技術(shù)編號：40385802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其制備方法。背景技術(shù)、半導體晶體管(例如金屬氧化物半導體晶體管(mos晶體管))已被用于各種應用，例如電源、功率變換器、開關(guān)等應用。傳統(tǒng)的mos晶體管采用平面式結(jié)構(gòu)，半導體集成電路的技術(shù)隨著時間不斷發(fā)展，mos晶體管采用了堆疊式結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)晶體管的微縮。在堆疊式結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，通常在襯底上形成若干源極線，然后在源極線上形成柵極結(jié)構(gòu)，在柵極結(jié)構(gòu)中形成若干通道結(jié)構(gòu)，通道結(jié)構(gòu)與源極線連接，在每個通道結(jié)構(gòu)上形成對應的漏極結(jié)構(gòu)，一個漏極結(jié)構(gòu)通過一個通道結(jié)構(gòu)連接至源極...
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