獲得的襯底產(chǎn)品試樣，保留一個(gè)用于評(píng)價(jià)。(3)制備光電器件使用在每種情況下的剩余的襯底產(chǎn)品試樣，通過(guò)在其上面在表4-1所示條件下以和例1相同的方式按順序形成具有pin結(jié)的光電轉(zhuǎn)換層，透明電極(包括In2O3)和集電極，制備一組光電器件試樣。評(píng)價(jià)以和例2相同的方式對(duì)于留作用于評(píng)價(jià)的每個(gè)襯底試樣，檢查其不規(guī)則的表面形狀。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，每個(gè)襯底試樣的Ra(X)處于5至350nm的范圍內(nèi)，Ra(Y)處于8至650nm的范圍內(nèi)。在這些襯底試樣當(dāng)中，對(duì)于在例3中呈現(xiàn)優(yōu)異結(jié)果的其參數(shù)為Ra(X)15至300nm，Ra(Y)20至600nm以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的襯底試樣，對(duì)于這些襯底試樣的每一個(gè)，檢查其直線不規(guī)則處的間距d。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)其間距d在0.2至30μm的范圍內(nèi)。2、對(duì)于分別根據(jù)間距d中0.2至30μm的襯底試樣的襯底產(chǎn)品試樣中的每一個(gè)，對(duì)其總的反射率和漫反射率進(jìn)行評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果集中地示于表4-2中。表4-2中的值是相對(duì)于在間距d為5.0μm的情況下的相應(yīng)值的值，在5.0μm情況下的相對(duì)值被設(shè)為1.0。根據(jù)表4-2的結(jié)果，可以看出以下事實(shí)。在間距范圍為0.5至20μm的情況下，總的反射率和漫反射率足夠高。在間距d小于0.5μm的情況下，總反射率變差，并因而漫反射率也相應(yīng)變差。在間距d超過(guò)20μm的情況下，總反射率相對(duì)較高但漫反射率變差，使其類似于通常的拋光表面的情況。3、對(duì)于分別根據(jù)間距d為0.2至30μm的襯底產(chǎn)品試樣制成的光電器件試樣，以和例1相同的形式進(jìn)行關(guān)于(a)產(chǎn)量，(b)粘附強(qiáng)度，(c)HHRB試驗(yàn)老化，(d)溫度和濕度循環(huán)試驗(yàn)老化的評(píng)價(jià)。3-(1)關(guān)于產(chǎn)量(a)的評(píng)價(jià)結(jié)果被集中地示于表4-3。表4-3所示的值是相對(duì)于間距d為5.0μm下的產(chǎn)量的值，其值被設(shè)為1.0。根據(jù)表4-3所示的結(jié)果，可以看出以下的事實(shí)。在間距d處于0.5至20μm的范圍內(nèi)的情況下，理想的光電器件的產(chǎn)量相當(dāng)滿意。在另一方面，在間距d小于0.5μm的情況下，實(shí)際可用的光電器件的產(chǎn)量是差的。其原因發(fā)現(xiàn)是由于開(kāi)路電壓(Voc)的減少占空因數(shù)(F.F.)的減少。此外，在間距d超過(guò)20μm的情況下，實(shí)際可用的光電器件的產(chǎn)量較差。發(fā)現(xiàn)其原因主要是由于層剝離所致。3-(2)關(guān)于HHRB老化試驗(yàn)(c)和溫度濕度循環(huán)試驗(yàn)(d)老化試驗(yàn)的評(píng)價(jià)結(jié)果被集中地示于表4-4。在表4-4中所示的值是相對(duì)于間距d為0.5μm情況下相應(yīng)值的值。根據(jù)表4-4所示的結(jié)果，可以看出以下的事實(shí)。在間距d處于0.5至20μm的情況下，任何所制的光電器件試樣在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面是十分滿意的。在另一方面，在間距d小于0.5μm的情況下，發(fā)現(xiàn)在進(jìn)行評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)或(d)的試驗(yàn)之后所制的光電器件試樣都不僅開(kāi)路電壓(Voc)明顯減少而且占空因數(shù)(F.F.)也明顯減少。因而，它們的光電特性都不好。此外，在間距d超過(guò)20μm的情況下，發(fā)現(xiàn)所得光電器件試樣的串聯(lián)電阻明顯增加，這主要是由于在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)或(d)的試驗(yàn)期間發(fā)生的層剝離所致。因而，可以看到它們的光電特性都明顯地不好。根據(jù)上述結(jié)果，可以看到使用具有Ra(X)為15到300nm，Ra(Y)為20至600nm，以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更少且間距d為0.5至20μm的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不規(guī)則表面的襯底能夠高效率地生產(chǎn)高質(zhì)量的高產(chǎn)量的光電特性優(yōu)異的光電器件。例5在本例中，按下述方式制備一組圖1所示結(jié)構(gòu)的光電器件。(1)襯底的制備通過(guò)前述的冶煉、熱軋、冷軋和精處理提供一組鐵不銹鋼板。用表5-1所示的不同方式對(duì)每個(gè)不銹鋼板進(jìn)行表面粗糙處理，具體地說(shuō)進(jìn)行退火、酸洗并通過(guò)表皮光軋機(jī)進(jìn)行或不進(jìn)行表面拋光處理。這樣，獲得了各種厚度為0.20mm，尺寸為50mm×50mm的不銹鋼板，每個(gè)具有如圖3(a)、(b)和(c)所示的不同的不規(guī)則表面形狀。這樣，對(duì)于具有不同的特點(diǎn)不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的每個(gè)不銹鋼板，制備許多不銹鋼板。把每個(gè)制成的不銹鋼板引入退火裝置(未示出)中，在650℃的溫度下對(duì)其表面進(jìn)行退火處理，然后逐漸冷卻到室溫(見(jiàn)表5-1)。用這種方式，獲得了許多襯底試樣。對(duì)于在每種情況下這樣獲得的襯底試樣，留下一個(gè)用于評(píng)價(jià)。