專利名稱：復(fù)合式絕緣體上硅薄膜基片及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種聯(lián)接復(fù)合式絕緣體上硅薄膜基片(此后稱SOI)的結(jié)構(gòu)，及該基片的制作方法。
相關(guān)技術(shù)的描述如下用連接基片技術(shù)制成的SOI基片為代表的多層結(jié)構(gòu)的基片隨著其聯(lián)接性能的改進(jìn)，最近發(fā)現(xiàn)有廣泛的用途。特別是，那些具有諸如隱埋的氧化硅層的絕緣層的SOI基片，已被實(shí)際應(yīng)用作為需要高耐壓的電源集成電路等領(lǐng)域的介電分離基片。在電源裝置領(lǐng)域中，通過在基片表面上定位提供SOI結(jié)構(gòu)，由此在單芯片上形成一個(gè)高耐壓、豎立的電源金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)裝置區(qū)，及一低耐壓、控制電流裝置區(qū)來滿意對高密度和高耐壓的要求，這在諸如日本特許出願(yuàn)公開平4-29353號中已有描述。制作這種類型的SOI基片的方法將參考附圖8進(jìn)行闡述。
首先，通過RIE(活性離子蝕刻)或其它蝕刻方法在N+型(100)硅基片21的表面一定部分形成一個(gè)大約1μm高的表面臺階。這在圖8(a)中有顯示。通過熱氧化或其它方法在硅基片21的整個(gè)表面上形成一個(gè)氧化硅薄膜22。氧化硅薄膜22的高出部分通過機(jī)械研磨被除去，而提供一個(gè)包含單晶硅21和氧化硅薄膜22的平滑的表面。如此形成的硅基片此后將被稱為“第二”基片。
然后，如圖8(b)中所顯示的，第二硅基片21被翻轉(zhuǎn)過來，且其包含氧化硅薄膜22的平滑側(cè)表面與一個(gè)N-型(100)硅基片11的主表面直接面對面地聯(lián)接，我們稱其為第一基片。所獲得的復(fù)合結(jié)構(gòu)通過熱處理來保證其聯(lián)結(jié)。最后，正如在圖8(c)中顯示的，第二硅基片21的非聯(lián)結(jié)表面通過研磨和拋光過程制成預(yù)先設(shè)定的厚度。通過這種方法，在氧化硅薄膜22上面形成一個(gè)優(yōu)質(zhì)的單晶硅薄膜。此后，如此形成的單晶硅層將被稱為“SOI層”。
這個(gè)SOI層在后面一個(gè)步驟中被進(jìn)一步加工，形成一個(gè)控制電流裝置區(qū)。該控制電流裝置區(qū)是通過現(xiàn)已隱埋的氧化硅層22，以及稍后形成于第二硅基片21中V-形槽內(nèi)的氧化膜22a和多晶硅膜23與豎立電源金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)裝置區(qū)介電分離的。
這里，隱埋的氧化薄膜22被摹制為所需的模式，其根據(jù)在SOI層內(nèi)的頂部形成的控制電流裝置的模式來決定。因此，在SOI層的表面上形成該裝置的早期過程步驟中，很有必要完成光刻掩模圖型及隱埋的氧化薄膜22的圖型的校準(zhǔn)。然而，由于被上面的SOI層所覆蓋，隱埋的氧化薄膜的模式用可見光無法觀察到。
一種用于觀察埋于聯(lián)接的硅基片內(nèi)的結(jié)構(gòu)的方法是用從紅外光轉(zhuǎn)換過來的圖像。與這有關(guān)的日本特許出願(yuàn)公開平2-312220號中，揭示了一種基于此方法的校準(zhǔn)器例子。這種儀器用于每一基片上形成有裝置層的多個(gè)基片的校準(zhǔn)。
現(xiàn)在將針對隱埋的氧化物薄膜圖型及掩模圖型的校準(zhǔn)方法參照圖7進(jìn)行說明，該方法應(yīng)用紅外校準(zhǔn)器的原理。圖7顯示了生產(chǎn)一個(gè)聯(lián)接SOI基片的最初光校準(zhǔn)階段中的SOI基片及一個(gè)光刻掩模的剖面圖。在第一硅基片10內(nèi)形成包含用于裝置分離的氧化物薄膜1b和用于校準(zhǔn)的氧化物薄膜1a的氧化物薄膜圖型。在第一硅基片10的表面的頂端聯(lián)接一個(gè)SOI層20b從而構(gòu)成一個(gè)聯(lián)接的基片。在此SOI層20b的其它面上提供一個(gè)光刻膠薄膜3。在聯(lián)接基片的上面是具有5A及5B掩膜圖型的作為光掩膜的石英基片4，石英基片4和聯(lián)接的SOI基片均被設(shè)計(jì)成可移動(dòng)的模式(一個(gè)晶片夾具及其它裝置未顯示出)。
