專利名稱:有機薄膜晶體管及包含其的有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有設(shè)計來避免對下方形成的電極布線層損傷的形成圖案的有機半導(dǎo)體層的有機薄膜晶體管(OTFT)，以及包含該OTFT的有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣(AM)有機發(fā)光顯示裝置包括用于每個像素的像素電路。像素電路電連接到掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線，并包括薄膜晶體管(TFT)和存儲電容。有機薄膜晶體管(OTFT)使用有機層作為半導(dǎo)體層代替使用硅層。OTFT可以在低溫操作并可以用作驅(qū)動裝置，從而被作為柔性有機發(fā)光顯示裝置可能的開關(guān)元件被積極研究。
使用OTFT作為開關(guān)裝置的有機發(fā)光顯示裝置包括有機半導(dǎo)體層和多個電極布線層。當(dāng)對有機半導(dǎo)體層形成圖案時，有時可能損傷下方的電極布線層。特別是，當(dāng)形成圖案時，有時可能損傷OTFT的源和漏電極。
OTFT包括形成在源和漏電極上的有機半導(dǎo)體層。在OTFT中，有機半導(dǎo)體層覆蓋部分源和漏電極，這是因為對有機半導(dǎo)體層形成圖案從而只形成溝道，并不完全覆蓋源和漏電極。從而，當(dāng)對OTFT的有機半導(dǎo)體層形成圖案時，有機半導(dǎo)體層是毯覆式(blanket)形成，接著使用激光等移除有機半導(dǎo)體層不會成為部分溝道的部分。由于在對有機半導(dǎo)體層的這一移除當(dāng)中源和漏電極以及其它電極布線層有可能損傷，OTFT可能有缺陷。因此，需要一種不會導(dǎo)致?lián)p傷電極層的OTFT的設(shè)計以及使用其的顯示器的設(shè)計。

發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的目的在于提供一種不會導(dǎo)致?lián)p傷電極布線層的OTFT的設(shè)計以及使用其的顯示器的設(shè)計。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種允許在不損傷下方電極布線層的情況下對有機半導(dǎo)體層形成圖案的OTFT的設(shè)計以及使用其的顯示器的設(shè)計。
本發(fā)明進一步的目的在于提供一種具有用來保護在有機半導(dǎo)體層形成圖案前形成的電極布線層的形成圖案有機半導(dǎo)體層的有機薄膜晶體管(OTFT)，以及包含該OTFT的有機發(fā)光顯示裝置。
按照本發(fā)明的一方面，提供一種有機薄膜晶體管，包括柵電極、與柵電極絕緣的源電極和漏電極，以及與柵電極絕緣并與源和漏電極接觸的有機半導(dǎo)體層，其中有機半導(dǎo)體層覆蓋源和漏電極中的每一個。
可以通過柵絕緣層將源和漏電極與柵電極絕緣。有機半導(dǎo)體層可以完全覆蓋源電極和漏電極中的每一個。該有機薄膜晶體管還可以包括與源和漏電極連接的布線層。該布線層也可以被有機半導(dǎo)體層完全覆蓋。該有機半導(dǎo)體層可以包括選自由以下項構(gòu)成組的材料并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、苝四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚對亞苯基及其衍生物、聚噻吩雜環(huán)芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金屬或不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亞胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
按照本發(fā)明的另一方面，提供一種有機發(fā)光顯示裝置，包括襯底、排列在襯底上的電導(dǎo)體、覆蓋在電導(dǎo)體上的有機半導(dǎo)體層，以及電連接到電導(dǎo)體的有機發(fā)光元件。
有機發(fā)光顯示裝置還可以包括電連接到有機發(fā)光元件的像素電路，其中電導(dǎo)體是像素電路的至少一個電極布線。像素電路可以包括有機薄膜晶體管(TFT)、電容、數(shù)據(jù)布線層、掃描布線層和驅(qū)動布線層。有機薄膜晶體管可以包括柵電極、以及與柵電極絕緣的源和漏電極。有機半導(dǎo)體層可以完全覆蓋電導(dǎo)體。
