專利名稱：不可逆電路元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及VHF(甚高頻)、UHF(特高頻)和SHF(超高頻)諸頻帶中使用的一種不可逆電路元件，例如環(huán)行器或單向器;更具體地說，步及一種能加以小型化、減輕重量和降低造價(jià)的構(gòu)件。
背景技術(shù)：
通常，象單向器或環(huán)行器之類只能在一個(gè)傳輸方向上讓信號通過、防止信號反向傳輸?shù)牟豢赡嬖侵T如便攜式電話或汽車電話之類的流動(dòng)通信設(shè)備不可或缺的傳輸電路部件。在這類用途中，不可逆元件要求小型化和減輕重量。此外，為了激發(fā)需求量，須要降低造價(jià)。為滿足這些要求，有人提出過一種配備有中心電極、匹配電路電極等的單向元件，這些電極都密集配置在絕緣基片上。圖8和圖9示出了具有這類結(jié)構(gòu)的環(huán)行器的一個(gè)例子。圖9示出了環(huán)行器的剖面結(jié)構(gòu)，圖8主要示出了絕緣基片的結(jié)構(gòu)。一般的環(huán)行器100器包括配置在金屬座101內(nèi)的絕緣基片107～109、鐵氧體構(gòu)件104和磁鐵106。鐵氧體構(gòu)件104通過接地板105與金屬座101的底表面相連接。絕緣基片107～109配置的位置使設(shè)在其上的中心電極102面對著鐵氧體構(gòu)件104。此外，磁鐵106粘附在金屬座101的上部內(nèi)表面，面對著各中心電極102。該磁鐵106把直流磁場加到鐵氧體構(gòu)件104上。
如圖8所示，中心電極102、電容電極110和接地電極111都在由三個(gè)絕緣基片107至109組成的疊片中形成。這樣的多層基片是通過下列工序制成的首先，將各陶瓷綠片燒制成相應(yīng)的基片107～109，然后按一定的圖形在相應(yīng)基片107～109的一側(cè)的主表面上形成中心電極102、電容電極110和接地電極111，同時(shí)按一定的圖形在另一側(cè)的主表面上形成接地電極112并烘干。接著，堆疊已配備有電極的絕緣基片107至109，并將它們壓實(shí)。接下去，借助于通孔電極113將接地電極111和112彼此連接起來。各電容電極110都配備有外電極114，這些外電極與各輸入/輸出端子連接。在這種多層結(jié)構(gòu)中，匹配電容由電容電極110、絕緣基片107至109和接地電極112形成。
在一般的環(huán)行器中，匹配電容是在彼此相交的三個(gè)中心電極102周圍形成，因而使整個(gè)元件小型化。
但在上述結(jié)構(gòu)中，由于要確保匹配電容的電容值，元件的小型化受到限制。就是說，匹配電容的電容值由電容電極110和接地電極112相對面的面積確定。因此，若所要求的電容值增加，必須增加電容電極110的電極面積。這樣，絕緣基片107～109的基片面積也增加，從而使整個(gè)元件的體積增加。換句話說，元件的體積大小受到所要求電容值的限制。
另外，一般的結(jié)構(gòu)需要兩個(gè)燒制工序來燒制各陶瓷綠片和烘干基片上呈一定圖形的電極，從而提高了制造成本。此外，裝配作業(yè)復(fù)雜，包括磁鐵106、鐵氧體構(gòu)件104等在金屬座101中的定位和固定，這些工序都是彼此獨(dú)立的，因而使制造成本提高。
發(fā)明目的本發(fā)明的目的是提供體積能加以縮小的一種不可逆電路元件。
發(fā)明的公開內(nèi)容按照本發(fā)明的廣闊涉及面，本發(fā)明的不可逆電路元件包括一個(gè)多層基片、多個(gè)中心電極、一個(gè)匹配電容、一個(gè)磁體和一個(gè)磁鐵。多層基片是將多層絕緣層彼此堆疊起來形成的。多個(gè)中心電極設(shè)置在多層基片中，在電氣上彼此絕緣的狀坊下彼此相交。匹配電容的多個(gè)電容部件在多層基片中堆疊著，與每一個(gè)中心電極相連接。磁體面對各中心電極設(shè)置。磁鐵則用來將直流磁場加到各中心電極上。
按照這種結(jié)構(gòu)，只要適當(dāng)調(diào)整堆疊在多層基片上的電容部件的數(shù)目就可以確保匹配電容所要求的電容值。這樣就可以增加匹配電容的電容值而無須擴(kuò)大多層基片平面區(qū)的面積，從而可以縮小不可逆電路元件的平面大小，進(jìn)而使元件小型化。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供既可以小型化又可以降低造價(jià)的不可逆電路元件。
