專利名稱：非互易電路器件和使用它的通信設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如在例如微波帶的高頻帶中使用的隔離器或環(huán)行器的非互易電路器件，還涉及使用它的通信設(shè)備。
最近幾年，隨著移動(dòng)通信設(shè)備迅速朝著小型化發(fā)展，更強(qiáng)烈地要求在這些設(shè)備中使用的非互易電路器件的尺寸進(jìn)一步降低。為實(shí)現(xiàn)這一尺寸降低，日本未審查專利申請(qǐng)公開No.11-97908已經(jīng)公開了一種使用具有矩形平行六面體形狀的磁體的非互易電路器件。當(dāng)使用這種具有矩形平行六面體形狀的磁體時(shí)，與磁體的一側(cè)平行地設(shè)置一個(gè)中央導(dǎo)體，把另外兩個(gè)中央導(dǎo)體設(shè)置成與每一側(cè)相互傾斜，并且在彼此電絕緣的狀態(tài)下把所有的中央導(dǎo)體設(shè)置成以大致120度的角度相互交叉。這里，使用的導(dǎo)體寬度和這些中央導(dǎo)體的導(dǎo)體間距被設(shè)置為相等。
通常，使用這些非互易電路器件的電路中的輸入/輸出部分的阻抗具有預(yù)定值(通常是50Ω)，在非互易電路器件的中的各個(gè)接口處阻抗(此后被稱為“接口阻抗”)也被設(shè)置為預(yù)定值。
設(shè)置成矩形六面體形狀的磁體以以120度的角度朝向磁體的每一側(cè)傾斜的三個(gè)中央導(dǎo)體形成旋轉(zhuǎn)地不對(duì)稱配置。因此，當(dāng)把中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度和導(dǎo)體間距的每一個(gè)做成相同時(shí)，平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口阻抗變得高于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的接口阻抗。例如，在上述的傳統(tǒng)非互易電路器件中，當(dāng)設(shè)置成朝向磁體的每一側(cè)傾斜的兩個(gè)中央導(dǎo)體的接口阻抗被設(shè)置成50Ω時(shí)，設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口阻抗會(huì)變?yōu)?0Ω。即，設(shè)置成朝向磁體的每一側(cè)傾斜的兩個(gè)中央導(dǎo)體相對(duì)于磁體具有對(duì)稱配置，而設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體相對(duì)于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體具有不對(duì)稱的配置。因此，在上述的傳統(tǒng)非互易電路器件中，出現(xiàn)的問題是設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口的反射特性惡化。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口具有改善的反射特性的非互易電路器件，并提供一種使用這種非互易電路器件的通信設(shè)備。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種非互易電路器件，包括具有矩形平行六面體形狀的磁體，該磁體包括設(shè)置成以預(yù)定的角度相互交叉的彼此電絕緣地提供的三個(gè)中央導(dǎo)體，并且三個(gè)導(dǎo)體之一被設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)。在這個(gè)非互易電路器件中，設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的寬度。而且，當(dāng)這些中央導(dǎo)體的每一個(gè)有大量導(dǎo)體構(gòu)成時(shí)，設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體間距被設(shè)置成寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的間距。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口阻抗以及這個(gè)中央導(dǎo)體的反射特性可被改善。尤其，在本發(fā)明中，為使設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口阻抗接近另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的接口阻抗，設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度或?qū)w間距被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度或?qū)w間距。這使得每個(gè)接口實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)淖杩蛊ヅ?，其結(jié)果導(dǎo)致在中央導(dǎo)體的每一個(gè)的接口處有改善的反射特性。
優(yōu)選地，中央導(dǎo)體的每一個(gè)由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成。這使得由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而使插入損耗降低。
而且，還優(yōu)選的是終端電阻器被連接于中央導(dǎo)體的任何一個(gè)，以形成隔離器。在這種情況下，由于設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口具有一個(gè)接口阻抗，該阻抗比另外的中央導(dǎo)體的接口阻抗更易于偏離，因此這個(gè)中央導(dǎo)體的接口適合于可由具有任一電阻值的電阻器終止的隔離接口。因此，優(yōu)選地把終止接口連接于這個(gè)接口。
而且，根據(jù)本發(fā)明的通信設(shè)備是通過提供具有上述特征的非互易電路器件來實(shí)現(xiàn)的。這使得得到具有優(yōu)異特性的通信設(shè)備。
