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TOPCon太陽能電池及光伏組件的制作方法

文檔序號:40391361發(fā)布日期:2024-12-20 12:14閱讀:7來源:國知局
TOPCon太陽能電池及光伏組件的制作方法

本技術(shù)涉及光伏,尤其涉及一種topcon太陽能電池及光伏組件。


背景技術(shù):

1、隨著經(jīng)濟的發(fā)展和科技的進步,太陽能電池作為光伏技術(shù)領(lǐng)域中的產(chǎn)物之一,受到人們不斷地青睞。太陽能電池具有多種類型,topcon太陽能電池作為太陽能電池中的一種,通過在硅片襯底上設(shè)置隧穿氧化層和摻雜多晶硅層,從而能夠?qū)崿F(xiàn)較好的表面鈍化效果和較高的光電轉(zhuǎn)換效率。

2、現(xiàn)有技術(shù)中的topcon太陽能電池,正面的硼摻雜晶硅層的摻雜濃度單一且濃度較高,導(dǎo)致電池片的方阻較大,加劇光生載流子的復(fù)合速率,從而降低topcon太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

3、因此,亟需設(shè)計一種topcon太陽能電池及光伏組件,來解決以上技術(shù)問題。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的第一目的在于提出一種topcon太陽能電池,提高該topcon太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

2、為達此目的,本實用新型采用以下技術(shù)方案:

3、本實用新型提供一種topcon太陽能電池,包括硅片襯底、發(fā)射極層、第一隧穿層和多層硼摻雜晶硅層,所述發(fā)射極層形成于所述硅片襯底的受光面一側(cè),所述第一隧穿層和多層所述硼摻雜晶硅層設(shè)置在所述發(fā)射極層上;沿所述硅片襯底指向所述硼摻雜晶硅層的方向,多層所述硼摻雜晶硅層的摻雜濃度依次遞增。

4、作為一種topcon太陽能電池的可選技術(shù)方案,所述topcon太陽能電池還包括正面鈍化層,所述正面鈍化層沉積在所述硼摻雜晶硅層上。

5、作為一種topcon太陽能電池的可選技術(shù)方案,所述topcon太陽能電池還包括減反射層,所述減反射層沉積在所述正面鈍化層上。

6、作為一種topcon太陽能電池的可選技術(shù)方案,所述topcon太陽能電池還包括正面電極,所述正面電極印刷于所述減反射層上,所述正面電極能貫穿所述減反射層、所述正面鈍化層并與所述硼摻雜晶硅層歐姆接觸。

7、作為一種topcon太陽能電池的可選技術(shù)方案,所述topcon太陽能電池還包括硼摻雜非晶硅層,所述硼摻雜非晶硅層設(shè)置于所述第一隧穿層和最內(nèi)層的所述硼摻雜晶硅層之間。

8、作為一種topcon太陽能電池的可選技術(shù)方案,所述topcon太陽能電池還包括本征多晶硅層,所述本征多晶硅層設(shè)置于所述第一隧穿層和最內(nèi)層的所述硼摻雜晶硅層之間。

9、作為一種topcon太陽能電池的可選技術(shù)方案,所述topcon太陽能電池還包括第二隧穿層和磷摻雜多晶硅層,所述第二隧穿層和所述磷摻雜多晶硅層設(shè)置在所述硅片襯底的背光面一側(cè)。

10、作為一種topcon太陽能電池的可選技術(shù)方案,所述topcon太陽能電池還包括背面鈍化層和背面電極,所述背面鈍化層沉積在所述磷摻雜多晶硅層上;

11、所述背面電極印刷于所述背面鈍化層上,所述背面電極能貫穿所述背面鈍化層并與所述磷摻雜多晶硅層歐姆接觸。

12、作為一種topcon太陽能電池的可選技術(shù)方案,所述硼摻雜晶硅層為硼摻雜多晶硅層或硼摻雜微晶硅層。

13、本實用新型的第二目的在于提出一種光伏組件,能夠提高該topcon太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,節(jié)約成本。

14、為達此目的,本實用新型采用以下技術(shù)方案:

15、本實用新型提供一種光伏組件,所述光伏組件包括前板、前膠膜、背膠膜、背板以及以上所述的topcon太陽能電池,所述背板、所述背膠膜、所述topcon太陽能電池、所述前膠膜和所述前板依次層疊設(shè)置。

16、本實用新型的有益效果至少包括:

17、本實用新型提供一種topcon太陽能電池,該topcon太陽能電池包括硅片襯底、發(fā)射極層、第一隧穿層和多層硼摻雜晶硅層,發(fā)射極層形成于硅片襯底的受光面一側(cè),第一隧穿層和多層硼摻雜晶硅層設(shè)置在發(fā)射極層上;沿硅片襯底指向硼摻雜晶硅層的方向,多層硼摻雜晶硅層的摻雜濃度依次遞增。本實用新型通過設(shè)置多層硼摻雜濃度由內(nèi)向外依次遞增的硼摻雜晶硅層,這樣使得靠近發(fā)射極層的硼摻雜晶硅層的硼摻雜濃度低于遠離發(fā)射極層的硼摻雜晶硅層的硼摻雜濃度,從而能夠減少由于靠近發(fā)射極層的硼原子濃度過高而發(fā)生加劇載流子復(fù)合速率的不良現(xiàn)象,也就是說,通過上述設(shè)計能夠降低靠近發(fā)射極層的硼原子濃度,從而降低p型區(qū)域中自由載流子(空穴)濃度,減小與n型區(qū)域中的電子發(fā)生復(fù)合的速率,減少topcon太陽能電池中的電子與空穴復(fù)合現(xiàn)象,進而提高光電轉(zhuǎn)換效率。