(2)形成背反射層和透明導(dǎo)電電極層在表5-1所示的條件下，以和例1相同的方式，在每個(gè)剩余的襯底試樣上按順序形成50nm厚的Cu膜作為背反射層和1μm厚的ZnO膜作為透明導(dǎo)電層，從而獲得襯底產(chǎn)品試樣。用這種方式，對(duì)每個(gè)不同的不同襯底試樣，制備一組襯底產(chǎn)品試樣。對(duì)在每種情況下這樣獲得的襯底產(chǎn)品試樣，留下一個(gè)用于評(píng)價(jià)。(3)制備光電器件使用在每種情況下的剩余的襯底產(chǎn)品試樣，以和例1相同的方式在其上通過(guò)按順序形成具有pin結(jié)的光電轉(zhuǎn)換層、透明電極(包括In2O3)和集電極，從而制備多個(gè)光電器件試樣。評(píng)價(jià)1、發(fā)現(xiàn)每個(gè)被留下評(píng)價(jià)的襯底試樣具有如圖3(d)所示的不規(guī)則表面圖形，其中多個(gè)第一線性不規(guī)則處以直線排列形狀排列，許多第二線性不規(guī)則處沿垂直于第一線性不規(guī)則處的方向排列。對(duì)于每個(gè)襯底試樣的不規(guī)則表面形狀，以和例2相同的方式檢查Ra(X)和Ra(Y)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，每個(gè)襯底試樣的Ra(X)在4至400nm范圍內(nèi)，Ra(Y)在7到700nm的范圍內(nèi)。在這些襯底試樣當(dāng)中，對(duì)于具有參數(shù)Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更少并且呈現(xiàn)例3中的優(yōu)異結(jié)果的襯底試樣，檢查其每個(gè)的線性不規(guī)則處的間距d，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，間距d處于0.2至30μm的范圍內(nèi)。在這些襯底試樣當(dāng)中，選擇d值在0.5至20μm范圍內(nèi)的襯底試樣。對(duì)于每個(gè)選擇的襯底試樣，檢查其在不規(guī)則表面形狀中沿垂直于第不規(guī)則處的方向排列的第二線性不規(guī)則處的平均長(zhǎng)度l。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，這些選擇的襯底試樣的平均長(zhǎng)度l在從測(cè)量極限到25μm的范圍內(nèi)。2、對(duì)于分別基于平均長(zhǎng)度l從測(cè)量極限到25μm的襯底試樣的襯底產(chǎn)品試樣，對(duì)于總反射率和漫反射率進(jìn)行評(píng)價(jià)。其結(jié)果集中示于表5-2。表5-2中的值是相對(duì)值，以平均長(zhǎng)度l為5.0μm的情況下的相應(yīng)的值為基準(zhǔn)，其相對(duì)值設(shè)為1.0。根據(jù)表5-2所示的結(jié)果，可以看到以下事實(shí)。在長(zhǎng)度l為20μm或更小的情況下，總反射率和漫反射率是足夠高的。在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，總反射率變差，并因此漫反射率也相應(yīng)地變差。(3)對(duì)于分別基于長(zhǎng)度l從測(cè)量極限到25μm的襯底產(chǎn)品試樣，以和例1相同的方式進(jìn)行關(guān)于(a)產(chǎn)量，(b)粘附強(qiáng)度，(c)HHRB試驗(yàn)老化和(d)溫度與濕度循環(huán)試驗(yàn)老化的評(píng)價(jià)。3-(1)關(guān)于產(chǎn)量(a)的評(píng)價(jià)結(jié)果被集中地示于表5-3中。表5-3的值是相對(duì)值，以長(zhǎng)度l為5.0μm情況下的相應(yīng)值為基準(zhǔn)，其相對(duì)值被設(shè)為1.0。根據(jù)表5-3所示的結(jié)果，可以看到以下的事實(shí)。在長(zhǎng)度為20μm或更小的情況下，理想的光電器件的產(chǎn)量是十分滿意的。在另一方面，在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，實(shí)際能用的光電器件的產(chǎn)量較差。發(fā)現(xiàn)其原因是由于開(kāi)路電壓(Voc)的減少也由于占空因數(shù)(F.F.)的減少。3-(2)關(guān)于HHRB老化試驗(yàn)(c)和溫度濕度循環(huán)老化試驗(yàn)(d)的評(píng)價(jià)結(jié)果被集中示于表5-4。表5-4所示的值是相對(duì)值，以長(zhǎng)度l為5.0μm的相應(yīng)值為基準(zhǔn)，其值被設(shè)為1.0。根據(jù)表5-4所示的結(jié)果，可以看到以下事實(shí)。在長(zhǎng)度l為20μm或更小的情況下，所有最終的光電器件試樣在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面都是十分滿意的。在另一方面，在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，發(fā)現(xiàn)所有制成的光電器件試樣在經(jīng)過(guò)評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)或(d)的評(píng)價(jià)之后，不僅開(kāi)路電壓(Voc)明顯減小而且占空因數(shù)(F.F.)也明顯減小。因而，發(fā)現(xiàn)全部光電器件試樣的光電特性較差。根據(jù)上述結(jié)果，可以看到使用具有Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm，以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更少且間距d為0.5至20μm，長(zhǎng)度l為20μm或更少的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不規(guī)則表面的襯底能夠高效率地生產(chǎn)高產(chǎn)量的光電特性優(yōu)異的高質(zhì)量的光電器件。例6在本例中，以下述方式制備一組圖2所示結(jié)構(gòu)的三元件型光件器件。1、襯底的制備提供一組通過(guò)前述的冶煉、熱軋、冷軋及最后處理獲得的不銹鋼板。