本發(fā)明的上面和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)從下面聯(lián)系附圖的對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的具體描述中變得更清楚。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的磁性組件的平面圖；圖2是表示根據(jù)第一實(shí)施例的中央導(dǎo)體的改進(jìn)圖；圖3是表示根據(jù)第一實(shí)施例的非互易電路器件的總體結(jié)構(gòu)的分解透視圖；圖4是表示根據(jù)第一實(shí)施例的非互易電路器件的平面圖，從中移開了永磁體和上軛部；圖5是表示第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的反射損耗的曲線；
圖6是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的磁性組件的平面圖；圖7是表示第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的反射損耗的曲線；圖8是表示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的磁性組件的平面圖；圖9是表示第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的反射損耗的曲線；圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的通信設(shè)備的框圖。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的非互易電路器件的結(jié)構(gòu)將參考圖1到4來描述。
根據(jù)該實(shí)施例的非互易電路器件具有形成為矩形平行六面體平板的磁性組件5，如圖1所示，其中三個(gè)中央導(dǎo)體51、52和53被設(shè)置在磁體55上，磁體55的頂表面和底表面是正方形的。中央導(dǎo)體51、52和53通過模壓諸如銅的金屬導(dǎo)體平板來形成。如圖2的改進(jìn)圖中所示，中央導(dǎo)體51、52和53整體連接于構(gòu)成公共接地端的地部分54，并且從地部分54突出到外部。
磁性組件5有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中磁體55被放置在公共接地部分54上，所有的中央導(dǎo)體51到53被設(shè)置在磁體55的頂表面上以通過折疊這些中央導(dǎo)體來卷繞磁體55，同時(shí)把絕緣板(未示出)插入在這些中央導(dǎo)體之間來彼此形成大致120度的角度。構(gòu)成各個(gè)中央導(dǎo)體51到53的頂部分的接口P1到P3的每一個(gè)具有適合于與其它部件相連接的形狀，并且將其形成為從磁體55的外周邊突出到外部。中央導(dǎo)體51到53的每一個(gè)由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成，中央導(dǎo)體51和52被設(shè)置成相對(duì)于磁體55的每一個(gè)側(cè)邊傾斜，中央導(dǎo)體53被設(shè)置成與磁體55的一側(cè)平行。
在這個(gè)實(shí)施例中，把設(shè)置成與磁體55的一側(cè)平行的中央導(dǎo)體53的兩個(gè)導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A3做得比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的兩個(gè)導(dǎo)體的寬度A1和A2寬。即，在這個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)成設(shè)置成與磁體55的一側(cè)平行的中央導(dǎo)體53的兩個(gè)導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A3被設(shè)置成寬于另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2。這里，各個(gè)中央導(dǎo)體51、52和53的導(dǎo)體間距B1、B2和B3具有相同的尺寸。
使用上述磁性組件5形成的非互易電路器件的一個(gè)例子在圖3和4中表示。圖3是表示非互易電路器件的整體結(jié)構(gòu)的分解透視圖，圖4是表示非互易電路器件的平面圖，其中移開了永磁體和上軛部。這個(gè)非互易電路器件通過把中斷電阻器R連接于設(shè)置成與磁體55的一側(cè)平行的中央導(dǎo)體53的接口P3而形成為隔離器。這里，從接口1到接口2的方向被設(shè)置成是向前方向，從接口2到接口3的方向被設(shè)置成相反方向。
在這個(gè)隔離器中，永磁體3被設(shè)置在由磁性金屬構(gòu)成的箱狀上軛部2的內(nèi)表面上。大致為U狀的下軛部8有磁性金屬構(gòu)成。上軛部2被安裝在上軛部2以形成閉合磁路。終端外殼7被提供在下軛部8的底表面8a上。磁性組件5、用于匹配的電容器C1到C3和終端電阻器R被設(shè)置在這個(gè)終端外殼7內(nèi)。DC磁場(chǎng)被永磁體3施加于磁性組件5。
終端外殼由電絕緣材料構(gòu)成，并且通過整體形成底壁7b和矩形框架狀側(cè)壁7a來形成。輸入/輸出終端71和72以及接地終端73被部分地嵌入樹脂中，插入孔7c被形成于底壁7b的大致中央部分，大量凹部被提供在插入孔7c的周圍邊緣的預(yù)定位置處。
在形成于在插入孔7c的周圍邊緣上的凹部中，提供有用于匹配的電容器C1到C3和終端電阻器R。磁性組件5被插入到插入孔7c并且永磁體被設(shè)置在磁性組件5上面。
磁性組件5的底表面上的公共接地部分54被連接于下軛部8的底表面8a。用于匹配的電容器C1到C3的下表面電極和終端電阻器R的一端側(cè)電極被各自連接于接地終端73。中央導(dǎo)體51到53的接口P1到P3被分別連接于用于匹配的電容器C1到C3的上表面電極，終端電阻器R的另一端側(cè)被連接于接口P3。
同時(shí)，通過使用接口P3作為第三輸入/輸出接口而不把終端電阻器R連接于接口P3，可得到環(huán)行器。
