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偽雙向靜電放電保護(hù)裝置的制作方法

文檔序號(hào):40405774發(fā)布日期:2024-12-20 12:29閱讀:7來源:國知局
偽雙向靜電放電保護(hù)裝置的制作方法

本公開總體上涉及電子裝置,并且特別地,涉及靜電放電保護(hù)裝置。


背景技術(shù):

1、靜電放電可能在遭受靜電放電的集成電路或電子部件中造成有害效應(yīng),該有害效應(yīng)有可能造成其部件中的全部或一部分不可逆地劣化。因此,由于靜電放電,集成電路或電子部件可能遭受重大故障,或者甚至完全不起作用。有時(shí)可能必須更換有缺陷的電路或部件,從而對(duì)集成有該電路或部件的電子裝置的可靠性產(chǎn)生不利影響。

2、為了避免靜電放電的有害后果,集成電路和電子部件可以包括保護(hù)裝置。然而,現(xiàn)有的靜電放電保護(hù)裝置面臨各種不利因素。具體地,保護(hù)裝置的存在可能妨礙該裝置旁邊的其他電路或部件的操作。

3、需要改進(jìn)現(xiàn)有的靜電放電保護(hù)裝置。特別是需要減少由電子裝置中靜電放電保護(hù)裝置的存在引起的干擾。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一個(gè)方面提供了一種偽雙向靜電放電保護(hù)裝置,所述裝置包括:第一二極管,所述第一二極管將第一端子耦接到中間節(jié)點(diǎn);第二二極管,所述第二二極管將第二端子耦接到所述中間節(jié)點(diǎn);和第三二極管,所述第三二極管將所述中間節(jié)點(diǎn)耦接到施加參考電勢的第三端子;其中,所述第三二極管的電容大于所述第一二極管的電容并且大于所述第二二極管的電容;第一電容元件,所述第一電容元件與所述第一二極管并聯(lián)連接;和第二電容元件,所述第二電容元件與所述第二二極管并聯(lián)連接。

2、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一二極管包括分別連接到所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第一端子的陽極電極和陰極電極;并且所述第二二極管包括分別連接到所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第二端子的陽極電極和陰極電極。

3、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第三二極管包括分別連接到所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第三端子的陽極電極和陰極電極。

4、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一電容元件和所述第二電容元件是電容器。

5、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述裝置具有單片結(jié)構(gòu)。

6、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一電容元件和第二電容元件是電容器,并且其中,所述第一電容元件和第二電容元件是金屬-絕緣體-金屬mim電容器,其形成為所述單片結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層的堆疊。

7、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述裝置還包括:第三電容元件,所述第三電容元件將所述第一端子耦接到所述第三端子;和第四電容元件,所述第四電容元件將所述第二端子耦接到所述第三端子。

8、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述裝置還包括:第一電阻元件,所述第一電阻元件將所述第一端子耦接到第四端子;和第二電阻元件,所述第二電阻元件將所述第二端子耦接到第五端子。

9、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第三電容元件和第四電容元件各自具有等于大致55pf的電容;并且所述第一電阻元件和所述第二電阻元件各自具有等于大致50ω的電阻。

10、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管是齊納二極管。

11、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管是瞬態(tài)電壓抑制二極管。

12、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一電容元件和所述第二電容元件具有彼此基本相同的電容。

13、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一電容元件和所述第二電容元件各自具有等于大致10pf的電容。

14、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第三二極管的電容是所述第一二極管和所述第二二極管的電容的至少兩倍。

15、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第三二極管的電容是所述第一二極管和所述第二二極管的電容的至少五倍。

16、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第三二極管的電容是所述第一二極管和所述第二二極管的電容的大致十倍。

17、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一二極管和所述第二二極管各自具有等于大致4.5pf的電容;并且所述第三二極管具有等于大致38pf的電容。

18、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一端子和所述第二端子是集成電路的輸入端子和/或輸出端子。

19、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述中間節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于其內(nèi)部和頂部形成有所述裝置的半導(dǎo)體襯底。

