專利名稱:薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管(thin film transistor)，且特別涉及一種適于制造在可撓曲性基板(flexible substrate)上的薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
為了配合現(xiàn)代人的生活模式，視頻或圖像裝置的體積日漸趨于輕薄，雖然傳統(tǒng)的陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器仍有其優(yōu)點，但是由于其內(nèi)部電子腔的結(jié)構(gòu)，使得陰極射線管顯示器的體積顯得龐大而且占空間，并且在陰極射線管顯示器輸出圖像的同時會產(chǎn)生輻射線而傷害眼睛。因此，結(jié)合光電技術(shù)與半導(dǎo)體制造技術(shù)所發(fā)展的平面型顯示器(Flat Panel Display，F(xiàn)PD)，例如等離子顯示器(Plasma Display Panel，DPD)、液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機電致發(fā)光顯示器(OrganicElectro-Luminescence Display，OEL Display)、電子墨水顯示器(Electronic-ink Display)已逐漸成為顯示器產(chǎn)品的主流。
一般而言，平面顯示器是否具備可撓曲性，取決于其所使用的基板材料，當平面顯示器所使用的基板為硬質(zhì)基板(如玻璃基板)時，平面顯示器將不具有可撓曲性，反之，平面顯示器所使用的基板為可撓曲性基板(如塑料基板)時，平面顯示器便具有良好的可撓曲性。目前，在硬質(zhì)基板上制造薄膜晶體管的技術(shù)已漸趨成熟，但在可撓曲性基板上制造薄膜晶體管的技術(shù)仍有待開發(fā)。詳言之，由于可撓曲性基板的熱膨脹系數(shù)(thermal expansion coefficient)很高，因此，在可撓曲性基板上進行不同的薄膜沉積工藝(高溫工藝)、光刻工藝、蝕刻工藝之后，將會使得薄膜與薄膜之間發(fā)生嚴重的誤對準(mis-alignment)，進而導(dǎo)致薄膜晶體管失效。
圖1是一種公知的薄膜晶體管的布局示意圖。請參照圖1，公知的薄膜晶體管100通常是制造于基板(圖中未示出)上，且薄膜晶體管100包括柵極102、柵絕緣層104、通道層106、源極108，以及漏極110。其中，柵極102設(shè)置于基板上，且柵絕緣層104覆蓋于基板上，以覆蓋住柵極102。通道層106位于柵極102的上方，換言之，柵絕緣層104位于柵極102與通道層106之間。此外，源極108與漏極110設(shè)置于部分的柵絕緣層104上，并且覆蓋住部分的通道層106。
當所采用的基板為熱膨脹系數(shù)很高的可撓曲性基板時，柵極102與其它薄膜之間的偏移便會產(chǎn)生。如圖1中的虛線所示，當柵極102與源極108和漏極110之間發(fā)生誤對準時，源極108便會無法覆蓋于通道層106上，意即，薄膜晶體管100無法正常的操作。由圖1可清楚得知，薄膜晶體管100的布局(layout)對于X軸方向與Y軸方向上的誤對準的容許偏差(tolerance)都不佳，因此，在可撓曲性基板上制造薄膜晶體管100時，其制造合格率無法有效地提高。
為了提高薄膜晶體管在可撓曲性基板上的制造合格率，許多業(yè)者傾向?qū)⒐に嚋囟认拗圃?00℃以下，并且采用熱膨脹系數(shù)較低的可撓曲性基板。然而，基于材料成本、基板透光率、工藝中所使用的化學(xué)液的搭配程度、工藝溫度等因素，要找到合適可撓曲性基板并不容易。除此之外，已有業(yè)者提出了具有特殊布局的薄膜晶體管，以提高合格率，而其布局將搭配圖2詳述于后。
圖2A是另一種公知的薄膜晶體管的布局示意圖。請參照圖2A，薄膜晶體管200是制造于可撓曲性基板(圖中未示出)上，且薄膜晶體管200包括柵極202、柵絕緣層204、通道層206、源極208，以及漏極210。其中，柵極202設(shè)置于基板上，且柵絕緣層204覆蓋于基板上，以覆蓋住柵極202。通道層206位于柵極202的上方，換言之，柵絕緣層204位于柵極202與通道層206之間。此外，源極208與漏極210設(shè)置于部分的柵絕緣層204上，并且覆蓋住部分的通道層206。
