1.一種雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)，其特征在于：包括從上到下排布的上超導(dǎo)層(3)、基底層(1)和下超導(dǎo)層(6)；上超導(dǎo)層(3)和下超導(dǎo)層(6)中的其中一層與超導(dǎo)磁體(11)并聯(lián)后連接主回路，另一層連接觸發(fā)回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)，其特征在于：所述上超導(dǎo)層(3)和下超導(dǎo)層(6)均采用YBCO超導(dǎo)薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)，其特征在于：所述上超導(dǎo)層(3)與基底層(1)之間設(shè)置有上緩沖層(2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)，其特征在于：所述下超導(dǎo)層(6)與基底層(1)之間設(shè)置有下緩沖層(5)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)，其特征在于：所述上超導(dǎo)層(3)靠近基底層(1)一側(cè)設(shè)置有上緩沖層(2)，遠(yuǎn)離基底層一側(cè)設(shè)置有上金屬層(4)；下超導(dǎo)層(3)靠近基底層(1)一側(cè)設(shè)置有下緩沖層(5)，遠(yuǎn)離基底層(1)一側(cè)設(shè)置有下金屬層(7)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)，其特征在于：所述基底層(1)采用氧化鋁或氧化鎂。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)，其特征在于：所述上緩沖層(2)和下緩沖層(5)采用氧化鈰。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)，其特征在于：所述上金屬層(4)和下金屬層(7)均采用銅、金、銀、鍍金金屬或鍍銀金屬中的一種。