18、同時實用新型中通過設(shè)計硼摻雜濃度由內(nèi)向外依次遞增的硼摻雜晶硅層還能夠減少硼摻雜晶硅層發(fā)生硼化硅沉淀的現(xiàn)象,從而減緩載流子的復(fù)合速率,從而提高載流子的收集效率,提高該topcon太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

19、本實用新型還提供一種光伏組件,由于該光伏組件中topcon太陽能電池具有多層由內(nèi)向外硼摻雜濃度依次遞增的硼摻雜晶硅層,進而能夠提高該topcon太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,節(jié)約成本。



技術(shù)特征:

1.topcon太陽能電池,其特征在于,包括硅片襯底(1)、發(fā)射極層(2)、第一隧穿層(3)和多層硼摻雜晶硅層(4),所述發(fā)射極層(2)形成于所述硅片襯底(1)的受光面一側(cè),所述第一隧穿層(3)和多層所述硼摻雜晶硅層(4)設(shè)置在所述發(fā)射極層(2)上;沿所述硅片襯底(1)指向所述硼摻雜晶硅層(4)的方向,多層所述硼摻雜晶硅層(4)的摻雜濃度依次遞增。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽能電池,其特征在于,所述topcon太陽能電池還包括正面鈍化層(5),所述正面鈍化層(5)沉積在所述硼摻雜晶硅層(4)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的topcon太陽能電池,其特征在于,所述topcon太陽能電池還包括減反射層(6),所述減反射層(6)沉積在所述正面鈍化層(5)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的topcon太陽能電池,其特征在于,所述topcon太陽能電池還包括正面電極(7),所述正面電極(7)印刷于所述減反射層(6)上,所述正面電極(7)能貫穿所述減反射層(6)、所述正面鈍化層(5)并與所述硼摻雜晶硅層(4)歐姆接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽能電池,其特征在于,所述topcon太陽能電池還包括硼摻雜非晶硅層(12),所述硼摻雜非晶硅層(12)設(shè)置于所述第一隧穿層(3)和最內(nèi)層的所述硼摻雜晶硅層(4)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽能電池,其特征在于,所述topcon太陽能電池還包括本征多晶硅層(13),所述本征多晶硅層(13)設(shè)置于所述第一隧穿層(3)和最內(nèi)層的所述硼摻雜晶硅層(4)之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽能電池,其特征在于,所述topcon太陽能電池還包括第二隧穿層(8)和磷摻雜多晶硅層(9),所述第二隧穿層(8)和所述磷摻雜多晶硅層(9)設(shè)置在所述硅片襯底(1)的背光面一側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的topcon太陽能電池,其特征在于,所述topcon太陽能電池還包括背面鈍化層(10)和背面電極(11),所述背面鈍化層(10)沉積在所述磷摻雜多晶硅層(9)上;

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的topcon太陽能電池,其特征在于,所述硼摻雜晶硅層(4)為硼摻雜多晶硅層或硼摻雜微晶硅層。

10.光伏組件,其特征在于,所述光伏組件包括前板、前膠膜、背膠膜、背板以及權(quán)利要求1-9中任一項所述的topcon太陽能電池,所述背板、所述背膠膜、所述topcon太陽能電池、所述前膠膜和所述前板依次層疊設(shè)置。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種TOPCon太陽能電池及光伏組件。該TOPCon太陽能電池包括硅片襯底、發(fā)射極層、第一隧穿層和多層硼摻雜晶硅層,發(fā)射極層形成于硅片襯底的受光面一側(cè),第一隧穿層和多層硼摻雜晶硅層設(shè)置在發(fā)射極層上;沿硅片襯底指向硼摻雜晶硅層的方向,多層硼摻雜晶硅層的摻雜濃度依次遞增。通過設(shè)置多層硼摻雜濃度由內(nèi)向外依次遞增的硼摻雜晶硅層,這樣使得靠近發(fā)射極層的硼摻雜晶硅層的硼摻雜濃度低于遠離發(fā)射極層的硼摻雜晶硅層的硼摻雜濃度,從而能夠減小由于靠近發(fā)射極層的硼原子濃度過高而發(fā)生加劇載流子復(fù)合速率的不良現(xiàn)象,減少TOPCon太陽能電池中的電子與空穴復(fù)合現(xiàn)象,進而提高光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員:廖志遠,胡朝冰,王建文,喻強,唐果,熊敏
受保護的技術(shù)使用者:江西沐邦高科股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240201
技術(shù)公布日:2024/12/19
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