由圖2A可知，當柵極202與源極208和漏極210之間發(fā)生誤對準時，源極208和漏極210仍然會覆蓋于部分通道層206上，意即，薄膜晶體管200仍能夠正常的操作。與圖1的薄膜晶體管100相比較，柵極202與通道層206的布局對于X軸方向上的誤對準的容許偏差較佳，且源極208與漏極210的布局對于Y軸方向上的誤對準的容許偏差亦較佳。因此，薄膜晶體管200的制造合格率將會比薄膜晶體管100的制造合格率高。
圖2B是薄膜晶體管的柵極與通道層發(fā)生Y軸方向上的誤對準時的示意圖。請參照圖2B，當柵極202與通道層206發(fā)生Y軸方向上的誤對準時，薄膜晶體管200很有可能無法正常地操作，主要原因在于薄膜晶體管200的布局中并未考慮到柵極202與通道層206之間的誤對準，因此，柵極202與通道層206對于Y軸方向上的誤對準的容許偏差明顯不足，仍須做進一步的改善。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明之目的是提供一種薄膜晶體管，其對于各薄膜間的誤對準的容許偏差很高，即使各薄膜間發(fā)生誤對準時，薄膜晶體管仍然可以正常操作。
為達上述或是其它目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管，此薄膜晶體管適于設(shè)置在可撓曲性基板上。本發(fā)明的薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、通道層、第一導(dǎo)體圖案，以及第二導(dǎo)體圖案。柵極設(shè)置于可撓曲性基板上，而柵絕緣層設(shè)置于可撓曲性基板上，以覆蓋柵極。通道層設(shè)置于柵絕緣層上，且位于柵極上方。通道層具有至少一個第一接觸區(qū)以及多個第二接觸區(qū)，且第一接觸區(qū)位于第二接觸區(qū)之間。此外，第一導(dǎo)體圖案設(shè)置于部分柵絕緣層以及通道層的第一接觸區(qū)上，而第二導(dǎo)體圖案則設(shè)置部分的柵絕緣層以及通道層的第二接觸區(qū)上，且第一導(dǎo)體圖案與第二導(dǎo)體圖案彼此電絕緣。
在本發(fā)明之一實施例中，上述第一接觸區(qū)的數(shù)量可為1個，而第二接觸區(qū)的數(shù)量可為2個。此外，第一接觸區(qū)例如是位于通道層的中間，而第二接觸區(qū)例如是分別位于第一接觸區(qū)的兩側(cè)。
在本發(fā)明之一實施例中，上述通道層的材料為非晶硅或是微晶硅(micro-crystalline silicon)。
在本發(fā)明之一實施例中，上述第一導(dǎo)體圖案包括覆蓋住第一接觸區(qū)的漏極，而第二導(dǎo)體圖案包括多個覆蓋住第二接觸區(qū)的源極，以及一條與源極連接的數(shù)據(jù)線。此外，源極與漏極的延伸方向例如是平行或垂直于數(shù)據(jù)線的延伸方向。
在本發(fā)明之一實施例中，上述第一導(dǎo)體圖案包括覆蓋住第一接觸區(qū)的漏極，而第二導(dǎo)體圖案包括源極，以及一條與源極連接的數(shù)據(jù)線，且源極以及數(shù)據(jù)線覆蓋住第二接觸區(qū)。此外，源極與漏極的延伸方向例如是平行于數(shù)據(jù)線的延伸方向。
在本發(fā)明之一實施例中，上述第二導(dǎo)體圖案包括多個覆蓋住第二接觸區(qū)的漏極，而第一導(dǎo)體圖案包括覆蓋住第一接觸區(qū)的源極，以及一條與源極連接的數(shù)據(jù)線。此外，源極與漏極的延伸方向例如是平行或垂直于數(shù)據(jù)線的延伸方向。
由于本發(fā)明之薄膜晶體管采用雙源極或是雙漏極的結(jié)構(gòu)，因此當各薄膜之間發(fā)生誤對準時，只要誤對準的程度不是太離譜，本發(fā)明的薄膜晶體管仍能維持正常的操作。因此，本發(fā)明的薄膜晶體管可以克服可撓曲性基板所導(dǎo)致的誤對準問題。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管在制造上與現(xiàn)行的工藝兼容，且制造合格率可大幅地提高。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。
圖1是一種公知的薄膜晶體管的布局示意圖。
圖2A是另一種公知的薄膜晶體管的布局示意圖。
圖2B是薄膜晶體管的柵極與通道層發(fā)生Y軸方向上的誤對準時的示意圖。