接著，參考圖5描述第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的效果。圖5是表示第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(圖1所示的結(jié)構(gòu))和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(所有中央導(dǎo)體被形成為具有相同的導(dǎo)體寬度和相同的導(dǎo)體間距)的在設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體53的接口中的反射特性曲線。傳統(tǒng)示例和本發(fā)明的第一實(shí)施例的每一個(gè)的磁體尺寸都是3.1mm長(zhǎng)，2.7mm寬和0.5mm厚。傳統(tǒng)示例中使用的所有的中央導(dǎo)體和第一實(shí)施例中使用的中央導(dǎo)體51、52具有0.15mm的導(dǎo)體寬度和0.2mm的導(dǎo)體間距，用在第一實(shí)施例中的中央導(dǎo)體53具有0.5mm的導(dǎo)體寬度和0.15mm的導(dǎo)體間距。飽和磁化強(qiáng)度被設(shè)置為0.1T，測(cè)量系統(tǒng)的阻抗是50*。在傳統(tǒng)示例中，在中央頻率處相應(yīng)于接口P3的接口阻抗大約是80*，而在中央頻率處實(shí)施例的接口P3的接口阻抗大約是50*。在中央頻率處其它接口的阻抗每一個(gè)大約是50*。
如圖5所示，在要求的頻帶中這個(gè)實(shí)施例的反射特性明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的示例。例如，在中央頻率(900MHz)，該實(shí)施例的反射損耗是38.7dB，相比之下，傳統(tǒng)示例是12.9dB。即，該實(shí)施例表現(xiàn)出明顯比傳統(tǒng)示例改善的反射特性。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所有中央導(dǎo)體被形成來與傳統(tǒng)示例的情況一樣具有相等的導(dǎo)體寬度時(shí)，具有最高接口阻抗的中央導(dǎo)體，即設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體53提供有比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2更寬的導(dǎo)體寬度A3。因此，這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口的反射特性被改善了。尤其中央導(dǎo)體53的接口阻抗通過把導(dǎo)體寬度A3設(shè)置得更寬而被降低了，從而中央導(dǎo)體53的接口阻抗更接近于電路系統(tǒng)的阻抗，即采用與另外的中央導(dǎo)體51和52的阻抗值基本相同的阻抗值。這使得所有中央導(dǎo)體的接口阻抗被設(shè)置成與電路系統(tǒng)的阻抗匹配。因此，如果上述實(shí)施例的磁性組件被使用，當(dāng)設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口被用作輸入/輸出接口時(shí)插入損耗可被降低，當(dāng)設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口被用作隔離接口時(shí)隔離特性被改善。
在上述實(shí)施例(圖3和4)中，隔離器通過把終端電阻器R連接于設(shè)置成平行于磁體55一側(cè)的中央導(dǎo)體53而形成，但是形成隔離器的方法并不限于此。反而可通過把終端電阻器R連接于中央導(dǎo)體51和52之一而形成隔離器。優(yōu)選地終端電阻器R被連接與中央導(dǎo)體53，其接口阻抗更易于與中央導(dǎo)體51和52的接口阻抗不匹配，如上所述。準(zhǔn)確地匹配終端電阻器R的電阻值和中央導(dǎo)體53的接口阻抗值進(jìn)一步改善了隔離特性。
接著，參考圖6描述根據(jù)第二實(shí)施例的磁性組件的結(jié)構(gòu)。在圖6所示的磁性組件5中，中央導(dǎo)體51到53的每一個(gè)由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成，把設(shè)置成平行于磁體55一側(cè)的中央導(dǎo)體53的導(dǎo)體間距B3做得比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體間距B1和B2寬。即，在這個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)成設(shè)置成與磁體55的一側(cè)平行的中央導(dǎo)體53的兩個(gè)導(dǎo)體的導(dǎo)體間距B3被設(shè)置成寬于另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體間距B1和B2。這里，各個(gè)中央導(dǎo)體51、52和53的導(dǎo)體寬度A1、A2和A3具有相同的尺寸。
圖7是表示第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(圖6所示的結(jié)構(gòu))和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的在設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體53的接口中的反射特性的曲線。該實(shí)施例使用的中央導(dǎo)體53具有0.15mm的導(dǎo)體寬度和0.9mm的導(dǎo)體間距。其它尺寸和測(cè)量條件與在上述第一實(shí)施例中的相同。在這個(gè)實(shí)施例中，在中央頻率處接口P3的接口阻抗大約是65*。在中央頻率處其它接口的阻抗每一個(gè)大約是50*。