對(duì)每個(gè)不銹鋼板用表6-1所示的不同方式進(jìn)行表面粗糙處理，具體地說(shuō)通過(guò)退火、酸洗并通過(guò)表皮光軋機(jī)進(jìn)行或不進(jìn)行表面拋光。這樣，獲得各種長(zhǎng)度為100m，寬度為30cm厚度為0.13mm的不銹鋼板，每個(gè)具有圖3(a)、(b)和(c)所示的不同的不規(guī)則表面形狀。對(duì)每個(gè)不銹鋼板的不規(guī)則的表面，以下述方式進(jìn)行退火處理。制成的每個(gè)不銹鋼板被繞在旋轉(zhuǎn)輸出卷筒(未示出)上。其上繞有不銹鋼板的輸出卷筒被設(shè)置在具有反應(yīng)室和冷卻室(未示出)的退火裝置中。用來(lái)接收由輸出卷筒釋放的不銹鋼板的旋轉(zhuǎn)接收卷筒(未示出)也被設(shè)置在退火裝置上。在這種情況下，輸出卷筒和接收卷筒被這樣定位，使得它們通過(guò)退火設(shè)備彼此相對(duì)。在輸出卷筒上的不銹鋼板的一部分被釋放，以便固定接收卷筒，同時(shí)使不銹鋼板在退火設(shè)備的反應(yīng)室和冷卻室內(nèi)伸展。不銹鋼板的不規(guī)則的表面在反應(yīng)室中在550至650℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行退火處理，然后在冷卻室被冷卻到室溫，同時(shí)通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)輸出和接收滾筒使不銹鋼板連續(xù)地通過(guò)反應(yīng)室和冷卻室。用這種方式，獲得一組不同的襯底板試樣。對(duì)于這樣獲得的每個(gè)襯底板試樣，切下其中一部分得到用于評(píng)價(jià)的試樣(這在下面被稱為襯底試樣)。2、形成背反射層和透明導(dǎo)電層在表6-1所示條件下，以和例1相同的方式在每個(gè)襯底板試樣上，通過(guò)常規(guī)的輥對(duì)輥成膜工藝按順序形成80nm厚的A/Mg膜作為背反射層以及0.75μm厚的ZnO膜作為透明導(dǎo)電層，借以獲得襯底板產(chǎn)品試樣。用這種方式，制備一組不同的襯底板產(chǎn)品試樣。對(duì)于這樣獲得的每個(gè)襯底板試樣，切下一部分得到用于評(píng)價(jià)的試樣(以后稱為襯底板產(chǎn)品試樣)。3、光電器件的制備使用每個(gè)襯底板產(chǎn)品試樣，以下述方式制備一組光電器件。3-(1)形成光電轉(zhuǎn)換層在每個(gè)襯底板產(chǎn)品試樣的ZnO膜上(作為透明導(dǎo)電層)，在表6-1所示條件下，使用滾筒對(duì)滾筒型多室等離子體CVD設(shè)備(圖7(a)、(b)的利用常規(guī)的滾筒對(duì)滾筒成膜工藝從襯底側(cè)按下述的順序形成層疊的包括pin結(jié)底元件(包括n型層，三層的i型層(包括RFi型層，MWi型層和RFi型層)和p型層)的多層光電轉(zhuǎn)換層，pin結(jié)中元件(包括n型層，三層的i型層(包括RFi型層，MWi型層和RFi型層)和p型層)以及pin結(jié)頂元件(包括n型層，單層的i型層(包括RFi型層和P型層)。以和例1形成光電轉(zhuǎn)換層相同的方式，形成每個(gè)pin結(jié)元件。這里說(shuō)明圖7(a)和7(b)所示的等離子體CVD設(shè)備。圖7(a)是說(shuō)明等離子CVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7(b)是說(shuō)明圖7(a)所示的等離子體CVD設(shè)備中多室裝置的示意圖，是從多室裝置的上方看的。圖7(a)和7(b)所示的等離子體CVD設(shè)備包括襯底擠出室729，含有輸出滾筒721，其上繞有襯底板740(它相當(dāng)于前述的襯底板試樣)，幾個(gè)淀積室701-713，以及襯底接收室730，其中含有接收滾筒723，用來(lái)接收輸送的襯底板740。每個(gè)相鄰的室由隔離通路7l4隔離。每個(gè)室具有從真空裝置延伸的使得可以抽空室的內(nèi)部的排氣口。從輸出滾筒721輸出的襯底板740通過(guò)隔離通道被輸送入淀積室701。用這種方式，襯底板740被送入相鄰的室702-713，最后在接收室730被接收并被繞在接收滾筒724上。等離子體CVD設(shè)備被這樣構(gòu)成，使得所需的原料氣體被引入各個(gè)淀積室，同時(shí)使清洗氣體流入各個(gè)隔離通道714，通過(guò)隔離通道可以使在每個(gè)淀積室中的成膜工藝可以獨(dú)立地進(jìn)行而不影響相鄰的燃燒室。每個(gè)淀積室具有襯底溫度控制裝置(未示出)，用來(lái)維持襯底板740在成膜所需的合適溫度下。具體地說(shuō)，每個(gè)淀積室701-713具有從原料氣體供應(yīng)系統(tǒng)(未示出)延伸的原料氣體引入口715，和與真空泵例如油擴(kuò)散泵、機(jī)械增壓泵之類相連的排氣孔716。每個(gè)淀積室701，702，704-707以及709-713具有和RF功率源(未示出)電氣相連的RF功率引入電極717。每個(gè)淀積室703和708具有從微波功率源(未示出)延伸的微波施加器7l8和與RF功率源(未示出)電氣相連的偏壓電極720。每個(gè)隔離通道714具有用于流入清除氣體的入口7l9。清除氣體沿圖7(b)所示的方向流入。輸出室719具有輸出滾筒722，用于通過(guò)各個(gè)淀積室朝向接收室730輸送來(lái)自輸出滾筒721的襯底板。接收室730具有導(dǎo)向滾筒724，用于把襯底板740以足夠的張力保持在水平狀態(tài)。在上述的等離子體CVD設(shè)備中按下述方式形成光電轉(zhuǎn)換層。在上述步2中獲得的襯底板產(chǎn)品被繞在接收滾筒721(具有30cm曲率的平均半徑)上。接收滾筒721被設(shè)置在輸出室729中，襯底板產(chǎn)品714通過(guò)各個(gè)淀積室被輸出，其頭部被固定在接收室730中的接收滾筒上。等離子體CVD設(shè)備的整個(gè)內(nèi)部被抽空，并且操作在每個(gè)淀積室中的襯底濕度控制裝置，使得襯底板產(chǎn)品可以在淀積室中維持在所需的溫度下。當(dāng)?shù)入x子體CVD設(shè)備的整個(gè)內(nèi)部成為小于1m托時(shí)，通過(guò)圖7(b)所示的各個(gè)入口719使清除氣體流入等離子體設(shè)備，同時(shí)朝向接收室730沿圖7(a)箭頭所示方向移動(dòng)襯底板產(chǎn)品714，襯底板產(chǎn)品通過(guò)被繞在接收滾筒723上被連續(xù)地接收。