有機半導(dǎo)體層可以包括選自由以下項構(gòu)成組的材料并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、苝四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚對亞苯基及其衍生物、聚噻吩雜環(huán)芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金屬或不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亞胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
通過結(jié)合附圖參考下列詳細描述將更清楚更容易理解本發(fā)明的全貌及其優(yōu)勢，其中相同或相似的元件使用相似的附圖標(biāo)記，其中圖1是在按照本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示裝置中使用的像素電路(PC)的電路圖；圖2是圖1中的PC的電路圖的詳圖；圖3是按照本發(fā)明實施例的底柵型有機發(fā)光顯示裝置的電極布線層的圖；圖4是形成在圖3中的底柵型有機發(fā)光顯示裝置的電極布線層上的形成圖案的有機半導(dǎo)體層的圖；圖5是圖3中的底柵型有機發(fā)光顯示裝置沿著V-V線的截面圖；圖6是圖3中的底柵型有機發(fā)光顯示裝置沿著VI-VI線的截面圖；以及圖7是按照本發(fā)明另一實施例的頂柵型有機發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。
具體實施方式現(xiàn)在參考附圖，圖1是按照本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示裝置中使用的像素電路(PC)的電路圖。如圖1所示，有機發(fā)光顯示裝置的多個像素中的每一個都包括數(shù)據(jù)線DATA、掃描線SCAN、以及有機發(fā)光元件和向OLED提供電源的電源線Vdd。每個像素的PC電連接到數(shù)據(jù)線DATA、掃描線SCAN和電源線Vdd并控制OLED的發(fā)光。
現(xiàn)在參考圖2，圖2是按照本發(fā)明實施例的圖1中的PC的電路圖的詳圖。PC包括驅(qū)動TFT M1、開關(guān)TFT M2以及單個存儲電容Cst。參考圖2，按照本發(fā)明的本實施例的有機發(fā)光顯示裝置的每個像素包括至少兩個薄膜晶體管，即開關(guān)TFT M2和驅(qū)動TFT M1，存儲電容Cst和OLED。
開關(guān)TFT M2是由掃描線SCAN接收的掃描信號接通或關(guān)斷，并將數(shù)據(jù)信號從數(shù)據(jù)線DATA傳遞到存儲電容Cst以及驅(qū)動TFT M1。本發(fā)明并不限于如圖2所示的開關(guān)TFT M2是單個TFT的情況。可選地，開關(guān)器件可以包括多個TFT和電容。圖2中的像素可以進一步包括補償驅(qū)動TFT M1的Vth值的電路或者補償電源線Vdd中的壓降的電路。
驅(qū)動TFT M1根據(jù)通過開關(guān)TFT M2接收的數(shù)據(jù)信號決定流入OLED的電流量。存儲電容Cst存儲通過開關(guān)TFT M2接收的一幀數(shù)據(jù)信號。
盡管在圖2中驅(qū)動TFT M1和開關(guān)TFT M2顯示為PMOS TFT，但本發(fā)明不限于此。驅(qū)動TFT M1和開關(guān)TFT M2中的至少一個可被實現(xiàn)為NMOS TFT。另外，TFT的數(shù)量和電容的數(shù)量也不限于圖2中所示。換句話說，可以包括比圖2中顯示的更多的TFT和更多的電容。
現(xiàn)在參考圖3到圖6，圖3是按照本發(fā)明實施例的底柵型有機發(fā)光顯示裝置100的電極布線層的圖，圖4是在圖3中的底柵型有機發(fā)光顯示裝置100的電極布線層上形成的形成圖案的有機半導(dǎo)體層的圖，圖5是圖3中的底柵型有機發(fā)光顯示裝置100沿著V-V線的截面圖，以及圖6是圖3中的底柵型有機發(fā)光顯示裝置100沿著VI-VI線的截面圖。
現(xiàn)在參考圖3，驅(qū)動TFT M1包括第一源電極111、第一漏電極112和第一柵電極113。開關(guān)TFT M2包括第二源電極121、第二漏電極122和第二柵電極123。構(gòu)成數(shù)據(jù)線DATA的數(shù)據(jù)布線層130電連接到第二源電極121。構(gòu)成掃描線SCAN的掃描布線層140電連接到第二柵電極123。構(gòu)成電源線Vdd的驅(qū)動布線層150電連接到第一源電極111。像素電極160電連接到第一漏電極112。另外，存儲電容Cst中包含的第一電容層171通過接觸孔(未示出)連接到第二漏電極122。配置第二電容層172使得電連接到驅(qū)動布線層150。
