本申請的實施例涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體集成電路行業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級增長。集成電路材料和設(shè)計的技術(shù)進步已經(jīng)產(chǎn)生了幾代集成電路，其中每一代都比前一代具有更小、更復(fù)雜的電路。在集成電路發(fā)展的過程中，通常是功能密度(即每個芯片區(qū)域的互連器件的數(shù)量)增加了，而幾何尺寸(即可以使用制造工藝產(chǎn)生的最小部件(或者導(dǎo)線))卻減小了。這種按比例縮小的工藝通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供收益。這種縮小也增加了處理和制造集成電路的復(fù)雜性。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請的實施例的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：晶體管，包括：多個堆疊的溝道；源極/漏極區(qū)，連接至堆疊的溝道；柵極金屬，圍繞在堆疊的溝道周圍；多個內(nèi)部間隔件，每個內(nèi)部間隔件橫向地定位在柵極金屬和源極/漏極區(qū)之間，并且包括柵極金屬和漏極/源極區(qū)之間的間隙。

2、根據(jù)本申請的實施例的另一個方面，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成堆疊在晶體管的第二溝道上方的晶體管的第一溝道；形成與第一溝道和第二溝道接觸的源極/漏極區(qū)；形成圍繞在第一溝道和第二溝道周圍的柵極金屬；以及在柵極金屬和源極/漏極區(qū)之間形成內(nèi)部間隔件，并且包括柵極金屬之間的間隙和內(nèi)部間隔件襯墊層。

3、根據(jù)本申請的實施例的又一個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：晶體管，包括：多個堆疊的溝道；源極/漏極區(qū)，與每個堆疊的溝道接觸；柵極金屬，圍繞在堆疊的溝道周圍，并且包括位于堆疊的溝道中最高溝道上方的上部；內(nèi)部間隔件，包括位于最高溝道上方、并且橫向地位于柵極金屬的上部和源極/漏極區(qū)之間的間隙；以及介電結(jié)構(gòu)，位于間隙上方、并且與源極/漏極區(qū)接觸。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，每個間隙凸出至所述源極/漏極區(qū)中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述源極/漏極區(qū)具有凹形的側(cè)壁，其中，所述側(cè)壁鄰接每個內(nèi)部間隔件的所述間隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述介電結(jié)構(gòu)的底面低于所述源極/漏極區(qū)的頂面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述介電結(jié)構(gòu)與所述源極/漏極區(qū)和所述最高溝道上方的柵極介電層接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管包括位于所述柵極金屬上的柵極介電層，其中，每個內(nèi)部間隔件包括：內(nèi)部間隔件襯墊層，位于兩個相鄰的溝道之間和所述兩個相鄰的溝道上的柵極電介質(zhì)上；所述間隙，定位在所述內(nèi)部間隔件襯墊層的頂部、底部、和側(cè)部之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，每個內(nèi)部間隔件的所述內(nèi)部間隔件襯墊層具有與所述源極/漏極區(qū)相鄰的凹形端部。

9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件包括晶體管。晶體管包括：多個堆疊的溝道；源極/漏極區(qū)，連接至堆疊的溝道；以及柵極金屬，圍繞在堆疊的溝道周圍。晶體管包括多個內(nèi)部間隔件，每個內(nèi)部間隔件橫向地定位在柵極金屬和源極/漏極區(qū)之間，并且包括柵極金屬和漏極/源極區(qū)之間的間隙和內(nèi)部間隔件襯墊層。本申請的實施例還公開了形成半導(dǎo)體器件的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：周君易,陳冠霖,朱熙甯,江國誠,王志豪
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19