所需的原料氣體被引入每個(gè)淀積室，通過(guò)適當(dāng)調(diào)整引入各個(gè)隔離通道的清除氣體的流量或各個(gè)淀積室的內(nèi)部壓力，使原料氣體避免擴(kuò)散進(jìn)入相鄰的淀積室。然后，通過(guò)在每個(gè)淀積室701，702，704-707以及709-7l3中引入RF功率，并在每個(gè)淀積室703和708中引入微波功率和RF偏置功率，產(chǎn)生輝光放電，從而在每個(gè)淀積室中產(chǎn)生等離子體。這樣，在襯底板產(chǎn)品740的ZnO膜的表面上，在表6-1所示條件下，以和例1相同的方式在包括淀積室701-705的第一區(qū)內(nèi)，其中已在淀積室7021中形成有m型a-S，在淀積室702中已形成RFi型a-Si層，在淀積室703中已形成有MWi型a-Si層，在淀積室704中已形成有RFi型a-Si層，以及在淀積室705中已形成p型微晶Si層，繼續(xù)形成底pin結(jié)元件；在包括淀積室706-710的第二區(qū)內(nèi)其中在淀積室706中已形成有n型a-Si層，在淀積室707中已形成有i型a-Si層，在淀積室708中已形成有MWi型a-Si層，在淀積室709中已形成有R地i型a-Si層，在淀積室710中已形成有p型微晶Si層，繼續(xù)形成中pin結(jié)元件；并在包括淀積室711-713的第三區(qū)中，其中在淀積室711中已形成有n型a-Si層，在淀積室712中已形成有RFi型a-Si層，在淀積室712中已形成有RFi型a-Si層，以及在淀積室713中已形成有p型微晶Si層，繼續(xù)形成頂pin結(jié)元件。關(guān)于形成這些層所用的原料氣體和成膜條件使用表l-1中所述的那些。在接收滾筒723上繞上全部的襯底板產(chǎn)品之后，終止RF功率源和微波功率源以及RF偏置功率源的引入，與此同時(shí)，終止原料氣體和清除氣體的引入。并且，使等離子體CVD設(shè)備的整個(gè)內(nèi)部壓力恢復(fù)到大氣壓，從等離子體CVD設(shè)備中取出接收滾筒723。這樣，在每個(gè)襯底板產(chǎn)品上形成具有pin-pin-pin結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換層。3-(2)透明電極和集電極的形成。在每個(gè)襯底板產(chǎn)品的頂部pin結(jié)元件的p型層上，通過(guò)使用常規(guī)的反應(yīng)濺射設(shè)備形成75nm厚的ITO膜作為透明電極，然后利用常規(guī)的電阻加熱蒸發(fā)形成包括50μm厚的銅絲的絲柵格作為集電極，銅絲上具有用包括尿烷樹(shù)脂的粘結(jié)劑粘結(jié)的Ag包層和碳層。這樣，制備了一組不同長(zhǎng)的光電器件。切割每種長(zhǎng)度的光電器件獲得250mm×10m小的光電器件試樣。評(píng)價(jià)發(fā)現(xiàn)留下用于評(píng)價(jià)的每個(gè)襯底試樣具有如圖3(d)所示的不規(guī)則的表面形狀，其中多個(gè)第一線性不規(guī)則處以直線形式排列，多個(gè)第二直線規(guī)則處以垂直于第一線性不規(guī)則處的方向排列。對(duì)于每個(gè)襯底試樣的不規(guī)則的表面形狀，以和例2相同的方式檢查Ra(X)和Ra(Y)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，每個(gè)襯底試樣的Ra(X)處于3到350nm的范圍內(nèi)，Ra(Y)處于5到650nm的范圍內(nèi)。在這些襯底試樣當(dāng)中，對(duì)在例3中呈現(xiàn)優(yōu)異結(jié)果的具有參數(shù)Ra(X)為15到300nm，Ra(Y)為20到600nm，Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的襯底試樣檢查這些襯底試樣中每一個(gè)的線性不規(guī)則性間距d。結(jié)果發(fā)現(xiàn)間距d的范圍為0.2至30μm。在這些襯底試樣當(dāng)中，選擇其d值范圍為0.5至20μm的襯底試樣。對(duì)于每種選擇的試樣，檢查在不規(guī)則表面形狀中沿垂直于第一不規(guī)則處的方向排列的第二線性不規(guī)則處的平均長(zhǎng)度l。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，這些選擇的襯底試樣的平均長(zhǎng)度l為25μm或更少。2、對(duì)于分別基于平均長(zhǎng)度l為25μm或更小的襯底試樣的襯底產(chǎn)品試樣，對(duì)于總反射率和漫反射率進(jìn)行評(píng)價(jià)，評(píng)價(jià)結(jié)果集中示于表6-2。表6-2所示的值是相對(duì)值，以平均長(zhǎng)度l為5.0μm情況下的相應(yīng)值為基準(zhǔn)，其相對(duì)值被設(shè)為1.0。根據(jù)表6-2所示的結(jié)果，可以看出下列事實(shí)。在長(zhǎng)度l為20μm或更小的情況下，總反射率和漫反射率足夠高。在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，總反射率變劣，并因而漫反射率也相應(yīng)地變劣。3、對(duì)于分別基于長(zhǎng)度l為25μm或更小的襯底產(chǎn)品試樣的最終的光電器件試樣，以和例1相同的方式進(jìn)行關(guān)于(a)產(chǎn)量，(b)粘附強(qiáng)度，(c)HHRB試驗(yàn)中的老化和(d)溫度濕度循環(huán)試驗(yàn)中的老化進(jìn)行評(píng)價(jià)。3-(1)關(guān)于產(chǎn)量(a)的評(píng)價(jià)結(jié)果集中地示于表6-3。表6-3的值是相對(duì)值，以長(zhǎng)度l為5.0μm情況下的產(chǎn)量為基準(zhǔn)，其值被認(rèn)為1.0。根據(jù)表6-3所示的結(jié)果，可以看出以下的事實(shí)。在長(zhǎng)度1為20μm或更小的情況下，理想的光電器件的產(chǎn)量是十分滿意的。在另一方面，在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，實(shí)際上可用的光電器件的產(chǎn)量較差。發(fā)現(xiàn)其原因是由于開(kāi)路電壓(Voc)以及占空因數(shù)(F.F.)的減少。