技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及一種電荷耦合功率MOSFET器件，包括有源區(qū)、柵極引出區(qū)和終端保護(hù)區(qū)；有源區(qū)和柵極引出區(qū)設(shè)有第一溝槽，終端保護(hù)區(qū)設(shè)有第二溝槽；第一溝槽內(nèi)的第一導(dǎo)電多晶硅和第二導(dǎo)電多晶硅由第二絕緣氧化層隔離，第二導(dǎo)電多晶硅與第一溝槽內(nèi)壁由第一絕緣氧化層隔離；第二溝槽內(nèi)的第三導(dǎo)電多晶硅與第二溝槽內(nèi)壁由第四絕緣氧化層隔離；導(dǎo)電多晶硅上方的絕緣介質(zhì)層設(shè)置接觸孔，第二接觸孔填充金屬與第一導(dǎo)電多晶硅歐姆接觸，第三接觸孔填充金屬與第二導(dǎo)電多晶硅歐姆接觸，第四接觸孔填充金屬與第三導(dǎo)電多晶硅歐姆接觸；器件上方設(shè)有源極金屬和柵極金屬。本實(shí)用新型導(dǎo)通電阻低，柵漏電荷Qgd小，輸入電容Ciss小，導(dǎo)通損耗低，開關(guān)損耗低，工藝更為簡單。

技術(shù)研發(fā)人員：朱袁正;葉鵬;劉晶晶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫新潔能股份有限公司
文檔號碼：201720413251
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.19
技術(shù)公布日：2017.11.10