圖3A是依照本發(fā)明第一實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。
圖3B是第一實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。
圖4A是依照本發(fā)明第二實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。
圖4B是第二實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。
圖5A是依照本發(fā)明第三實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。
圖5B是第三實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。
圖6A是依照本發(fā)明第四實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。
圖6B是第四實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。
圖7A是依照本發(fā)明第五實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。
圖7B是第五實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。
主要元件標記說明100、200、300、300a、300b、300c、300d薄膜晶體管102、202、302柵極104、204、304柵絕緣層106、206、306通道層108、208源極110、210漏極306a第一接觸區(qū)306b第二接觸區(qū)308第一導(dǎo)體圖案310第二導(dǎo)體圖案S、S1、S2源極D、D1、D2漏極SL掃描線DL數(shù)據(jù)線
L長度L1、L2線寬W寬度具體實施方式
第一實施例圖3A是依照本發(fā)明第一實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。請參照圖3A，本實施例之薄膜晶體管300適于設(shè)置在可撓曲性基板(圖中未示出)上，且薄膜晶體管300包括柵極302、柵絕緣層304、通道層306、第一導(dǎo)體圖案308，以及第二導(dǎo)體圖案310。其中，柵極302設(shè)置于可撓曲性基板上，而柵絕緣層304設(shè)置于可撓曲性基板上，以覆蓋柵極302。通道層306設(shè)置于柵絕緣層304上，且位于柵極302上方。通道層306具有至少一個第一接觸區(qū)306a以及多個第二接觸區(qū)306b，且第一接觸區(qū)306a位于第二接觸區(qū)306b之間。此外，第一導(dǎo)體圖案308設(shè)置于部分的柵絕緣層304以及通道層306的第一接觸區(qū)306a上，而第二導(dǎo)體圖案310則設(shè)置部分的柵絕緣層304以及通道層306的第二接觸區(qū)306b上，且第一導(dǎo)體圖案308與第二導(dǎo)體圖案310彼此電絕緣。
一般而言，薄膜晶體管300的柵極302會與掃描線SL連接，且柵極302通常會從掃描線SL的一側(cè)凸出(如圖3A所示)，然而，本發(fā)明并不限定柵極302與掃描線SL的連接形式；換言之，本發(fā)明的柵極302亦可以是分別從掃描線SL的兩側(cè)凸出，或是直接整合于掃描線SL中(無凸出)，至于柵極302是何種形式，視制造者的需求而定。
在本發(fā)明中，柵絕緣層304可以是氧化硅層、氮化硅層，或是氮氧化硅層等介電層，當然，柵絕緣層304亦可以是由上述不同材料的介電層所構(gòu)成的復(fù)合絕緣層。
在本實施例中，第一導(dǎo)體圖案308包括覆蓋住第一接觸區(qū)306a的漏極D，而第二導(dǎo)體圖案310則包括多個覆蓋住第二接觸區(qū)306b的源極S1、S2以及一條與源極S1、S2連接的數(shù)據(jù)線DL。由圖3A可清楚得知，本實施例的源極S1、S2與漏極D的延伸方向大致上是垂直于數(shù)據(jù)線DL的延伸方向，當然，本發(fā)明并不限定源極S1、S2與漏極D的延伸方向必須是垂直于數(shù)據(jù)線DL的延伸方向。