3-(2)關(guān)于HHRB老化試驗(yàn)(c)和溫度濕度循環(huán)老化試驗(yàn)(d)的評(píng)價(jià)結(jié)果被集中示于表6-4。表6-4的值是相對(duì)值，以在長(zhǎng)度l為5.0μm情況下的相應(yīng)值為基準(zhǔn)，其值被設(shè)為1.0。根據(jù)表6-4的結(jié)果，可以看到以下的事實(shí)。在長(zhǎng)度l為20μm或更小的情況下，所得的光電器件試樣在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方面都是十分滿意的。在另一方面，在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，發(fā)現(xiàn)所得的任何光電器件試樣不僅開(kāi)路電壓(Voc)而且占空因數(shù)(F.F.)在經(jīng)過(guò)項(xiàng)目(c)和(d)的評(píng)價(jià)之后都明顯地減小。因而，可以看到這些器件的任何器件的光電特性都較差。根據(jù)上述的結(jié)果，可以看到使用具有Ra(X)為15到300nm，Ra(Y)為20到600nm，以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小且間距d為0.5到20μm，長(zhǎng)度l為20μm或更小的特定不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不規(guī)則表面的襯底能夠高效率地生產(chǎn)高質(zhì)量的高產(chǎn)量的光電特性優(yōu)異的光電器件。例7在本例中，按下述方式制備圖1所示結(jié)構(gòu)的光電器件。1、襯底的制備提供通過(guò)使用前述的冶煉、熱軋、冷軋和最終處理獲得的不銹鋼板。通過(guò)進(jìn)行退火和借助于表皮光軋機(jī)進(jìn)行表面拋光進(jìn)行表面粗糙處理。這樣，獲得具有如圖3(a)所示的不規(guī)則表面形狀的不銹鋼板。把所得的不銹鋼板放入干刻蝕設(shè)備(未示出)中，在包括CCl4或Cl2氣體的氣體環(huán)境中在RT溫度下進(jìn)行刻蝕處理5分鐘，同時(shí)施加200W的RF功率，然后冷卻到室溫(見(jiàn)表7-1)。用這種方式，便得到了襯底。把所得襯底的一部分切下得到用于評(píng)價(jià)的試樣(該試樣以后叫作襯底試樣例7-1)。2、形成背反射層和透明導(dǎo)電層在表7-1所示條件下以和例5相同的方式在上述步1獲得的襯底上按順序形成35nm厚的AlSiTi層作為背反射層和1μm厚的ZnO層作為透明導(dǎo)電層，從而獲得襯底產(chǎn)品。把所得的襯底產(chǎn)品的一部分切下獲得用于評(píng)價(jià)的試樣(這試樣以后被叫作襯底產(chǎn)品試樣例7-2)。3、制備光電器件使用上述步1獲得的襯底產(chǎn)品，通過(guò)用和例1相同的方式在襯底產(chǎn)品上按順序形成具有pin結(jié)的光電轉(zhuǎn)換層，透明電極(包括In2O3)和集電極制備光電器件。所得光電器件以后叫作元件例7-1。對(duì)照例7-1除去在厚度為10μm襯底溫度為450℃的條件下進(jìn)行形成ZnO透明電極層之外，重復(fù)例7的步驟，以便獲得襯底試樣(對(duì)照例7-1)，襯底產(chǎn)品試樣(對(duì)照例7-2)和光電器件(元件對(duì)照例7-1)。評(píng)價(jià)對(duì)于襯底試樣例7-1，襯底試樣對(duì)照例7-1，襯底產(chǎn)品試樣例7-2，襯底產(chǎn)品試樣地照例7-2，元件例7-1和元件對(duì)照例7-1中的每一個(gè)，用電子顯微鏡(SEM)檢查其表面狀態(tài)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，每個(gè)試樣例7-1和例7-2具有包括圖3(a)所示的以直線排列形式排列的多個(gè)線性不規(guī)則處的不規(guī)則表面形狀。并發(fā)現(xiàn)這不規(guī)則的表面形狀已經(jīng)對(duì)光電器件的表面產(chǎn)生影響。發(fā)現(xiàn)每個(gè)襯底試樣對(duì)照例7-1和襯底產(chǎn)品試樣對(duì)照例7-2具有和每個(gè)襯底試樣例7-1和襯底產(chǎn)品試樣例7-2的情況下的不規(guī)則表面形狀。不過(guò)，發(fā)現(xiàn)元件對(duì)照例7-1的表面沒(méi)有象在元件例7-1情況下的這種線性不規(guī)則處，而個(gè)有似乎基于ZnO顆粒邊界的另外的不規(guī)則處。通過(guò)使用電子顯微鏡作的檢查結(jié)果被集中示于表7-2。2、對(duì)于每個(gè)元件例7-1和元件對(duì)照例7-1，以和例1相同的方式進(jìn)行關(guān)于(a)產(chǎn)量，粘附強(qiáng)度，初始光電轉(zhuǎn)換效率，光老化，HHRB老化試驗(yàn)，以及溫度濕度老化試驗(yàn)的評(píng)價(jià)。所得評(píng)價(jià)結(jié)果被集中示于表7-3。表7-3所示的元件對(duì)照例7-1的值是相對(duì)值，以元件例7-1的相應(yīng)值為基準(zhǔn)，其值被設(shè)為1.0。根據(jù)表7-3所示結(jié)果，可以看到如下事實(shí)。在所有評(píng)價(jià)項(xiàng)目方面，元件例7-1都劣于元件對(duì)照例7-1。其原因據(jù)認(rèn)為是由于占空因數(shù)(F.F.)的減少，這主要是由于不足的粘附強(qiáng)度引起的串聯(lián)電阻的增加所致。例8在本例中，以下述方式制備一組圖1所示結(jié)構(gòu)的光電器件。1、襯底的制備提供通過(guò)前述的冶煉、熱軋、冷軋和最后處理所獲得的一組不銹鋼板，對(duì)每個(gè)不銹鋼板用表8-1所示的不同方式進(jìn)行表面粗糙處理，具體地說(shuō)進(jìn)行退火、酸洗并通過(guò)表皮光軋機(jī)進(jìn)行或不進(jìn)行表面拋光。這樣，獲得厚度為0.20mm，50mm×50mm大小的不同的不銹鋼板，每個(gè)具有不同的不規(guī)則表面形狀。用這種方式，對(duì)于每個(gè)不銹鋼板，制備許多不銹鋼板。把所制得的每個(gè)不銹鋼板引入退火設(shè)備(未示出)中，在650℃的溫度下對(duì)其表面進(jìn)行處理，然后被逐漸冷卻到室溫(見(jiàn)表8-1)。用這種方式，在每種情況下，獲得一組襯底試樣。對(duì)于在每種情況下這樣獲得的襯底試樣，留下一個(gè)用于評(píng)價(jià)。