本申請(qǐng)涉及光伏，特別是涉及一種太陽(yáng)電池的制備方法、太陽(yáng)電池。

背景技術(shù)：

1、背接觸電池是一種用于提高電池效率的太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其核心設(shè)計(jì)在于將太陽(yáng)電池的所有金屬電極放置在電池片的背面，從而保證電池的正面不受金屬柵線遮擋，進(jìn)而可以提高電池吸收太陽(yáng)光的面積，減少光學(xué)損失，提升光電轉(zhuǎn)換效率。

2、背接觸太陽(yáng)電池中，發(fā)射極全部放于電池背面，且由兩種不同類(lèi)型的摻雜區(qū)交替組成，導(dǎo)致了背接觸太陽(yáng)電池的制備工藝較為復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供一種太陽(yáng)電池的制備方法、太陽(yáng)電池。本申請(qǐng)的太陽(yáng)電池的制備方法能夠通過(guò)較少的工藝步驟實(shí)現(xiàn)較好的背接觸太陽(yáng)電池的制備效果。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽(yáng)電池的制備方法，包括如下步驟：

3、提供襯底，所述襯底具有相對(duì)設(shè)置的正面和背面；

4、在所述襯底的背面上形成凹槽；

5、在所述襯底的背面上制備依次層疊設(shè)置的隧穿氧化層和本征硅材料層；

6、所述本征硅材料層具有分別位于所述凹槽的相對(duì)的兩側(cè)的第一區(qū)域和第二區(qū)域，對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第二摻雜硅材料層，所述第一摻雜硅材料層和所述第二摻雜硅材料層的摻雜類(lèi)型相反。

7、在其中一些實(shí)施方式中，對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第二摻雜硅材料層包括如下步驟：

8、在所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層的表面上設(shè)置第一漿料，所述第一漿料包括第一摻雜元素；

9、在所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層的表面上設(shè)置第二漿料，所述第二漿料包括第二摻雜元素，所述第一摻雜元素和所述第二摻雜元素的摻雜類(lèi)型相反；

10、通過(guò)激光處理使所述第一漿料和所述第二漿料對(duì)所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜。

11、在其中一些實(shí)施方式中，所述激光處理的激光功率為30w~80w。

12、在其中一些實(shí)施方式中，所述激光處理的光斑的最大寬度為100μm~300μm。

13、在其中一些實(shí)施方式中，所述激光處理的光斑重疊率為80%以下。

14、在其中一些實(shí)施方式中，對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第二摻雜硅材料層之后還包括如下步驟：

15、對(duì)所述第一摻雜硅材料層和所述第二摻雜硅材料層進(jìn)行氫等離子體處理。

16、在其中一些實(shí)施方式中，所述氫等離子體處理的壓力為1torr~2torr。

17、在其中一些實(shí)施方式中，所述氫等離子體處理的溫度為150℃~250℃。

18、在其中一些實(shí)施方式中，所述氫等離子體處理的時(shí)間為30s~200s。

19、在其中一些實(shí)施方式中，在所述襯底的背面上形成凹槽包括如下步驟：

20、在所述襯底的背面上制備掩膜層；

21、通過(guò)激光在所述掩膜層上形成開(kāi)口，并通過(guò)激光于所述開(kāi)口內(nèi)形成所述凹槽。

22、在其中一些實(shí)施方式中，于所述開(kāi)口內(nèi)形成所述凹槽后還包括如下步驟：

23、使用堿液對(duì)形成所述凹槽后的樣品進(jìn)行制絨處理，于所述凹槽的槽底和所述襯底正面上形成絨面結(jié)構(gòu)。

24、在其中一些實(shí)施方式中，對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第二摻雜硅材料層之后還包括如下步驟：

25、于所述襯底的正面和背面分別制備第一鈍化減反層和第二鈍化減反層。

26、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽(yáng)電池，通過(guò)上述任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池的制備方法制備得到。