應(yīng)用這種結(jié)構(gòu)，通過由置于硅基片10下面的紅外輻射源發(fā)射出的紅外光6傳輸?shù)膱D像來完成校準(zhǔn)掩模圖型5A和校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a的校準(zhǔn)。
這種傳輸來的紅外圖像通過兩個(gè)或更多的紅外顯微鏡來觀察。
通常的，廣泛應(yīng)用的可見光校準(zhǔn)器不能用于校準(zhǔn)圖型埋于其內(nèi)的SOI基片的校準(zhǔn)，因此很有必要另外提供一個(gè)紅外輻射源，一個(gè)紅外顯微鏡，一個(gè)傳輸紅外輻射的晶片夾盤等。另外，由于用了一個(gè)紅外源從而不能照射基片的整個(gè)表面而使視野受到了限制，并且由于傳輸來的圖像的低對比度使得識別細(xì)微校準(zhǔn)圖型的形狀及由此完成校準(zhǔn)存在一定困難。這自然產(chǎn)生了大約±1μm的低校準(zhǔn)精度的問題。因此，由于校準(zhǔn)的失誤造成的偏差已不可必免地?fù)p害了裝置的性能。
為了克服上述已有技術(shù)的不足，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一個(gè)帶有可以應(yīng)用可見光校準(zhǔn)器的校準(zhǔn)圖型的SOI基片及制作此類SOI基片的方法。
按照本發(fā)明的第一種方式的SOI基片是一個(gè)包含一第一硅基片以及一與第一硅基片相聯(lián)接的第二硅基片的復(fù)合式SOI基片，該第一硅基片的主表面上形成多個(gè)包含在周邊部分之上的校準(zhǔn)圖型的絕緣體薄膜圖型；一第二硅基片與第一硅基片的絕緣體膜圖型成形的表面相接。按照第一個(gè)實(shí)施例的SOI基片的特征在于包含絕緣體薄膜且形成于第一硅基片的周圍之上的校準(zhǔn)圖型在完成聯(lián)接后會(huì)被顯露出來。也就是說，至少第二硅基片的部分邊緣被除去，或者形成的第一硅基片的邊緣與絕緣體膜的厚度相一致以便將校準(zhǔn)圖型顯露出來。
本發(fā)明的第二種方式是一種生產(chǎn)SOI基片的方法，它包含在一個(gè)第一硅基片的表面之上形成多個(gè)絕緣體薄膜圖型的步驟，該多個(gè)圖型包括在其成形于周緣上的校準(zhǔn)圖型；在第二硅基片的邊緣部分形成多個(gè)槽的步驟；將第二硅基片與第一硅基片的絕緣體膜圖型成形的表面相聯(lián)接并同時(shí)將槽的部分定位于校準(zhǔn)圖型之上以便將那些校準(zhǔn)圖型顯露出來的步驟。
本發(fā)明的第三種方式是一種制造SOI基片的方法，它包括在第一硅基片的表面上形成多個(gè)絕緣體膜的圖型的步驟，該多個(gè)圖型包括形成于其邊緣的校準(zhǔn)圖型；以及將其半徑第一硅基片小的第二硅基片與第一硅基片的絕緣體膜圖型成形表面相聯(lián)接以便將校準(zhǔn)圖型顯露出來的步驟。
本發(fā)明的第四種方式是一種制造一個(gè)SOI基片的方法，它包括包括在其邊緣上形成的校準(zhǔn)圖型的在第一硅基片的表面上形成多個(gè)絕緣體膜圖型的步驟；將第二硅基片與第一硅基片的絕緣體膜圖型成形表面相聯(lián)接的步驟；以及除去第二硅基片的邊緣以便將在第一硅基片的邊緣上形成的校準(zhǔn)圖型顯露出來的步驟。
本發(fā)明的第五種方式是一種制造SOI基片的方法，它包括包括在其邊緣上形成校準(zhǔn)圖型的在第一硅基片的表面上形成多個(gè)絕緣體膜圖型的步驟；將一個(gè)第二硅基片與第一硅基片的絕緣體膜圖型成形表面相聯(lián)接的步驟；以及研磨或蝕刻掉第一硅基片的底面邊緣以使包含聯(lián)接于第二硅基片的絕緣體膜的校準(zhǔn)圖型顯露出來的步驟。
以下是本發(fā)明附圖的簡要說明，通過下面對附圖的描述將對本發(fā)明的以上及其它目的、優(yōu)點(diǎn)及特征有更清楚的了解。


圖1是按照本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例描述的一個(gè)硅基片剖面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例描述的硅基片的平面圖；圖3是當(dāng)應(yīng)用本發(fā)明的SOI基片時(shí)用一個(gè)掩膜來校準(zhǔn)的方法的剖面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例描述的硅基片的平面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例描述的硅基片的平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)例描述的硅基片的平面圖；圖7是當(dāng)應(yīng)用傳統(tǒng)SOI基片時(shí)，用掩膜來校準(zhǔn)的方法的剖面圖；圖8是生產(chǎn)傳統(tǒng)SOI基片的傳統(tǒng)方法的剖面圖。