此處，第一源電極111、第一漏電極112、第二源電極121、第二漏電極122、數(shù)據(jù)布線層130、驅(qū)動電極150和第二電容層172形成在柵絕緣層193之上。第一柵電極113、第二柵電極123、掃描布線層140和第一電容層171形成在緩沖層192之上。第一源電極111、第一漏電極112、第二源電極121、第二漏電極122、數(shù)據(jù)布線層130、驅(qū)動電極150、第二電容層172、第一柵電極113、第二柵電極123、掃描布線層140和第一電容層171都是電導(dǎo)體。
在每個電極形成之后，在柵絕緣層193上形成有機半導(dǎo)體層。在形成有機半導(dǎo)體層之后，使用激光燒蝕(LAT)法對有機半導(dǎo)體層形成圖案。
當(dāng)對有機半導(dǎo)體層進行形成圖案時，有機半導(dǎo)體層被移除的部分在圖4中由陰影區(qū)域(P)表示。由此，沒有暴露出金屬，因此沒有移除覆蓋著電極布線層的任何有機半導(dǎo)體層。特別地，形成在柵絕緣層193上的第一源電極111、第一漏電極112、第二源電極121、第二漏電極122、數(shù)據(jù)布線層130、驅(qū)動布線層150、第二電容層172仍然由有機半導(dǎo)體層完全覆蓋，即使是在對有機半導(dǎo)體層進行形成圖案之后。
應(yīng)注意，在對有機半導(dǎo)體層形成圖案的LAT處理當(dāng)中可能損傷下方的電極布線層，尤其當(dāng)有機半導(dǎo)體層移離下方的電極布線層。從而，本發(fā)明通過只移除不在電極布線層頂部的有機半導(dǎo)體層部分而避免對電極布線層的這種損傷。
現(xiàn)在參考圖5和6，圖5和6分別顯示了按照本發(fā)明實施例的包含按上述方法形成圖案后的有機半導(dǎo)體層180的底柵型有機發(fā)光顯示裝置100的截面圖。參考圖5，緩沖層192形成在襯底191上。第一柵電極113形成在緩沖層192上。在形成第一柵電極113之后，形成柵絕緣層193以覆蓋第一柵電極113。
此處，襯底191可以是玻璃襯底、塑料襯底或金屬襯底。金屬襯底可以由金屬箔形成，例如，不銹鋼、Ti、Mo、因瓦合金、因康乃爾合金、科伐合金或類似物。塑料襯底可以包括由下列之一制造的塑料膜聚醚砜(PES)、聚丙稀環(huán)酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇脂(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亞胺、聚碳酸脂(PC)、三乙酸纖維素(TAC)或乙酸丙酸纖維素(CAP)。
緩沖層192是由有機化合物和/或無機化合物形成，優(yōu)選地為SiOx(x≥1)或SiNx(x≥1)。柵絕緣層193可以是有機絕緣層、無機絕緣層或有機-無機混合層并可以形成為單層或多層結(jié)構(gòu)。
同時，在形成柵絕緣層193之后，在柵絕緣層193上形成第一源電極111和第一漏電極112。使用上述形成圖案方法形成有機半導(dǎo)體層180。此處，有機半導(dǎo)體層180完全覆蓋第一源電極111和第一漏電極112。
第一源電極111、第一漏電極112和第一柵電極113是由具有良好導(dǎo)電性的材料形成的，例如金屬如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其化合物等。
有機半導(dǎo)體層180可以由下列至少一種形成并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、苝四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚對亞苯基及其衍生物、聚噻吩雜環(huán)芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金屬或不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亞胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
現(xiàn)在參考圖6，第二電容層172形成在柵絕緣層193之上，其中有機半導(dǎo)體層180是以上述形成圖案方法形成以完全覆蓋第二電容層172。進一步形成平坦絕緣層194以覆蓋有機半導(dǎo)體層180。像素電極160形成在平坦絕緣層194之上，同時通過接觸孔194a電連接到第一漏電極112。接觸孔194a可以使用激光蝕刻方法、光刻方法等形成。
在形成像素電極160之后，形成像素限定層195以覆蓋像素電極160。在像素限定層195上形成預(yù)定開口195a。像素限定層195可以是有機絕緣層、無機絕緣層或有機-無機混合層，并可形成為單層或多層結(jié)構(gòu)。
有機絕緣層可以由聚合物材料形成，例如，常規(guī)用途的化合物(PMMA，PS)、包含苯酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亞胺基聚合物、芳醚基、酰氨基聚合物、氟基聚合物、對二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、其共混物、或類似物。無機絕緣層可以是SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT或類似物。
