本申請屬于太赫茲芯片裝配，尤其涉及太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)、太赫茲芯片、鍵合方法及電子器件。

背景技術(shù)：

1、隨著太赫茲技術(shù)在無線通訊、雷達(dá)、成像系統(tǒng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，太赫茲單片集成電路芯片獲得了快速的發(fā)展。太赫茲芯片屬于平面集成電路，接口一般采用共面波導(dǎo)(gsg)形式的壓點(diǎn)，g代表地壓點(diǎn)，s代表信號壓點(diǎn)。該壓點(diǎn)用于在片測試及金絲鍵合裝配。

2、太赫茲單片集成電路芯片的工作頻率大于100ghz，一般要求更小的壓點(diǎn)尺寸和更短的壓點(diǎn)間距來適配針間距50um的高頻gsg微波探針。然而，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，雖然目前的太赫茲芯片的壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)可以滿足高頻gsg微波探針的在片測試需求，但是由于其壓點(diǎn)尺寸過小，在鍵合互聯(lián)時只能采用單根鍵合金絲，這會產(chǎn)生較大的寄生電感，影響太赫茲信號的傳輸效果，所以在裝配時需要保證鍵合金絲的弧長盡可能短、弧高盡可能低，而這樣的裝配要求會導(dǎo)致裝配成功率很低，一致性差。

3、因此，目前的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，在能夠滿足在片測試要求的情況下，無法滿足裝配需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本申請實(shí)施例提供了一種太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)、太赫茲芯片、鍵合方法及電子器件，以使太赫茲芯片的壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)能夠同時滿足在片測試要求和裝配需求。

2、本申請是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本申請實(shí)施例提供了一種太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括呈凸字形的信號壓點(diǎn)，以及位于所述信號壓點(diǎn)左右兩側(cè)的兩個地壓點(diǎn)；

4、所述信號壓點(diǎn)包括第一壓點(diǎn)部位和第二壓點(diǎn)部位；其中，所述第一壓點(diǎn)部位為凸字形的凸部，所述第二壓點(diǎn)部位為凸字形中凸部下方的矩形部位；

5、所述地壓點(diǎn)包括上部和下部，所述上部和所述下部由所述第二壓點(diǎn)部位的頂邊所在的直線劃分；兩個上部在所述第一壓點(diǎn)部位的兩側(cè)對稱分布；兩個上部之間的間隔大于所述第二壓點(diǎn)部位的底邊，且小于或等于兩個下部之間的間隔；兩個地壓點(diǎn)分別接地。

6、結(jié)合第一方面，在一些實(shí)施例中，所述地壓點(diǎn)包括至少兩個接地孔，所述接地孔用于接地。

7、結(jié)合第一方面，在一些實(shí)施例中，所述第二壓點(diǎn)部位的底邊的長度大于兩根鍵合金絲的直徑的兩倍；所述第二壓點(diǎn)部位用于連接至少兩根鍵合金絲。

8、結(jié)合第一方面，在一些實(shí)施例中，上述太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)應(yīng)用于太赫茲芯片；所述兩個上部之間的間隔小于gsg高頻探針中兩個g針之前的間隔，所述gsg高頻探針為太赫茲頻段使用的gsg探針；所述第一壓點(diǎn)部位和兩個上部的組合結(jié)構(gòu)，用于與所述gsg高頻探針連接，以對所述太赫茲芯片進(jìn)行在片測試。

9、結(jié)合第一方面，在一些實(shí)施例中，所述上部和所述下部均為矩形；兩個下部在所述第二壓點(diǎn)部位的兩側(cè)對稱分布；所述上部與所述第一壓點(diǎn)部位之間的間隔，小于所述下部與所述第二壓點(diǎn)部位之間的間隔。

10、結(jié)合第一方面，在一些實(shí)施例中，所述第一壓點(diǎn)部位為矩形；兩個下部在所述第二壓點(diǎn)部位的兩側(cè)對稱分布；

11、所述上部為矩形和梯形的組合形狀，該矩形的底邊為所述上部的底邊，該矩形的頂邊與所述第一壓點(diǎn)部位的頂邊共線；該矩形位于遠(yuǎn)離所述第一壓點(diǎn)部位的一側(cè)，所述上部中的梯形位于靠近所述第一壓點(diǎn)部位的一側(cè)；該梯形的下底與該矩形的第一側(cè)邊共邊，所述第一側(cè)邊為靠近所述第一壓點(diǎn)部位一側(cè)的側(cè)邊；

12、所述下部為矩形，所述下部的頂邊與所述上部的底邊共邊，所述下部的底邊與所述第二壓點(diǎn)部位的底邊共線。

13、結(jié)合第一方面，在一些實(shí)施例中，所述第一壓點(diǎn)部位的底邊的長度為35μm；所述第二壓點(diǎn)部位的底邊的長度為70μm；所述上部中的梯形為直角梯形，該直角梯形中垂直于底邊的腰與所述第一壓點(diǎn)部位的頂邊共線；所述上部與所述第一壓點(diǎn)部位之間的間隔為20μm；所述下部與所述第二壓點(diǎn)部位之間的間隔為40μm。