在按本發(fā)明另一方面的不可逆電路元件中，多層基片是通過將彼此堆疊著的多層絕緣層燒固制成一個(gè)整體形成的。
按照這種結(jié)構(gòu)，通過一次燒制工序就可以使多層基片形成一個(gè)整體。因此，燒制工序的次數(shù)比上述一般不可逆電路元件少，因而降低制造成本。
在按本發(fā)明另一方面的不可逆電路元件中，第一固定部分在多層基片上形成，用以將磁體面對著各中心電極固定就位，因而磁體是由這個(gè)第一固定部分固定的。
按照這種結(jié)構(gòu)，只要將磁體裝設(shè)在多層基片的第一固定部分就可以自動(dòng)設(shè)定磁體相對于中心電極的相對位置。這樣就可以取消復(fù)雜的定位工序，從而降低制造成本。
在按本發(fā)明的另一方面的不可逆電路元件中，在多層基片中還形成第二固定部分，用以將磁鐵面對著各中心電極固定就位，因而磁鐵是由這個(gè)第二固定部分固定的。
按照這種結(jié)構(gòu)，只要把磁鐵裝設(shè)在多層基片的第二固定部分上就能自動(dòng)設(shè)定磁鐵與各中心電極的位置關(guān)系。這樣就可以取消復(fù)雜的定位工序，從而降低制造成本。
本發(fā)明的上述多個(gè)中心電極也可以在多層基片的不同高度形成。在此情況下，上述多個(gè)中心電極可以在用整體燒制技術(shù)制取多層基片時(shí)在不同的絕緣層表面上形成。
此外，上述中心電極還可以這樣形成第一中心電極各部分配置在基片一個(gè)絕緣層的一個(gè)表面上，第二中心電極各部分配置在另一個(gè)表面上，各通孔導(dǎo)電部分在絕緣層中形成，用以將第一和第二中心電極各部分彼此電連接起來。在此情況下，上述通孔導(dǎo)電部分可以在用整體燒制技術(shù)制取多層基片時(shí)在一個(gè)絕緣層上形成，使第一和第二中心電極部分在絕緣層的上表面和下表面形成，或者可以令第一中心電極部分在設(shè)有通孔導(dǎo)電部分的絕緣層的一個(gè)表面上形成，使第二中心電極部分在另一絕緣層與該絕緣層另一表面接觸的一個(gè)表面上形成。附圖的簡單說明圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的一個(gè)環(huán)行器的部件分解斜視圖，示出了環(huán)行器的結(jié)構(gòu)。
圖2是圖1環(huán)行器結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的環(huán)行器中所設(shè)的多層基片結(jié)構(gòu)的部件分解斜視圖。
圖4是說明圖3所示多層基片的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5是示出本發(fā)明第二實(shí)施例環(huán)形器的結(jié)構(gòu)的部件分解斜視圖。
圖6是示出本發(fā)明第二實(shí)施例環(huán)形器的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖7是說明本發(fā)明一個(gè)修改方案的環(huán)行器各主要部分的部件分解斜視圖。
圖8是示出構(gòu)成一般環(huán)行器的多層基片的結(jié)構(gòu)的部件分解斜視圖。
圖9是示出一般環(huán)行器的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
發(fā)明的最佳實(shí)施例現(xiàn)在，為了解本發(fā)明的內(nèi)容，參照


本發(fā)明不可逆電路元件的一些實(shí)施例。
第一實(shí)施例圖1至圖4示出了本發(fā)明第一實(shí)施例集中參數(shù)式環(huán)行器的結(jié)構(gòu)。參看圖1，環(huán)行器1有一個(gè)多層基片3、一個(gè)下座2和一個(gè)上座6。下座2和上座6由磁性金屬制成，兩者分別從上下方向?qū)⒍鄬踊?封包起來，形成盒形。
