本發(fā)明涉及雙面冷卻型功率半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)：

1、眾所周知，半導(dǎo)體元件是由半導(dǎo)體制成的電子電路元件。

2、在這樣的半導(dǎo)體元件中，在功率裝置的功率控制中利用了作為包括igbt和二極管而實現(xiàn)為封裝的電力模塊、功率模塊或功率半導(dǎo)體封裝(以下，表示為“功率半導(dǎo)體封裝”)。

3、通常，所述功率半導(dǎo)體封裝廣泛使用于諸如逆變器、無斷電供電裝置、焊機(jī)、電梯等工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域和汽車領(lǐng)域。

4、但是，這樣的現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體封裝存在以下問題：在功率轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生較多的熱損失，這樣的熱損失的產(chǎn)生不僅導(dǎo)致功率半導(dǎo)體封裝的溫度升高，而且，在所述功率半導(dǎo)體封裝的溫度升高而超過所述功率半導(dǎo)體封裝的動作溫度限制的情況下，可能會使所述功率半導(dǎo)體封裝的功能受損。

5、考慮到這樣的問題，公開了一種功率半導(dǎo)體封裝的冷卻裝置，該功率半導(dǎo)體封裝的冷卻裝置的冷卻通道形成為與功率半導(dǎo)體封裝的兩面接觸，以能夠?qū)λ龉β拾雽?dǎo)體封裝進(jìn)行冷卻。

6、然而，在這樣的現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體封裝的冷卻裝置中，所述冷卻通道長長地形成為依次經(jīng)過所述功率半導(dǎo)體封裝的頂面和底面，因此存在使所述冷卻流體(冷卻水)的流動阻力增加的問題。

7、另外，由于功率半導(dǎo)體封裝的頂面的冷卻通道的冷卻流體的溫度與所述功率半導(dǎo)體封裝的底面的冷卻通道的冷卻流體的溫度偏差增大，導(dǎo)致溫度相對較高的區(qū)域的冷卻不足，因此存在加速強(qiáng)制劣化的問題。

8、另外，相比于與所述冷卻通道的冷卻流體的溫度相對較低的上游區(qū)域接觸的功率半導(dǎo)體封裝，與所述冷卻通道的冷卻流體的溫度相對上升的下游區(qū)域接觸的功率半導(dǎo)體封裝存在冷卻相對不足的問題。

9、另外，由于構(gòu)成為所述功率半導(dǎo)體封裝的表面與冷卻通道的表面直接接觸的結(jié)構(gòu)，因此存在使所述功率半導(dǎo)體封裝與冷卻通道的內(nèi)部的冷卻流體的熱交換不足的問題。

10、考慮到這樣的問題，研究出在局部具有直接冷卻流路的功率半導(dǎo)體封裝的雙面冷卻裝置，直接冷卻流路使功率半導(dǎo)體封裝的頂面和底面與冷卻流體直接接觸。

11、然而，在這樣的現(xiàn)有的具有直接冷卻流路的功率半導(dǎo)體封裝的雙面冷卻裝置中，由于功率半導(dǎo)體封裝的頂面和底面與冷卻流體直接接觸，導(dǎo)致所述功率半導(dǎo)體封裝的散熱面積的增加存在限制，因此存在熱交換不足的問題。

12、另一方面，在這樣的現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體封裝的冷卻裝置中，由于當(dāng)所述功率半導(dǎo)體封裝的運(yùn)轉(zhuǎn)和停止時，所述功率半導(dǎo)體封裝會反復(fù)熱膨脹和收縮，導(dǎo)致在所述功率半導(dǎo)體封裝和/或所述冷卻通道的結(jié)合區(qū)域集中有應(yīng)力，因此存在可能會使所述功率半導(dǎo)體封裝和所述冷卻通道損壞的問題。

13、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

14、專利文獻(xiàn)

15、專利文獻(xiàn)1：kr1020170056196(2017.05.23.公開)

16、專利文獻(xiàn)2：kr1020170042067(2017.04.18.公開)

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠在功率半導(dǎo)體封裝熱膨脹時抑制發(fā)生變形和損壞的雙面冷卻型功率半導(dǎo)體封裝。

