專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用可用作布線基板的布線用樹脂膜的、可一并加工半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
以往的由搭載在布線基板上的半導(dǎo)體元件構(gòu)成的半導(dǎo)體器件的制造方法，一般對(duì)于每個(gè)元件，從切片的硅等半導(dǎo)體晶片拾取半導(dǎo)體元件，搭載在形成有布線圖形的膜基板或印刷布線基板等布線基板上。例如，進(jìn)行倒裝芯片連接的半導(dǎo)體器件(FC-BGA)，在實(shí)施了布線圖形形成的基體材料上，按每個(gè)元件，倒裝芯片連接形成有柱狀突點(diǎn)的半導(dǎo)體元件。在如此的以往半導(dǎo)體封裝的制造方法中，由于按每個(gè)元件處理半導(dǎo)體，所以產(chǎn)量低，其處理也存在問(wèn)題。
此外，在以往的根據(jù)晶片級(jí)的半導(dǎo)體封裝的制造方法中，可舉例晶片級(jí)的CSP，但由于此時(shí)的封裝的外形尺寸依賴于半導(dǎo)體元件的外形尺寸，因此存在每當(dāng)因布線工藝的變更等而變化半導(dǎo)體元件的外形尺寸時(shí)，影響封裝尺寸的問(wèn)題。
另外，關(guān)于以往的搭載半導(dǎo)體晶片的布線基板，已知有疊層基板。疊層基板，在通過(guò)在玻璃纖維無(wú)紡布上含浸環(huán)氧樹脂等樹脂而成的絕緣基板的表背兩面，至少實(shí)施1層疊層。在疊層上適宜設(shè)置布線圖形和連接布線，電連接搭載在疊層基板上的半導(dǎo)體元件和安裝在疊層基板上的外部連接端子。關(guān)于疊層，例如，采用簡(jiǎn)稱為ABF的布線用樹脂膜。如果在半導(dǎo)體器件上采用該以往的布線基板，半導(dǎo)體器件加厚，對(duì)于迫切需要薄型化的半導(dǎo)體器件，是存在需要解決的問(wèn)題的結(jié)構(gòu)。
在專利文獻(xiàn)1中，在形成元件的基板背面粘接支撐部件，在按每個(gè)元件切斷基板后，以拉伸支撐基板，在元件間設(shè)置間隙的狀態(tài)，一并進(jìn)行樹脂密封。沿著所述切斷痕跡再次切斷，分成每個(gè)元件。
專利文獻(xiàn)1特開2000-21906號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于以上的事實(shí)而提出的，其目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，能夠一并加工硅等半導(dǎo)體晶片，此外由于通過(guò)用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片，作為基體材料處理，因而能夠提高產(chǎn)量。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一方式，具有，半導(dǎo)體元件、夾著所述半導(dǎo)體元件的第1及第2布線用樹脂膜、分別形成在夾著所述半導(dǎo)體元件的第1及第2布線用樹脂膜的布線圖形露出的表面上的布線圖形、形成在所述第2布線用樹脂膜的露出的表面上的外部連接端子；形成在所述第1布線用樹脂膜上的布線圖形，與所述半導(dǎo)體元件電連接，形成在所述第2布線用樹脂膜上的布線圖形，與形成在所述第1布線用樹脂膜上的布線圖形電連接。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一方式，其特征在于，具備以下步驟在與切片方向垂直的方向，在可伸縮的粘接片上，搭載可通過(guò)切片分離成多個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片的步驟；在所述粘接片上，通過(guò)施加張力，在所述半導(dǎo)體元件間形成間隙的步驟；在所述粘接片上的半導(dǎo)體晶片上，從上面粘貼第1布線用樹脂膜，并使其硬化的步驟；從所述半導(dǎo)體晶片上除去所述粘接片，在除去該粘接片的面上，粘貼第2布線用樹脂膜，并使其