多層基片3靠近上座6的上部分開有用以承接鐵氧體構(gòu)件4的第一凹口26和用以承接永久磁鐵5的第二凹口25，多層基片3靠近下座2的兩端則形成有凸出部分7、7。這些凸出部分7、7從上座6與下座2之間的間隙突出來，從而使外電極8a至8c和9a至9c在外部露出來，分別作為輸入/輸出端子和接地端子。環(huán)行器1裝配到電路板上時(shí)，外電極8a至8c和9a至9c就與電極板上的電極線相連接。
鐵氧體構(gòu)件4裝在多層基片3的第二凹口25中。另一方面，永久磁鐵5則裝在鐵氧體構(gòu)件4上方的第二凹口25中，接地板27介于永久磁鐵5與鐵氧體構(gòu)件4之間。
如圖3和圖4中所示的那樣，多層基片3是用整體燒制法燒制許多絕緣層形成的燒結(jié)體，燒結(jié)體中埋設(shè)有各電極。這里，為便于說明起見，將仍然處于未燒制的每一個(gè)絕緣層都用參考編號表示，說明各部分的結(jié)構(gòu)。首先，參看圖4，多層基片3主要分為六層，識別為L1～L6。第一層L1由例如兩個(gè)第一絕緣片12構(gòu)成，其上開有用以承接永久磁鐵5的第二凹口25。第一絕緣片12的中心部分開有孔12a，孔12a的大小取得使其可以承接永久磁鐵5。
第二層L2由例如兩個(gè)第二絕緣片13構(gòu)成，其上開有用以承接鐵氧體構(gòu)件4的第一凹口26。第二絕緣片13的中心部分開有孔13a，孔13a的大小取得使其可以承接鐵氧體構(gòu)件4。
第三層L3主要用以形成匹配電容，由設(shè)有接地電極14a的絕緣片14和設(shè)有電容電極15a～15c的第四絕緣片15交替堆疊構(gòu)成。各接地電極14a由各第三絕緣片14除中心部分以外的幾乎整個(gè)表面構(gòu)成，在第三絕緣片14的一側(cè)邊緣上有向外引出部分14b，在第三絕緣片14的另一側(cè)邊緣上有兩個(gè)向外引出部分14b。這些向外引出部分14b分別與外電極8b、9a和9c相連接。
電容電極15a～15c在各第四絕緣片15上每隔120度角一個(gè)地均勻配置。一個(gè)電容部件由一個(gè)電容電極，例如15a、一個(gè)絕緣片14或15和一個(gè)接地電極14a組合而成。許多這種電容部件堆疊在該第三層L3上。堆疊的電容部件數(shù)根據(jù)所要求的匹配電容的電容值來確定。
第四層L4由設(shè)有中心電極16a的三塊第五絕緣片16構(gòu)成。此外，第五絕緣片16同時(shí)也用作構(gòu)成上述電容部件的絕緣片。各中心電極16a有兩條在第五絕緣片16表面的中心部分彼此平行延伸的線路。中心電極16a設(shè)在三個(gè)第五絕緣片16上，各個(gè)配置得彼此相交成120度角。構(gòu)成上述一個(gè)電容部件的一個(gè)電容電極16b與各中心電極16a的一端相連接。各中心電極16a的另一端則與接地電極16c相連接。
各電容電極16b配備有向外引出的電極16d，分別與外電極8a、8c和9b相連接。此外，在各接地電極16c上形成的向外引出部分16e分別與外電極8b、9a、9c相連接。
在第五層L5中，多個(gè)設(shè)有接地電極14a的第四絕緣片14彼此堆疊著。最下面的第四絕緣片14堆置得使接地電極14a朝下。
在形成有兩個(gè)凸出部分7、7的第六層L6上堆疊著多條條形的陶瓷片23和24。陶瓷片23和24的外側(cè)表面分別形成有與外電極8a～8c和9a～9c相對應(yīng)的電極8a′～8c′和9a′～9c′。
在上述結(jié)構(gòu)中，多個(gè)在第三層L3上形成的電容電極通過通孔電極20在堆疊方向上彼此連接起來。同樣，電容電極15b和16b以及15c和16b通過通孔電極20、20在堆疊方向上分別彼此連接起來。此外，多個(gè)接地電極14a通過通孔電極21在堆疊方向上彼此連接起來。經(jīng)如此連接，在第三層L3形成的各電容部件就與各中心電極16a并聯(lián)連接，構(gòu)成匹配電容。
在第六層L6上形成的電極8a、8c和9b分別與電容電極16d相連接。
具有上述結(jié)構(gòu)的多層基片3是按下述方式制造的。首先，將絕緣陶瓷粉料與有機(jī)粘合劑等混合配制成的漿料，用擠塑法擠塑成柔韌的陶瓷綠片，然后切割成規(guī)定的尺寸。其次，在厚約數(shù)十微米的矩形陶瓷綠片的表面上用印刷或汽相淀積法形成一定圖形的Cu、Pd、Pt或Ag等的電極。接著，按圖3或圖4所示的次序?qū)⒏鹘^緣片推疊并壓合在一起，然后在高溫下燒制成層壓體。形成凸出部分7、7的陶瓷片23和24也同時(shí)燒制。這樣就制成了由絕緣片和各電極整體燒制成的多層基片3。