3、另外，本發(fā)明的另一目的在于，提供一種能夠縮短冷卻流體的流路的雙面冷卻型功率半導(dǎo)體封裝。

4、另外，本發(fā)明的又一目的在于，提供一種能夠抑制功率半導(dǎo)體封裝的頂面和底面之間發(fā)生溫度偏差的雙面冷卻型功率半導(dǎo)體封裝。

5、解決問題的技術(shù)方案

6、為了解決如上所述的課題，本發(fā)明的雙面冷卻型功率半導(dǎo)體封裝的特征在于，在配置于功率半導(dǎo)體封裝的兩面的冷卻器連接有可伸縮的連接構(gòu)件。

7、具體而言，復(fù)數(shù)個冷卻器分別配置在沿功率半導(dǎo)體封裝的厚度方向的兩個板面，在復(fù)數(shù)個所述冷卻器的一側(cè)分別連接有可伸縮的連接構(gòu)件，因此在所述功率半導(dǎo)體封裝熱變形(收縮和膨脹)時，所述連接構(gòu)件吸收變形(收縮和膨脹)，從而能夠抑制所述功率半導(dǎo)體封裝和周邊部件發(fā)生損壞。

8、本發(fā)明一實施例的雙面冷卻型功率半導(dǎo)體封裝包括：板形狀的功率半導(dǎo)體封裝；復(fù)數(shù)個冷卻器，在內(nèi)部分別設(shè)置有冷卻流體的流路，在所述功率半導(dǎo)體封裝的兩側(cè)板面分別配置為能夠進(jìn)行熱交換；以及連接構(gòu)件，在內(nèi)部設(shè)置有所述冷卻流體的流路，與復(fù)數(shù)個所述冷卻器可連通地連接；所述連接構(gòu)件形成為可伸縮。

9、由此，所述功率半導(dǎo)體封裝發(fā)生熱變形(膨脹和收縮)時，所述連接構(gòu)件通過伸縮來吸收變形(膨脹和收縮)，從而能夠抑制所述功率半導(dǎo)體封裝發(fā)生變形和/或所述冷卻器發(fā)生變形。

10、在本發(fā)明一實施例中，所述連接構(gòu)件具有波紋管形狀。

11、具體而言，所述連接構(gòu)件構(gòu)成為具有結(jié)合部和褶皺部，所述結(jié)合部具有管形狀并設(shè)置在兩端部，所述褶皺部具有相比于所述結(jié)合部擴(kuò)張的外徑并且可伸縮。

12、由此，能夠使所述連接構(gòu)件順暢地伸縮。

13、在本發(fā)明一實施例中，所述連接構(gòu)件配置為能夠沿所述功率半導(dǎo)體封裝的厚度方向伸縮。

14、所述連接構(gòu)件的一端部與復(fù)數(shù)個所述冷卻器中的一個連接，另一端部與復(fù)數(shù)個所述冷卻器中的另一個連接，從而在所述功率半導(dǎo)體封裝沿厚度方向膨脹的情況下，所述連接構(gòu)件能夠通過沿厚度方向伸長來吸收變形。

15、另外，在所述功率半導(dǎo)體封裝沿厚度方向收縮的情況下，所述連接構(gòu)件能夠通過沿厚度方向收縮來吸收變形。

16、在本發(fā)明一實施例中，所述連接構(gòu)件形成為能夠沿所述功率半導(dǎo)體封裝的板面方向伸縮。

17、由此，在所述功率半導(dǎo)體封裝沿板面方向膨脹的情況下，所述連接構(gòu)件能夠通過沿板面方向收縮來吸收變形。

18、另外，在所述功率半導(dǎo)體封裝沿板面方向收縮的情況下，所述連接構(gòu)件能夠通過沿板面方向伸長來吸收變形。

19、在本發(fā)明一實施例中，復(fù)數(shù)個所述冷卻器的每一個構(gòu)成為具有：內(nèi)側(cè)板，與所述功率半導(dǎo)體接觸；外側(cè)板，與所述內(nèi)側(cè)板隔開配置；以及隔板，一側(cè)與所述內(nèi)側(cè)板連接，另一側(cè)與所述外側(cè)板連接。

20、由此，能夠使復(fù)數(shù)個所述冷卻器與冷卻流體的接觸面積增加，從而使熱交換量增加。

21、由此，能夠促進(jìn)所述功率半導(dǎo)體封裝的散熱(冷卻)。

22、另外，由于可以利用擠壓成型來制作復(fù)數(shù)個冷卻器，因此能夠容易地制作復(fù)數(shù)個冷卻器。

23、在本發(fā)明一實施例中，復(fù)數(shù)個所述冷卻器的每一個構(gòu)成為具有：內(nèi)側(cè)板，與所述功率半導(dǎo)體封裝接觸；外側(cè)板，與所述內(nèi)側(cè)板隔開配置；以及散熱片，一側(cè)與所述內(nèi)側(cè)板連接，另一側(cè)與所述外側(cè)板連接。