現(xiàn)在將參附圖來對本發(fā)明進(jìn)行闡述。圖1(a)到圖1(d)，及圖2(a)和圖2(b)分別是根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例描述的剖面圖及平面圖。
制作具有一個(gè)(100)取向主表面的直徑為5英寸的第一和第二硅基片。通過熱氧化或類似方法，在第一硅基片的表面上形成一個(gè)氧化物薄膜(未顯示)，接著摹制成形在以后加工步驟中用于刻化氧化物薄膜圖型1b的開口。用氧化物薄膜作為一個(gè)蝕刻掩膜，對第一硅基片10進(jìn)行蝕刻，形成大約1μm深的槽。槽的深度可根據(jù)所需要的特定裝置的特性而變化。然后除去用作掩膜的氧化硅薄膜，接著通過熱氧化低溫化學(xué)汽相沉積或其它方法形成一個(gè)厚度大約與槽2的深度相匹配的均勻的氧化物薄膜。之后，正如在圖1(a)和圖2(a)中所示，通過研磨及拋光除去該氧化物薄膜從而留下原位埋于槽中的部分，由此在第一硅基片10的內(nèi)部形成器件裝置分離氧化物薄膜圖型1b，以及在其邊緣上形成校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a。用一個(gè)單平板印刷的掩膜依此方法同時(shí)摹制氧化物薄膜圖型1b和校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a。需指出的是氧化物薄膜圖型1a和1b也可為通過硅的局部氧化(LOCOS)來提供氧化物薄膜。
正如在圖2(b)中看到的第二硅基片20的邊緣上有三個(gè)取向的平面(簡寫為OFs)8。這些平面中，第一個(gè)取向平面8a用于與第一硅基片10的取向平面7相結(jié)合，以便校準(zhǔn)兩個(gè)基片的結(jié)晶學(xué)取向。第二和第三取向平面8b和8c形成必要的長度以便將校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a顯露出來(例如在<110>方向長度為40毫米)。
接著，正如在圖1(b)中看到的，當(dāng)適當(dāng)放置第二和第三取向平面8b和8c，以使其不會(huì)覆蓋住形成于第一硅基片上的校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a時(shí)，第二硅基片20與第一硅基片10相聯(lián)接。這樣做的結(jié)果隱埋了位于與第二硅基片20界面的在第一硅基片10內(nèi)形成的氧化物薄膜圖型1b。然后聯(lián)接成整體的基片在氧化氣氛中于1100℃～1200℃下熱處理2個(gè)小時(shí)以保證聯(lián)接效果。
正如在圖1(c)中看到的，通過研磨去除三個(gè)取向平面8的截面和第二硅基片20的邊緣。正如在圖1d中看到的，第二硅基片20的未聯(lián)接的背面表面通過研磨及拋光變薄形成一個(gè)大約10μm厚的SOI層。該SOI層被設(shè)計(jì)成能保證裝置的操作的厚度。最后，用稀釋的氫氟酸腐蝕掉熱處理期間在基片表面形成的一個(gè)不需要的氧化膜(未顯示)，從而提供一個(gè)聯(lián)接的SOI基片100。
如上面所述，根據(jù)本實(shí)施例的SOI基片100，在第一硅基片10的邊緣上有顯露的校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a。這可容許用傳統(tǒng)的可見光校準(zhǔn)器通過掩膜進(jìn)行校準(zhǔn)，其精度為0.2μm的數(shù)量級。