20、本公開的另一方面提供了一種偽雙向靜電放電保護(hù)裝置,所述裝置包括:第一二極管,所述第一二極管具有第一電容,所述第一二極管的陽極連接到中間節(jié)點(diǎn)并且陰極連接到第一端子;第一電容器,所述第一電容器具有連接到所述中間節(jié)點(diǎn)的第一節(jié)點(diǎn)和連接到所述第一端子的第二節(jié)點(diǎn);第二二極管,所述第二二極管具有第二電容,所述第一二極管的陽極連接到所述中間節(jié)點(diǎn)并且陰極連接到第二端子;第二電容器,所述第二電容器具有連接到所述中間節(jié)點(diǎn)的第一節(jié)點(diǎn)和連接到所述第二端子的第二節(jié)點(diǎn);第三二極管,所述第三二極管具有第三電容,所述第三二極管的陽極連接到所述中間節(jié)點(diǎn)并且陰極連接到第三端子;第三電容器,所述第三電容器具有連接到所述第一端子的第一節(jié)點(diǎn)和連接到所述第三端子的第二節(jié)點(diǎn);和第四電容器,所述第四電容器具有連接到所述第二端子的第一節(jié)點(diǎn)和連接到所述第三端子的第二節(jié)點(diǎn);其中,所述第三電容大于所述第一電容和所述第二電容。

21、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管是齊納二極管。

22、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管是瞬態(tài)電壓抑制二極管。

23、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述第一端子和所述第二端子是集成電路的輸入端子和/或輸出端子。

24、根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例,所述中間節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于其內(nèi)部和頂部形成有所述裝置的半導(dǎo)體襯底。

25、一個(gè)實(shí)施例提供了一種偽雙向靜電放電保護(hù)裝置,所述偽雙向靜電放電保護(hù)裝置包括:第一二極管和第二二極管,所述第一二極管和所述第二二極管分別將第一端子和第二端子耦接到所述裝置的同一中間節(jié)點(diǎn);和第三二極管,所述第三二極管將所述中間節(jié)點(diǎn)耦接到施加參考電勢的第三端子;其中,所述第三二極管的電容大于所述第一二極管和所述第二二極管的電容,所述裝置還包括分別與所述第一二極管和所述第二二極管并聯(lián)連接的第一電容元件和第二電容元件。

26、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例:所述第一二極管包括分別連接到所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第一端子的陽極電極和陰極電極;并且所述第二二極管包括分別連接到所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第二端子的陽極電極和陰極電極。

27、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述第三二極管包括分別連接到所述中間節(jié)點(diǎn)和所述第三端子的陽極電極和陰極電極。

28、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述第一電容元件和所述第二電容元件是電容器。

29、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述裝置具有單片結(jié)構(gòu)。

30、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述第一電容元件和所述第二電容元件是mim電容器。

31、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述裝置還包括:第三電容元件和第四電容元件,所述第三電容元件和所述第四電容元件遠(yuǎn)離所述第一電容元件和所述第二電容元件,分別將所述第一端子和所述第二端子耦接到所述第三端子;以及第一電阻元件和第二電阻元件,所述第一電阻元件和所述第二電阻元件分別將所述第一端子和所述第二端子耦接到第四端子和第五端子。

32、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例:所述第三電容元件和所述第四電容元件各自具有等于大致55pf的電容;并且所述第一電阻元件和所述第二電阻元件各自具有等于大致50ω的電阻。

33、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管是齊納二極管或瞬態(tài)電壓抑制二極管。

34、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述第一電容元件和所述第二電容元件具有彼此基本相同的電容。

35、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述第一電容元件和所述第二電容元件各自具有等于大致10pf的電容。

36、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述第三二極管的電容是所述第一二極管和所述第二二極管的電容的至少兩倍,優(yōu)選地至少五倍,更優(yōu)選地至少十倍。

37、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例:所述第一二極管和所述第二二極管各自具有等于大致4.5pf的電容;并且所述第三二極管具有等于大致38pf的電容。

38、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述第一端子和所述第二端子是集成電路的輸入端子和/或輸出端子。

39、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述中間節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于其內(nèi)部和頂部形成有所述裝置的半導(dǎo)體襯底。

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