本發(fā)明涉及高速連接器，尤其涉及一種高速連接器及其制備工藝。

背景技術(shù)：

1、高速連接器被廣泛用于提供電路板與另一連接器(諸如插頭連接器等)之間的接口?，F(xiàn)有技術(shù)中高速連接器需要在基材上安裝信號針來實現(xiàn)信號傳輸，并且為了實現(xiàn)抗干擾的屏蔽能力，還在基材外增加屏蔽器；當(dāng)所需信號針的數(shù)量較多時，信號針在基材上的安裝難度就會增加，并且屏蔽器的加入會進(jìn)一步占用高速連接器的使用空間。

2、因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供了一種高速連接器及其制備工藝，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中高速連接器采用信號針安裝和屏蔽器安裝，導(dǎo)致安裝難度大且占用空間大的問題。

2、本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下：

3、一種高速連接器，其包括：

4、基材；

5、信號電路層，通過金屬鍍設(shè)置于所述基材的外表面；所述信號電路層包括多個信號電路圖形；

6、屏蔽層，通過金屬鍍設(shè)置于所述基材的外表面，并延伸至所述信號電路圖形的外圍；

7、隔離帶，設(shè)置于所述信號電路圖形與所述屏蔽層之間，以裸露所述基材。

8、所述的高速連接器，其中，所述基材為框狀結(jié)構(gòu)，所述信號電路層布置于所述基材的內(nèi)側(cè)。

9、所述的高速連接器，其還包括：

10、屏蔽結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基材上，并位于相鄰兩個所述信號電路圖形之間；

11、所述屏蔽結(jié)構(gòu)上覆蓋有所述屏蔽層。

12、所述的高速連接器，其中，所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括：

13、屏蔽孔；所述屏蔽孔沿所述基材的厚度方向貫穿所述基材。

14、所述的高速連接器，其中，所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括：

15、屏蔽槽；所述屏蔽槽沿所述基材的內(nèi)側(cè)面向外延伸布置。

16、所述的高速連接器，其中，所述屏蔽槽的深度大于所述信號電路圖形的高度。

17、一種基于上述任意一項所述高速連接器的制備工藝，其包括如下步驟：

18、采用金屬鍍層工藝，在基材上制備基底金屬層；

19、依據(jù)信號電路圖形的排布方式，在所述基底金屬層上制備隔離帶，以在所述基底金屬層上進(jìn)行區(qū)域劃分，并獲得位于隔離帶內(nèi)側(cè)的信號電路基底金屬層和位于隔離帶外側(cè)的屏蔽基底金屬層；

20、對所述信號電路基底金屬層和所述屏蔽基底金屬層進(jìn)行金屬鍍層，以獲得屏蔽層和信號電路層。

21、所述的制備工藝，其中，所述的采用金屬鍍層工藝，在基材上制備基底金屬層具體包括：

22、采用化學(xué)鍍在所述基材表面鍍上一層金屬層，以制備得到所述基底金屬層。

23、所述的制備工藝，其中，所述的依據(jù)信號電路圖形的排布方式，在所述基底金屬層上制備隔離帶包括：

24、依據(jù)信號電路圖形對應(yīng)位置，在所述基底金屬層上通過激光鐳射工藝，鐳射得到隔離帶，并在隔離帶上保留部分基底金屬層，以作為導(dǎo)通線路；其中，所述導(dǎo)通線路的兩端分別連通所述信號電路基底金屬層和所述屏蔽基底金屬層。

25、所述的制備工藝，其中，所述的對所述信號電路基底金屬層和所述屏蔽基底金屬層進(jìn)行金屬鍍層，以獲得屏蔽層和信號電路層具體包括：

26、通過電鍍工藝，對所述信號電路基底金屬層和所述屏蔽基底金屬層進(jìn)行金屬鍍層；

27、將所述隔離帶上的所述導(dǎo)通線路去除，以獲得被所述隔離帶隔離的屏蔽層和信號電路層。

28、有益效果：本申請中所述屏蔽層和所述信號電路圖形通過金屬鍍工藝直接形成在所述基材上，并在所述基材上設(shè)置所述隔離帶，以避免所述屏蔽層與所述信號電路圖形之間的直接接觸，從而取消了傳統(tǒng)的信號針安裝步驟，并取消了外置屏蔽器，既避免了傳統(tǒng)方式中手動操作的誤差和安裝難度，又縮小了所述高速連接器整體占用的空間。

技術(shù)特征：

1.一種高速連接器，其特征在于，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速連接器，其特征在于，所述基材為框狀結(jié)構(gòu)，所述信號電路層布置于所述基材的內(nèi)側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速連接器，其特征在于，其還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高速連接器，其特征在于，所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高速連接器，其特征在于，所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高速連接器，其特征在于，所述屏蔽槽的深度大于所述信號電路圖形的高度。

7.一種基于如權(quán)利要求1-6任意一項所述的高速連接器的制備工藝，其特征在于，所述的制備工藝包括如下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備工藝，其特征在于，所述的采用金屬鍍層工藝，在基材上制備基底金屬層具體包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備工藝，其特征在于，所述的依據(jù)信號電路圖形的排布方式，在所述基底金屬層上制備隔離帶包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備工藝，其特征在于，所述的對所述信號電路基底金屬層和所述屏蔽基底金屬層進(jìn)行金屬鍍層，以獲得屏蔽層和信號電路層具體包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種高速連接器及其制備工藝，所述高速連接器包括：基材；信號電路層，通過金屬鍍設(shè)置于所述基材的外表面；所述信號電路層包括多個信號電路圖形；屏蔽層，通過金屬鍍設(shè)置于所述基材的外表面，并延伸至所述信號電路圖形的外圍；隔離帶，設(shè)置于所述信號電路圖形與所述屏蔽層之間，以裸露所述基材。本申請中所述屏蔽層和所述信號電路圖形通過金屬鍍工藝直接形成在所述基材上，并在所述基材上設(shè)置所述隔離帶，以避免所述屏蔽層與所述信號電路圖形之間的直接接觸，從而取消了傳統(tǒng)的信號針安裝步驟，并取消了外置屏蔽器，既避免了傳統(tǒng)方式中手動操作的誤差和安裝難度，又縮小了所述高速連接器整體占用的空間。

技術(shù)研發(fā)人員：黃明達(dá)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市飛榮達(dá)科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19