本發(fā)明的一個方式涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的一個方式涉及一種晶體管及其制造方法。本發(fā)明的一個方式涉及一種包括半導(dǎo)體裝置的顯示裝置。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于上述。作為本說明書等所公開的本發(fā)明的一個方式的的例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置、輸入輸出裝置、這些裝置的驅(qū)動方法或這些裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置是指能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置。

背景技術(shù)：

1、有使晶體管微型化的需求。例如，在顯示裝置中，用于像素的晶體管的占有面積越小越可以縮小像素的尺寸，所以可以實現(xiàn)高清晰化。另外，可以增加可在單位面積內(nèi)配置的晶體管，所以可以以不增大像素的尺寸的方式在像素內(nèi)配置多個晶體管而例如將校正功能等組裝于像素。

2、近年來，顯示面板的高清晰化得到了推進(jìn)。作為需求高清晰顯示面板的設(shè)備，除了平板終端、智能手機(jī)、手表型終端之外例如還積極地開發(fā)應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(vr：virtualreality)或增強(qiáng)現(xiàn)實(ar：augmented?reality)的設(shè)備。高清晰顯示面板中主要使用有機(jī)el(electro?luminescence：電致發(fā)光)元件或發(fā)光二極管(led：light?emitting?diode)等發(fā)光元件。

3、專利文獻(xiàn)1公開了使用有機(jī)el器件(也稱為有機(jī)el元件)的高清晰顯示裝置。

4、[專利文獻(xiàn)1]國際公開第2016/038508號

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、晶體管被要求微型化及高可靠性。尤其在將晶體管用于顯示裝置的像素的情況下，有時晶體管的電特性的變動大幅度地影響到各像素的顏色及明亮度等的不均勻。尤其在vr用設(shè)備中，有因這種顯示不良導(dǎo)致沉浸感的下降的擔(dān)憂。

2、本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化的晶體管。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種可以以高密度配置晶體管的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種電特性良好的晶體管。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種可以使大電流流過的晶體管。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種溝道長度極小的晶體管。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種占有面積小的晶體管。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種同時實現(xiàn)微型化及高可靠性的晶體管。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種容易實現(xiàn)高清晰化的顯示裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的晶體管、半導(dǎo)體裝置或顯示裝置。

3、本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置、顯示裝置或電子設(shè)備。本發(fā)明的一個方式的目的之一是至少改善現(xiàn)有技術(shù)問題中的至少一個。

4、注意，這些目的的記載并不妨礙其他目的的存在。注意，本發(fā)明的一個方式并不需要實現(xiàn)所有上述目的。注意，可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述目的以外的目的。

5、本發(fā)明的一個方式是包括晶體管及第一絕緣層的半導(dǎo)體裝置。晶體管包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層及第二絕緣層。第一絕緣層包括第一層及該第一層上的第二層。第一絕緣層位于第一導(dǎo)電層上，并包括到達(dá)第一導(dǎo)電層的第一開口。第二導(dǎo)電層位于第二層上。半導(dǎo)體層具有與第一導(dǎo)電層接觸的部分、與第二導(dǎo)電層接觸的部分以及與第一開口內(nèi)側(cè)的第一層的側(cè)面接觸的部分。第二絕緣層在第一開口內(nèi)覆蓋半導(dǎo)體層，第三導(dǎo)電層在第一開口內(nèi)覆蓋第二絕緣層。第一絕緣層在與第一開口不同的位置上包括第二開口。第二絕緣層具有在第二開口內(nèi)側(cè)與第一層接觸的部分。第一層包括氧化物絕緣膜，第二層包括具有氧阻擋性的絕緣膜。

6、另外，在上述中，第二開口優(yōu)選在從平面看時設(shè)置在不與第二導(dǎo)電層重疊的位置上。此時，第二開口優(yōu)選具有與第三導(dǎo)電層重疊的部分。另外，第二開口優(yōu)選具有與第一導(dǎo)電層重疊的部分。

7、另外，在上述任意個中，第二開口優(yōu)選穿過第二層到達(dá)第一層。此時，第一層優(yōu)選具有與第二開口重疊的凹部。并且，第二絕緣層優(yōu)選在第二開口內(nèi)側(cè)與第一層的凹部表面接觸。

8、另外，在上述任意個中，第二開口優(yōu)選穿過第二層及第一層。并且，第二絕緣層優(yōu)選在第二開口內(nèi)側(cè)與第一絕緣層的側(cè)面接觸。

9、另外，在上述任意個中，第一絕緣層優(yōu)選包括位于第一層下方的第三層。并且，第二開口優(yōu)選穿過第二層及第一層到達(dá)第三層。

10、另外，在上述任意個中，第一絕緣層優(yōu)選包括位于第一層下方的第三層。并且，第二開口優(yōu)選穿過第二層、第一層及第三層。

11、另外，在上述中，優(yōu)選的是，第一層包含氧化硅，第二層包含氮化硅或氧化鋁。

12、另外，在上述中，從平面看時的第一開口與第二開口的最短距離優(yōu)選為0.1μm以上且100μm以下。

13、另外，本發(fā)明的另一個方式是包括下述工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法。也就是說，在第一導(dǎo)電層上形成第一層及第二層，在第二層上形成第二導(dǎo)電層，在第一層及第二層中形成到達(dá)第一導(dǎo)電層的第一開口且在遠(yuǎn)離第一開口的位置上形成第二開口，在形成覆蓋第一開口及第二開口且與第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的每一個接觸的半導(dǎo)體膜之后進(jìn)行加熱處理，對半導(dǎo)體膜的一部分進(jìn)行蝕刻來使第二開口露出，形成覆蓋半導(dǎo)體膜及第二開口的絕緣層，在絕緣層上形成與半導(dǎo)體層重疊的第三導(dǎo)電層。在此，第一層包括氧化物絕緣膜，第二層包括具有氧阻擋性的絕緣膜。

14、根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種可以以高密度配置晶體管的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種電特性良好的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種可以使大電流流過的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種溝道長度極小的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種占有面積小的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種同時實現(xiàn)微型化及高可靠性的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種容易實現(xiàn)高清晰化的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種可靠性高的晶體管、半導(dǎo)體裝置或顯示裝置。

15、根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置、顯示裝置或電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，至少可以改善現(xiàn)有技術(shù)問題中的至少一個。

16、注意，這些效果的記載并不妨礙其他效果的存在。注意，本發(fā)明的一個方式不一定需要具有所有上述效果。注意，可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述效果以外的效果。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。提供一種同時實現(xiàn)微型化及高可靠性的晶體管。本發(fā)明的一個方式是一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。該半導(dǎo)體裝置包括晶體管及第一絕緣層。晶體管包括第一至第三導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層。第一絕緣層包括第一層及該第一層上的第二層。第一絕緣層位于第一導(dǎo)電層上，并包括到達(dá)第一導(dǎo)電層的第一開口。第二導(dǎo)電層位于第二層上。半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層接觸，并與第一開口內(nèi)側(cè)的第一層的側(cè)面接觸。第二絕緣層在第一開口內(nèi)覆蓋半導(dǎo)體層，第三導(dǎo)電層在第一開口內(nèi)覆蓋第二絕緣層。第一絕緣層在與第一開口不同的位置上包括第二開口。第二絕緣層在第二開口內(nèi)側(cè)與第一層接觸。第一層包括氧化物絕緣膜，第二層包括具有氧阻擋性的絕緣膜。

技術(shù)研發(fā)人員：神長正美,土橋正佳,肥冢純一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19