背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體處理工具通常包括一或多個半導(dǎo)體處理室，所述室在所述半導(dǎo)體處理工具中提供隔離的環(huán)境以處理半導(dǎo)體晶片。半導(dǎo)體處理工具可以用于對半導(dǎo)體晶片執(zhí)行基于等離子體的處理操作。等離子體源用于產(chǎn)生等離子體，而該等離子體會在處理氣體流入其中時產(chǎn)生該處理氣體的中性顆粒、離子和/或自由基。接著，可以使這些顆粒流動以與所關(guān)注的襯底(例如，半導(dǎo)體晶片)進行物理和/或化學(xué)反應(yīng)。在某些半導(dǎo)體處理工具中，可以在單一室內(nèi)處理多個半導(dǎo)體晶片。在這樣的半導(dǎo)體處理工具中，這種室可以包括一或多個晶片處理站，而各個處理站具有自己的晶片支撐件或基座。在一些設(shè)計中，該基座可以為靜電卡盤(esc)，而襯底被放置其上。esc或基座可以用于產(chǎn)生電磁場，該電磁場可以將該襯底夾持于該esc和/或?qū)㈩w粒偏置到該esc上。在半導(dǎo)體制造期間，經(jīng)常使用esc來將正在進行制造的晶片夾牢或夾持，從而減緩在制造處理期間的變形或彎曲。

2、在此包含的背景及上下文的描述僅針對整體呈現(xiàn)公開內(nèi)容的上下文的目的而提供。本公開內(nèi)容的許多呈現(xiàn)發(fā)明人的成果，且單純由于如此成果在背景技術(shù)部分中描述或在本文其他位置呈現(xiàn)為上下文并不表示將認為是現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在本公開的一個方面，公開了一種配置以將靜電卡盤(esc)在多個模式中運行的系統(tǒng)。在一些實施方案中，該系統(tǒng)包括：多個夾持電極，其與該esc相關(guān)聯(lián)；多個功率源，其與該多個夾持電極電耦合；控制器，其與該多個功率源耦合，其中，該控制器被配置成：使用第一夾持模式將襯底夾持于該esc上，該第一夾持模式包括該多個夾持電極和該多個功率源的第一配置；以及在使用該第一夾持模式運行該esc期間，從該第一夾持模式進行切換，以使用第二夾持模式將該襯底夾持于該esc上，該第二夾持模式包括該多個夾持電極和該多個功率源的第二配置，該第二配置不同于該第一配置。

2、在本公開的另一個方面，公開了一種將靜電卡盤(esc)在多個模式中運行的方法。在一些實施方案中，該方法包括：將該esc在第一夾持模式中運行；以及在該第一夾持模式的該運行的一部分期間，基于處理環(huán)境的變化而將該esc在第二夾持模式中運行。

3、在其一些變體中，該第一夾持模式和該第二夾持模式中的每一者包括使用與該esc相關(guān)聯(lián)的夾持電極的相應(yīng)配置而將襯底夾持于該esc上。

4、在本公開的另一個方面，公開了一種能夠在襯底處理環(huán)境中運行的靜電卡盤(esc)。在一些實施方案中，該esc包括：第一夾持電極，其與第一功率源電耦合；以及第二夾持電極，其與第二功率源電耦合；其中，該esc被配置成：使用第一夾持模式將襯底夾持于該esc上；以及在該第一夾持模式的部分期間進行切換，以使用第二夾持模式將該襯底夾持于該esc上。

5、在其一些變體中，該第一夾持模式包括在該第一夾持電極處接收來自該第一功率源的第一電壓，以及在該第二夾持電極處接收來自該第二功率源的第二電壓，該第一電壓和該第二電壓系具有相反極性。

6、在其一些其他變體中，該第二夾持模式包括在該第一夾持電極處接收來自該第一功率源的電壓以及在該第二夾持電極處接收自該第二功率源的電壓。

7、在本公開的另一個方面，公開了一種非瞬態(tài)計算機可讀裝置。在一些實施方案中，該計算機可讀裝置包括儲存介質(zhì)，該儲存介質(zhì)包括多個指令，所述指令被配置成在被至少一處理器執(zhí)行時驅(qū)使靜電卡盤(esc)：使用第一夾持模式將襯底夾持于該esc上；以及在該第一夾持模式的部分期間進行切換，以使用第二夾持模式將襯底夾持于該esc上。

8、所公開實施方案的這些及其他特征將參照相關(guān)附圖而于下文更詳細描述。

技術(shù)特征：

1.一種被配置成將靜電卡盤(esc)在多個模式中運行的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，從所述第一夾持模式到所述第二夾持模式的所述切換取決于處理環(huán)境的變化。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述處理環(huán)境的所述變化包括等離子體引進處理室內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述處理環(huán)境的所述變化包括來自所述控制器的信號。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中：

11.一種將靜電卡盤(esc)在多個模式中運行的方法，所述方法包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一夾持模式包括所述esc的雙極夾持模式，而所述第二夾持模式包括所述esc的單極夾持模式。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中：

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一夾持模式包括所述esc的單極夾持模式，而所述第二夾持模式包括所述esc的雙極夾持模式。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中：

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述處理環(huán)境的所述變化包括等離子體引進所述處理環(huán)境中，或者所述處理環(huán)境中的所述等離子體去除。

17.一種能夠在襯底處理環(huán)境中運行的靜電卡盤(esc)，所述esc包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的esc，其中，所述esc被進一步配置成至少基于所述襯底處理環(huán)境中的變化而使用所述第二夾持模式將所述襯底夾持于所述esc上。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的esc，其中，所述襯底處理環(huán)境中的所述變化包括等離子體引進所述處理環(huán)境中，或所述襯底處理環(huán)境中的等離子體去除。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的esc，其中，使用所述第二夾持模式將所述襯底夾持被配置成在所述襯底處理環(huán)境中的變化之前或之后的預(yù)定時間內(nèi)進行。

技術(shù)總結(jié)
提供了多模式靜電卡盤(ESC)裝置，以及運行ESC的系統(tǒng)和方法。在一些實施方案中，ESC可以在單極夾持模式或雙極夾持模式中運行。在一些實施方案中，ESC可以利用一對電極以進行單極和雙極夾持模式。在一些實施方案中，該對電極中的每一者可以電耦合到相應(yīng)的功率源。在一些實施方案中，ESC可以在第一夾持模式(例如，雙極夾持模式)下運行，且至少基于處理環(huán)境的變化而在第二夾持模式(例如，單極夾持模式)下運行。

技術(shù)研發(fā)人員：諾亞·埃利奧特·貝克,拉梅什·錢德拉塞卡拉,卡爾·弗雷德里克·利瑟
受保護的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19