本申請(qǐng)與2020年9月17日向日本國專利局提出的特愿2020－156343號(hào)對(duì)應(yīng)，本申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容在此通過引用而錄入。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、專利文獻(xiàn)1公開了與包含sic基板的半導(dǎo)體裝置相關(guān)的技術(shù)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：美國專利申請(qǐng)公開第2015/295079號(hào)說明書

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、一個(gè)實(shí)施方式提供一種能夠緩和電極引起的設(shè)計(jì)規(guī)則的半導(dǎo)體裝置。

3、用于解決課題的方案

4、一個(gè)實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體層，其具有主面；開關(guān)元件，其形成于上述半導(dǎo)體層；第一電極，其配置在上述主面之上，且與上述開關(guān)元件電連接；第二電極，其從上述第一電極空出間隔地配置在上述主面之上，且與上述開關(guān)元件電連接；第一端子電極，其具有在俯視時(shí)與上述第一電極重疊的部分、以及與上述第二電極重疊的部分，且與上述第一電極電連接；以及第二端子電極，其具有在俯視時(shí)與上述第二電極重疊的部分，且與上述第二電極電連接。

5、一個(gè)實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體層，其具有主面；主元件，其形成于上述半導(dǎo)體層，生成主電流；感測元件，其在上述半導(dǎo)體層中形成于與上述主元件不同的區(qū)域，生成監(jiān)視上述主電流的監(jiān)視電流；第一電極，其配置在上述主面之上，且與上述主元件電連接；第二電極，其從上述第一電極空出間隔地配置在上述主面之上，且與上述主元件電連接；第三電極，其從上述第一電極以及上述第二電極空出間隔地配置在上述主面之上，且與上述感測元件電連接；第一端子電極，其在上述第一電極之上與上述第一電極電連接；第二端子電極，其在上述第二電極之上與上述第二電極電連接；以及第三端子電極，其具有在俯視時(shí)與上述第三電極重疊的部分、以及與上述第二電極重疊的部分，且與上述第三電極電連接。

6、一個(gè)實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體層，其具有主面；開關(guān)元件，其形成于上述半導(dǎo)體層；二極管，其在上述半導(dǎo)體層中形成于與上述開關(guān)元件不同的區(qū)域；第一電極，其配置在上述主面之上，且與上述開關(guān)元件電連接；第二電極，其從上述第一電極空出間隔地配置在上述主面之上，且與上述開關(guān)元件電連接；第一端子電極，其在上述第一電極之上與上述第一電極電連接；第二端子電極，其在上述第二電極之上與上述第二電極電連接；以及極性端子電極，其具有在俯視時(shí)與上述二極管重疊的部分、以及與上述第二電極重疊的部分，且與上述二極管電連接。

7、一個(gè)實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體層，其包含sic，具有一方側(cè)的第一主面以及另一方側(cè)的第二主面；縱型晶體管，其形成于上述半導(dǎo)體層；第一電極，其配置在上述第一主面之上；第二電極，其從上述第一電極空出間隔地配置在上述第一主面之上；第一電極焊盤，其以在俯視時(shí)至少一部分與上述第一電極重疊的方式，相對(duì)于上述第一電極配置在與上述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)，且與上述第一電極電連接；以及電極，其配置在上述第二主面之上，上述第一電極焊盤在俯視時(shí)與上述第二電極的一部分重疊。

8、一個(gè)實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：準(zhǔn)備半導(dǎo)體層的工序，該半導(dǎo)體層包含sic，具有一方側(cè)的第一主面以及另一方側(cè)的第二主面，且包含縱型晶體管；在上述第一主面之上空出間隔地形成第一電極以及第二電極的工序；以及以在俯視時(shí)至少一部分與上述第一電極重疊且與上述第一電極電連接的方式，在相對(duì)于上述第一電極而與上述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的位置形成第一電極焊盤的工序，在上述第一電極焊盤的形成工序中，形成有與上述第二電極的一部分重疊的上述第一電極焊盤。

9、上述的或者其它的目的、特征以及效果通過參照附圖進(jìn)行敘述的實(shí)施方式的說明將會(huì)變得清楚。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求9～11任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

17.根據(jù)權(quán)利要求14～16任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

18.根據(jù)權(quán)利要求13～17任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

19.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

20.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體裝置(1)包括：半導(dǎo)體層(10)，其具有主面(11)；開關(guān)元件(2)，其形成于上述半導(dǎo)體層；第一電極(50)，其配置在上述主面之上，且與上述開關(guān)元件電連接；第二電極(55)，其從上述第一電極空出間隔地配置在上述主面之上，且與上述開關(guān)元件電連接；第一端子電極(70)，其具有在俯視時(shí)與上述第一電極重疊的部分、以及與上述第二電極重疊的部分，且與上述第一電極電連接；以及第二端子電極(75)，其具有在俯視時(shí)與上述第二電極重疊的部分，且與上述第二電極電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：日笠旭纮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：羅姆股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19