現(xiàn)在將參考SOI基片和掩膜的截面3來對校準(zhǔn)方法做闡述。在圖3中，在包含SOI層20a的SOI基片100的表面上提供光刻膠薄膜3。在SOI基片100的上面放置一個(gè)石英基片4，其通過在其上形成的掩膜圖型而成為一個(gè)光刻掩模。在該掩膜圖型中，校準(zhǔn)掩膜圖型5A沿石英基片4及基片10上的校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a的邊緣部分放置而被用來通過可見光進(jìn)行校準(zhǔn)。這容許了處于石英基片4及氧化物薄膜圖型1b之上的掩膜圖型5B的高精度校準(zhǔn)。之后，將在SOI層20a的表面上提供的光刻膠薄膜3暴露于例如波長為400nm的紫外線中，以將掩膜圖型5B轉(zhuǎn)換到光刻膠薄膜3上。前面所述的校準(zhǔn)程序可以高精度來完成，因?yàn)樗鼈兛捎靡延屑夹g(shù)中的光學(xué)校準(zhǔn)器上來實(shí)現(xiàn)。
這種應(yīng)用具有校準(zhǔn)圖型的基片的掩膜校準(zhǔn)方法保證了高精度的校準(zhǔn)通過在形成有標(biāo)準(zhǔn)圖型的第一硅基片的上成形器件及與第一硅晶片相聯(lián)接的第二硅基片上成形器件的生產(chǎn)多層器件的工藝過程。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例描述的一個(gè)SOI基片100A的平面圖。校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a與第一實(shí)施例中相同的方式置于第一硅基片10的邊緣。然而，V形槽部分9形成于第二硅基片20的邊緣之上，且兩個(gè)槽部分9用于將校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型顯露出來。
現(xiàn)在闡述一種制造SOI基片100A的方法。第二硅基片20有兩個(gè)大約2毫米長及大約2毫米寬的V形槽部分9。槽的形狀可根據(jù)需要制定，例如，U形，梯形或長方形。第二硅基片20與第一硅基片10面對形成有校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a的面對聯(lián)接，從而通過槽部分9使氧化物薄膜圖型1a顯露出來。然后研磨及腐蝕第二硅基片20的邊緣去掉非聯(lián)接部分。最后，通過薄化形成SOI層20a，形成于基片表面上的不需要的氧化物薄膜被去除以形成SOI基片100A。
根據(jù)本實(shí)施例，由于通過提供比取向平面(OFs)面積小的槽部分而使校準(zhǔn)圖型顯露出來，在給定直徑的基片上可以獲得比按照第一個(gè)實(shí)施例更多的芯片產(chǎn)品。這里，需要說明的是雖然前面描述的涉及具有兩個(gè)槽部分的一個(gè)第二硅基片，但當(dāng)然它也可提供3個(gè)或更多的槽。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例描述的SOI基片的平面圖。與第一個(gè)實(shí)施例相似，校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a置于第一硅基片10的邊緣上，并通過研磨及腐蝕過程去除第二硅基片20的邊緣而使其顯露出來。由于硅基片的整個(gè)邊緣被去除，因而可提供3個(gè)或更多的校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型?，F(xiàn)在將闡述一種制造基片的方法。按與第一實(shí)施例相似的方式，形成氧化物薄膜圖型1a和1b然后制備第二硅基片20，并將其聯(lián)接到包含成形于其上的氧化物薄膜圖型1a和1b的第一硅基片10的表面上。這里，熱處理的條件與第一個(gè)實(shí)施例中的條件一致。然后，沿著第二硅基片20的大約1毫米寬50μm量級厚的邊緣，該復(fù)合物被浸入諸如氫氧化鉀溶液的非勻質(zhì)腐蝕溶液中去除由于研磨而顯露出來的信號晶硅層。通過設(shè)定腐蝕時(shí)間及溶液溫度以便使校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a暴露出來。最后，形成SOI層20a，形成于基片表面的不需要的氧化物膜被去除而得到SOI基片1OOB。
與第一個(gè)實(shí)施例不同，本實(shí)施例不需要形成OFs，這保證可用傳統(tǒng)的用于相關(guān)領(lǐng)域的單晶硅基片作為第二硅基片。另外，去除第二硅基片的邊緣的結(jié)果同時(shí)也去除了非聯(lián)接的部分以及在邊緣部分常見的聯(lián)接不緊的部分，從而其不會(huì)產(chǎn)生斷裂及破損。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例描述的SOI基片的截面圖。其特別顯示了在形成的氧化物薄膜的第一硅基片而不是第二硅基片的背面被通過腐蝕或其它方法被去除掉，以形成一個(gè)SOI層及進(jìn)一步使校準(zhǔn)圖型顯露出來。
