本發(fā)明涉及集成電路，具體為一種防反接電路應(yīng)用中解決latchup的系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)的閂鎖效應(yīng)原理是由nmos的有源區(qū)、淺p型隔離環(huán)，淺n阱和pmos的有源區(qū)構(gòu)成n-p-n-p結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的，當其中的一個三極管的集電極電流受外部干擾突然增加到一定值時，就會反饋至另一個三極管，從而使兩個三極管因觸發(fā)而導(dǎo)通，電源和地之間就會形成低阻抗通路，構(gòu)成正反饋形成閂鎖，造成電過載和器件損壞。

2、所以，人們需要一種防反接電路應(yīng)用中解決latchup的系統(tǒng)及方法來解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種防反接電路應(yīng)用中解決latchup的系統(tǒng)及方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種防反接電路應(yīng)用中解決latchup的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：高壓pmos管m0、高壓nmos管m1、高壓nmos管m2以及poly電阻rlatchup和poly電阻rm2；其中在高壓nmos管m1和高壓nmos管m1之間串聯(lián)poly電阻rlatchup，在高壓nmos管m1和gnd之間串聯(lián)poly電阻rm2；

3、其中在高壓nmos管m1和高壓nmos管m1之間串聯(lián)poly電阻rlatchup，在高壓nmos管m1的深高壓p阱（hvpw）和gnd之間串聯(lián)poly電阻rm2。

4、提供金屬層（metal1）、金屬層（metal2）金屬層（metal3）金屬層（metal4），包括不同類型的金屬走線，例如：金屬層（metal1）、金屬層（metal2）金屬層（metal3）金屬層（metal4）可以作為高壓pmos管m0、高壓nmos管m1、高壓nmos管m2之間的連線，也可以作為電源vcc和電源gnd的走線。

5、高壓pmos管m0是在p型襯底p_sub上形成深高壓p阱hvpw隔離環(huán)接gnd、在p型襯底p_sub上形成n型埋層nbl，在n型埋層上生長出深高壓n阱dhvnw和淺n阱nw5v作為高壓pmos管m0的源端s和體端b連接到電源vcc，在n型埋層上生長出深高壓p阱hvpw作為高壓pmos管m0的漏端d與高壓nmos管m1的源端s連接在一起作為輸出端out；高壓pmos管m0源端s、漏端d為p+的離子注入，體端b為n+的離子注入；

6、高壓nmos管m1是在p型襯底p_sub上形成深高壓p阱hvpw隔離環(huán)接poly電阻rm2的一端；在p型襯底p_sub上形成n型埋層nbl，在n型埋層上生長出深高壓n阱dhvnw作為d電位隔離環(huán)連接到poly電阻rlatchup，在n型埋層nbl上形成深高壓p阱hvpw并且在阱內(nèi)形成源端s和體端b連接到高壓pmos管m0的漏端d作為輸出端out；在n型埋層nbl上形成高壓n阱hvnw并且在阱內(nèi)形成漏端d與高壓nmos管m2的深高壓n阱dhvnw的d電位隔離環(huán)、高壓nmos管m2的漏端d、poly電阻rlatchup的一端連接在一起；高壓nmos管m1的源端s、漏端d為n+的離子注入，體端b為p+的離子注入；

7、所述高壓pmos管m0的n型埋層nbl、高壓pmos管m0的深高壓p阱hvpw與高壓nmos管m1的n型埋層nbl構(gòu)成npn結(jié)構(gòu)；所述高壓pmos管m0的n型埋層nbl、高壓nmos管m1的深高壓p阱hvpw與高壓nmos管m1的n型埋層nbl構(gòu)成npn結(jié)構(gòu)。

8、poly電阻rlatchup一端連接高壓nmos管m1的深高壓n阱dhvnw隔離環(huán)d電位，另一端連接高壓nmos管m1的漏端d和高壓nmos管m2的漏端d以及高壓nmos管m2的深高壓n阱dhvnw的d電位隔離環(huán)。

