本技術(shù)涉及太陽能電池，特別涉及一種背接觸太陽能電池。

背景技術(shù)：

1、背接觸太陽能電池(interdigitated?back?contact，ibc)的p型摻雜結(jié)構(gòu)和n型摻雜結(jié)構(gòu)交替排列設(shè)置在電池背面，使電池正面受光面積能夠達(dá)到100％。但是，在已有的ibc中，為了防止p型摻雜結(jié)構(gòu)和n型摻雜結(jié)構(gòu)之間漏電，往往會(huì)在相鄰的p型摻雜結(jié)構(gòu)和n型摻雜結(jié)構(gòu)之間設(shè)置一定的間隔。這樣的設(shè)置布局會(huì)導(dǎo)致ibc電池的有效面積比理論面積小，從而導(dǎo)致電池效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種背接觸太陽能電池，通過第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域的交錯(cuò)設(shè)置，以解決在第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域之間設(shè)置間隙導(dǎo)致的電池效率較低的問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案：

3、本實(shí)用新型提供一種背接觸太陽能電池，包括：

4、硅基體；

5、上述硅基體背面交替排列有第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，其中，上述第一摻雜區(qū)域和上述第二摻雜區(qū)域在上述硅基體厚度方向上錯(cuò)開設(shè)置；

6、相鄰的上述第一摻雜區(qū)域和上述第二摻雜區(qū)域在平行于上述硅基體橫截面的平面上的投影部分重疊或者邊緣鄰接；

7、上述第一摻雜區(qū)域的摻雜類型和上述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型相反。

8、可選地，上述背接觸太陽能電池還包括：間隔設(shè)置于上述硅基體背面的多個(gè)凹槽，其中，上述凹槽的側(cè)面與凹槽的底面之間的夾角小于或等于90°；

9、上述第一摻雜區(qū)域設(shè)置于與所述凹槽鄰接的平臺(tái)，上述第二摻雜區(qū)域設(shè)置于上述凹槽內(nèi)。

10、可選地，上述凹槽的側(cè)面與凹槽的底面之間的夾角不小于70°；

11、和/或，

12、上述凹槽的深度為3μm～10μm；

13、和/或，

14、上述凹槽的底面寬度為500μm～1000μm；

15、和/或，

16、與所述凹槽鄰接的平臺(tái)寬度為400μm～600μm

17、可選地，上述第一摻雜區(qū)域包括：第一摻雜層；

18、上述第二摻雜區(qū)域包括：第二摻雜層。

19、可選地，上述第一摻雜區(qū)域進(jìn)一步包括：設(shè)置于上述第一摻雜層與上述硅基體之間的第一隧穿氧化層或第一本征非晶硅層；

20、上述第二摻雜區(qū)域進(jìn)一步包括：設(shè)置于上述第二摻雜層與上述硅基體之間的第二隧穿氧化層或第二本征非晶硅層。

21、可選地，當(dāng)上述第一摻雜區(qū)域中包括上述第一隧穿氧化層，上述第二摻雜區(qū)域中包括上述第二隧穿氧化層時(shí)，

22、上述第一隧穿氧化層和上述第二隧穿氧化層的厚度為0.5nm-3.0nm；

23、上述第一摻雜層和上述第二摻雜層的厚度為50nm-300nm。

24、可選地，當(dāng)上述第一摻雜區(qū)域中包括上述第一本征非晶硅層，上述第二摻雜區(qū)域中包括上述第二本征非晶硅層時(shí)，

25、上述第一本征非晶硅層和上述第二本征非晶硅層的厚度為5nm-10nm；

26、上述第一摻雜層和上述第二摻雜層的厚度為10nm-30nm。

27、可選地，上述背接觸太陽能

28、電池還包括：設(shè)置于上述第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域上的鈍化減反層。

29、可選地，上述背接觸太陽能電池還包括：第一電極和第二電極；

30、上述第一電極貫穿上述鈍化減反層與上述第一摻雜區(qū)域電連接；

31、上述第二電極貫穿上述鈍化減反層與上述第二摻雜區(qū)域電連接。

32、可選地，上述硅基體正面具有絨面結(jié)構(gòu)。

33、上述實(shí)用新型的第一方面的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

34、本實(shí)用新型提供的背接觸太陽能電池通過設(shè)置在硅基體背面交替排列且在硅基體厚度方向上錯(cuò)開的第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，即通過第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域在厚度方向上錯(cuò)開，使得第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域不接觸，從而第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域之間不再需要設(shè)置水平間隔，而相鄰的第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域在硅基體橫截面所在的平面上投影部分重疊或者邊緣鄰接，有效的提高了背接觸太陽能電池背面的可利用面積，大大提高了背接觸太陽能電池的填充因子和短路電流，使得背接觸太陽能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)化效率。

技術(shù)特征：

1.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，還包括：設(shè)置于所述第一摻雜區(qū)域(20)和第二摻雜區(qū)域(30)上的鈍化減反層(70)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，還包括第一電極(50)和第二電極(60)；

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述硅基體(10)正面具有絨面結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開一種背接觸太陽能電池，涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。該背接觸太陽能電池包括：硅基體；硅基體背面交替排列有第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，其中，第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域在硅基體厚度方向上錯(cuò)開設(shè)置；相鄰的第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域在平行于硅基體橫截面的平面上的投影部分重疊或者邊緣鄰接；第一摻雜區(qū)域的摻雜類型和第二摻雜區(qū)域的摻雜類型相反。該技術(shù)提供的結(jié)構(gòu)通過設(shè)置在硅基體背面交替排列且在硅基體厚度方向上錯(cuò)開的第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，使得第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域不鄰接，有效的提高了背接觸太陽能電池背面的可利用面積，具有較高的光電轉(zhuǎn)化效率。

技術(shù)研發(fā)人員：蔣秀林,王玉林,毛靜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶澳（揚(yáng)州）太陽能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240422
技術(shù)公布日：2024/12/19