更具體地說，在圖6中，與第二硅基片20的表面相聯(lián)接的是一有用校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a和氧化物薄膜圖型1b作為器件分離的第一硅基片10。然后用非勻質(zhì)堿腐蝕劑研磨或處理第一硅基片10的背面以形成一個(gè)SOI層10a并使其邊緣變薄至與氧化物薄膜相同的厚度，從而使校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a顯露出來。
根據(jù)本實(shí)施例，兩基片的聯(lián)接界面形成了隱埋氧化物薄膜圖型1b的較低邊界面。通過這種結(jié)構(gòu)，在聯(lián)接界面可能形成的空隙(未聯(lián)接部分)或晶體缺陷，或者在聯(lián)接過程中捕獲的可能對器件性能造成負(fù)影響的雜質(zhì)被隱埋的氧化物薄膜與SOI層10a隔開。相應(yīng)地，一個(gè)具有如上所述結(jié)構(gòu)的SOI基片100c，特別是處于隱埋氧化物薄膜上面的SOI層10a上的區(qū)域，保證了制造產(chǎn)生極少誤差的高精度器件。
雖然通過某些最佳的實(shí)例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，必須明確由本發(fā)明所包含的主題范圍不僅局限于這些特定實(shí)例。多種的改變，改進(jìn)或變化也處于本發(fā)明主題的范圍之中。
例如，與被隱埋的氧化物薄膜圖型同時(shí)形成的校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型，在加工SOI基片的步驟中只要處于視野范圍之中其厚度可被任意確定(雖然其限度要根據(jù)器件的所需的性能來決定)，且在校準(zhǔn)時(shí)具有可識別的薄膜厚度(大約100nm或更大)。另外，雖然在本發(fā)明的實(shí)施例中形成的是氧化硅薄膜圖型，該圖型也可被制成諸如氮化硅薄膜(Si3N4)或摻雜的硅酸鹽玻璃。另外，由于校準(zhǔn)圖型的形狀可按照傳統(tǒng)的使用可見光的校準(zhǔn)方法來確定，圖型形狀可根據(jù)需要確定，例如，條形、長方形、直角點(diǎn)陣的或正交點(diǎn)陣的。
如上所述，本發(fā)明通過將包含形成于硅基片邊緣上的絕緣體膜的校準(zhǔn)圖型顯露出來，從而可以容許用傳統(tǒng)的光學(xué)校準(zhǔn)器進(jìn)行校準(zhǔn)，并完成比用傳輸紅外輻射的方法更高的精度校準(zhǔn)。另外，本發(fā)明容許在制造含有成形于成形有校準(zhǔn)圖型的硅基片以及SOI層的表面上的器件的多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的步驟中產(chǎn)生高精度的校準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合式的SOI基片，其特征在于，它包括具有一個(gè)主表面的第一硅基片，所述主表面有隱埋于所述主表面的絕緣體膜形成的多個(gè)圖型，所述的多個(gè)圖型包括在所述的第一硅基片的邊緣部分之上的校準(zhǔn)圖型；及一個(gè)與所述的第一硅基片相聯(lián)接的一個(gè)第二硅基片，所述的第二硅基片與所述的第一硅基片的所述主表面相聯(lián)接，其中在所述的第一硅基片的所述邊緣部分之上的所述校準(zhǔn)圖型是顯露的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式SOI基片，其特征在于所述第二硅基片的寬度比所述第一硅基片的寬度窄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式SOI基片，其特征在于所述的第一硅基片和所述的第二硅基片基本上是圓形的，其中所述第二硅基片的半徑比所述第一硅基片的半徑要小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式SOI基片，其特征在于所述的第二硅基片有至少兩個(gè)位于邊緣部分的槽部分以使所述的校準(zhǔn)圖型顯露出來。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式SOI基片，其特征在于所述的第一硅基片的至少部分邊緣部分形成與隱埋在所述主表面內(nèi)的所述絕緣體膜的厚度一致從而將所述的校準(zhǔn)圖型顯露出來。