9、poly電阻rm2一端連接高壓nmos管m1的深高壓p阱hvpw隔離環(huán)，另一端高壓pmos管m0深高壓p阱hvpw隔離環(huán)、高壓nmos管m2的深高壓p阱hvpw隔離環(huán)和源端s、體端d、p型襯底p_sub一起連接到gnd；

10、高壓nmos管m2是在p型襯底p_sub上形成深高壓p阱hvpw隔離環(huán)接gnd；在p型襯底p_sub上形成n型埋層nbl，在n型埋層nbl上形成高壓n阱hvnw并且在阱內(nèi)形成漏端d；在n型埋層上生長出深高壓n阱dhvnw的d電位隔離環(huán)與漏端d、高壓nmos管m1的漏端d、poly電阻rlatchup的一端連接在一起，在n型埋層nbl上形成深高壓p阱hvpw并且在阱內(nèi)形成源端s和體端b連接到gnd；高壓nmos管m1的源端s、漏端d為n+的離子注入，體端b為p+的離子注入；

11、所述poly電阻rm2的一端連接在高壓nmos管m1的深高壓p阱hvpw，另一端與高壓pmos管m0深高壓p阱psub和高壓nmos管m2的深高壓p阱psub一起連接到gnd。

12、高壓nmos管m1的漏端d與高壓nmos管m2的漏端d、高壓nmos管m2的深高壓n阱dhvnw的d電位連接在一起。

13、高壓pmos管m0的漏端d與高壓nmos管m1的深高壓p阱hvpw源端s連接在一起為輸出的out。

14、高壓pmos管m0由p型襯底p_sub、n型埋層nbl、深高壓p阱hvpw、深高壓n阱dhvnw和淺n阱nw5v構(gòu)成，其中d端為高壓pmos管m0的漏端、s端為高壓pmos管m0的源端、b端高壓pmos管m0的體端；

15、高壓nmos管m1由p型襯底p_sub、n型埋層nbl、深高壓p阱hvpw、深高壓n阱dhvnw、高壓n阱hvnw構(gòu)成，其中d為高壓pmos管m0的漏端、s高壓pmos管m0的源端、b高壓pmos管m0的體端；

16、高壓nmos管m2由p型襯底p_sub、n型埋層nbl、深高壓p阱hvpw、深高壓n阱dhvnw、高壓n阱hvnw構(gòu)成，其中d為高壓pmos管m0的漏端、s高壓pmos管m0的源端、b高壓pmos管m0的體端；

17、poly電阻rlatchup和poly電阻rm2由常規(guī)p型poly電阻構(gòu)成。

18、一種防反接電路應(yīng)用中解決latchup的方法：gnd接正，out口接負，此時hvngc1被拉到out電平、hvngc0均為gnd電平，m1，m2均為關(guān)閉；

19、vcc和gnd接24v高壓、out為負電壓時，此應(yīng)用時hvngc1比out高，m1打開，因此會有電流經(jīng)gnd流向out口，會造成負電壓，導(dǎo)致寄生的pnp打開，rm2的導(dǎo)通壓降進一步增大，打開寄生的npn，從vcc到out口的電流逐漸增大，此電流雖然會被rm2及應(yīng)用條件（out口到gnd負載的影響），但在高電壓的情況下，然后會形成大功率，進而導(dǎo)致壞芯片；

20、下管也會與p管形成latchup，從vcc到gnd，在版圖布局上用金屬metal隔開，有足夠的距離，所以不會引起latchup。

21、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所達到的有益效果是：本發(fā)明提供了一種防反接電路應(yīng)用中解決latchup的方法，其方法的內(nèi)容包括：高壓pmos管（m0）、高壓nmos管（m1）、高壓nmos管（m2）以及poly電阻（rlatchup）、poly電阻（rm2），本發(fā)明通過在高壓nmos管（m1）的d電位和高壓nmos管（m1）的d端之間串聯(lián)poly電阻（rlatchup）和在高壓nmos管（m1）的深高壓p阱（hvpw）上串聯(lián)poly電阻（rm2）有效的限制npn的電流，進而降低從vcc到gnd的功耗來達到保護芯片的目的。