2、形成背反射層和透明導(dǎo)電層在表8-1所示條件下，用和例5相同的方式，在每個(gè)剩余的襯底試樣上按順序形成100nm厚的AlSi膜作為背反射層和1μm厚的ZnO膜作為透明導(dǎo)電層，從而獲得襯底產(chǎn)品試樣。用這種方式，對(duì)于每個(gè)不同的不同襯底試樣，制備一組襯底產(chǎn)品試樣。對(duì)于在每種情況下這樣獲得的襯底產(chǎn)品試樣，留下一個(gè)用于評(píng)價(jià)。3、光電器件的制備在每種情況下，使用剩余的襯底產(chǎn)品試樣以如下方式制備一但光電器件試樣。使用具有氫助等離子體CVD淀積室的用于在表8-1所示條件下形成多晶淀積膜的多室等離子體CVD設(shè)備(未示出)，在每個(gè)襯底產(chǎn)品試樣的ZnO膜上，以相同方式按順序形成由a-Si材料構(gòu)成的n′型層，在氫助等離子體CVD室內(nèi)，由多晶Si材料構(gòu)成的i型層以及以和例5相同的方式微晶硅材料構(gòu)成的p型層。這樣，在所述的ZnO膜上形成具有pin結(jié)的光電轉(zhuǎn)換層。然后，在表8-1所示條件下，在光電轉(zhuǎn)換層的p型層上用常規(guī)的反應(yīng)蒸發(fā)技術(shù)按順序形成透明電極(包括70nm厚的In2O3膜)，并以和例1相同的方式形成集電極。評(píng)價(jià)發(fā)現(xiàn)留下用作評(píng)價(jià)的每個(gè)襯底試樣具有如圖3(d)所示的不規(guī)則的表面形狀，其中許多第一線性不規(guī)則處以直線形式排列，許多第二線性不規(guī)則處以垂直于第一線性不規(guī)則處的方向排列。對(duì)于每個(gè)襯底試樣的不規(guī)則表面形狀，以例2相同的方式檢查Ra(X)和Ra(Y)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)每個(gè)襯底試樣的Ra(X)處于3至350nm的范圍內(nèi)，Ra(Y)處于12至630nm的范圍內(nèi)。在這些襯底試樣當(dāng)中，對(duì)于在例3中提供優(yōu)異結(jié)果的具有Ra(X)為15至300nm，Ra(Y)為20至600nm以及Ra(X)/Ra(Y)為0.8或更小的襯底試樣，檢查這些襯底試樣中的每一個(gè)線性不規(guī)則處的間距d。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，其間距d的廣圍為0.3至25μm。在這些襯底當(dāng)中，選擇具有0.5至20μm的d值的襯底試樣。對(duì)于每種選擇的襯底試樣，檢測(cè)沿在不規(guī)則表面形狀中沿垂直于第一不規(guī)則處的方向排列的第二線性不規(guī)則處的平均長(zhǎng)度l。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，這些選擇的襯底試樣的平均長(zhǎng)度l的范圍為從測(cè)量極限到25μm。2、對(duì)于分別基于平均長(zhǎng)度l的范圍為從測(cè)量極限到25μm的襯底試樣的襯底產(chǎn)品試樣，進(jìn)行了關(guān)于總反射和漫反射的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果集中地示于表8-2。表8-2的值是相對(duì)值，以平均長(zhǎng)度l為7.5μm情況下的相應(yīng)值為基準(zhǔn)，其值被設(shè)為1.0。根據(jù)表8-2所示的結(jié)果，可以看到以下的事實(shí)。在長(zhǎng)度l為20μm或更小的情況下，總反射率和漫反射率都足夠高。在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，總反射率變差，并因而漫反射率也相應(yīng)變差。3、對(duì)于分別基于長(zhǎng)度l從測(cè)量極限到25μm的襯底產(chǎn)品試樣的襯底光電器件試樣，以和例1相同的方式進(jìn)行(a)產(chǎn)量，(b)粘附強(qiáng)度，(c)HHRB試驗(yàn)老化，(d)溫度濕度循環(huán)老化試驗(yàn)方面的評(píng)價(jià)。3-(1)關(guān)于產(chǎn)量(a)的評(píng)價(jià)結(jié)果集中示于表8-3。表8-3所示的值是相對(duì)值，以長(zhǎng)度l為7.5μm情況下的產(chǎn)量的為基準(zhǔn)，其值被設(shè)為1.0。根據(jù)表8-3所示的結(jié)果，可以看到以下的事實(shí)。在長(zhǎng)度l為20μm或更小的情況下，理想的光電器件的產(chǎn)量是十分滿意的。在另一方面，在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，實(shí)際上可用的光電器件的產(chǎn)量是較差的。發(fā)現(xiàn)其理由是由于開(kāi)路電壓(Voc)和占空因數(shù)(F.F.)的減少。3-(2)關(guān)于HHRB老化試驗(yàn)(c)和溫度濕度循環(huán)老化試驗(yàn)(d)的評(píng)價(jià)結(jié)果集中地示于表8-4。其中所示的值是相對(duì)值，以長(zhǎng)度l為7.5μm的情況下的相應(yīng)值為基準(zhǔn)，其值被設(shè)為1.0。根據(jù)表8-4所示的結(jié)果，可以看到如下事實(shí)。在長(zhǎng)度l為20μm或更小的情況下，任何所得的光電器件試樣在評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)方向是十分滿意的。在另一方面，在長(zhǎng)度l超過(guò)20μm的情況下，發(fā)現(xiàn)任何所得的光電器件度樣在經(jīng)過(guò)評(píng)價(jià)項(xiàng)目(c)和(d)的評(píng)價(jià)之后不僅開(kāi)路電壓(Voc)明顯減少而且占空因數(shù)也明顯減少。因而，可見(jiàn)這些光電器件的光電特性都很差。