27、在其中一些實(shí)施方式中，太陽(yáng)電池包括具有相對(duì)設(shè)置的正面和背面的襯底，所述襯底的正面具有絨面結(jié)構(gòu)且設(shè)置有第一鈍化減反層；

28、所述襯底的背面上開(kāi)設(shè)有凹槽，所述凹槽內(nèi)依次層疊設(shè)置有隧穿氧化層、本征硅材料層以及第二鈍化減反層；

29、所述太陽(yáng)電池包括分別位于所述凹槽的相對(duì)的兩側(cè)的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述襯底位于所述第一區(qū)域內(nèi)的背面上依次層疊設(shè)置有所述隧穿氧化層、第一摻雜硅材料層和所述第二鈍化減反層，所述襯底位于所述第二區(qū)域內(nèi)的背面上依次層疊設(shè)置有所述隧穿氧化層、第二摻雜硅材料層和所述第二鈍化減反層，所述第一摻雜硅材料層和所述第二摻雜硅材料層的摻雜類(lèi)型相反；

30、所述太陽(yáng)電池還包括設(shè)置于所述第二鈍化減反層上的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第一摻雜硅材料層電性接觸，所述第二電極和所述第二摻雜硅材料層電性接觸。

31、上述太陽(yáng)電池的制備方法中，先在襯底的背面上形成凹槽，再分別在位于凹槽的相對(duì)的兩側(cè)的第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)制備摻雜類(lèi)型相反的第一摻雜硅材料層和第二摻雜硅材料層，能夠通過(guò)較少的工藝步驟實(shí)現(xiàn)不同類(lèi)型發(fā)射極的隔離。本申請(qǐng)的太陽(yáng)電池的制備方法能夠通過(guò)較少的工藝步驟實(shí)現(xiàn)較好的背接觸太陽(yáng)電池的制備效果。

32、進(jìn)一步地，上述太陽(yáng)電池的制備方法能夠制備得到具有較低的漏電流和較高的填充因子的太陽(yáng)電池，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)較高的光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)特征：

1.一種太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第二摻雜硅材料層包括如下步驟：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，所述激光處理滿足如下特征中的至少一個(gè)：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第二摻雜硅材料層之后還包括如下步驟：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，所述氫等離子體處理滿足如下特征中的至少一個(gè)：

6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，在所述襯底的背面上形成凹槽包括如下步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，于所述開(kāi)口內(nèi)形成所述凹槽后還包括如下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于，對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第二摻雜硅材料層之后還包括如下步驟：

9.一種太陽(yáng)電池，其特征在于，通過(guò)權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池的制備方法制備得到。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，包括具有相對(duì)設(shè)置的正面和背面的襯底，所述襯底的正面具有絨面結(jié)構(gòu)且設(shè)置有第一鈍化減反層；

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種太陽(yáng)電池的制備方法、太陽(yáng)電池。本申請(qǐng)的太陽(yáng)電池的制備方法，包括如下步驟：提供襯底，襯底具有相對(duì)設(shè)置的正面和背面；在襯底的背面上形成凹槽；在襯底開(kāi)設(shè)有凹槽的背面上制備依次層疊設(shè)置的隧穿氧化層和本征硅材料層；本征硅材料層具有分別位于凹槽的相對(duì)的兩側(cè)的第一區(qū)域和第二區(qū)域，對(duì)第一區(qū)域內(nèi)的本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第一摻雜硅材料層，對(duì)第二區(qū)域內(nèi)的本征硅材料層進(jìn)行摻雜得到第二摻雜硅材料層，第一摻雜硅材料層和第二摻雜硅材料層的摻雜類(lèi)型相反。本申請(qǐng)的太陽(yáng)電池的制備方法能夠通過(guò)較少的工藝步驟實(shí)現(xiàn)較好的背接觸太陽(yáng)電池的制備效果。

技術(shù)研發(fā)人員：張鵬,歐文凱,張東威,張靖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江門(mén)普樂(lè)開(kāi)瑞太陽(yáng)能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19