本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、溝槽型mosfet（metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱為mos）是一種大功率的電力電子器件，因?yàn)槠骷跍喜蹆蓚?cè)屬于對(duì)稱結(jié)構(gòu)，故器件沒有特定的源極或漏極，可以實(shí)現(xiàn)源漏互換；但在結(jié)構(gòu)上形成了寄生三極管，容易出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體器件，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽型mos容易出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)的問題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底；第一半導(dǎo)體耐壓層，位于所述襯底上，所述第一半導(dǎo)體耐壓層的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型相同；第二半導(dǎo)體耐壓層，位于所述第一半導(dǎo)體耐壓層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第二半導(dǎo)體耐壓層的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型不同；第一注入?yún)^(qū)，位于所述第二半導(dǎo)體耐壓層中，所述第一注入?yún)^(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面為所述第二半導(dǎo)體耐壓層的遠(yuǎn)離所述襯底的部分表面，所述第一注入?yún)^(qū)的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型不同；第二注入?yún)^(qū)，位于所述第二半導(dǎo)體耐壓層中，且位于所述第一注入?yún)^(qū)的一側(cè)，所述第二注入?yún)^(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面為所述第二半導(dǎo)體耐壓層的遠(yuǎn)離所述襯底的部分表面，所述第二注入?yún)^(qū)的靠近所述襯底的表面與所述第一半導(dǎo)體耐壓層接觸，所述第二注入?yún)^(qū)的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型相同；第三注入?yún)^(qū)，位于所述第二注入?yún)^(qū)中，所述第三注入?yún)^(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面為所述第二半導(dǎo)體耐壓層的遠(yuǎn)離所述襯底的部分表面，所述第三注入?yún)^(qū)的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型相同，所述第三注入?yún)^(qū)的摻雜濃度等于所述襯底的摻雜濃度；第一溝槽柵結(jié)構(gòu)，位于所述第一半導(dǎo)體耐壓層和所述第二半導(dǎo)體耐壓層中，與所述第一注入?yún)^(qū)、所述第二注入?yún)^(qū)和所述第三注入?yún)^(qū)分別接觸。

3、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：第四注入?yún)^(qū)，位于所述第二半導(dǎo)體耐壓層中，且位于所述第一注入?yún)^(qū)的遠(yuǎn)離所述第二注入?yún)^(qū)的一側(cè)，所述第四注入?yún)^(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面為所述第二半導(dǎo)體耐壓層的遠(yuǎn)離所述襯底的部分表面，所述第四注入?yún)^(qū)的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型不同；第二溝槽柵結(jié)構(gòu)，位于所述第一半導(dǎo)體耐壓層和所述第二半導(dǎo)體耐壓層中，且分別與所述第一注入?yún)^(qū)和所述第四注入?yún)^(qū)接觸。

4、可選地，所述第二溝槽柵結(jié)構(gòu)包括：第一溝槽，位于所述第一半導(dǎo)體耐壓層和所述第二半導(dǎo)體耐壓層中，且分別與所述第一注入?yún)^(qū)和所述第四注入?yún)^(qū)接觸；沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向間隔設(shè)置在所述第一溝槽中的第一控制柵和第一屏蔽柵，所述第一屏蔽柵的遠(yuǎn)離所述襯底的表面為所述第二半導(dǎo)體耐壓層的遠(yuǎn)離所述襯底的部分表面；第一柵氧層，位于所述第一溝槽中，所述第一柵氧層包裹所述第一控制柵，所述第一柵氧層還位于所述第一屏蔽柵的靠近所述襯底的表面上以及所述第一屏蔽柵的側(cè)面上。

5、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：第五注入?yún)^(qū)，位于所述第一半導(dǎo)體耐壓層和所述第二半導(dǎo)體耐壓層中，與所述第二溝槽柵結(jié)構(gòu)的靠近所述襯底的表面以及所述第二溝槽柵結(jié)構(gòu)的部分側(cè)面分別接觸，所述第五注入?yún)^(qū)的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型相同。

6、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：第一金屬層，位于第三注入?yún)^(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面上，所述第一金屬層與所述襯底電連接；第二金屬層，位于所述第一注入?yún)^(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面上；第三金屬層，位于所述第四注入?yún)^(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面上，所述第三金屬層與所述第二金屬層間隔設(shè)置。

7、可選地，所述第二金屬層或所述第三金屬層與所述第一金屬層電連接。

8、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：第六注入?yún)^(qū)，位于所述第一半導(dǎo)體耐壓層和所述第二半導(dǎo)體耐壓層中，與所述第一溝槽柵結(jié)構(gòu)的靠近所述襯底的表面以及所述第一溝槽柵結(jié)構(gòu)的部分側(cè)面分別接觸，所述第六注入?yún)^(qū)的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型相同。

9、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：介質(zhì)層，位于所述第一溝槽柵結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述襯底的表面上。

10、根據(jù)本申請(qǐng)的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：任一種所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

11、可選地，所述半導(dǎo)體器件為碳化硅器件。

12、應(yīng)用本申請(qǐng)的技術(shù)方案，在第二半導(dǎo)體耐壓層的第二注入?yún)^(qū)中形成與第一注入?yún)^(qū)的導(dǎo)電類型不同的第三注入?yún)^(qū)，第三注入?yún)^(qū)的導(dǎo)電類型和摻雜濃度均與襯底相同，使得與第三注入?yún)^(qū)接觸的第一金屬層可以與襯底等電位，通過連接第一金屬層與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的源極，來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中寄生三極管的pn結(jié)短路，緩解了溝槽型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中寄生三極管容易導(dǎo)通的問題，增強(qiáng)了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的抗閂鎖能力，降低了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)發(fā)生閂鎖效應(yīng)的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二溝槽柵結(jié)構(gòu)包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬層或所述第三金屬層與所述第一金屬層電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為碳化硅器件。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；第一半導(dǎo)體耐壓層，位于襯底上，導(dǎo)電類型與襯底相同；第二半導(dǎo)體耐壓層，位于第一半導(dǎo)體耐壓層的遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，導(dǎo)電類型與襯底不同；第一注入?yún)^(qū)，位于第二半導(dǎo)體耐壓層中，導(dǎo)電類型與襯底不同；第二注入?yún)^(qū)，位于第二半導(dǎo)體耐壓層中，且位于第一注入?yún)^(qū)的一側(cè)，第二注入?yún)^(qū)的靠近襯底的表面與第一半導(dǎo)體耐壓層接觸，導(dǎo)電類型與襯底相同；第三注入?yún)^(qū)，位于第二注入?yún)^(qū)中，導(dǎo)電類型與襯底相同，摻雜濃度與襯底相同；第一溝槽柵結(jié)構(gòu)，位于第一半導(dǎo)體耐壓層和第二半導(dǎo)體耐壓層中，與第一注入?yún)^(qū)、第二注入?yún)^(qū)和第三注入?yún)^(qū)分別接觸。本申請(qǐng)解決了溝槽型MOS容易出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：劉浩文,馬萬里,閆正坤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠海格力電子元器件有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19