背景技術(shù)：

1、現(xiàn)代技術(shù)應(yīng)用的多樣性產(chǎn)生了對用于其中的高效電子部件和集成電路的需求。電容器是用于濾波、耦合、旁通和此類現(xiàn)代應(yīng)用的其它方面的基本部件，這些現(xiàn)代應(yīng)用可以包括無線通信、警報系統(tǒng)、雷達(dá)系統(tǒng)、電路切換、匹配網(wǎng)絡(luò)和許多其它應(yīng)用。集成電路的速度和封裝密度的急劇增加尤其需要耦合電容器技術(shù)的進(jìn)步。當(dāng)高電容耦合電容器經(jīng)受到許多當(dāng)前應(yīng)用的高頻影響時，性能特性變得越來越重要。由于電容器對于如此廣泛的應(yīng)用至關(guān)重要，因此電容器的精度和效率極其重要。因此，電容器設(shè)計的許多特定方面已經(jīng)成為改進(jìn)其性能特性的焦點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種寬帶多層陶瓷電容器可以包括：單片主體，該單片主體包括在z方向上堆疊的多個介電層，并且該單片主體可以具有第一端，該第一端與第二端相對。第一外部端子可以沿單片主體的第一端設(shè)置。第一外部端子可以包括沿單片主體的外表面延伸的第一部分。第二外部端子可以沿單片主體的第二端設(shè)置。第二外部端子可以包括沿單片主體的外表面延伸的第一部分。第一外部端子的第一部分可以與第二外部端子的第一部分間隔開第一外部端子間隔距離。有源電極區(qū)可以包含多個第一有源電極層和多個第二有源電極層。該多個第一有源電極層可以包括至少一個形狀為矩形的有源電極。該多個第二有源電極層可以包括至少一個形狀為矩形的第二有源電極。該多個第一有源電極層可以與第一外部端子連接。該多個第二有源電極層可以與第二外部端子連接。有源電極區(qū)可以包含最外層有源電極層。最外層有源電極層可以與該外表面間隔開最外層有源至表面距離。單片主體可以具有沿z方向的厚度。該厚度與最外層有源至表面距離的比率可以為1.1或更大。該電容器可以具有沿縱向方向延伸的電容器長度。電容器長度與第一外部端子間隔距離的比率可以為15或更大。

2、根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種設(shè)備可以包括：安裝表面以及寬帶多層陶瓷電容器。該寬帶多層陶瓷電容器可以包括：單片主體，該單片主體包括在z方向上堆疊的多個介電層，并且該單片主體可以具有第一端，該第一端與第二端相對。第一外部端子可以沿單片主體的第一端設(shè)置。第一外部端子可以包括沿單片主體的外表面延伸的第一部分。第二外部端子可以沿單片主體的第二端設(shè)置。第二外部端子可以包括沿單片主體的外表面延伸的第一部分。第一外部端子的第一部分可以與第二外部端子的第一部分間隔開第一外部端子間隔距離。有源電極區(qū)可以包含多個第一有源電極層和多個第二有源電極層。該多個第一有源電極層可以包括至少一個形狀為矩形的有源電極。該多個第二有源電極層可以包括至少一個形狀為矩形的第二有源電極。該多個第一有源電極層可以與第一外部端子連接。該多個第二有源電極層可以與第二外部端子連接。有源電極區(qū)可以包含最外層有源電極層。最外層有源電極層可以與該外表面間隔開最外層有源至表面距離。單片主體可以具有沿z方向的厚度。該厚度與最外層有源至表面距離的比率可以為1.1或更大。該電容器可以具有沿縱向方向延伸的電容器長度。電容器長度與第一外部端子間隔距離的比率可以為15或更大。

