技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開一種超摻雜均勻性大面積SiC外延層生長腔室結(jié)構(gòu)，其包括：碳化硅LPCVD反應(yīng)腔室，其外側(cè)設(shè)有加熱組件；托盤，其位于碳化硅LPCVD反應(yīng)腔室中；三通導(dǎo)氣管路結(jié)構(gòu)，其安裝于碳化硅LPCVD反應(yīng)腔室進(jìn)氣端一側(cè)，該三通導(dǎo)氣管路結(jié)構(gòu)由主導(dǎo)氣管路及兩個(gè)位于主導(dǎo)氣管路兩側(cè)且相互隔絕的側(cè)導(dǎo)氣管路構(gòu)成；三通進(jìn)氣管路結(jié)構(gòu)，其與三通導(dǎo)氣管路結(jié)構(gòu)連接，三通進(jìn)氣管路結(jié)構(gòu)包括管主體及主進(jìn)氣管路和兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路，主進(jìn)氣管路和兩個(gè)側(cè)進(jìn)氣管路均與管主體內(nèi)腔連通，管主體內(nèi)腔連通主導(dǎo)氣管路及側(cè)導(dǎo)氣管路；側(cè)進(jìn)氣管路與主進(jìn)氣管路之間通過一斜面連接，以致使主進(jìn)氣管路與管主體內(nèi)腔形成喇叭狀通道，并連通主導(dǎo)氣管路及側(cè)導(dǎo)氣管路。

技術(shù)研發(fā)人員：韓景瑞;孫國勝;楊旭騰;張新河;孔令沂;李錫光;蕭黎鑫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司
文檔號(hào)碼：201720237302
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.10
技術(shù)公布日：2017.10.13