像素限定層195可以使用噴墨印刷法形成。首先，對像素電極160的某些部分進行表面處理。在未處理襯底表面與油墨之間的粘合力良好的情況下，使用氟基等離子體來制造對應(yīng)于開口195a防水的襯底表面部分。此處，在用氟基等離子體進行表面處理中使用CF4或C3F8這樣的氟基氣體。接著通過從噴墨頭釋放包含用于像素限定層195的絕緣材料的溶液來形成像素限定層195。在像素電極160的表面處理部分形成穿過像素限定層195暴露出像素電極160的開口195a。
在未處理襯底表面與油墨之間的粘合力較差的情況下，也就是說，襯底表面是防水的，像素限定層195可以通過以Ar和O2等離子體對襯底表面不對應(yīng)于開口195a的部分進行表面處理形成。即，通過使用Ar和O2等離子體將除了對應(yīng)于開口195a的像素電極160之外的襯底表面部分進行表面處理，襯底表面被親水化以增加粘合力。接著，當(dāng)在襯底表面上釋放了包含用于形成像素限定層195的絕緣材料的油墨，像素限定層195僅僅在具有增強粘合力的被表面處理的部分被涂敷。從而，不在沒用等離子體進行表面處理的像素電極160的表面上形成像素限定層195。同時，在暴露出來的像素電極160上按順序疊加有機發(fā)光層196和相對電極197。此處，形成相對電極197是為了覆蓋所有像素，但是相對電極197的結(jié)構(gòu)不限于此。也就是說，可以對相對電極197形成圖案。
當(dāng)像素電極160是陽極時，相對電極197是陰極，反之亦然。在本發(fā)明的當(dāng)前實施例中，像素電極160是陽極。
當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置100是底發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置時，像素電極160可以是透明電極，而相對電極197可以是反射電極。此處，透明電極具有高的功函數(shù)，并可以由透明的ITO、IZO、In2O3、ZnO等形成。構(gòu)成相對電極197的反射電極是由金屬構(gòu)成，例如具有低功函數(shù)的Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其化合物。
當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置100是頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置時，像素電極160可以是反射電極，而相對電極197可以是透明電極。此處，構(gòu)成像素電極160的反射電極可以通過用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、其化合物等形成反射層，并在反射層上形成具有高功函數(shù)的ITO、IZO、In2O3、ZnO等而形成。構(gòu)成相對電極197的透明電極是通過沉積具有低功函數(shù)的Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、其化合物等、并在其上用例如ITO、IZO、ZnO、In2O3等的透明材料形成輔助電極層或總線而形成的。
當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置100是雙發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置時，像素電極160和相對電極197都可以是透明電極。
形成像素電極160和相對電極197的材料可以不限于上述材料，也就是說，像素電極160和相對電極197可以由導(dǎo)電材料、包含導(dǎo)電顆粒例如Ag、Mg、Cu等的導(dǎo)電膠形成。當(dāng)像素電極160和相對電極197是由導(dǎo)電膠形成時，導(dǎo)電膠可以使用噴墨法印刷。在印刷之后，將導(dǎo)電膠燒結(jié)以形成像素電極160和相對電極197。
有機發(fā)光層196可以是小分子量的有機層或聚合物有機層。當(dāng)有機發(fā)光層196是小分子量的有機層時，可以將空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等相疊以具有單層或多層結(jié)構(gòu)。有機發(fā)光層196可以由有機材料形成，例如銅酞菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三(8-喹啉酚根)合鋁(Alq3)、或類似物，但是用于形成有機發(fā)光層196的材料不限于此?？梢允褂脷庀喑练e法形成小分子量有機層。