3、根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，一種形成寬帶多層陶瓷電容器的方法可以包括：在多個有源電極層上形成多個有源電極。該多個有源電極層中的至少一個第一有源電極層可以包括第一有源電極。該多個有源電極層中的至少一個第二有源電極層可以包括第二有源電極。該方法還可以包括：堆疊該多個有源電極層和多個介電層以形成具有外表面的單片主體。該多個有源電極層可以包括最外層有源電極層，該最外層有源電極層被設(shè)置為在該多個有源電極層中最靠近單片主體的外表面。該方法還可以包括：沿該電容器的第一端沉積第一外部端子。第一外部端子可以與第一有源電極層連接。第一外部端子可以包括沿該電容器的外表面延伸的第一部分。該方法還可以包括：沿該電容器的第二端沉積第二外部端子，該第二端與第一端相對。第二外部端子可以與第二有源電極層連接。第二外部端子可以包括沿該電容器的外表面延伸的第一部分。最外層有源電極層可以與該外表面間隔開最外層有源至表面距離。單片主體可以具有沿z方向的厚度。該厚度與最外層有源至表面距離的比率可以為1.1或更大。該電容器可以具有沿縱向方向延伸的電容器長度。電容器長度與第一外部端子間隔距離的比率可以為15或更大。

技術(shù)特征：

1.一種寬帶多層陶瓷電容器，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述最外層有源至表面距離為150微米或更小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述第一外部端子間隔距離為250微米或更小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器被配置用于安裝到安裝表面，其中所述多個第一有源電極層中的每個第一有源電極層和所述多個第二有源電極層中的每個第二有源電極層平行于所述安裝表面延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在從約5ghz至約67ghz下表現(xiàn)出大于約-1.2db的插入損耗。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述外表面是所述單片主體的底表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述外表面是所述單片主體的頂表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，還包括：屏蔽電極區(qū)，所述屏蔽電極區(qū)位于所述有源電極區(qū)與所述外表面之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，還包括：介電區(qū)，所述介電區(qū)在所述z方向上位于所述有源電極區(qū)與所述單片主體的第二外表面之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述第二外表面沿所述z方向與所述外表面相對。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，介電區(qū)不具有從所述單片主體的所述第一端或所述單片主體的所述第二端延伸超過所述電容器長度的40％的電極層。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述介電區(qū)不具有電極層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，還包括：至少一個浮動電極，所述至少一個浮動電極不與所述第一外部端子或所述第二外部端子連接；其中，所述至少一個浮動電極設(shè)置在介電區(qū)內(nèi)，所述介電區(qū)在所述z方向上位于所述屏蔽電極區(qū)與所述電容器的頂表面之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在約67ghz下表現(xiàn)出大于約-1.0db的插入損耗。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在約40ghz下表現(xiàn)出大于約-0.6db的插入損耗。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在約10ghz下表現(xiàn)出大于約-0.2db的插入損耗。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在從約5ghz至約20ghz下表現(xiàn)出大于約-0.5db的插入損耗。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在從約20ghz至約40ghz下表現(xiàn)出大于約-0.6db的插入損耗。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在從約40ghz至約50ghz下表現(xiàn)出大于約-1.0db的插入損耗。

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在從約50ghz至約60ghz下表現(xiàn)出大于約-1.2db的插入損耗。

21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述寬帶多層陶瓷電容器在從約60ghz至約67ghz下表現(xiàn)出大于約-1.2db的插入損耗。

22.一種設(shè)備，包括：

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中，所述多個第一有源電極層中的每個第一有源電極層包括至少一個形狀為矩形的有源電極。

24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中，所述多個第二有源電極層中的每個第二有源電極層包括至少一個形狀為矩形的有源電極。

25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中，所述最外層有源至表面距離為100微米或更小，并且所述第一外部端子間隔距離為75微米或更小。

26.一種形成寬帶多層陶瓷電容器的方法，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
一種寬帶多層陶瓷電容器可以包括第一外部端子和第二外部端子。第一外部端子的第一部分可以與第二外部端子的第一部分間隔開第一外部端子間隔距離。第一有源電極層可以包括與第一外部端子連接的矩形的第一有源電極。第二有源電極層可以包括與第二外部端子連接的矩形的第二有源電極。最靠近電容器的外表面的最外層有源電極層可以與該外表面間隔開最外層有源至表面距離。在Z方向上的電容器厚度與最外層有源至表面距離的比率可以為1.1或更大。在縱向方向上的電容器長度與第一外部端子間隔距離的比率可以為15或更大。

技術(shù)研發(fā)人員：瑪麗安·貝羅里尼,杰弗里·霍恩,日高史彥,稻永佑貴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京瓷AVX元器件公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19