硬化的步驟；在所述第1布線用樹脂膜的露出的表面上粘貼導(dǎo)電箔，并對(duì)其進(jìn)行刻蝕處理，在各自的表面上形成布線圖形的步驟；通過(guò)埋入在形成在所述第1布線用樹脂膜上的貫通孔內(nèi)的連接布線，將形成在所述第1布線用樹脂膜上的布線圖形，電連接在所述半導(dǎo)體元件上的步驟；通過(guò)埋入在形成在所述第1及第2布線用樹脂膜上的貫通孔內(nèi)的連接布線，將形成在所述第2布線用樹脂膜上的布線圖形，電連接在形成在所述第1布線用樹脂膜的表面上的布線圖形上的步驟；在所述第2布線用樹脂膜的布線圖形的表面上，連接外部連接端子的步驟。
本發(fā)明，通過(guò)用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體元件，得到新的結(jié)構(gòu)的封裝，并且能夠使半導(dǎo)體器件薄型化。此外，能夠一并加工半導(dǎo)體晶片，另外通過(guò)用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片，作為基體材料處理，結(jié)果能夠提高產(chǎn)量。另外，在用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片時(shí)，能夠在元件間設(shè)置間隙，其結(jié)果，封裝的外形形狀不依賴于半導(dǎo)體元件的外形。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例即實(shí)施例1的搭載切片的半導(dǎo)體晶片的粘接片的立體圖、及延伸該粘接片的狀態(tài)的立體圖。
圖2是制造實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的步驟剖面圖。
圖3是制造實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的步驟剖面圖。
圖4是制造實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的步驟剖面圖。
圖5是實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖6是本發(fā)明的一實(shí)施例即實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖7是本發(fā)明的一實(shí)施例即實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖中1-半導(dǎo)體元件，2-粘接片，3、3a、3’、3’a-布線用樹脂膜，4、4a、4’、4’a-布線圖形，5、6-連接布線，7、7a-絕緣膜，8-外部連接端子，8a-內(nèi)部連接端子。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明，在半導(dǎo)體封裝的制造方法中，其特征在于，一并加工硅晶片，以通過(guò)從上下用布線用樹脂膜夾著硅基板，形成半導(dǎo)體元件埋入基體材料。此外，本發(fā)明，其特征在于，在用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片時(shí)，通過(guò)對(duì)搭載半導(dǎo)體晶片的粘接片施加張力，在元件間設(shè)置間隙，確保形成用于導(dǎo)通的貫通孔等的區(qū)域。通過(guò)用布線用樹脂膜夾著硅等半導(dǎo)體晶片，能夠以與通常的膜基體材料不同的狀態(tài)進(jìn)行處理，此外，由于相對(duì)于硅形成上下對(duì)稱的結(jié)構(gòu)，因此從熱膨脹的角度看形成有利的結(jié)構(gòu)。另外，由于一并處理半導(dǎo)體晶片，所以能夠提高產(chǎn)量。
以下，參照實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
