技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管外延片，包括襯底，依次層疊于所述襯底上的緩沖層、n型gan層、多量子阱層、電子阻擋層和p型gan層；其特征在于，所述緩沖層包括依次層疊于所述襯底上的第一aln層、第二aln層、第三aln層、第一超晶格層、第一algan層、第二超晶格層和第一gan層；

2.?如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一aln層的厚度為2nm~50nm；和/或

3.?如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第二v坑的尺寸小于所述第一v坑的尺寸；和/或

4.?如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一v坑的分布密度為1.18×108cm-2~5.78×1011cm-2；和/或

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一gan層中摻雜si，其摻雜濃度為2.8×1017cm-3~1.9×1019cm-3；和/或

6.一種發(fā)光二極管外延片的制備方法，用于制備如權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，包括：

7.?如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述第一aln層通過pvd生長，其生長溫度為500℃~680℃，濺射功率為2kw~7kw，ar流量為10sccm~80sccm，n2流量為50sccm~300sccm，o2流量為0.3sccm~5sccm；和/或

8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述第一h2刻蝕處理的刻蝕時(shí)間大于等于所述第二h2刻蝕處理的刻蝕時(shí)間，所述第一h2刻蝕處理的h2流量大于等于所述第二h2刻蝕處理的h2流量；和/或

9.?如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述第一h2刻蝕處理的條件包括：刻蝕溫度為920℃~1250℃，刻蝕壓力為20torr~360torr，刻蝕時(shí)間為15s~360s，h2流量為50slm~500slm；和/或

10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述第一aln層生長結(jié)束后，在mocvd中進(jìn)行退火處理；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。發(fā)光二極管外延片依次包括襯底、緩沖層、N型GaN層、多量子阱層、電子阻擋層和P型GaN層；緩沖層依次包括第一AlN層、第二AlN層、第三AlN層、第一超晶格層、第一AlGaN層、第二超晶格層和第一GaN層；第一超晶格層包括交替層疊的第四AlN層和第二AlGaN層，第二超晶格層包括交替層疊的第三AlGaN層和第二GaN層；第三AlN層上形成延伸至第二超晶格層的第一V坑，第一超晶格層形成第二V坑，第二V坑被第一AlGaN層填平；第二超晶格層形成第三V坑，第一V坑、第三V坑被第一GaN層填平。實(shí)施本發(fā)明，可提升發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：舒俊,高虹,鄭文杰,張彩霞,劉春楊,胡加輝,金從龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19