本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體晶體管(例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(mos晶體管))已被用于各種應(yīng)用，例如電源、功率變換器、開關(guān)等應(yīng)用。傳統(tǒng)的mos晶體管采用平面式結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體集成電路的技術(shù)隨著時(shí)間不斷發(fā)展，mos晶體管采用了堆疊式結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)晶體管的微縮。在堆疊式結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，通常在襯底上形成若干源極線，然后在源極線上形成柵極結(jié)構(gòu)，在柵極結(jié)構(gòu)中形成若干通道結(jié)構(gòu)，通道結(jié)構(gòu)與源極線連接，在每個(gè)通道結(jié)構(gòu)上形成對(duì)應(yīng)的漏極結(jié)構(gòu)，一個(gè)漏極結(jié)構(gòu)通過一個(gè)通道結(jié)構(gòu)連接至源極線，使得半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)能力有限，影響半導(dǎo)體器件的電性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供半導(dǎo)體器件及其制備方法，提高半導(dǎo)體器件的電性能。

2、為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：

3、襯底；

4、若干源極線，位于所述襯底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此間隔排布；

5、若干源極焊盤，每個(gè)所述源極焊盤位于對(duì)應(yīng)的所述源極線上且沿所述第二方向延伸位于相鄰所述源極線之間；

6、若干單元結(jié)構(gòu)，沿所述第一方向和所述第二方向排布位于所述源極焊盤上并與所述源極焊盤連接，且在所述第一方向上彼此錯(cuò)位的至少兩個(gè)所述單元結(jié)構(gòu)位于同一個(gè)所述源極焊盤上；

7、柵極結(jié)構(gòu)，沿所述第二方向延伸，并連接位于同一所述源極焊盤上的單元結(jié)構(gòu)；

8、若干漏極結(jié)構(gòu)，分別位于對(duì)應(yīng)的所述源極焊盤的上方，且每個(gè)所述漏極結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的所述源極焊盤連接的單元結(jié)構(gòu)連接。

9、可選的，所述源極焊盤沿所述第一方向的兩端部位于所述源極線上，所述源極焊盤沿所述第二方向的兩端部均延伸位于相鄰所述源極線之間。

10、可選的，所述源極焊盤的形狀包括菱形或矩形。

11、可選的，若干所述源極焊盤陣列排布，且相鄰兩列所述源極焊盤沿所述第二方向交錯(cuò)設(shè)置。

12、可選的，四個(gè)所述單元結(jié)構(gòu)位于一個(gè)所述源極焊盤上，且分別位于所述源極焊盤的四個(gè)端部。

13、可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)包括環(huán)狀端部。

14、可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述單元結(jié)構(gòu)沿所述第一方向兩側(cè)的第一部分和第二部分，所述第一部分與所述第二部分通過所述環(huán)狀端部連接。

15、可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)與所述單元結(jié)構(gòu)之間具有柵極介質(zhì)層和阻障層，若干所述柵極結(jié)構(gòu)之間填充有第一隔離材料層。

16、本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

17、提供襯底；

18、形成若干源極線位于所述襯底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此間隔排布；

19、形成若干源極焊盤，每個(gè)所述源極焊盤位于對(duì)應(yīng)的所述源極線上且沿所述第二方向延伸位于相鄰所述源極線之間；

20、形成若干單元結(jié)構(gòu)，沿所述第一方向和所述第二方向排布位于所述源極焊盤上并與所述源極焊盤連接，且在所述第一方向上彼此錯(cuò)位的至少兩個(gè)所述單元結(jié)構(gòu)位于同一個(gè)所述源極焊盤上；

21、形成柵極結(jié)構(gòu)沿所述第二方向延伸，并連接位于同一所述源極焊盤上的單元結(jié)構(gòu)；以及，

22、形成若干漏極結(jié)構(gòu)分別位于對(duì)應(yīng)的所述源極焊盤的上方，且每個(gè)所述漏極結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的所述源極焊盤連接的單元結(jié)構(gòu)連接。