實(shí)施例1首先，參照?qǐng)D1～圖5說(shuō)明實(shí)施例1。圖1是說(shuō)明搭載切片的半導(dǎo)體晶片的粘接片的立體圖、及延伸該粘接片的狀態(tài)的立體圖，圖2～圖4是制造該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的步驟剖面圖，圖5是由該步驟形成的半導(dǎo)體器件的剖面圖。如圖5所示，例如，由硅半導(dǎo)體構(gòu)成的、厚例如60μm左右的片狀的半導(dǎo)體元件1，被第1及第2布線用樹脂膜3、3a夾持地覆蓋。布線用樹脂膜，是用于形成設(shè)在疊層布線基板的芯基板的表面上的布線圖形的疊層的材料，環(huán)氧系熱硬化樹脂膜是其一例。在第1及第2布線用樹脂膜表面，分別設(shè)置包括焊盤區(qū)域等的布線圖形4、4a。
設(shè)在第1布線用樹脂膜3的表面上的布線圖形4，形成在半導(dǎo)體元件1的表面上，通過(guò)由埋入形成在第1布線用樹脂膜上的貫通孔內(nèi)的鍍層等構(gòu)成的連接布線6，電連接半導(dǎo)體元件1的內(nèi)部電路(未圖示)和電連接用的連接電極(未圖示)。設(shè)在第1及第2布線用樹脂膜3、3a上的布線圖形4、4a，經(jīng)由由埋入通過(guò)上述布線用樹脂膜形成的貫通孔內(nèi)的鍍層等構(gòu)成的連接布線6，進(jìn)行電連接。在第2布線用樹脂膜3a的布線圖形4a的連接電極部分，形成軟焊料球等外部連接端子8。外部連接端子8，通過(guò)布線圖形4、4a，與半導(dǎo)體元件1的內(nèi)部電路電連接。除外部連接端子8外，以覆蓋布線圖形4、4a的方式，在第1及第2布線用樹脂膜3、3a表面上，形成抗蝕劑等絕緣膜7、7a。
該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件，如上所述，通過(guò)用布線用樹脂膜夾持半導(dǎo)體元件，得到新結(jié)構(gòu)的封裝，能夠使半導(dǎo)體器件更加薄型化。
下面，說(shuō)明該實(shí)施例的制造步驟。
圖1(a)表示結(jié)束元件形成步驟，例如在合成樹脂等粘接片1上粘貼6～8英寸程度的硅晶片(半導(dǎo)體晶片)，沿切片線進(jìn)行切片，分割成各個(gè)半導(dǎo)體元件(芯片)的狀態(tài)。粘接片1，能夠向與半導(dǎo)體元件的切片方向垂直的方向伸縮半導(dǎo)體晶片。接著，如圖1(b)所示，在粘接片1上，向箭頭方向二維地施加張力，在半導(dǎo)體元件間形成間隙。此時(shí)的間隙，以在用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片時(shí)，可確保通過(guò)貫通孔上下面導(dǎo)通的程度的空間的方式設(shè)置。此外，通過(guò)適宜控制張力，能夠調(diào)節(jié)間隙的寬度。
下面，參照?qǐng)D2，說(shuō)明在施加張力的粘接片上粘貼布線用樹脂膜的步驟。圖2是沿圖1(b)的A-A′線的局部剖面圖，在半導(dǎo)體元件間設(shè)置間隙(圖2(a))。在粘貼粘接片2的半導(dǎo)體元件1的面上，粘貼20～30μm厚度的第1布線用樹脂膜3。在此狀態(tài)下，半導(dǎo)體元件1表面，被第1布線用樹脂膜3覆蓋。然后加熱硬化布線用樹脂膜(圖2(b))。因此，半導(dǎo)體元件1由第1布線用樹脂膜3支撐。在此狀態(tài)下，從半導(dǎo)體元件1上剝離粘接片2(圖2(c))。然后，在剝離粘接片2露出半導(dǎo)體元件1的第1布線用樹脂膜3上，粘貼第2布線用樹脂膜3a，然后加熱硬化第2布線用樹脂膜3a(圖2(d))。第2布線用樹脂膜3a可以是與第1布線用樹脂膜3相同的材質(zhì)的材料，也可以不相同。