承接永久磁鐵5和鐵氧體構(gòu)件4的第一和第二凹口25和26可以先在陶瓷綠片上形成然后燒制，也可以將整體燒制成的多層基片3表面進(jìn)行切削加工形成。
裝配這種結(jié)構(gòu)的環(huán)行器1時(shí)，首先將鐵氧體構(gòu)件4、接地片27和永久磁鐵5插入多層基片3的第一和第二凹口25和26，然后再將下座2和上座6裝配上去。這樣，鐵氧體構(gòu)件4和永久磁鐵5就借助于預(yù)先形成的第一和第二凹口25和26自動(dòng)安置在面對中心電極16a的位置。永久磁鐵5就向中心電極16a施加直流磁場。
本實(shí)施例的環(huán)行器1的特點(diǎn)如下(1)匹配電容通過并聯(lián)連接堆疊在多層基片3的第三層L3的多個(gè)電容部件形成。因此，增加彼此堆疊著的電容部件的數(shù)目就可以適應(yīng)按需要加大的電容值。在此情況下，由于構(gòu)成電容部件的各絕緣片其厚度僅為數(shù)十微米左右，因而即使增加堆置的層數(shù)，多層基片3的整個(gè)厚度的增量也是非常小的。這樣，可以減小構(gòu)成電容部件的電容電極15a和16b的平面面積，從而達(dá)到元件大幅度小型化的目的。
(2)多層基片3是在多片陶瓷綠片的表面上按一定圖形形成規(guī)定的電極，然后整體燒制制成的。這樣，比起上述要求兩個(gè)燒制工序的現(xiàn)有技術(shù)來，燒制工序的次數(shù)減少了，從而可降低制造成本。
(3)鐵氧體構(gòu)件4和永久磁鐵5只要插入多層基片3的上表面中預(yù)先形成的第一和第二凹口25和26中就可以確定其各自的位置。這樣，實(shí)質(zhì)上就可以取消現(xiàn)有技術(shù)中確定鐵氧體構(gòu)件或永久磁鐵位置的必要工序，簡化了裝配工序。制造成本也可由此而降低。
(4)承接鐵氧體4的第一凹口26和承接永久磁鐵5的第二凹口25連續(xù)在多層基片3的上表面同軸形成。這樣，永久磁鐵5和鐵氧體構(gòu)件4彼此鄰近配置。通常，這種永久磁鐵5的磁場是向外擴(kuò)散的，因而磁力線隨著磁鐵與鐵氧體構(gòu)件之間間距的變大而變疏，隨著該間距的縮小而密集。因此，在本實(shí)施例永久磁鐵5與鐵氧體構(gòu)件4彼此靠近的結(jié)構(gòu)中，磁力線密集，因而采用磁力比現(xiàn)有技術(shù)弱的永久磁鐵5也可以獲得同樣的效果。
第二實(shí)施例第二實(shí)施例的環(huán)行器與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，鐵氧體構(gòu)件4和永久磁鐵5的配置狀態(tài)不同。即，如圖5和圖6中所示，環(huán)行器50承接永久磁鐵5的第二凹口55、55和承接鐵氧體構(gòu)件4的第一凹口56、56分別開設(shè)在多層基片53面對中心電極(圖中未示出)的上表面和下表面上。各第二凹口55內(nèi)裝的是永久磁鐵5、5，第一凹口56內(nèi)裝的是鐵氧體構(gòu)件4、4，接地片27介在磁鐵5與鐵氧構(gòu)件4之間。按照這種結(jié)構(gòu)，可以用一對鐵氧體構(gòu)件4從上下方向?qū)⒍鄬踊?3內(nèi)的各中心電極夾持住，用一對永久磁鐵5從上下兩面給多層基片53內(nèi)的各中心電極施加偏置磁場。這種結(jié)構(gòu)，特別是與第一實(shí)施例的環(huán)行器比較，可以前減少插入損失。此外還可以獲得與第一實(shí)施例所述同樣的效果。
雖然上述第一和第二實(shí)施例是就環(huán)行器作為不逆電路元件進(jìn)行說明的，但本發(fā)明的結(jié)構(gòu)也同樣適用于單向器。本發(fā)明應(yīng)用于單向器時(shí)，三個(gè)中心電極中的任一引出電極16d連接有終接電阻。
此外，在上述第一實(shí)施例中，多層基片3中形成的電容電極和接地電極之間是通過通孔電極進(jìn)行連接的，但這些電極也可以通過代替通孔電極的在絕緣片側(cè)面形成的電極彼此連接起來修改方案在第二實(shí)施例中，多個(gè)中心電極是在不同的絕緣層上形成的，但本發(fā)明的多個(gè)中心電極也可以在同一個(gè)絕緣片上形成?，F(xiàn)在參看圖7說明本修改方案。