請參照圖3A，本實施例的通道層306例如是具有矩形輪廓的非晶硅圖案(a-Si pattern)或是微晶硅圖案(micro-crystalline Si pattern)，且通道層的長度與寬度分別為L以及W。值得注意的是，通道層306中的第一接觸區(qū)306a指得是源極S1、S2下方的非晶硅層或微晶硅層，其尺寸取決于源極S1、S2的線寬L1以及通道層的寬度W，另外，通道層306中的第二接觸區(qū)306b指得是漏極D下方的非晶硅層或微晶硅層，其尺寸取決于漏極D的線寬L2以及通道層的寬度W。換言之，第一接觸區(qū)306a的分布位置及數(shù)量是由漏極D的所在位置及數(shù)量決定，且第二接觸區(qū)306b的分布位置及數(shù)量是由源極S1、S2的所在位置及數(shù)量決定。具體而言，本實施例的第一接觸區(qū)306a的數(shù)量為1個，而第二接觸區(qū)306的數(shù)量為2個，且第一接觸區(qū)306a會位于通道層306的中間，而第二接觸區(qū)306b則分別位于第一接觸區(qū)306a的兩側(cè)。
圖3B是第一實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。請參照圖3B，在可撓曲性基板上制造薄膜晶體管300時，柵極302、通道層306、第一導(dǎo)體圖案308以及第二導(dǎo)體圖案310彼此之間，常會因為可撓曲性基板的膨脹與收縮而發(fā)生誤對準，且誤對準通常包含了X軸方向與Y軸方向上的偏移。以圖3B為例，由于誤對準的緣故，源極S1并無法與通道層306接觸，因此，源極S1與漏極D之間的通道層306并無法發(fā)揮正常的功能。此時，源極S2與漏極D之間的通道層306仍能發(fā)揮正常的功能。
承上述，本實施例之薄膜晶體管300在誤對準發(fā)生的情況下，仍能正常地操作。因此，本實施例之薄膜晶體管300在制造時的工藝裕度(processwindow)將大幅放寬，且伴隨而來的便是工藝合格率的提高，以及工藝成本的下降。
第二實施例圖4A是依照本發(fā)明第二實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。請參照圖4A，本實施例之薄膜晶體管300a與第一實施例之薄膜晶體管300相似，兩者同屬雙源極(dual source)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，惟兩者的主要差異在于源極S1、源極S2與漏極D的延伸方向。詳言之，在本實施例的薄膜晶體管300a中，源極S1、源極S2與漏極D的延伸方向是平行于數(shù)據(jù)線DL的延伸方向。
圖4B是第二實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。請參照圖4B，當柵極302、通道層306、第一導(dǎo)體圖案308以及第二導(dǎo)體圖案310彼此之間因可撓曲性基板的膨脹與收縮而發(fā)生誤對準時，源極S1與漏極D之間的通道層306便無法發(fā)揮正常的功能，主要原因是此部分的通道層306無法受到柵極302的控制而呈現(xiàn)導(dǎo)通的狀態(tài)。此時，源極S2與漏極D之間的通道層306仍能夠受到柵極302的控制，而發(fā)揮正常的功能。
第三實施例圖5A是依照本發(fā)明第三實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。請參照圖5A，本實施例之薄膜晶體管300b與第二實施例之薄膜晶體管300a相似，但兩者的主要差異在于本實施例的薄膜晶體管300b不具有源極S1，僅具有源極S2與數(shù)據(jù)線DL。詳言之，在本實施例的薄膜晶體管300b中，第二導(dǎo)體圖案310包括源極S2以及一條與源極S2連接的數(shù)據(jù)線DL，且源極S2以及數(shù)據(jù)線DL會分別覆蓋住對應(yīng)的第二接觸區(qū)306b。
在本實施例中，源極S2與漏極D的延伸方向是平行于數(shù)據(jù)線DL的延伸方向。除此之外，本實施例的第二接觸區(qū)306b的分布位置及數(shù)量不再是由源極S1、S2的所在位置及數(shù)量決定(第二實施例)，而是由源極S2與數(shù)據(jù)線DL的所在位置及數(shù)量決定。