下面，參照?qǐng)D3及圖4，說(shuō)明在布線用樹脂膜上的電路形成步驟。圖3及圖4，是說(shuō)明從進(jìn)行電路形成到安裝外部連接端子的步驟的剖面圖。首先，作為導(dǎo)電箔，例如，在露出第1及第2布線用樹脂膜的表面上粘貼銅箔，通過(guò)對(duì)其實(shí)施刻蝕等進(jìn)行圖案形成，在第1布線用樹脂膜3的表面上形成布線圖形4，在第2布線用樹脂膜3a的表面上形成布線圖形4a(圖3(a))。然后，利用激光，將布線圖形4、與形成在第1布線用樹脂膜3及半導(dǎo)體元件1的表面上的半導(dǎo)體元件的內(nèi)部電路電連接的、由鋁等構(gòu)成的連接端子(焊盤)(未圖示)開口，在第1布線用樹脂膜3上形成貫通孔，露出焊盤。然后通過(guò)對(duì)該貫通孔內(nèi)實(shí)施鍍敷處理，形成電連接布線圖形4和半導(dǎo)體元件的焊盤的連接布線5(圖3(b))。接著，為導(dǎo)通布線圖形4、4a，例如，通過(guò)鉆孔等，貫通第1及第2布線用樹脂膜3、3a，形成貫通孔。然后，對(duì)該貫通孔實(shí)施鍍敷處理，形成電連接布線圖形4、4a的連接布線6(圖3(c))。
接著，除外部連接端子形成區(qū)域外，以覆蓋布線圖形4、4a的方式，在第1及第2布線用樹脂膜3、3a表面，形成抗蝕劑等絕緣膜7、7a(圖3(d))。然后，在設(shè)在第2布線用樹脂膜3a上的布線圖形4a的外部連接端子形成區(qū)域，連接軟焊料球等外部連接端子8。如此形成晶片形狀的封裝(圖4)。在圖4中，在由虛線圍住的區(qū)域中示出的部分表示1個(gè)完成的半導(dǎo)體器件。按每1個(gè)半導(dǎo)體元件封裝切片該晶片形狀的封裝，分割成多個(gè)半導(dǎo)體器件。圖5表示分割后的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
以上，根據(jù)該實(shí)施例的方法，能夠一并加工硅等半導(dǎo)體晶片，另外通過(guò)用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片，能夠作為基體材料處理，有助于提高產(chǎn)量。此外，通過(guò)在用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片時(shí)，在元件間設(shè)置間隙，封裝的外形形狀不依賴于半導(dǎo)體元件的外形。
實(shí)施例2下面，參照?qǐng)D6說(shuō)明實(shí)施例2。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，其特征在于具有收納半導(dǎo)體元件的多層疊層封裝的結(jié)構(gòu)。圖6是在本實(shí)施例中說(shuō)明的半導(dǎo)體器件的剖面圖。在本實(shí)施例中，說(shuō)明疊層安裝有2個(gè)半導(dǎo)體元件的封裝的半導(dǎo)體器件，但該封裝的疊層數(shù)也可以是3層或以上。在本實(shí)施例中，在封裝A上疊層封裝B。
如圖6所示，封裝A，例如，具有由硅半導(dǎo)體構(gòu)成的、厚度例如60μm左右的片狀的半導(dǎo)體元件1，該半導(dǎo)體元件1被第1及第2布線用樹脂膜3、3a夾持地覆蓋。布線用樹脂膜，是用于形成設(shè)在疊層布線基板的芯基板的表面上的布線圖形的疊層的材料，環(huán)氧系熱硬化樹脂膜是其一例。在第1及第2布線用樹脂膜表面，分別設(shè)置包括焊盤等的布線圖形4、4a。
設(shè)在第1布線用樹脂膜3的表面上的布線圖形4，形成在半導(dǎo)體元件1的表面上，通過(guò)由埋入形成在第1布線用樹脂膜上的貫通孔內(nèi)的鍍層等構(gòu)成的連接布線6，電連接半導(dǎo)體元件1的內(nèi)部電路(未圖示)和電連接用的連接電極(未圖示)。設(shè)在第1及第2布線用樹脂膜3、3a上的布線圖形4、4a，經(jīng)由由埋入貫通上述布線用樹脂膜形成的貫通孔內(nèi)的鍍層等構(gòu)成的連接布線6，進(jìn)行電連接。在第2布線用樹脂膜3a的布線圖形4a的連接電極部分，形成軟焊料球等外部連接端子8。外部連接端子8，通過(guò)布線圖形4、4a，與半導(dǎo)體元件1的內(nèi)部電路電連接。除外部連接端子8外，以覆蓋布線圖形4、4a的方式，在第1及第2布線用樹脂膜3、3a表面上，形成抗蝕劑等絕緣膜7、7a。
