本公開涉及發(fā)光裝置、顯示裝置、可穿戴裝置及發(fā)光裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、專利文獻(xiàn)1公開了一種在俯視觀察下多個微型led排列成行和列的呈矩形的微型led面板。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本公開專利公報“特開2018-185515號公報”

5、專利文獻(xiàn)2：日本公開專利公報“特開2023-001062號公報”

6、專利文獻(xiàn)3：日本公開專利公報“特開2010-96882號公報”

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、然而，在如上所述的現(xiàn)有技術(shù)中，存在產(chǎn)生能夠視覺辨認(rèn)程度的雜散光的問題。

3、用于解決問題的方案

4、為了解決上述問題，本公開的一方式涉及的發(fā)光裝置為如下的構(gòu)成：包括包含第一發(fā)光層第一半導(dǎo)體層和包含第二發(fā)光層的第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層所具有的第一側(cè)壁和所述第二半導(dǎo)體層所具有的第二側(cè)壁隔著間隙而相鄰，所述第一側(cè)壁的法線與所述第二側(cè)壁的法線不平行。

5、為了解決上述問題，本公開的一方式涉及的顯示裝置為包括本公開設(shè)計(jì)的發(fā)光裝置的構(gòu)成。

6、為了解決上述問題，本公開的一方式涉及的可穿戴裝置為包括本公開的發(fā)光裝置的構(gòu)成。

7、為了解決上述問題，本公開的一方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法為如下方法：

8、包括在生長用基板上使半導(dǎo)體晶體生長的工序；以及通過對所述半導(dǎo)體晶體進(jìn)行圖案化，形成第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的工序，所述第一半導(dǎo)體層包含第一發(fā)光層且具有第一側(cè)壁，所述第二半導(dǎo)體層包含第二發(fā)光層且具有第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁隔著間隙相鄰，所述第一側(cè)壁的法線和所述第二側(cè)壁的法線不平行。

9、發(fā)明效果

10、根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠減少雜散光。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁間之間的最小距離為30[nm]～2.0[μm]。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層距光取出面的距離不同。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，光也從所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁出射。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁為平面形狀。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁為彎曲形狀。

9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層在俯視觀察下為四邊形。

10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層在俯視觀察下為橢圓。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，俯視觀察所述第一半導(dǎo)體層時的橢圓的長軸與俯視觀察所述第二半導(dǎo)體層時的長軸不平行。

12.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層在俯視觀察下為具有5條以上邊的凹多邊形。

13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁之間的距離不隨厚度方向的位置而變化。

14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁之間的距離根據(jù)厚度方向的位置而變化。

15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層為錐形狀。

16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層是在遠(yuǎn)離光取出面方向上逐漸變細(xì)的形狀。

17.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一側(cè)壁的法線及所述第二側(cè)壁的法線所成的銳角為10°以下。

18.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

19.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

20.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

21.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，從所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層出射的光為朗伯取向。

22.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層分別是含有鎵的氮化物半導(dǎo)體晶體。

23.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層與所述生長用基板的生長面結(jié)合，

24.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一發(fā)光元件包括陽極及陰極，

25.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置。

26.一種可穿戴裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置。

27.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括：

28.如權(quán)利要求27所述發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及的發(fā)光裝置(10)包括：包含第一發(fā)光層第一半導(dǎo)體層(11)和包含第二發(fā)光層的第二半導(dǎo)體層(12)，第一半導(dǎo)體層(11)所具有的第一側(cè)壁(W1)和第二半導(dǎo)體層(12)所具有的第二側(cè)壁(W2)隔著間隙而相鄰，第一側(cè)壁(W1)的法線與第二側(cè)壁(W2)的法線不平行(α≠0°)。

技術(shù)研發(fā)人員：上田吉裕,巖谷素顯,末廣好伸,今泉雄太,齋藤龍成,長谷川直希,井村慧悟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：夏普株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19