24、由此，能夠增加復(fù)數(shù)個所述冷卻器與所述冷卻流體的熱交換面積。

25、另外，能夠通過調(diào)節(jié)散熱片的尺寸、數(shù)量及間隔來調(diào)節(jié)所述冷卻流體與復(fù)數(shù)個冷卻器的熱交換量。

26、由此，能夠促進(jìn)所述功率半導(dǎo)體封裝的冷卻。

27、在本發(fā)明一實施例中，復(fù)數(shù)個所述冷卻器具有：上部冷卻器，設(shè)置在所述功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)板面；以及下部冷卻器，設(shè)置在所述功率半導(dǎo)體封裝的下側(cè)板面；所述連接構(gòu)件以所述冷卻流體的流動方向為基準(zhǔn)，分別設(shè)置在所述下部冷卻器及所述上部冷卻器的流入側(cè)端部、所述下部冷卻器及所述上部冷卻器的流出側(cè)端部。

28、由此，當(dāng)所述功率半導(dǎo)體封裝熱膨脹時，能夠通過設(shè)置在所述下部冷卻器及所述上部冷卻器的流入側(cè)端部的連接構(gòu)件和設(shè)置在所述下部冷卻器及所述上部冷卻器的流出側(cè)端部的連接構(gòu)件來分別吸收變形。

29、由此，能夠抑制因所述功率半導(dǎo)體封裝的熱膨脹導(dǎo)致所述功率半導(dǎo)體封裝、所述上部冷卻器及所述下部冷卻器發(fā)生損壞。

30、在本發(fā)明一實施例中，所述冷卻器還包括分別設(shè)置在所述下部冷卻器的流入側(cè)端部和流出側(cè)端部、所述上部冷卻器的流入側(cè)端部和流出側(cè)端部的頭部，

31、所述連接構(gòu)件垂直配置于所述上部冷卻器的頭部和所述下部冷卻器的頭部之間來與所述頭部可連通地連接。

32、由此，當(dāng)所述功率半導(dǎo)體封裝熱膨脹時，能夠通過由所述連接構(gòu)件吸收變形來抑制所述功率半導(dǎo)體封裝、所述下部冷卻器及所述上部冷卻器發(fā)生損壞。

33、在本發(fā)明一實施例中，在所述頭部設(shè)置有連接構(gòu)件結(jié)合部，所述連接構(gòu)件結(jié)合部供所述連接構(gòu)件沿所述功率半導(dǎo)體封裝的厚度方向以重疊的方式結(jié)合。

34、由此，能夠充分確保所述連接構(gòu)件的長度，從而使所述連接構(gòu)件能夠容易地變形(伸縮)。

35、在本發(fā)明一實施例中，所述連接構(gòu)件結(jié)合部具有沿厚度方向凹陷的凹陷部，以能夠容納所述連接構(gòu)件的端部。

36、由此，當(dāng)所述連接構(gòu)件收縮時，能夠抑制所述連接構(gòu)件被過度壓縮。

37、在本發(fā)明一實施例中，所述凹陷部的內(nèi)部寬度大于所述連接構(gòu)件的最大外部寬度(所述褶皺部的外部寬度)。

38、由此，當(dāng)所述連接構(gòu)件收縮時，最外側(cè)區(qū)域(所述褶皺部)沿所述連接構(gòu)件的寬度方向容納到所述凹陷部的內(nèi)部，而不會干擾所述凹陷部。

39、在本發(fā)明一實施例中，所述連接構(gòu)件結(jié)合部具有重疊區(qū)間，所述重疊區(qū)間從所述凹陷部凸出為沿長度方向與所述連接構(gòu)件的端部(所述結(jié)合部)重疊。