此外，疊層在封裝A上的封裝B，可以是與封裝A相同的結(jié)構(gòu)·材料，也可以是不相同的。但是，通過(guò)具有用第1及第2布線用樹脂膜3′、3′a夾著所用的半導(dǎo)體元件1′的結(jié)構(gòu)，兩者一致。封裝B，在被第2布線用樹脂膜3′a的絕緣膜7′a覆蓋的布線圖形4′a上，形成軟焊料球等內(nèi)部連接端子8a，在第1布線用樹脂膜3的布線圖形4′上，形成未被絕緣膜7′覆蓋的焊盤區(qū)域9。
在本實(shí)施例中，能夠根據(jù)需要進(jìn)一步疊層。此時(shí)，第3層的內(nèi)部連接端子，與第2層的布線圖形4′的焊盤區(qū)域9連接。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件，如上所述，由于通過(guò)用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體元件，得到新的結(jié)構(gòu)的封裝，所以能夠使半導(dǎo)體器件更加薄型化，通過(guò)多層疊層能夠高密度化。
實(shí)施例3下面，參照?qǐng)D7說(shuō)明實(shí)施例3。
在本實(shí)施例中，其特征在于具有多個(gè)布線用樹脂膜和用多個(gè)布線用樹脂膜夾持半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)。圖7是在本實(shí)施例中說(shuō)明的半導(dǎo)體器件的剖面圖。采用該布線用樹脂膜的封裝，如以往的疊層布線基板一樣，能夠多層疊層。
如圖7所示，半導(dǎo)體器件，例如，具有由硅半導(dǎo)體構(gòu)成的、厚度例如60μm左右的片狀的半導(dǎo)體元件1，該半導(dǎo)體元件1被第1及第2布線用樹脂膜3、3a夾持地覆蓋。布線用樹脂膜，是用于形成設(shè)在疊層布線基板的芯基板的表面上的布線圖形的疊層的材料，環(huán)氧系熱硬化樹脂膜是其一例。
第1布線用樹脂膜3，由直接覆蓋半導(dǎo)體元件1的第1層3b及覆蓋第1層3b的第2層3c構(gòu)成，第2布線用樹脂膜3a，由直接覆蓋半導(dǎo)體元件1的第1層3d及覆蓋第1層3d的第2層3e構(gòu)成。在這些布線用樹脂膜上分別形成布線圖形，通過(guò)這些布線圖形電連接半導(dǎo)體元件1的內(nèi)部電路和外部連接端子8。在第1布線用樹脂膜的第1層3b及第2層3c、第2布線用樹脂膜的第1層3d及第2層3e上，分別設(shè)置布線圖形4b、4c、4d、4e。
通過(guò)埋入在貫通第1布線用樹脂膜及第2布線用樹脂膜形成的貫通孔內(nèi)的連接布線6a，進(jìn)行電連接。布線圖形4c及布線圖形4b，通過(guò)埋入在貫通第1布線用樹脂膜得第1層3b及第2布線用樹脂膜的第1層3d形成的貫通孔內(nèi)的連接布線5b，進(jìn)行電連接。布線圖形4d及布線圖形4e，通過(guò)形成在第2布線用樹脂膜的第2層3e上的連接布線5a，進(jìn)行電連接。
布線圖形4b及形成在半導(dǎo)體元件1上的連接電極10，通過(guò)形成在第1布線用樹脂膜的第1層3b上的連接布線5c，進(jìn)行電連接。第1及第2布線用樹脂膜表面，被絕緣膜7、7a覆蓋保護(hù)。在第2布線用樹脂膜3a的布線圖形4a的連接電極部分上，形成軟焊料球等外部連接端子8。外部連接端子8，經(jīng)由布線圖形4、4a，與半導(dǎo)體元件1的內(nèi)部電路電連接。除外部連接端子8外，以覆蓋布線圖形的方式，在第1及第2布線用樹脂膜3、3a表面上，形成抗蝕劑等絕緣膜7、7a。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件，如上所述，通過(guò)用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體元件，得到新的結(jié)構(gòu)的封裝，能夠使半導(dǎo)體器件薄型化。此外，根據(jù)本實(shí)施例的方法，能夠一并加工硅等半導(dǎo)體晶片，另外通過(guò)用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片，能夠作為基體材料處理，有助于提高產(chǎn)量。