1.一種氮化物半導(dǎo)體共振隧穿二極管振蕩器，包括共振隧穿二極管和縫隙天線，該共振隧穿二極管自下而上，包括襯底(1)、發(fā)射極歐姆接觸層(2)、第一隔離層(3)、第一勢壘層(4)、勢阱層(5)、第二勢壘層(6)、第二隔離層(7)、集電極歐姆接觸層(8)，其特征在于：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于：所述金屬縫隙層(11)，采用金、銀、銅、鋁材料中的任意一種，其厚度為100nm-300nm，縫隙寬為2μm-6μm，縫隙長度由所需諧振頻率決定，該縫隙與其金屬四周邊緣的距離為300μm-400μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于：所述mim電容(12)，包括下極板(121)、介質(zhì)層(122)和上極板(123)，其位于金屬縫隙層(11)上的另一側(cè)，且下極板(121)與金屬縫隙層(11)共用同一金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于：所述共振隧穿二極管的集電極歐姆接觸層(8)和發(fā)射極歐姆接觸層(2)分別與縫隙天線中mim電容(12)的上極板(123)和縫隙天線中的金屬縫隙層(11)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述共振隧穿二極管，其各層厚度和材料如下：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于：
7.一種氮化物半導(dǎo)體共振隧穿二極管振蕩器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟1)和步驟7)中使用的分子束外延技術(shù)，其工藝條件如下：
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟2)、步驟4)和步驟6)中使用的分子束外延技術(shù)，其工藝條件如下：
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟3)和步驟5)中使用的分子束外延技術(shù)，其工藝條件如下：
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于：