如圖7所示，在要求的頻帶中這個(gè)實(shí)施例的反射特性明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的示例。例如，在中央頻率(900MHz)，該實(shí)施例的反射損耗是18.1dB，相比之下，傳統(tǒng)示例是12.9dB。即，該實(shí)施例表現(xiàn)出明顯比傳統(tǒng)示例改善的反射特性。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所有中央導(dǎo)體被形成來與傳統(tǒng)示例的情況一樣具有相等的導(dǎo)體間距時(shí)，具有最高接口阻抗的中央導(dǎo)體，即設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體53提供有比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體間距B1和B2更寬的導(dǎo)體間距B3。因此，這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口的反射特性被改善。尤其，中央導(dǎo)體53的接口阻抗通過把導(dǎo)體間距B3設(shè)置得更寬而被降低了，從而接口阻抗更接近于電路系統(tǒng)的阻抗。因此，如果該實(shí)施例的磁性組件被使用，當(dāng)設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口被用作輸入輸出接口時(shí)插入損耗可被降低，當(dāng)設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口被用作隔離接口時(shí)隔離特性被改善。
接著，參考圖8描述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的磁性組件的結(jié)構(gòu)。在圖8所示的磁性組件5中，中央導(dǎo)體51到53的每一個(gè)由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成，把設(shè)置成平行于磁體55一側(cè)的中央導(dǎo)體53的兩個(gè)導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A3做得比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2寬，并且把中央導(dǎo)體53的導(dǎo)體間距B3做得比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體間距B1和B2寬。即，在這個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)成設(shè)置成與磁體55的一側(cè)平行的中央導(dǎo)體53的兩個(gè)導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度A3和導(dǎo)體間距B3扎的每一個(gè)都被設(shè)置成寬于另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2以及導(dǎo)體間距B1和B2。
圖9是表示第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(圖8所示的結(jié)構(gòu))和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的在設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體53的接口中的反射特性的曲線。該實(shí)施例使用的中央導(dǎo)體53具有0.3mm的導(dǎo)體寬度和0.6mm的導(dǎo)體間距。其它尺寸和測(cè)量條件與在上述第一實(shí)施例中的相同。在這個(gè)實(shí)施例中，在中央頻率處接口P3的接口阻抗大約是55*。在中央頻率處其它接口的阻抗每一個(gè)大約是50*。
如圖9所示，在要求的頻帶中這個(gè)實(shí)施例的反射特性明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的示例。例如，在中央頻率(900MHz)，該實(shí)施例的反射損耗是25.4dB，相比之下，傳統(tǒng)示例是12.9dB。即，該實(shí)施例表現(xiàn)出明顯比傳統(tǒng)示例改善的反射特性。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所有中央導(dǎo)體被形成來與傳統(tǒng)示例的情況一樣具有相等的導(dǎo)體寬度和相等的導(dǎo)體間距時(shí)，具有最高接口阻抗的中央導(dǎo)體，即設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體53提供有比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2以及導(dǎo)體間距B1和B2更寬的導(dǎo)體寬度A3和導(dǎo)體間距B3。因此，這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口的反射特性被改善。尤其，中央導(dǎo)體53的接口阻抗通過把導(dǎo)體寬度A3和導(dǎo)體間距B3設(shè)置得更寬而被降低了，從而接口阻抗更接近于電路系統(tǒng)的阻抗。因此，如果該實(shí)施例的磁性組件被使用，當(dāng)設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口被用作輸入/輸出接口時(shí)插入損耗可被降低，當(dāng)設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口被用作隔離接口時(shí)隔離特性被改善。
在上述實(shí)施例中，中央導(dǎo)體51、52和53的每一個(gè)被描述為由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成的中央導(dǎo)體，但是形成中央導(dǎo)體的方法并不限于此。這些中央導(dǎo)體51、52和53的每一個(gè)可用一個(gè)導(dǎo)體形成或由三個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成。
而且，在上述實(shí)施例中，中央導(dǎo)體的每一個(gè)被描述為具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中金屬板形成的中央導(dǎo)體的每一個(gè)被折疊并被設(shè)置在磁體上，但是中央導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)并不限于此。中央導(dǎo)體的每一個(gè)的結(jié)構(gòu)可以是這樣一種結(jié)構(gòu)，其中中央導(dǎo)體由電絕緣體或磁體的內(nèi)部或表面上的電極膜構(gòu)成。而且，永磁體3的形狀并不限于環(huán)形，而可以使用諸如平面圖中的四邊形的多邊形。