6.一種制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于它包括形成在隱埋第一硅基片的主表面內(nèi)的絕緣體膜的多個(gè)圖型的制作步驟，所述的多個(gè)圖型包括形成于所述的第一硅基片的邊緣部分的校準(zhǔn)圖型；在一個(gè)第二硅基片的邊緣部分之上形成至少兩個(gè)槽部分的步驟；及將所述的第二硅基片與所述的第一硅基片所述主表面相聯(lián)接的步驟，同時(shí)將所述的槽部分調(diào)節(jié)在所述校準(zhǔn)圖型之上以使所述校準(zhǔn)圖型顯露出來。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的聯(lián)接步驟包括在氧化氣氛中于1100℃到1200℃下處理所述第一和第二硅基片。
8.一種制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于包括形成隱埋在第一硅基片的主表面內(nèi)的絕緣體膜的多個(gè)圖型的步驟，所述的多個(gè)圖型包括在所述的第一硅基片的邊緣部分之上形成的校準(zhǔn)圖型；及一個(gè)將第二硅基片與所述第一硅基片的所述主表面相聯(lián)接的步驟，所述的第二硅基片的側(cè)面寬度比所述的第一硅基片的要窄以使所述校準(zhǔn)圖型顯露出來。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的聯(lián)接步驟包括在氧化氣氛中于1100℃到1200℃下處理所述第一及第二硅基片。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的第一硅基片及所述第二硅基片基本上是圓形的且所述第二硅基片的半徑比所述第一硅基片的半徑小。
11.一種制造復(fù)合式S0I基片的方法，其特征在于包括在第一硅基片的主表面上形成絕緣體膜的多個(gè)圖型的步驟，所述的多個(gè)圖型包括在所述第一硅基片的邊緣部分之上形成的校準(zhǔn)圖型；一個(gè)將第二硅基片與所述第一硅基片的主表面相聯(lián)接的步驟；及一個(gè)除去所述的第二硅基片的邊緣部分以使形成于所述第一硅基片之上的所述校準(zhǔn)圖型顯露出來的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的聯(lián)接步驟包括在氧化氣氛中于1100℃到1200℃下處理所述第一及第二硅基片。
13.一種制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于包括形成隱埋在所述的第一硅基片的主表面內(nèi)的絕緣體膜的多個(gè)圖型的步驟，所述的多個(gè)圖型包括在所述的第一硅基片的邊緣部分之上形成的校準(zhǔn)圖型的步驟；一個(gè)將第二硅基片與所述第一硅基片的所述主表面相聯(lián)接的步驟；及一個(gè)從相對于所述第一硅基片的所述主表面的表面除去所述邊緣部分，以使所述的包含埋于所述主表面的邊緣部分中的所述絕緣體膜校準(zhǔn)圖型顯露出來。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的聯(lián)接步驟包括在氧化氣氛中1100℃到1200℃下處理第一及第二硅基片。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種復(fù)合式SOI基片，其容許通過使用傳統(tǒng)可見光校準(zhǔn)器，對埋于SOI基片內(nèi)的絕緣體膜圖型及在SOI基片層上形成的圖型進(jìn)行高精度校準(zhǔn)。復(fù)合式SOI基片是通過在第一硅基片10的主表面邊緣上形成校準(zhǔn)氧化物薄膜圖型1a；制備在其邊緣有最好是V形槽部分9的第二硅基片以使第一硅基片上的校準(zhǔn)圖型顯露出來；將第二硅基片與所述第一硅基片10的主表面相聯(lián)接同時(shí)將校準(zhǔn)，氧化物薄膜圖型1a顯露出來；然后將第二硅基片變薄形成為一個(gè)SOI層20a。
文檔編號H01L23/544GK1158004SQ9611984
公開日1997年8月27日 申請日期1996年9月27日 優(yōu)先權(quán)日1995年9月28日
發(fā)明者濱智宏, 新井謙一 申請人:日本電氣株式會(huì)社