聚合物有機層通?？梢园℉TL和EML。此處，HTL可以由PEDOT形成。EML可以使用絲網(wǎng)印刷法、噴墨法等由聚合物有機材料形成，例如聚亞苯基亞乙烯基(PPV)材料、聚芴基材料等。
在形成底柵型有機發(fā)光顯示裝置100之后，將其上部密封，以避免接觸空氣。
按照本發(fā)明的當(dāng)前實施例，通過對有機半導(dǎo)體層180形成圖案從而完全覆蓋形成在柵絕緣層193上的電極布線層，也就是第一源電極111、第一漏電極112、第二源電極121、第二漏電極122、數(shù)據(jù)布線層130、驅(qū)動布線層150以及第二電容層172，這些電極布線層在對有機半導(dǎo)體層180進行形成圖案的過程中不會受到損傷。
現(xiàn)在參考圖7，圖7是按照本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光顯示裝置200的示意性截面圖。有機發(fā)光顯示裝置200是頂柵型有機發(fā)光顯示裝置。下面參考圖7介紹該頂柵型有機發(fā)光顯示裝置200的結(jié)構(gòu)。
首先，在襯底291上形成緩沖層292。在緩沖層292上形成第一源電極211和第一漏電極212。雖然未在圖7中顯示，在緩沖層292上還可以形成第二源電極、第二漏電極、數(shù)據(jù)布線層、驅(qū)動布線層以及第二電容層。
在形成類似于底柵型有機發(fā)光顯示裝置100中的有機層180的有機半導(dǎo)體層280之后，使用LAT法對有機半導(dǎo)體層280進行形成圖案。對有機半導(dǎo)體層280形成圖案使得形成圖案的有機半導(dǎo)體層完全覆蓋第一源電極211和第一漏電極212中的每一個。盡管未在圖7中顯示，對有機半導(dǎo)體層280形成圖案使得完全覆蓋緩沖層292上的其它電極布線層，例如第二源電極、第二漏電極、數(shù)據(jù)布線層、驅(qū)動布線層以及第二電容層。
當(dāng)使用LAT法對頂柵型有機發(fā)光顯示裝置200進行形成圖案之后，因為有機半導(dǎo)體層280和在有機半導(dǎo)體層280下方的電極的某些部分可能受到損傷，將要移除的有機半導(dǎo)體層的部分是未覆蓋形成在緩沖層292上的電極布線層的有機半導(dǎo)體層部分。
接著，進一步形成柵絕緣層293，從而覆蓋有機半導(dǎo)體層280，并在柵絕緣層293上形成第一柵電極213和像素電極260。盡管在圖7中未示出，在柵絕緣層293上還可以形成第二柵電極、掃描布線層、第一電容層。
在形成第一柵電極213、像素電極260等之后，在柵絕緣層293上形成像素限定層295，穿過其形成開口295a。在柵絕緣層293和有機半導(dǎo)體層280上形成另外的接觸孔293a以電連接像素電極260和第一漏電極212。
隨后在暴露出的像素電極260上相疊有機發(fā)光層296和相對電極297。在形成頂柵型有機發(fā)光顯示裝置200之后，將有機發(fā)光顯示裝置200的頂部密封以避免接觸空氣。
圖7中所顯示的第一源電極211、第一漏電極212、第一柵電極213、像素電極260、有機半導(dǎo)體層280、襯底291、緩沖層292、柵絕緣層293、像素限定層295、有機發(fā)光層296以及相對電極297的結(jié)構(gòu)，分別相當(dāng)于有機發(fā)光顯示裝置100中的第一源電極111、第一漏電極112、第一柵電極113、像素電極160、有機半導(dǎo)體層180、襯底191、緩沖層192、柵絕緣層193、像素限定層195、有機發(fā)光層1296以及相對電極197，從而省略對它們的詳細描述。
按照本發(fā)明的當(dāng)前實施例，通過對有機半導(dǎo)體層280形成圖案從而完全覆蓋所有形成在緩沖層292上的電極布線層，也就是第一源電極211、第一漏電極212、第二源電極、第二漏電極、數(shù)據(jù)布線層、驅(qū)動布線層以及第二電容層，在對有機半導(dǎo)體層280形成圖案的過程中不會損傷這些電極布線層。
由于有機發(fā)光顯示裝置200在此處沒有描述的結(jié)構(gòu)、操作和效果與圖1到6中顯示的有機發(fā)光顯示裝置100的結(jié)構(gòu)、操作和效果類似，從而省略對它們的詳細描述。
盡管本發(fā)明是應(yīng)用于有機發(fā)光顯示裝置，但本發(fā)明還可以應(yīng)用于各種類型的平板顯示裝置，例如液晶顯示裝置等，其中可以使用有機半導(dǎo)體層。如上所述，通過對有機半導(dǎo)體層進行形成圖案以保護在對有機半導(dǎo)體層形成圖案前形成的電極布線層，可以保護電極布線層，并可以改善產(chǎn)品質(zhì)量。
雖然本發(fā)明按照其具體實施例進行了詳細的描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，可以在其中進行形式和細節(jié)上的各種改變，并不脫離本發(fā)明權(quán)利要求