40、由此，當(dāng)所述連接構(gòu)件收縮時，能夠抑制所述連接構(gòu)件的褶皺部沿所述連接構(gòu)件的長度方向與所述凹陷部的底部接觸。

41、在本發(fā)明一實施例中，所述重疊區(qū)間構(gòu)成為長度小于所述凹陷部的深度。

42、由此，當(dāng)所述連接構(gòu)件收縮時，所述連接構(gòu)件的褶皺部能夠插入到所述凹陷部的內(nèi)部。

43、在本發(fā)明一實施例中，所述內(nèi)側(cè)板、外側(cè)板及散熱片由金屬構(gòu)件形成，所述內(nèi)側(cè)板、外側(cè)板及散熱片利用釬焊來結(jié)合。

44、由此，能夠抑制所述冷卻器發(fā)生泄漏。

45、在本發(fā)明一實施例中，所述功率半導(dǎo)體封裝包括沿板面方向隔開的第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝，

46、所述上部冷卻器具有配置在所述第一功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第一上部冷卻器、配置在所述第二功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第二上部冷卻器以及配置在所述第三功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第三上部冷卻器，

47、所述下部冷卻器具有配置在所述第一功率半導(dǎo)體封裝的下側(cè)的第一下部冷卻器、配置在所述第二功率半導(dǎo)體封裝的下側(cè)的第二下部冷卻器以及配置在所述第三功率半導(dǎo)體封裝的下側(cè)的第三下部冷卻器。

48、在此，所述第一上部冷卻器、所述第二上部冷卻器及所述第三上部冷卻器串聯(lián)連接，所述第一下部冷卻器、所述第二下部冷卻器及所述第三下部冷卻器串聯(lián)連接。

49、所述第一上部冷卻器和第一下部冷卻器利用所述連接構(gòu)件可連通地連接，所述第三上部冷卻器和第三下部冷卻器利用所述連接構(gòu)件可連通地連接。

50、由此，能夠?qū)λ龅谝还β拾雽?dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝的頂面和底面均勻地冷卻，從而抑制頂面和底面的溫度發(fā)生偏差。

51、在本發(fā)明一實施例中，所述連接構(gòu)件具有：上部水平連接構(gòu)件，沿水平方向連接所述第一上部冷卻器、所述第二上部冷卻器及第三上部冷卻器；以及下部水平連接構(gòu)件，沿水平方向連接所述第一下部冷卻器、所述第二下部冷卻器及所述第三下部冷卻器。

52、具體而言，所述第一上部冷卻器與所述第二上部冷卻器利用所述上部水平連接構(gòu)件可連通地連接，所述第二上部冷卻器與所述第三上部冷卻器利用所述上部水平連接構(gòu)件可連通地連接。

53、另外，所述第一下部冷卻器與所述第二下部冷卻器利用所述下部水平連接構(gòu)件可連通地連接，所述第二下部冷卻器與所述第三下部冷卻器利用所述下部水平連接構(gòu)件可連通地連接。

54、由此，當(dāng)所述第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝熱變形(收縮和膨脹)時，所述上部水平連接構(gòu)件和所述下部水平連接構(gòu)件通過伸長和收縮來吸收變形，從而能夠抑制所述第一功率半導(dǎo)體封裝、所述第二功率半導(dǎo)體封裝、所述第三功率半導(dǎo)體封裝、所述第一上部冷卻器、所述第二上部冷卻器、所述第三上部冷卻器、所述第一下部冷卻器、所述第二下部冷卻器及所述第三下部冷卻器因熱變形(應(yīng)力)而發(fā)生損壞。

55、在本發(fā)明一實施例中，所述功率半導(dǎo)體封裝包括沿厚度方向隔開配置的第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝，

56、所述冷卻器具有配置在所述第一功率半導(dǎo)體封裝的下側(cè)的第一冷卻器、配置在所述第一功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第二冷卻器、配置在所述第二功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第三冷卻器以及配置在所述第三功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第四冷卻器，

57、所述第一冷卻器、所述第二冷卻器、所述第三冷卻器及所述第四冷卻器的各自的流入側(cè)端部利用所述連接構(gòu)件可連通地連接，

58、所述第一冷卻器、所述第二冷卻器、所述第三冷卻器及所述第四冷卻器的各自的流出側(cè)端部利用所述連接構(gòu)件可連通地連接。

59、由此，能夠抑制所述第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝的各個頂面和底面之間的溫度發(fā)生偏差。

60、另外，當(dāng)所述第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝熱變形時，能夠抑制所述第一功率半導(dǎo)體封裝、所述第二功率半導(dǎo)體封裝、所述第三功率半導(dǎo)體封裝、所述第一冷卻器、所述第二冷卻器、所述第三冷卻器及所述第四冷卻器發(fā)生損壞。

61、在本發(fā)明一實施例中，以所述冷卻流體的移動方向為基準(zhǔn)，在所述第一冷卻器的流入側(cè)端部和流出側(cè)端部分別設(shè)置有第一頭部，在所述第二冷卻器的流入側(cè)端部和流出側(cè)端部分別設(shè)置有第二頭部，在所述第三冷卻器的流入側(cè)端部和流出側(cè)端部分別設(shè)置有第三頭部，在所述第四冷卻器的流入側(cè)端部和流出側(cè)端部分別設(shè)置有第四頭部，

62、所述連接構(gòu)件具有沿垂直方向配置在沿上下隔開的所述第一頭部、所述第二頭部、所述第三頭部及所述第四頭部之間的第一垂直連接構(gòu)件、第二垂直連接構(gòu)件及第三垂直連接構(gòu)件。

63、由此，當(dāng)所述第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝熱變形時，所述第一垂直連接構(gòu)件、第二垂直連接構(gòu)件及第三垂直連接構(gòu)件能夠分別通過伸長或收縮來吸收所述第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝的變形。

64、在本發(fā)明一實施例中，具有插入到所述功率半導(dǎo)體封裝與所述冷卻器的接觸面之間的導(dǎo)熱物質(zhì)。

65、由此，所述功率半導(dǎo)體封裝與所述冷卻器的接觸面之間的空氣量減少，從而能夠使熱能從所述功率半導(dǎo)體封裝容易地傳遞到所述冷卻器。

66、由此，能夠促進(jìn)所述功率半導(dǎo)體封裝的散熱(冷卻)。

67、在本發(fā)明一實施例中，所述功率半導(dǎo)體封裝與所述冷卻器的接觸面可以利用焊接(slodering)來接合。

68、由此，能夠減少所述功率半導(dǎo)體封裝與所述冷卻器的接觸面之間的空氣量。

69、由此，能夠促進(jìn)所述功率半導(dǎo)體封裝的散熱(冷卻)。

70、發(fā)明效果

71、如上所述，根據(jù)本發(fā)明一實施例，在功率半導(dǎo)體封裝的兩側(cè)設(shè)置有復(fù)數(shù)個冷卻器，并設(shè)置有與復(fù)數(shù)個所述冷卻器可連通地連接的連接構(gòu)件，所述連接構(gòu)件構(gòu)成為可伸縮，因此在所述功率半導(dǎo)體封裝熱變形時，所述連接構(gòu)件能夠吸收變形來抑制所述功率半導(dǎo)體封裝和冷卻器受損。

72、另外，所述連接構(gòu)件具有波紋管形狀，因此能夠容易地吸收變形。

73、另外，所述連接構(gòu)件配置為能夠沿所述功率半導(dǎo)體封裝的厚度方向伸縮，因此，在所述功率半導(dǎo)體封裝沿厚度方向熱變形的情況下，所述連接構(gòu)件通過伸縮來吸收變形，從而能夠抑制所述功率半導(dǎo)體封裝和冷卻器發(fā)生損壞。

74、另外，所述連接構(gòu)件形成為能夠沿所述功率半導(dǎo)體封裝的板面方向伸縮，因此，在所述功率半導(dǎo)體封裝沿板面方向膨脹的情況下，所述連接構(gòu)件通過收縮來吸收變形，從而能夠抑制所述功率半導(dǎo)體封裝和冷卻器發(fā)生損壞。

75、另外，復(fù)數(shù)個所述冷卻器構(gòu)成為具有內(nèi)側(cè)板、外側(cè)板及復(fù)數(shù)個隔板，使得與冷卻流體的接觸面積增加，從而能夠促進(jìn)散熱。

76、另外，復(fù)數(shù)個冷卻器具有內(nèi)側(cè)板、外側(cè)板及散熱片，因此，能夠增加與冷卻流體的熱交換面積。

77、另外，復(fù)數(shù)個冷卻器具有上部冷卻器和下部冷卻器，連接構(gòu)件分別設(shè)置在上部冷卻器及下部冷卻器的流入側(cè)端部、上部冷卻器及下部冷卻器的流出側(cè)端部，因此，當(dāng)所述功率半導(dǎo)體封裝發(fā)生熱變形時，能夠利用分別設(shè)置在所述流入側(cè)端部和流出側(cè)端部的連接構(gòu)件來吸收變形。

78、另外，在復(fù)數(shù)個所述冷卻器的流入側(cè)端部和流出側(cè)端部分別設(shè)置有頭部，所述各個頭部設(shè)置有垂直連接構(gòu)件結(jié)合部，以供垂直連接構(gòu)件沿功率半導(dǎo)體封裝的厚度方向以重疊的方式結(jié)合，因此，當(dāng)所述垂直連接構(gòu)件伸長時，能夠確保充分的長度，從而能夠容易地實現(xiàn)伸縮。

79、另外，所述垂直連接構(gòu)件結(jié)合部具有沿厚度方向凹陷的凹陷部，因此，當(dāng)所述垂直連接構(gòu)件收縮時，能夠抑制所述垂直連接構(gòu)件被過度壓縮。

80、另外，所述凹陷部的內(nèi)部寬度大于所述垂直連接構(gòu)件的最大外部寬度，因此，當(dāng)垂直連接構(gòu)件伸縮時，能夠抑制與所述凹陷部發(fā)生干擾。

81、另外，所述內(nèi)側(cè)板、外側(cè)板及散熱片利用釬焊來結(jié)合，因此能夠抑制所述冷卻器發(fā)生泄漏。

82、另外，所述功率半導(dǎo)體封裝具有沿板面方向隔開的第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝，所述上部冷卻器具有第一上部冷卻器、第二上部冷卻器及第三上部冷卻器，所述下部冷卻器具有第一下部冷卻器、第二下部冷卻器及第三下部冷卻器，因此，能夠抑制所述第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝的頂面和底面的溫度發(fā)生偏差。

83、另外，所述第一上部冷卻器、第二上部冷卻器及第三上部冷卻器利用上部水平連接構(gòu)件可連通地連接，所述第一下部冷卻器、第二下部冷卻器及第三下部冷卻器利用下部水平連接構(gòu)件可連通地連接，因此，當(dāng)所述第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝熱變形時，能夠利用所述上部水平連接構(gòu)件和所述下部水平連接構(gòu)件來吸收變形。

84、另外，所述功率半導(dǎo)體封裝包括沿厚度方向隔開配置的第一功率半導(dǎo)體封裝、第二功率半導(dǎo)體封裝及第三功率半導(dǎo)體封裝，所述冷卻器具有設(shè)置在所述第一功率半導(dǎo)體封裝的下側(cè)的第一冷卻器、設(shè)置在所述第二功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第二冷卻器、設(shè)置在所述第二功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第三冷卻器以及設(shè)置在所述第三功率半導(dǎo)體封裝的上側(cè)的第四冷卻器，因此，能夠抑制所述第一功率半導(dǎo)體封裝、所述第二功率半導(dǎo)體封裝及所述第三功率半導(dǎo)體封裝的頂面和底面的溫度發(fā)生偏差。

85、另外，在所述第一冷卻器的流入側(cè)和流出側(cè)設(shè)置有第一頭部，在所述第二冷卻器的流入側(cè)和流出側(cè)設(shè)置有第二頭部，在所述第三冷卻器的流入側(cè)和流出側(cè)設(shè)置有第三頭部，在所述第四冷卻器的流入側(cè)和流出側(cè)設(shè)置有第四頭部，在所述第一頭部、所述第二頭部、所述第三頭部及所述第四頭部之間設(shè)置有第一垂直連接構(gòu)件、第二垂直連接構(gòu)件及第三垂直連接構(gòu)件，因此，當(dāng)所述第一功率半導(dǎo)體封裝、所述第二功率半導(dǎo)體封裝及所述第三功率半導(dǎo)體封裝熱變形時，所述第一垂直連接構(gòu)件、所述第二垂直連接構(gòu)件及所述第三垂直連接構(gòu)件能夠分別通過伸長或收縮來吸收所述第一功率半導(dǎo)體封裝、所述第二功率半導(dǎo)體封裝及所述第三功率半導(dǎo)體封裝的變形。

86、另外，所述功率半導(dǎo)體封裝和所述冷卻器的接觸面之間插入有導(dǎo)熱物質(zhì)，因此，所述功率半導(dǎo)體封裝和所述冷卻器的接觸面之間的空氣量減少，從而使熱能能夠從所述功率半導(dǎo)體封裝容易地傳遞到所述冷卻器。