圖7的絕緣片61，其結(jié)構(gòu)可用以代替圖3所示的三個(gè)第五絕緣片16。
絕緣片61上表面的中心區(qū)上形成有第一中心電極部分62a～67a。這六個(gè)第一中心電極部分62a～67a分成三組，每一組由一對彼此平行延伸的第一中心電極組成。舉例說，第一中心電極部分62a～63a形成一組，而形成該組的第一中心電極部分62a比另一個(gè)第一中心電極部分63a長。
此外，形成各組的各對第一中心電極部分與沒有中心面的扇形電極部分68～70電連接。另外，絕緣片61上還形成有通孔導(dǎo)電部分71～73。通孔導(dǎo)電部分是用導(dǎo)電材料將通孔填滿形成的。電極部分68～70借助于通孔導(dǎo)電部分71～73在絕緣片61的下表面引出。
此外，上述多個(gè)第一中心電極部分62a～67a的前端分別形成有通孔導(dǎo)電部分74。
另一方面，為了闡明下表面電極的形狀，圖7中以向下投影的方式示出了下表面電極的形狀。在絕緣片61下表面的中心形成有第二中心電極部分62b～67b。第二中心電極部分62b～67b通過通孔導(dǎo)電部分74分別與相應(yīng)的第一中心電極部分電連接。例如，第二中心電極部分62b通過通孔導(dǎo)電部分74與上表面?zhèn)鹊牡谝恢行碾姌O部分62a電連接，從而形成一個(gè)中心電極。同樣，其余的第一和第二中心電極也通過通孔導(dǎo)電部分彼此連接起來，分別形成中心電極。
這樣，在圖7所示的修改方案中，各中心電極是利用一個(gè)絕緣片61的上表面和下表面形成的，而在絕緣片61中心區(qū)彼此相交的多個(gè)中心電極則各個(gè)利用單一絕緣片61的上表面和下表面形成。即，多個(gè)中心極之間并不為多層基片所分隔。
參看圖7，第二中心電極部分62b～67b面對與通孔導(dǎo)電部分74相連接的前端部分的部分與周邊上形成的接地電極77電連接。此外，接地電極77上開有許多通到中心區(qū)的缺口78。各缺口78是為防止電氣地連接于電極部分68～70的通孔導(dǎo)電部分71～73與圖3所示的通孔導(dǎo)電部分20電連接。另一方面，接地電極77與配置在下部分、用虛線圓表示的通孔導(dǎo)電部分21(參看圖3)電連接。
雖然上述電極構(gòu)件在圖7中是設(shè)在一絕緣片61的上表面和下表面上的，絕緣片61下表面的電極構(gòu)件也可以在配置在絕緣片61下表面的另一個(gè)絕緣片的上表面上形成。就是說，本修改方案的電極構(gòu)件只要彼此是借助于通孔導(dǎo)電部分連接起來，也可以在多個(gè)絕緣片上分開形成。
權(quán)利要求
1.一種不可逆電路元件，其特征在于，它包括一個(gè)多層基片，由多個(gè)堆疊的絕緣層形成；多個(gè)中心電極，在所述多層基片上在電氣上彼此絕緣地交叉形成；一個(gè)匹配電容，其多個(gè)電容部件堆疊在所述多層基片上，且與每一個(gè)所述中心電極連接；一個(gè)磁體，面對所述中心電極設(shè)置；一個(gè)磁鐵，給所述磁體施加直流磁場。
2.如權(quán)利要求1所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述匹配電容在與上述中心電極不重合的位置沿上述多層基片的厚度方向形成。
3.如權(quán)利要求2所述的不可逆電路元件，其特征在于，各所述形成匹配電容的電容部件是由各所述絕緣層和一對在各所述彼此對置的絕緣層的上下主表面上形成的電容電極構(gòu)成的;多個(gè)所述與其中一個(gè)所述中心電極相連接的電容部件彼此并聯(lián)連接。
4.如權(quán)利要求3所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述匹配電容的所述電容部件在與設(shè)有所述中心電析的所述絕緣層的所述中心電極不同的位置形成。
5.如權(quán)利要求4所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述匹配電容的所述電容部件在與所述配備有所述多層基片中的所述中心電極的所述絕緣層不同的絕緣層上形成。
