技術(shù)特征：

1.一種三明治型寬光譜光探測(cè)器，所述光探測(cè)器包括底電極層、光敏層、頂電極層，所述光敏層設(shè)置于所述底電極層上，所述頂電極層設(shè)置于所述光敏層遠(yuǎn)離所述底電極層一側(cè)，其特征在于，由所述頂電極層向所述底電極層，所述光敏層包括依次排布的第一二碲化鎢層、二硫化鉬納米管層、第二二碲化鎢層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三明治型寬光譜光探測(cè)器，其特征在于，所述第一二碲化鎢層和所述第二二碲化鎢層的厚度為10-50nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三明治型寬光譜光探測(cè)器，其特征在于，所述二硫化鉬納米管層為單層納米管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三明治型寬光譜光探測(cè)器，其特征在于，所述頂電極層的材料為石墨烯，所述底電極層的材料為金屬鉬。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三明治型寬光譜光探測(cè)器，其特征在于，所述光探測(cè)器還包括基底，所述底電極層設(shè)置于所述基底上，所述基底的材料為多孔氧化鋁。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三明治型寬光譜光探測(cè)器，其特征在于，所述基底上靠近所述底電極層一側(cè)的孔徑小于所述基底遠(yuǎn)離所述底電極層一側(cè)的孔徑。

7.一種三明治型寬光譜光探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三明治型寬光譜光探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，先在所述多孔氧化鋁基底上傾斜沉積所述底電極層的材料，再垂直沉積所述底電極層的材料，沉積結(jié)束，即得到所述多孔氧化鋁基底和所述底電極層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的三明治型寬光譜光探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述第一二碲化鎢層和所述第二二碲化鎢層利用化學(xué)氣相沉積法制備，所述二硫化鉬納米管層利用液相剝離，以及涂布法或噴涂法制備；制備所述第一二碲化鎢層之前，對(duì)沉積后的所述二硫化鉬納米管層進(jìn)行等離子處理或熱處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的三明治型寬光譜光探測(cè)器的制備方法，其特征在于，在所述二硫化鉬納米管層的溶液中摻雜硫化鎘量子點(diǎn)。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體提供了一種三明治型寬光譜光探測(cè)器及其制備方法。光探測(cè)器包括底電極層、光敏層、頂電極層，光敏層設(shè)置于底電極層上，頂電極層設(shè)置于光敏層遠(yuǎn)離底電極層一側(cè)，由頂電極層向底電極層，光敏層包括依次排布的第一二碲化鎢層、二硫化鉬納米管層、第二二碲化鎢層。制備方法包括如下步驟：步驟1，在多孔氧化鋁基底上沉積底電極層；步驟2，在底電極層上沉積第二二碲化鎢層；步驟3，在第二二碲化鎢層上沉積二硫化鉬納米管層；步驟4，在二硫化鉬納米管層上沉積第一二碲化鎢層；步驟5，在第一二碲化鎢層上制備頂電極層。本申請(qǐng)三明治結(jié)構(gòu)中，二碲化鎢和二硫化鉬吸收光譜互補(bǔ)，使得本申請(qǐng)光敏層的響應(yīng)波段擴(kuò)展為400nm?2μm。

技術(shù)研發(fā)人員：楊健君,芮奕婷,林奕彬,高磊,楊金明,易子川,劉萍,劉黎明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)中山學(xué)院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19