表1-1SUS處理滾壓處理/光亮退火皮表滾壓進(jìn)行皮面拋光不進(jìn)行表面處理氟氮酸(HF∶HNO3∶H2O＝1∶3∶15)超聲振動(dòng)30秒背反射層Al50nm，襯底溫度RT透明導(dǎo)電層ZnO1μm，襯底溫度200℃n型層SiH41sccm，H245sccmPH3(用H2稀釋到1％)0.5sccm，內(nèi)部壓力1.2托，RF功率2W襯底溫度300℃，層厚20nmRFi型層Si2H64sccm，H290sccm內(nèi)部壓力0.5托，RF功率1.7w襯底溫度300℃，層厚10nmMwi型層SiH440sccm，GeH440sccm，H2150sccm，內(nèi)部壓力8m托，Mw功率200wRF偏置功率700W襯底溫度380℃，層度70nmRFi型層Si2H64sccm，H290sccm，內(nèi)部壓力0.5托，RF功率1.7W襯底溫度300℃，層厚20nm，氫等離子體處理H2，80sccm，內(nèi)部壓力2.0托，RF功率30W襯底溫度200℃p型層SiH4(用氫稀釋到10％)0.25sccm，H235sccmBF3(用氫稀釋到2％)2sccm，內(nèi)部壓力2托，RF功率30w，襯底溫度200℃透明電極In2O3，反應(yīng)蒸發(fā)，層厚70nm集電極Cr(100nm)/Ag(1μm)/Cr(100nm)表1-2表1-3<<p>表1-4表2-1SUS處理滾壓處理/光亮退火/退火/酸洗皮表滾壓進(jìn)行/不進(jìn)行表面拋光從機(jī)械拋光(帶拋光/軟皮拋光/滾筒拋光)。電解拋光，不拋光中選擇表面處理用Ar等離子體RF濺射，RF100W-600W，2-80分鐘，襯底溫度RT-200℃n型層SiH41sccm，H245sccm，PH3(用H2稀釋到1％)0.5sccm，內(nèi)部壓力1.2托，RF功率2W，襯底溫度330℃，層厚20nm，RFi型層Si2H64sccm，H290sccm內(nèi)部壓力0.5托，RF功率1.7W襯底溫度300℃，層厚10nmMwi型層SiH440sccm，GeH440sccm，H2150sccm，內(nèi)部壓力8m托，Mw功率200wRF偏置功率7.00w襯底溫度380℃層厚70nm，RFi型層Si2H64sccm，H290sccm，內(nèi)部壓力0.5托，RF功率1.7w襯底溫度300℃，層厚20nm氫等離子體處理H280sccm，內(nèi)部壓力2.0托，RF功率30w襯底溫度200℃p型層SiH4(用H2稀釋到10％)0.25sccm，H235sccm，BF3(用H2稀釋到2％)2sccm，內(nèi)部壓力2托，RF功率30W，襯底溫度200℃透明電極In2O3，反應(yīng)蒸發(fā)，層厚70nm集電極Cr(100nm)/Ag(1μm)/Cr(100nm)表2-2</tables>*使用超細(xì)研磨顆粒進(jìn)行帶拋光處理表3-1SUS處理滾壓處理/光亮退火/退火/酸洗皮表滾壓進(jìn)行/不進(jìn)行表面拋光從機(jī)械拋光(帶拋光/軟皮拋光/滾筒拋光)。電解拋光，不拋光中選擇表面處理RF濺射，RF100W-600W，2-80分鐘，襯底溫度RT-200℃背反射層AlSi100μm，襯底溫度RT，透明導(dǎo)電層ZnO，1μm，襯底溫度300℃n型層SiH41sccm，H250sccm，PH3(用H2稀釋到1％)0.5sccm，內(nèi)部壓力1.2托，RF功率2W，襯度溫度330℃，層厚20nm，RFi型層Si2H64sccm，H290sccm內(nèi)部壓力0.5托，RF功率1.7W襯底溫度300℃，層厚10nmMwi型層SiH450sccm，GeH450sccm，H2200sccm，內(nèi)部壓力8m托，Mw功率200wRF偏置功率700w襯底溫度380℃層厚70nm，RFi型層Si2H64sccm，H290sccm，內(nèi)部壓力0.5托，RF功率1.7w襯底溫度300℃，層厚20nm氫等離子體處理H280sccm，內(nèi)部壓力2.0托，RF功率30w襯底溫度200℃p型層SiH4(用H2稀釋到10％)0.25sccm，H235sccm，BF3(用H2稀釋到2％)2sccm，內(nèi)部壓力2托，RF功率30w，襯底溫度200℃透明電極In2O3，反應(yīng)蒸發(fā)，層厚70nm集電極Cr(100nm)/Ag(1μm)/Cr(100nm)表3-2使用超細(xì)研磨顆粒進(jìn)行帶拋光處理表4-1SUS處理滾壓處理/光亮退火/酸洗皮表滾壓進(jìn)行/不進(jìn)行表面拋光不拋光表面處理退火600℃背反射層AlSi50nm，襯底溫度RT，透明導(dǎo)電層ZnO，1μm，襯底溫度300℃n型層SiH41sccm，H250sccm，PH3(用H2稀釋到1％)0.5sccm，內(nèi)部壓力1.2托，RF功率1.5w，襯度溫度330℃，層厚10nm，RFi型層Si2H64sccm，H290sccm內(nèi)部壓力0.5托，RF功率2.0W襯底溫度300℃，層厚10nmMwi型層SiH450sccm，GeH445sccm，H2250sccm，內(nèi)部壓力8m托，Mw功率250wRF偏置功率700w襯底溫度380℃層厚70nm，RFi型層Si2H64sccm，H290sccm，內(nèi)部壓力0.5托，RF功率1.7w襯底溫度300℃，層厚20nm氫等離子體處理H2100sccm，內(nèi)部壓力2.0托，RF功率30w襯底溫度200℃p型層SiH4(用H2稀釋到10％)0.25sccm，H235sccm，BF3(用H2稀釋到2％)2sccm，內(nèi)部壓力2托，RF功率30W，襯底溫度200℃透明電極In2O3，反應(yīng)蒸發(fā)，層厚70nm集電極Cr(100nm)/Ag(1μm)/Cr(100nm)表4-2</tables>表4-3</tables>表4-4表5-1SUS處理滾壓處理/退火/酸洗表皮滾壓進(jìn)行/不進(jìn)行皮面拋光不拋光表面處理退火650℃背反射層Cu50nm，襯底溫度RT透明導(dǎo)電層ZnO1μm，襯底溫度350℃表5-2<p>表5-3表5-4表6-1表6-2<tablesid="table12"num="012"><tablewidth="764">長(zhǎng)度l(μm)00.21.02.55.01320222425總反射率0.980.970.990.971.00.991.00.820.810.84漫反射率0.980.980.990.991.00.970.990.890.860.87</table></tables>表6-3<tablesid="table13"num="013"><tablewidth="765">長(zhǎng)度l(μm)00.21.02.55.01320222425產(chǎn)量0.980.991.00.981.01.01.00.830.820.82</table></tables>表6-4表7-1SUS處理滾壓/光亮退火表皮滾壓進(jìn)行表面滾壓不進(jìn)行表面處理干刻蝕RF200W，5分鐘，襯底溫度RT背反射層AlSiTi35nm，襯底溫度RT透明導(dǎo)電層ZnO1μm，襯底溫度200℃表7-2表7-3</tables>表8-1SUS處理滾壓處理/退火/酸洗表皮滾壓進(jìn)行/不進(jìn)行表面拋光不拋光表面處理退火600℃背反射層AlSi100nm，襯底溫度RT透明導(dǎo)電層ZnO1μm，襯底溫度150℃n′型層SiH41sccm，H250sccm，PH3(用H2稀釋至1％)3sccm，內(nèi)部壓力1.2Torr，RF功率2W，襯底溫度300℃i-型層(多晶)SiF485sccm，H2150sccm，Ar150sccm.