接著，根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的通信設(shè)備的結(jié)構(gòu)在圖10中示出。在這個(gè)通信設(shè)備中，天線ANT被連接于雙工器DPX的天線端，該雙工器包括發(fā)射濾波器T和接收濾波器RX，隔離器ISO被連接與發(fā)射濾波器TX的輸入端與發(fā)射電路之間，接收電路被連接與接收濾波器RX的輸出端。從發(fā)射電路發(fā)射的信號(hào)從天線ANT經(jīng)隔離器ISO和發(fā)射濾波器TX被發(fā)射出去。在天線ANT接收到的接收信號(hào)經(jīng)接收濾波器RX被輸入到接收電路。
這里，作為隔離器ISO，上述實(shí)施例的每一個(gè)的隔離器均可被使用。通過使用根據(jù)本發(fā)明的具有改善的反射特性的非互易電路器件，可得到具有優(yōu)異特性的通信設(shè)備。
從上面的描述顯然看到，根據(jù)本發(fā)明的非互易電路器件，由于把設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度和/或?qū)w間距做得比另外的中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度和/或?qū)w間距寬，設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體的接口的反射特性被改善。因此，本發(fā)明使得具有低插入損耗和優(yōu)異隔離特性的非互易電路器件能夠?qū)崿F(xiàn)。
而且，通過安裝根據(jù)本發(fā)明的非互易電路器件，可實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異特性的通信設(shè)備。
盡管本發(fā)明參考當(dāng)前考慮優(yōu)選實(shí)施例的描述進(jìn)行了說明，應(yīng)理解在不背離本發(fā)明的情況下在更廣泛的方面可進(jìn)行各種改變和修改，因此，意在由后附的權(quán)利要求來覆蓋所有的改變和修改，其落入在本發(fā)明的真正精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1．一種非互易電路器件，包括具有矩形平行六面體形狀的磁體，所述磁體包括設(shè)置成以預(yù)定的角度相互交叉的彼此電絕緣地提供的三個(gè)中央導(dǎo)體，并且三個(gè)導(dǎo)體之一被設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)，其中，設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度。
2．一種非互易電路器件，包括具有矩形平行六面體形狀的磁體，所述磁體包括設(shè)置成以預(yù)定的角度相互交叉的彼此電絕緣地提供的三個(gè)中央導(dǎo)體，并且三個(gè)導(dǎo)體之一被設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)，其中，所述三個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)包括大量的導(dǎo)體，并且設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體間距被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體間距。
3．一種非互易電路器件，包括具有矩形平行六面體形狀的磁體，所述磁體包括設(shè)置成以預(yù)定的角度相互交叉的彼此電絕緣地提供的三個(gè)中央導(dǎo)體，并且三個(gè)導(dǎo)體之一被設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)，其中，所述三個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)包括大量的導(dǎo)體，并且設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度和導(dǎo)體間距被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度和導(dǎo)體間距。
4．根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的非互易電路器件，其中所述三個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)包括兩個(gè)導(dǎo)體。
5．根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的非互易電路器件，其中把終端電阻器連接于所述三個(gè)中央導(dǎo)體的任何一個(gè)的接口。
6．根據(jù)權(quán)利要求5的非互易電路器件，其中把終端電阻器連接于設(shè)置成基本平行于磁體的一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口。
7．一種通信設(shè)備，包括權(quán)利要求1、2或3所述的非互易電路器件。
全文摘要
提供一種非互易電路器件,其被設(shè)置成平行于磁體一側(cè)的中央導(dǎo)體的接口具有改善的反射特性。在這個(gè)非互易電路器件中,通過把三個(gè)中央導(dǎo)體設(shè)置在具有矩形平行六面體形狀的磁體上形成磁性組件。設(shè)置成平行于磁體的一側(cè)的一個(gè)中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度被做成比另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度寬。
文檔編號(hào)H01P1/36GK1307378SQ01104708
公開日2001年8月8日 申請(qǐng)日期2001年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月19日
發(fā)明者長(zhǎng)谷川隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所