圖5B是第三實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。請參照圖5B，當柵極302、通道層306、第一導(dǎo)體圖案308以及第二導(dǎo)體圖案310彼此之間因可撓曲性基板的膨脹與收縮而發(fā)生誤對準時，由于數(shù)據(jù)線DL無法與通道層306接觸，因此數(shù)據(jù)線DL與漏極D之間的通道層306并無法發(fā)揮正常的功能。此時，源極S2與漏極D之間的通道層306仍能夠受到柵極302的控制，而發(fā)揮正常的功能。
第四實施例圖6A是依照本發(fā)明第四實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。請參照圖6A，本實施例之薄膜晶體管200c與第一實施例之薄膜晶體管200相似，但兩者的主要差異在于第一導(dǎo)體圖案308與第二導(dǎo)體圖案310的設(shè)計。詳言之，本實施例之第一導(dǎo)體圖案308包括覆蓋住第一接觸區(qū)306a的源極S以及一條與源極S連接的數(shù)據(jù)線DL，而第二導(dǎo)體圖案310包括多個覆蓋住第二接觸區(qū)306b的漏極D1、D2。值得注意的是，本實施例的源極S與漏極D1、D2的延伸方向是垂直于數(shù)據(jù)線DL的延伸方向，當然，本發(fā)明并不限定源極S與漏極D1、D2的延伸方向必須是垂直于數(shù)據(jù)線DL的延伸方向。
圖6B是第四實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。請參照圖6B，當柵極302、通道層306、第一導(dǎo)體圖案308以及第二導(dǎo)體圖案310彼此之間因可撓曲性基板的膨脹與收縮而發(fā)生誤對準時，源極S與漏極D1之間的通道層306便無法發(fā)揮正常的功能，主要原因是此部分的通道層306無法受到柵極302的控制而呈現(xiàn)導(dǎo)通的狀態(tài)。此時，源極S與漏極D2之間的通道層306仍能夠受到柵極302的控制，而發(fā)揮正常的功能。
第五實施例圖7A是依照本發(fā)明第五實施例之薄膜晶體管的布局示意圖。請參照圖7A，本實施例之薄膜晶體管300d與第四實施例之薄膜晶體管300c相似，兩者同屬雙漏極(dual drain)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，但兩者的主要差異在于源極S、漏極D1與漏極D2的延伸方向。詳言之，在本實施例的薄膜晶體管300d中，源極S、漏極D1與漏極D2的延伸方向是平行于數(shù)據(jù)線DL的延伸方向。
圖7B是第五實施例之薄膜晶體管發(fā)生誤對準時的示意圖。請參照圖7B，當柵極302、通道層306、第一導(dǎo)體圖案308以及第二導(dǎo)體圖案310彼此之間因可撓曲性基板的膨脹與收縮而發(fā)生誤對準時，由于漏極D1無法與通道層306接觸，因此源極S與漏極D1之間的通道層306并無法發(fā)揮正常的功能。此時，源極S與漏極D2之間的通道層306仍能夠受到柵極302的控制，而發(fā)揮正常的功能。
綜上所述，本發(fā)明之薄膜晶體管至少具有下列優(yōu)點1.本發(fā)明之薄膜晶體管采用雙源極或是雙漏極的結(jié)構(gòu)，因此當各薄膜之間發(fā)生誤對準時，只要誤對準的程度不是太離譜(小于1/3像素寬度)，本發(fā)明的薄膜晶體管仍能維持正常的操作。
2.本發(fā)明之薄膜晶體管在制造上與現(xiàn)行的工藝兼容，無須大幅度地修改工藝，且制造合格率可大幅度地提高。
3.本發(fā)明之薄膜晶體管在制造上的成本可大幅度地降低。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當可作些許之更動與改進，因此本發(fā)明之保護范圍當視權(quán)利要求
所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，適于設(shè)置在可撓曲性基板上，其特征是該薄膜晶體管包括柵極，設(shè)置于該可撓曲性基板上；柵絕緣層，設(shè)置于該可撓曲性基板上，以覆蓋該柵極；通道層，設(shè)置于該柵絕緣層上，其中該通道層位于該柵極上方，而該通道層具有至少一個第一接觸區(qū)以及多個第二接觸區(qū)，且該第一接觸區(qū)位于上述這些第二接觸區(qū)之間；第一導(dǎo)體圖案，設(shè)置于部分該柵絕緣層以及該通道層的該第一接觸區(qū)上；以及第二導(dǎo)體圖案，設(shè)置部分該柵絕緣層以及該通道層的上述這些第二接觸區(qū)上，其中該第一導(dǎo)體圖案與該第二導(dǎo)體圖案彼此電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的薄膜晶體管，其特征是該第一接觸區(qū)的數(shù)量為1個，而上述這些第二接觸區(qū)的數(shù)量為2個。
