本技術(shù)屬于半導體發(fā)光元件，具體涉及一種半導體發(fā)光元件和封裝體。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管(英文：light?emitting?diode，簡稱：led)是一種能發(fā)光的半導體電子元件。外延片是led制備過程中的初級成品。現(xiàn)有的led外延片包括襯底、n型半導體層、有源層和p型半導體層。襯底用于為外延材料提供生長表面，n型半導體層用于提供進行復合發(fā)光的電子，p型半導體層用于提供進行復合發(fā)光的空穴，有源層用于進行電子和空穴的輻射復合發(fā)光。

2、現(xiàn)有技術(shù)中專利公告號為cn211629129u的一種半導體發(fā)光元件和封裝體，上述專利在包括透明襯底、半導體發(fā)光堆疊層、絕緣層，透明襯底具有第一表面，第一表面具有第一區(qū)域被半導體發(fā)光堆疊層覆蓋，第一表面具有第二區(qū)域位于半導體發(fā)光序列堆疊層外側(cè)壁底部周圍；其特征在于：還包括一環(huán)形的阻擋結(jié)構(gòu)，其形成于第一表面的第二區(qū)域上，并且所述的阻擋結(jié)構(gòu)具有內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁，所述內(nèi)側(cè)壁與半導體發(fā)光序列堆香層外側(cè)壁之間形成溝槽，溝槽露出透明襯底的第一表面的部分第二區(qū)域；所述的絕緣層覆蓋半導體發(fā)光堆卷層的頂面和側(cè)壁，并覆蓋環(huán)形溝槽底部以及陽擋結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)壁和頂面，但在實際使用中仍存在以下不足：從實際出發(fā)，該專利中在半導體發(fā)光元件發(fā)光過程中會產(chǎn)生熱量，該專利中對產(chǎn)生的熱量難以均勻地進行散熱，時間過長的情況下會導致熱量積累對其造成損壞，同時該專利中封裝體對半導體發(fā)光元件的電極缺乏定位防護，封裝過程容易造成半導體發(fā)光元件電極損壞。

3、因此，需要一種半導體發(fā)光元件和封裝體，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在散熱不均和封裝缺乏定位防護的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種半導體發(fā)光元件和封裝體，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種半導體發(fā)光元件和封裝體，包括襯底，所述襯底上部表面具有第一導電型半導體層，所述第一導電型半導體層上具有發(fā)光層，所述發(fā)光層上部具有第二導電型半導體層，所述第二導電型半導體層上部具有透明保護層，所述第二導電型半導體層下部表面具有第二焊盤電極并設于襯底、第一導電型半導體層和發(fā)光層一側(cè)，所述第一導電型半導體層下部表面具有第一焊盤電極并設于遠離第二焊盤電極一側(cè)，所述第一焊盤電極和第二焊盤電極外側(cè)具有絕緣層并設于外周，所述絕緣層與透明保護層之間并于第二導電型半導體層上部設有散熱槽，所述散熱槽內(nèi)填充有散熱硅脂。

3、方案中需要說明的是，所述襯底設于第一焊盤電極和第二焊盤電極之間并且其邊緣與絕緣層相貼設。

4、進一步值得說明的是，所述第一導電型半導體層與發(fā)光層邊緣對齊設置且設于絕緣層內(nèi)。

5、更進一步需要說明的是，所述第二導電型半導體層邊緣四周與絕緣層相貼設，所述透明保護層頂部為斜面突起設置使得散熱槽頂部截面大于底部截面。

6、作為一種優(yōu)選的實施方式，所述封裝樹脂覆蓋于半導體發(fā)光元件頂面及四周，所述封裝樹脂底部于半導體發(fā)光元件底部設有封裝襯底，所述封裝襯底上對應第一焊盤電極和第二焊盤電極設有定位槽，所述定位槽外側(cè)于封裝襯底上設置有防護塊。

7、作為一種優(yōu)選的實施方式，所述封裝襯底大于半導體發(fā)光元件設置，所述封裝樹脂鋪設于封裝襯底上并將防護塊覆蓋。

8、作為一種優(yōu)選的實施方式，所述防護塊環(huán)繞設于定位槽周邊并環(huán)繞第一焊盤電極或第二焊盤電極周邊。

9、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的一種半導體發(fā)光元件和封裝體，至少包括如下有益效果：