書所限定的范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機薄膜晶體管(OTFT)，包括柵電極；與所述柵電極絕緣的源電極和漏電極；以及與所述柵電極絕緣并連接到所述源和漏電極的有機半導(dǎo)體層，其中所述有機半導(dǎo)體層覆蓋所述源和漏電極中的每一個。
2.如權(quán)利要求
1所述的有機薄膜晶體管，其中所述源和漏電極通過柵絕緣層與所述柵電極絕緣。
3.如權(quán)利要求
1所述的有機薄膜晶體管，其中所述有機半導(dǎo)體層包括選自下組中的材料并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、苝四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚對亞苯基及其衍生物、聚噻吩雜環(huán)芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金屬或不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亞胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
4.如權(quán)利要求
1所述的有機薄膜晶體管，其中所述有機半導(dǎo)體層完全覆蓋所述源電極和漏電極中的每一個。
5.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括襯底；布置在所述襯底上的電導(dǎo)體；覆蓋所述電導(dǎo)體的有機半導(dǎo)體層；以及電連接到所述電導(dǎo)體的有機發(fā)光元件。
6.如權(quán)利要求
5所述的有機發(fā)光顯示裝置，進一步包括電連接到所述有機發(fā)光元件的像素電路，其中所述電導(dǎo)體是所述像素電路的至少一個電極布線。
7.如權(quán)利要求
6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述像素電路包括有機薄膜晶體管(TFT)、電容、數(shù)據(jù)布線層、掃描布線層和驅(qū)動布線層。
8.如權(quán)利要求
7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述有機薄膜晶體管包括柵電極、以及與所述柵電極絕緣的源和漏電極。
9.如權(quán)利要求
5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述有機半導(dǎo)體層包括選自下組中的材料并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒烯及其衍生物、暈苯及其衍生物、苝四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚對亞苯基及其衍生物、聚噻吩雜環(huán)芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金屬或不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亞胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亞胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
10.如權(quán)利要求
5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述有機半導(dǎo)體層完全覆蓋所述電導(dǎo)體。
11.如權(quán)利要求
1所述的有機薄膜晶體管，進一步包括連接到所述源和漏電極的布線層。
12.如權(quán)利要求
11所述的有機薄膜晶體管，其中所述有機半導(dǎo)體層完全覆蓋所述布線層。
專利摘要
本發(fā)明涉及一種在電極布線層的頂部具有形成圖案的有機半導(dǎo)體層的有機薄膜晶體管(OTFT)。為了避免對下方電極布線層的損傷，對有機半導(dǎo)體層形成圖案使得在電極布線層上的有機半導(dǎo)體層不被移除。形成圖案的有機半導(dǎo)體層完全覆蓋所有的下方的電極布線層。該OTFT包括柵電極、與柵電極絕緣的源和漏電極，以及與柵電極絕緣并連接到源和漏電極的有機半導(dǎo)體層，其中有機半導(dǎo)體層完全覆蓋源和漏電極。此外，還涉及一種有機發(fā)光顯示裝置，包括不止一個OTFT，以及電連接到電導(dǎo)體的有機發(fā)光元件。
文檔編號H01L27/32GK1996637SQ200710001861
公開日2007年7月11日 申請日期2007年1月2日
發(fā)明者姜泰旻, 安澤, 徐旼徹 申請人:三星Sdi株式會社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan