本公開實施例涉及一種顯示基板以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、液晶顯示面板的顯示模式包括高級超維場(advanced?super?dimensionswitching，ads)顯示模式、高開口率高級超維場轉(zhuǎn)換(high?advanced-super?dimensionalswitching，hads)顯示模式等，ads顯示模式因受到像素結(jié)構(gòu)的限制，數(shù)據(jù)線位置處暗場區(qū)域?qū)挾容^寬，影響顯示面板的透過率，常用于大尺寸顯示產(chǎn)品，如電視(tv)產(chǎn)品中，hads顯示模式下，數(shù)據(jù)線位置處暗場區(qū)域?qū)挾容^窄，顯示面板的透過率較高，常應(yīng)用于中小尺寸的顯示產(chǎn)品中，但在采用hads顯示模式的顯示面板中，由于公共電極覆蓋數(shù)據(jù)線，當(dāng)其應(yīng)用在大尺寸顯示產(chǎn)品中時，對充電率是一個較大的挑戰(zhàn)。為了降低負(fù)載，可以采用有機(jī)膜(org)工藝，但該工藝比較復(fù)雜。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開實施例提供一種顯示基板以及顯示裝置。

2、本公開實施例提供一種顯示基板，包括：襯底基板、位于襯底基板上的多條數(shù)據(jù)線、多條柵線、半導(dǎo)體層以及多個晶體管。所述多條數(shù)據(jù)線沿第一方向排列；所述多條柵線沿第二方向排列，所述第二方向與所述第一方向相交；半導(dǎo)體層與所述柵線所在膜層層疊設(shè)置，且位于所述柵線所在膜層與所述數(shù)據(jù)線所在膜層之間；各晶體管包括柵極、有源層、第一極以及第二極，所述柵極與所述柵線電連接，所述第一極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述半導(dǎo)體層包括所述有源層，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述柵極、所述第一極以及所述第二極均與所述有源層交疊。所述多條柵線位于所述多條數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述柵極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，所述半導(dǎo)體層包括與所述柵線層疊設(shè)置的半導(dǎo)體部，所述半導(dǎo)體部與所述有源層間隔設(shè)置，所述顯示基板還包括遮光部，與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，且在垂直于所述襯底基板的方向，所述半導(dǎo)體部的至少部分與所述遮光部交疊。

3、例如，根據(jù)本公開實施例，至少一條柵線包括彼此連接的突出部和柵線主體部，沿所述第一方向延伸的直線經(jīng)過所述柵極和所述突出部在所述襯底基板上的正投影，所述半導(dǎo)體部包括與所述突出部層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體部以及與所述柵線主體部層疊設(shè)置的第二半導(dǎo)體部，所述第一半導(dǎo)體部在所述襯底基板上的正投影的面積的80％以上落入所述遮光部在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

4、例如，根據(jù)本公開實施例，所述遮光部的至少部分邊緣比所述第一半導(dǎo)體部的邊緣更遠(yuǎn)離所述第二半導(dǎo)體部，且所述第一半導(dǎo)體部在所述襯底基板上的正投影完全位于所述遮光部和所述柵極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

5、例如，根據(jù)本公開實施例，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述第二半導(dǎo)體部的部分與所述遮光部交疊。

6、例如，根據(jù)本公開實施例，與所述至少一條柵線中位于相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間的部分層疊設(shè)置的所述第二半導(dǎo)體部在所述襯底基板上的正投影的面積的70％以上落入所述遮光部在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

7、例如，根據(jù)本公開實施例，所述遮光部的數(shù)量為多個，至少一個遮光部與至少一個晶體管的柵極為一體化設(shè)置的結(jié)構(gòu)。

8、例如，根據(jù)本公開實施例，所述一體化設(shè)置的結(jié)構(gòu)與所述柵線主體部交疊部分在所述第一方向上的尺寸大于所述一體化設(shè)置的結(jié)構(gòu)與所述突出部交疊部分在所述第一方向上的尺寸。

9、例如，根據(jù)本公開實施例，所述遮光部的數(shù)量為多個，至少一個遮光部與任一晶體管的柵極間隔設(shè)置，且所述遮光部與所述柵線絕緣設(shè)置。

10、例如，根據(jù)本公開實施例，所述遮光部和與其距離最近的所述柵極之間設(shè)置有間隔，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述間隔的至少部分與所述突出部交疊。

11、例如，根據(jù)本公開實施例，所述至少一個遮光部和與其距離最近的柵極之間設(shè)置有間隔，所述柵極遠(yuǎn)離與其電連接的柵線主體部的部分向所述遮光部突出，且所述柵極與相應(yīng)的遮光部的形狀互補。

12、例如，根據(jù)本公開實施例，所述遮光部包括與所述第一半導(dǎo)體部交疊的第一遮光部以及與所述第二半導(dǎo)體部交疊的第二遮光部，所述第二遮光部的邊緣相對于所述第一遮光部的邊緣更靠近所述數(shù)據(jù)線。

13、例如，根據(jù)本公開實施例，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述柵線主體部與所述柵極沒有交疊，所述柵極與所述突出部電連接。

14、例如，根據(jù)本公開實施例，所述遮光部與距離其最近的所述數(shù)據(jù)線之間的距離為2～15微米。

15、例如，根據(jù)本公開實施例，所述遮光部與距離其最近的所述柵極之間的距離為2～15微米。

16、例如，根據(jù)本公開實施例，所述遮光部超出與其交疊的所述半導(dǎo)體部的邊緣的部分的尺寸大于1.65微米且小于5微米。

17、例如，根據(jù)本公開實施例，所述柵線所在膜層與所述半導(dǎo)體層直接接觸。

18、例如，根據(jù)本公開實施例，顯示基板還包括：第一電極層，位于所述數(shù)據(jù)線與所述襯底基板之間，第二電極層，位于所述柵線遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)。所述第一電極層包括像素電極，所述像素電極與所述晶體管的第二極電連接，所述第二電極層包括公共電極，所述第一電極層還包括導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部的至少部分與所述數(shù)據(jù)線層疊設(shè)置且直接接觸，所述第二電極層還包括多個連接部，所述柵極通過至少一個連接部與所述突出部電連接。

19、本公開實施例提供一種顯示裝置，包括上述任一顯示基板。

20、例如，根據(jù)本公開實施例，顯示裝置還包括：背光源，位于所述顯示基板的入光側(cè)。所述背光源包括脈沖寬度調(diào)制背光源。

技術(shù)特征：

1.一種顯示基板，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中，至少一條柵線包括彼此連接的突出部和柵線主體部，沿所述第一方向延伸的直線經(jīng)過所述柵極和所述突出部在所述襯底基板上的正投影，所述半導(dǎo)體部包括與所述突出部層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體部以及與所述柵線主體部層疊設(shè)置的第二半導(dǎo)體部，所述第一半導(dǎo)體部在所述襯底基板上的正投影的面積的80％以上落入所述遮光部在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述遮光部的至少部分邊緣比所述第一半導(dǎo)體部的邊緣更遠(yuǎn)離所述第二半導(dǎo)體部，且所述第一半導(dǎo)體部在所述襯底基板上的正投影完全位于所述遮光部和所述柵極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述第二半導(dǎo)體部的部分與所述遮光部交疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中，與所述至少一條柵線中位于相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間的部分層疊設(shè)置的所述第二半導(dǎo)體部在所述襯底基板上的正投影的面積的70％以上落入所述遮光部在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述遮光部的數(shù)量為多個，至少一個遮光部與至少一個晶體管的柵極為一體化設(shè)置的結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板，其中，所述一體化設(shè)置的結(jié)構(gòu)與所述柵線主體部交疊部分在所述第一方向上的尺寸大于所述一體化設(shè)置的結(jié)構(gòu)與所述突出部交疊部分在所述第一方向上的尺寸。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述遮光部的數(shù)量為多個，至少一個遮光部與任一晶體管的柵極間隔設(shè)置，且所述遮光部與所述柵線絕緣設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其中，所述遮光部和與其距離最近的所述柵極之間設(shè)置有間隔，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述間隔的至少部分與所述突出部交疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其中，所述至少一個遮光部和與其距離最近的柵極之間設(shè)置有間隔，所述柵極遠(yuǎn)離與其電連接的柵線主體部的部分向所述遮光部突出，且所述柵極與相應(yīng)的遮光部的形狀互補。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述遮光部包括與所述第一半導(dǎo)體部交疊的第一遮光部以及與所述第二半導(dǎo)體部交疊的第二遮光部，所述第二遮光部的邊緣相對于所述第一遮光部的邊緣更靠近所述數(shù)據(jù)線。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，沿垂直于所述襯底基板的方向，所述柵線主體部與所述柵極沒有交疊，所述柵極與所述突出部電連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求1-12任一項所述的顯示基板，其中，所述遮光部與距離其最近的所述數(shù)據(jù)線之間的距離為2～15微米。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其中，所述遮光部與距離其最近的所述柵極之間的距離為2～15微米。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中，所述遮光部超出與其交疊的所述半導(dǎo)體部的邊緣的部分的尺寸大于1.65微米且小于5微米。

16.根據(jù)權(quán)利要求1-12任一項所述的顯示基板，其中，所述柵線所在膜層與所述半導(dǎo)體層直接接觸。

17.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，還包括：

18.一種顯示裝置，包括權(quán)利要求1-17任一項所述的顯示基板。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，還包括：

技術(shù)總結(jié)
一種顯示基板以及顯示裝置。該顯示基板包括顯示基板，包括襯底基板、數(shù)據(jù)線、柵線、半導(dǎo)體層以及晶體管。半導(dǎo)體層與柵線層疊設(shè)置，且位于柵線所在膜層與數(shù)據(jù)線所在膜層之間；晶體管包括柵極、有源層、第一極以及第二極，柵極與柵線電連接，第一極與數(shù)據(jù)線電連接，半導(dǎo)體層包括有源層。柵線位于數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，柵極與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，半導(dǎo)體層包括與柵線層疊設(shè)置的半導(dǎo)體部，半導(dǎo)體部與有源層間隔設(shè)置，顯示基板還包括遮光部，與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，且在垂直于襯底基板的方向，半導(dǎo)體部的至少部分與遮光部交疊通過與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的遮光部對與柵線層疊設(shè)置的半導(dǎo)體部的至少部分進(jìn)行遮光，有利于消除橫紋不良。

技術(shù)研發(fā)人員：陳曉曉,朱寧,李云,王超,周焱,張毅,江鵬,劉建濤,楊越
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26