14、第二方面，本申請實(shí)施例提供了一種太赫茲芯片，該太赫茲芯片包括如上述第一方面任一項(xiàng)所述的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

15、第三方面，本申請實(shí)施例提供了太赫茲芯片的鍵合方法，應(yīng)用于上述第二方面所述的太赫茲芯片；所述太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)設(shè)于所述太赫茲芯片的邊緣處，所述第二壓點(diǎn)部位位于該邊緣和所述第一壓點(diǎn)部位之間；所述鍵合方法包括：從所述第二壓點(diǎn)部位的底邊所在的一側(cè)，將至少兩根鍵合金絲，鍵合至所述第二壓點(diǎn)部位。

16、第四方面，本申請實(shí)施例提供了一種電子器件，該電子器件包括如上述第二方面所述的太赫茲芯片。

17、本申請實(shí)施例與相關(guān)技術(shù)相比存在的有益效果是：

18、本申請實(shí)施例提供的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括呈凸字形的信號壓點(diǎn)，以及位于信號壓點(diǎn)左右兩側(cè)的兩個地壓點(diǎn)；地壓點(diǎn)包括上部和下部，上部和下部由第二壓點(diǎn)部位的頂邊所在的直線劃分；兩個上部在第一壓點(diǎn)部位的兩側(cè)對稱分布；兩個上部之間的間隔大于第二壓點(diǎn)部位的底邊，且小于或等于兩個下部之間的間隔。由于信號壓點(diǎn)中的第一壓點(diǎn)部位為凸字形的凸部，而第二壓點(diǎn)部位為凸部下方的部位，因此第二壓點(diǎn)部位的尺寸大于第一壓點(diǎn)部位。對于較小的第一壓點(diǎn)部位，其兩側(cè)的兩個上部之間的間隔也較小，這樣的第一壓點(diǎn)部位和兩個上部的組合結(jié)構(gòu)，可滿足在片測試時高頻微波探針較小的針間距要求。對于較大的第二壓點(diǎn)部位，其可以實(shí)現(xiàn)雙絲鍵合的裝配方式，從而減小寄生電感，同時降低裝配難度，滿足裝配需求。因此，本申請實(shí)施例提供的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)能夠同時滿足太赫茲芯片的在片測試要求和裝配需求。

19、可以理解的是，上述第二方面至第四方面的有益效果可以參見上述第一方面中的相關(guān)描述，在此不再贅述。

20、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本說明書。

技術(shù)特征：

1.一種太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括呈凸字形的信號壓點(diǎn)，以及位于所述信號壓點(diǎn)左右兩側(cè)的兩個地壓點(diǎn)；

2.如權(quán)利要求1所述的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述地壓點(diǎn)包括至少兩個接地孔，所述接地孔用于接地。

3.如權(quán)利要求1所述的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二壓點(diǎn)部位的底邊的長度大于兩根鍵合金絲的直徑的兩倍；

4.如權(quán)利要求1所述的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，應(yīng)用于太赫茲芯片；所述兩個上部之間的間隔小于gsg高頻探針中兩個g針之前的間隔，所述gsg高頻探針為太赫茲頻段使用的gsg探針；

5.如權(quán)利要求1所述的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上部和所述下部均為矩形；

6.如權(quán)利要求1所述的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一壓點(diǎn)部位為矩形；兩個下部在所述第二壓點(diǎn)部位的兩側(cè)對稱分布；

7.如權(quán)利要求6所述的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一壓點(diǎn)部位的底邊的長度為35μm；所述第二壓點(diǎn)部位的底邊的長度為70μm；

8.一種太赫茲芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

9.一種太赫茲芯片的鍵合方法，其特征在于，應(yīng)用于如權(quán)利要求8所述的太赫茲芯片，所述太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)設(shè)于所述太赫茲芯片的邊緣處，所述第二壓點(diǎn)部位位于該邊緣和所述第一壓點(diǎn)部位之間；所述鍵合方法包括：

10.一種電子器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的太赫茲芯片。

技術(shù)總結(jié)
本申請適用于太赫茲芯片裝配技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)、太赫茲芯片、鍵合方法及電子器件，該太赫茲芯片壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括呈凸字形的信號壓點(diǎn)，以及位于信號壓點(diǎn)左右兩側(cè)的兩個地壓點(diǎn)；信號壓點(diǎn)包括第一壓點(diǎn)部位和第二壓點(diǎn)部位；第一壓點(diǎn)部位為凸字形的凸部，第二壓點(diǎn)部位為凸字形中凸部下方的矩形部位；地壓點(diǎn)包括上部和下部，上部和下部由第二壓點(diǎn)部位的頂邊所在的直線劃分；兩個上部在第一壓點(diǎn)部位的兩側(cè)對稱分布；兩個上部之間的間隔大于第二壓點(diǎn)部位的底邊，且小于或等于兩個下部之間的間隔。較小的第一壓點(diǎn)部位和兩個上部可用于芯片測試，較大的第二壓點(diǎn)部位可用于多絲鍵合，故本申請能夠同時滿足在片測試要求和裝配需求。

技術(shù)研發(fā)人員：韓易,曹健,何美林,盧軍廷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19