23、可選的，形成所述單元結(jié)構(gòu)的步驟包括：

24、形成第一犧牲層至少覆蓋所述源極焊盤；

25、刻蝕所述第一犧牲層以形成若干通孔，所述通孔的底部暴露所述源極焊盤；

26、形成單元結(jié)構(gòu)填充所述通孔；

27、刻蝕去除所述第一犧牲層。

28、可選的，形成所述柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括：

29、形成第二犧牲層至少覆蓋所述單元結(jié)構(gòu)的表面；

30、刻蝕去除所述單元結(jié)構(gòu)頂部的第二犧牲層；

31、形成第一隔離材料層填充于相鄰所述單元結(jié)構(gòu)之間，且所述第一隔離材料層的頂部與所述單元結(jié)構(gòu)的頂部齊平；

32、刻蝕所述第一隔離材料層以形成若干貫穿所述第一隔離材料層的第一開口；

33、去除所述第二犧牲層，以在所述第二犧牲層所在的區(qū)域形成第二開口；

34、形成柵極材料層填充所述第一開口和所述第二開口；

35、刻蝕所述柵極材料層使得所述柵極材料層的頂部低于所述單元結(jié)構(gòu)的頂部，剩余的所述柵極材料層作為所述柵極結(jié)構(gòu)。

36、在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件及其制備方法中，包括：襯底、若干源極線、若干源極焊盤、若干單元結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)和若干漏極結(jié)構(gòu)，其中若干源極線位于襯底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此間隔排布；每個(gè)源極焊盤位于對(duì)應(yīng)的源極線上且沿第二方向延伸位于相鄰源極線之間；若干單元結(jié)構(gòu)沿第一方向和第二方向排布位于源極焊盤上并與源極焊盤連接，且在第一方向上彼此錯(cuò)位的至少兩個(gè)單元結(jié)構(gòu)位于同一個(gè)源極焊盤上；柵極結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸，并連接位于同一源極焊盤上的單元結(jié)構(gòu)；若干漏極結(jié)構(gòu)分別位于對(duì)應(yīng)的源極焊盤的上方，且每個(gè)漏極結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的源極焊盤連接的單元結(jié)構(gòu)連接。本發(fā)明中通過在源極線上設(shè)置源極焊盤，源極焊盤沿第二方向延伸位于相鄰源極線之間，若干單元結(jié)構(gòu)沿第一方向和第二方向排布位于源極焊盤上并與源極焊盤連接，且在第一方向上彼此錯(cuò)位的至少兩個(gè)單元結(jié)構(gòu)位于同一個(gè)源極焊盤上，柵極結(jié)構(gòu)連接位于同一源極焊盤上的單元結(jié)構(gòu)，每個(gè)漏極結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的源極焊盤連接的單元結(jié)構(gòu)連接，實(shí)現(xiàn)每個(gè)漏極結(jié)構(gòu)通過多個(gè)單元結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的源極焊盤連接，能夠提高半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電流，從而提高半導(dǎo)體器件的電性能。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源極焊盤沿所述第一方向的兩端部位于所述源極線上，所述源極焊盤沿所述第二方向的兩端部均延伸位于相鄰所述源極線之間。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源極焊盤的形狀包括菱形或矩形。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，若干所述源極焊盤陣列排布，且相鄰兩列所述源極焊盤沿所述第二方向交錯(cuò)設(shè)置。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，四個(gè)所述單元結(jié)構(gòu)位于一個(gè)所述源極焊盤上，且分別位于所述源極焊盤的四個(gè)端部。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括環(huán)狀端部。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述單元結(jié)構(gòu)沿所述第一方向兩側(cè)的第一部分和第二部分，所述第一部分與所述第二部分通過所述環(huán)狀端部連接。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)與所述單元結(jié)構(gòu)之間具有柵極介質(zhì)層和阻障層，若干所述柵極結(jié)構(gòu)之間填充有第一隔離材料層。

9.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，形成所述單元結(jié)構(gòu)的步驟包括：

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，形成所述柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，包括：襯底、若干源極線、若干源極焊盤、若干單元結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)和若干漏極結(jié)構(gòu)，其中若干源極線位于襯底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此間隔排布；每個(gè)源極焊盤位于對(duì)應(yīng)的源極線上且沿第二方向延伸位于相鄰源極線之間；若干單元結(jié)構(gòu)沿第一方向和第二方向排布位于源極焊盤上并與源極焊盤連接，且在第一方向上彼此錯(cuò)位的至少兩個(gè)單元結(jié)構(gòu)位于同一個(gè)源極焊盤上；柵極結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸，并連接位于同一源極焊盤上的單元結(jié)構(gòu)；若干漏極結(jié)構(gòu)分別位于對(duì)應(yīng)的源極焊盤的上方，且每個(gè)漏極結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的源極焊盤連接的單元結(jié)構(gòu)連接；本發(fā)明提高半導(dǎo)體器件的電性能。

技術(shù)研發(fā)人員：陳炫彤,蔡建成,周陽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：福建省晉華集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19