6.如權(quán)利要求5所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述匹配電容的所述電容部件在位于所述配備有所述中心電極的所述絕緣層的上方和/或下方的所述絕緣層中形成。
7.如權(quán)利要求3所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述多層基片是通過整體燒制所述多個(gè)彼此堆疊的絕緣層構(gòu)成的。
8.如權(quán)利要求7所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述多層基片有一個(gè)用以將所述磁體固定在面對所述中心電極的位置的第一固定部分;所述磁體由所述第一固定部分固定住。
9.如權(quán)利要求8所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述第一固定部分是個(gè)在所述多層基片上形成的凹口。
10.如權(quán)利要求8所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述多層基片還有一個(gè)第二固定部分，用以將所述磁鐵固定在面對所述中心電極的位置;所述磁鐵由所述第二固定部分加以固定。
11.如權(quán)利要求10所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述第二固定部分是在所述多層基片上形成的凹口。
12.如權(quán)利要求1所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述多層基片有一個(gè)第一固定部分，用以將所述磁體固定在面對所述中心電極的位置;所述磁體由所述第一固定部分固定住。
13.如權(quán)利要求10所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述多層基片還有一個(gè)第二固定部分，用以將所述磁鐵固定在面對所述中心電極的位置;所述磁鐵由所述第二固定部分固定住。
14.如權(quán)利要求12所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述第一和第二固定部分在所述多層基片對置著的主表面的起碼一個(gè)表面上形成。
15.如權(quán)利要求12所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述第一和第二固定部分在所述多層基片的兩個(gè)所述主表面上形成。
16.如權(quán)利要求1所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述多層基片是通過整體燒制所述多層絕緣層形成的。
17.如權(quán)利要求1所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述多個(gè)中心電極在多層基片內(nèi)的不同高度的位置形成。
18.如權(quán)利要求1所述的不可逆電路元件，其特征在于，所述中心電極的第一中心電極部分配置在一個(gè)所述絕緣層的一個(gè)表面上，第二中心電極部分配置在所述絕緣層的另一個(gè)表面上，且在所述絕緣層上形成有通孔導(dǎo)電部分，供將所述第一和第二中心電極部分彼此連接起來之用。
全文摘要
本發(fā)明的目的是制取一種無論匹配電容值有多大都可加以小型化的不可逆電路元件。環(huán)行器1具有中心電極16a和用以形成匹配電容的多層基片3。多層基片3是通過將配備有中心電極或匹配電容電極的絕緣片彼此推疊起來然后整體燒制構(gòu)成的。匹配電容是通過將多個(gè)由一對電容電極固定的絕緣片堆疊起來形成的堆疊式電容部件并聯(lián)起來構(gòu)成的。在多層基片3的上表面面對中心電極16a的位置開有一個(gè)用以承接鐵氧體構(gòu)件4的第一凹口26和一個(gè)用以承接永久磁鐵5的第二凹口25，鐵氧體構(gòu)件4和永久磁鐵5就分別裝入這兩個(gè)凹口中。
文檔編號H01P1/387GK1111075SQ94190413
公開日1995年11月1日 申請日期1994年6月29日 優(yōu)先權(quán)日1993年6月30日
發(fā)明者出嶌弘基, 長谷川隆, 石浦豐, 兒堂義一, 松井博志, 小川圭二 申請人:株式會社村田制作所