10、(1)通過在絕緣層和透明保護層之間的散熱槽內(nèi)填充散熱硅脂，可以有效且均勻地對半導體發(fā)光元件發(fā)光過程中內(nèi)部產(chǎn)生的熱量進行散熱，防止熱量于其內(nèi)部堆積進而造成半導體發(fā)光元件損壞。

11、(2)通過封裝時在半導體發(fā)光元件的電極處于封裝襯底對應位置設置定位槽和防護塊，在封裝過程中避免封裝樹脂侵入半導體發(fā)光元件內(nèi)部進而造成其損壞，同時給電極提供相應的防護。

技術(shù)特征：

1.一種半導體發(fā)光元件，包括襯底(101)，其特征在于：所述襯底(101)上部表面具有第一導電型半導體層(102)，所述第一導電型半導體層(102)上具有發(fā)光層(103)，所述發(fā)光層(103)上部具有第二導電型半導體層(104)，所述第二導電型半導體層(104)上部具有透明保護層(105)，所述第二導電型半導體層(104)下部表面具有第二焊盤電極(110)并設于襯底(101)、第一導電型半導體層(102)和發(fā)光層(103)一側(cè)，所述第一導電型半導體層(102)下部表面具有第一焊盤電極(109)并設于遠離第二焊盤電極(110)一側(cè)，所述第一焊盤電極(109)和第二焊盤電極(110)外側(cè)具有絕緣層(106)并設于外周，所述絕緣層(106)與透明保護層(105)之間并于第二導電型半導體層(104)上部設有散熱槽(107)，所述散熱槽(107)內(nèi)填充有散熱硅脂(108)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述襯底(101)設于第一焊盤電極(109)和第二焊盤電極(110)之間并且其邊緣與絕緣層(106)相貼設。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述第一導電型半導體層(102)與發(fā)光層(103)邊緣對齊設置且設于絕緣層(106)內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述第二導電型半導體層(104)邊緣四周與絕緣層(106)相貼設，所述透明保護層(105)頂部為斜面突起設置使得散熱槽(107)頂部截面大于底部截面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4所述的一種封裝體，包括封裝樹脂(2)，其特征在于：所述封裝樹脂(2)覆蓋于半導體發(fā)光元件頂面及四周，所述封裝樹脂(2)底部于半導體發(fā)光元件底部設有封裝襯底(201)，所述封裝襯底(201)上對應第一焊盤電極(109)和第二焊盤電極(110)設有定位槽(203)，所述定位槽(203)外側(cè)于封裝襯底(201)上設置有防護塊(202)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種封裝體，其特征在于：所述封裝襯底(201)大于半導體發(fā)光元件設置，所述封裝樹脂(2)鋪設于封裝襯底(201)上并將防護塊(202)覆蓋。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種封裝體，其特征在于：所述防護塊(202)環(huán)繞設于定位槽(203)周邊并環(huán)繞第一焊盤電極(109)或第二焊盤電極(110)周邊。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種半導體發(fā)光元件和封裝體，屬于半導體發(fā)光元件技術(shù)領域，針對了散熱不均和封裝缺乏定位防護的問題，包括襯底，所述襯底上部表面具有第一導電型半導體層，所述第一導電型半導體層上具有發(fā)光層，所述發(fā)光層上部具有第二導電型半導體層，所述第二導電型半導體層上部具有透明保護層，所述第二導電型半導體層下部表面具有第二焊盤電極并設于襯底、第一導電型半導體層和發(fā)光層一側(cè)，所述第一導電型半導體層下部表面具有第一焊盤電極；本技術(shù)通過在絕緣層和透明保護層之間的散熱槽內(nèi)填充散熱硅脂，可以有效且均勻地對半導體發(fā)光元件發(fā)光過程中內(nèi)部產(chǎn)生的熱量進行散熱，防止熱量于其內(nèi)部堆積進而造成半導體發(fā)光元件損壞。

技術(shù)研發(fā)人員：姚開祥,劉志鋒,黎小華
受保護的技術(shù)使用者：深圳市華萊光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240115
技術(shù)公布日：2024/12/19