3.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的薄膜晶體管，其特征是該第一接觸區(qū)位于該通道層的中間，且上述這些第二接觸區(qū)分別位于該第一接觸區(qū)的兩側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的薄膜晶體管，其特征是該通道層的材料為非晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的薄膜晶體管，其特征是該通道層的材料為微晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的薄膜晶體管，其特征是該第一導(dǎo)體圖案包括覆蓋住該第一接觸區(qū)的漏極，而該第二導(dǎo)體圖案包括多個源極，覆蓋住上述這些第二接觸區(qū)；以及數(shù)據(jù)線，與上述這些源極連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的薄膜晶體管，其特征是上述這些源極與該漏極的延伸方向平行于該數(shù)據(jù)線的延伸方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的薄膜晶體管，其特征是上述這些源極與該漏極的延伸方向垂直于該數(shù)據(jù)線的延伸方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的薄膜晶體管，其特征是該第一導(dǎo)體圖案包括覆蓋住該第一接觸區(qū)的漏極，而該第二導(dǎo)體圖案包括源極；以及數(shù)據(jù)線，與該源極連接，其中該源極以及該數(shù)據(jù)線覆蓋住上述這些第二接觸區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的薄膜晶體管，其特征是該源極與該漏極的延伸方向平行于該數(shù)據(jù)線的延伸方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的薄膜晶體管，其特征是該第二導(dǎo)體圖案包括多個覆蓋住上述這些第二接觸區(qū)的漏極，而該第一導(dǎo)體圖案包括源極，覆蓋住該第一接觸區(qū)；以及數(shù)據(jù)線，與該源極連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的薄膜晶體管，其特征是該源極與上述這些漏極的延伸方向平行于該數(shù)據(jù)線的延伸方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的薄膜晶體管，其特征是該源極與上述這些漏極的延伸方向垂直于該數(shù)據(jù)線的延伸方向。
專利摘要
一種薄膜晶體管，適于設(shè)置在可撓曲性基板上，其包括柵極、柵絕緣層、通道層、第一導(dǎo)體圖案，以及第二導(dǎo)體圖案。柵極設(shè)置于可撓曲性基板上，而柵絕緣層設(shè)置于可撓曲性基板上，以覆蓋柵極。通道層設(shè)置于柵絕緣層上，且位于柵極上方。通道層具有至少一個第一接觸區(qū)以及多個第二接觸區(qū)，且第一接觸區(qū)位于第二接觸區(qū)之間。此外，第一導(dǎo)體圖案設(shè)置于部分柵絕緣層以及第一接觸區(qū)上，而第二導(dǎo)體圖案則設(shè)置部分柵絕緣層以及第二接觸區(qū)上，且第一導(dǎo)體圖案與第二導(dǎo)體圖案彼此電絕緣。上述薄膜晶體管在誤對準發(fā)生時仍能維持正常運行。
文檔編號H01L29/786GK1996618SQ200510135902
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月31日
發(fā)明者賴志明, 葉永輝, 黃怡碩 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan