本發(fā)明涉及微波通信，尤其涉及一種基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器。

背景技術(shù)：

1、環(huán)行器又叫循環(huán)器，突出特點(diǎn)是單向傳輸高頻信號(hào)能量。它控制電磁波沿某一環(huán)行方向傳輸。這種單向傳輸高頻信號(hào)能量的特性，多用于高頻功率放大器的輸出端與負(fù)載之間，起到各自獨(dú)立，互相隔離的作用。負(fù)載阻抗在變化甚至開路或短路的情況下都不影響功放的工作狀態(tài)，從而保護(hù)了功率放大器。

2、在現(xiàn)代微波通信系統(tǒng)中，環(huán)行器作為關(guān)鍵組件，承擔(dān)著引導(dǎo)微波信號(hào)在特定路徑上循環(huán)傳播，防止信號(hào)干擾和破壞的重要任務(wù)。隨著通信技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)環(huán)行器的性能要求日益提高，特別是在頻帶寬度、插入損耗、反向隔離度以及尺寸小型化等方面。

3、微帶環(huán)行器作為微波通信設(shè)備中的核心部件，其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率和可靠性。傳統(tǒng)的微帶環(huán)行器大多采用單層或簡(jiǎn)單堆疊結(jié)構(gòu)，難以滿足高頻、寬帶、低損耗及小型化的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，采用了如下所述的技術(shù)方案，包括：

2、基體、導(dǎo)磁片、高介電陶瓷、高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)、高磁飽和度鐵氧體、電路層、陶瓷片、永磁鐵；其中，所述導(dǎo)磁片設(shè)于所述基體的底部，所述高介電陶瓷設(shè)于所述導(dǎo)磁片之上，所述高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)為環(huán)狀嵌于所述高介電陶瓷之中，所述高磁飽和度鐵氧體嵌入所述高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)中，所述電路層設(shè)于由所述高介電陶瓷、所述高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)和所述高磁飽和度鐵氧體所組成的基片之上，所述陶瓷片設(shè)于所述電路層之上，所述永磁鐵設(shè)于所述陶瓷片之上。

3、優(yōu)選地，所述基體采用非磁性材料制作而成。

4、優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁片采用工業(yè)純鐵或冷軋鋼板加工鍍金制作而成。

5、優(yōu)選地，所述電路層包含微帶電路。

6、優(yōu)選地，所述高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)的介電常數(shù)為28。

7、優(yōu)選地，所述環(huán)行器長(zhǎng)度d1為5～9mm，所述環(huán)行器寬度d2為5～9mm，所述環(huán)行器高度d3為1.5～3.5mm。

8、優(yōu)選地，所述環(huán)行器長(zhǎng)度d1為7mm，所述環(huán)行器寬度d2為7mm，所述環(huán)行器高度d3為2.5mm。

9、優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁片為正方形或長(zhǎng)方形。

10、優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁片通過(guò)焊接或粘接方式固定于所述基體上。

11、優(yōu)選地，所述高介電陶瓷通過(guò)壓制或燒結(jié)方式設(shè)于所述導(dǎo)磁片之上。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明主要有以下有益效果：通過(guò)設(shè)置基體、導(dǎo)磁片、高介電陶瓷、高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)、高磁飽和度鐵氧體、電路層、陶瓷片、永磁鐵；其中，導(dǎo)磁片設(shè)于基體的底部，高介電陶瓷設(shè)于導(dǎo)磁片之上，高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)嵌入高介電陶瓷之內(nèi)，高磁飽和度鐵氧體嵌入高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)之內(nèi)，電路層設(shè)于由高介電陶瓷、高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)和高磁飽和度鐵氧體所組成的基片之上，陶瓷片設(shè)于電路層之上，永磁鐵設(shè)于陶瓷片之上；整體體積小、重量輕、可靠性高，運(yùn)用在機(jī)載相控陣?yán)走_(dá)、彈載雷達(dá)等系統(tǒng)中，能減輕了整體重量；工作頻率范圍寬，通過(guò)不同變換，不易被敵方偵測(cè)到，保密性高，抗干擾能力強(qiáng)；可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)探測(cè)、電子對(duì)抗等領(lǐng)域，特別是在5g通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能駕駛等領(lǐng)域。

技術(shù)特征：

1.一種基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述基體采用非磁性材料制作而成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述導(dǎo)磁片采用工業(yè)純鐵或冷軋鋼板加工鍍金制作而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述電路層包含微帶電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)的介電常數(shù)為28。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述環(huán)行器長(zhǎng)度d1為5～9mm，所述環(huán)行器寬度d2為5～9mm，所述環(huán)行器高度d3為1.5～3.5mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述環(huán)行器長(zhǎng)度d1為7mm，所述環(huán)行器寬度d2為7mm，所述環(huán)行器高度d3為2.5mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述導(dǎo)磁片為正方形或長(zhǎng)方形。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述導(dǎo)磁片通過(guò)焊接方式固定于所述基體上。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，其特征在于，所述高介電陶瓷通過(guò)壓制或燒結(jié)方式設(shè)于所述導(dǎo)磁片之上。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于微波通信領(lǐng)域，涉及基于多層材料嵌套的雙倍頻微帶環(huán)行器，環(huán)形器包括：基體、導(dǎo)磁片、高介電陶瓷、高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)、高磁飽和度鐵氧體、電路層、陶瓷片、永磁鐵；導(dǎo)磁片設(shè)于基體的底部，高介電陶瓷設(shè)于導(dǎo)磁片之上，高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)為環(huán)狀嵌于高介電陶瓷之中，高磁飽和度鐵氧體嵌入高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)中，電路層設(shè)于由高介電陶瓷、高介電常數(shù)鐵氧體環(huán)和高磁飽和度鐵氧體所組成組成的基片之上，陶瓷片設(shè)于電路層之上，永磁鐵設(shè)于陶瓷片之上。整體體積小、重量輕、可靠性高；工作頻率范圍寬，通過(guò)不同變換，不易被敵方偵測(cè)到，保密性高，抗干擾能力強(qiáng)；可廣泛用于移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)探測(cè)、電子對(duì)抗等領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員：陳杜,屈錕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市諾信博通訊有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19