此外，通過(guò)在用布線用樹脂膜夾著硅晶片時(shí)，在元件間設(shè)置間隙，封裝的外形形狀不依賴于半導(dǎo)體元件的外形。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于具有，半導(dǎo)體元件；夾著所述半導(dǎo)體元件的第1及第2布線用樹脂膜；分別形成在夾著所述半導(dǎo)體元件的第1及第2布線用樹脂膜的露出的表面上的布線圖形；形成在所述第2布線用樹脂膜的布線圖形露出的表面上的外部連接端子；形成在所述第1布線用樹脂膜上的布線圖形，與所述半導(dǎo)體元件電連接；形成在所述第2布線用樹脂膜上的布線圖形，與形成在所述第1布線用樹脂膜上的布線圖形電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于形成在所述第1布線用樹脂膜上的布線圖形，和形成在所述第2布線用樹脂膜的表面上的布線圖形，通過(guò)埋入在形成在所述第1及第2布線用樹脂膜上的貫通孔內(nèi)的連接布線，進(jìn)行電連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于形成在所述第1布線用樹脂膜表面上的布線圖形，通過(guò)在所述第1布線用樹脂膜中的貫通孔內(nèi)形成的連接布線，進(jìn)行電連接。
4.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具備以下步驟在與切片方向垂直的方向，在能伸縮的粘接片上，搭載通過(guò)切片分離成多個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片的步驟；通過(guò)對(duì)所述粘接片施加張力，在所述半導(dǎo)體元件間形成間隙的步驟；在所述粘接片上的半導(dǎo)體晶片上，從上面粘貼第1布線用樹脂膜，并使其硬化的步驟；從所述半導(dǎo)體晶片上除去所述粘接片，在除去該粘接片的面上，粘貼第2布線用樹脂膜，并使其硬化的步驟；在所述第1及第2布線用樹脂膜的露出的表面上粘貼導(dǎo)電箔，并對(duì)其進(jìn)行刻蝕處理，在各自的表面上形成布線圖形的步驟；通過(guò)埋入在形成在所述第1布線用樹脂膜中的貫通孔內(nèi)的連接布線，將形成在所述第1布線用樹脂膜表面上的布線圖形，電連接在所述半導(dǎo)體元件上的步驟；通過(guò)埋入在形成在所述第1及第2布線用樹脂膜中的貫通孔內(nèi)的連接布線，將形成在所述第2布線用樹脂膜表面上的布線圖形，電連接在形成在所述第1布線用樹脂膜的表面上的布線圖形上的步驟；及在所述第2布線用樹脂膜的布線圖形的表面上，連接外部連接端子的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于埋入在所述貫通孔內(nèi)的連接布線，通過(guò)鍍敷形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，能夠一并加工半導(dǎo)體晶片，由于通過(guò)用布線用樹脂膜夾著半導(dǎo)體晶片，作為基體材料處理，因而能夠提高產(chǎn)量。具有夾著半導(dǎo)體元件(1)的第1及第2布線用樹脂膜(3、3a)、分別形成在夾著所述半導(dǎo)體元件的第1及第2布線用樹脂膜的露出的表面上的布線圖形(4、4a)、形成在所述第2布線用樹脂膜的露出的表面上的外部連接端子(8)。形成在第1布線用樹脂膜上的布線圖形(4)，通過(guò)連接布線(5)與半導(dǎo)體元件電連接，形成在第2布線用樹脂膜上的布線圖形(4a)，通過(guò)連接布線(6)與形成在第1布線用樹脂膜上的布線圖形(4)電連接。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1755927SQ200510102868
公開日2006年4月5日 申請(qǐng)日期2005年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月30日
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