內(nèi)部壓力0.5Torr，MW功率600w，襯底溫度300℃p-型層SiH4(用H2稀釋至10％)0.5sccm，H2100sccm，BF3(用H2稀釋至2％)5sccm，內(nèi)部壓力2Torr，RF功率40W，襯底溫度150℃透明電極In2O3，反應(yīng)蒸發(fā)，層厚70nm集電極Cr(100nm)/Ag(1μm)/Cr(100nm)表8-2表8-3<p>表8-4</tables>權(quán)利要求1.一種光電器件，包括具有不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不透明的襯底，所述不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)包括在其中排列的許多線性不規(guī)則處或槽，以及形成在所述襯底的所述不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)上的光電轉(zhuǎn)換層。2.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中的多個(gè)線性不規(guī)則處或槽按直線形式排列。3.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中的多個(gè)線性不規(guī)則處或槽以波浪狀形式排列。4.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中的多個(gè)線性不規(guī)則處或槽以螺旋形式排列。5.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中的多個(gè)線性不規(guī)則處或槽當(dāng)沿著平行于線性不規(guī)則處或槽的方向掃描時(shí)，具有15nm到300nm的中心線平均粗糙度Ra(X)，當(dāng)沿著垂直于直線不規(guī)則處或槽的方向掃描時(shí)，具有20nm到600nm的中心線平均粗糙度Ra(Y)，并且Ra(X)/Ra(Y)之比為0.8或更小。6.如權(quán)利要求2所述的光電器件，其中的多個(gè)線性不規(guī)則處或槽具有其范圍為0.5到20μm的間距。7.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中的不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)包括以直線形式排列的多個(gè)第一線性不規(guī)則處或槽以及以垂直于所述第一線性不規(guī)則處或槽的方向排列的多個(gè)第二線性不規(guī)則處或槽。8.如權(quán)利要求7所述的光電器件，其中第二線性不規(guī)則處或槽的長(zhǎng)度為20μm或更小。9.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中不透明的襯底由金屬材料或合金材料構(gòu)成。10.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中不透明的襯底具有柔性。11.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中還包括置于不透明的襯底和光電轉(zhuǎn)換層之間的背反射層。12.如權(quán)利要求11所述的光電器件，其中背反射層含有從Au，Ag，Cu、Al和Mg構(gòu)成的組中選出的至少一種元素。13.如權(quán)利要求12所述的光電器件，其中背反射層還含有Si。14.如權(quán)利要求11所述的光電器件，其中背反射層是一種多層結(jié)構(gòu)。15.如權(quán)利要求12所述的光電器件，其中還包括置于背反射層和光電轉(zhuǎn)換層之間的透明的導(dǎo)電層。16.如權(quán)利要求15所述的光電器件，其中透明的導(dǎo)電層含有氧化鋅。17.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中光電轉(zhuǎn)換層具有包括在其中排列的多個(gè)直線不規(guī)則處或槽的不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)。18.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中光電轉(zhuǎn)換層具有多層結(jié)構(gòu)。19.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中光電轉(zhuǎn)換層包括非單晶硅半導(dǎo)體材料。20.如權(quán)利要求1所述的光電器件，其中的不透明的襯底具有長(zhǎng)的長(zhǎng)度。全文摘要一種光電器件,包括具有不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)的不透明的襯底,所述不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)包括在其中排列的許多線性不規(guī)則處或槽,以及形成在所述襯底的所述不規(guī)則表面結(jié)構(gòu)上的光電轉(zhuǎn)換層,其中的多個(gè)線性不規(guī)則處或槽當(dāng)沿著平行于線性不規(guī)則處或槽的方向掃描時(shí),具有15n到300nm中心線平均粗糙度Ra(X),當(dāng)沿著垂直于線性不規(guī)則處或槽的方向掃描時(shí),具有20nm到600nm的中心線平均粗糙度Ra(Y),并且Ra(X)/Ra(Y)之比為0.8或更小。文檔編號(hào)H01L31/0236GK1174415SQ97109999公開(kāi)日1998年2月25日申請(qǐng)日期1997年2月27日優(yōu)先權(quán)日1996年2月27日發(fā)明者松山深照,松田高一申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社